CN101953066A - 用于人造卫星上装载的微波设备的电子装置 - Google Patents

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CN101953066A CN2008801274302A CN200880127430A CN101953066A CN 101953066 A CN101953066 A CN 101953066A CN 2008801274302 A CN2008801274302 A CN 2008801274302A CN 200880127430 A CN200880127430 A CN 200880127430A CN 101953066 A CN101953066 A CN 101953066A
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Abstract

本发明提供关于微波链路的传导敏感度的规格参数的保持与改进的解决方案。本发明的主要优点是能够通过简单的在不呈现显著的传导敏感度性能的单元(CRF1,CRF2)之间增加一个或多个180°移相器(PHI),来显著地衰减例如集成到人造卫星中的微波装置的微波链路中携带的寄生调制信号(PAR4)。因此,本发明能够省略用于衰减寄生信号的,通常集成在所有现有微波设备中出现的电源和其他DC/DC转换器(ALIM1)中的某些元件。

Description

用于人造卫星上装载的微波设备的电子装置
技术领域
本发明包括对于微波链路的传导敏感度的规格参数的保持与改进的解决方案,特别是针对人造卫星上装载的设备。
背景技术
事实上,在目前的微波设备中,频率通常位于10Hz到10MHz之间的寄生信号由DC电压转换器的主总线系统地产生,并出现在微波电路的电源电压上。这些寄生信号的频率相对于量级为1Ghz到几十Ghz的通常的微波频率要低,难以滤波,并且从微波单元的输出端发射。
因此这些寄生信号被微波信号携带,并可能造成干扰。
传导敏感度使得能够测量单元针对寄生信号的反应。由此可以测量到寄生信号的衰减,单位是dBc。传导敏感度越高,寄生信号衰减越显著,因此微波电路上的信息传输越好。因此传导敏感度通常是设计微波设备时所要求的主要规格参数。所要求的传导敏感度通常依赖于寄生信号的频率:频率越高,传导敏感度肯定越高。例如,对于10MHz的寄生信号,可能需要-55dBc的敏感度。传导敏感度越接近于零,寄生信号呈现的功率越高。
目前,是通过主要在所有微波设备上的DC/DC转换器级,DC电压转换器上增加补偿单元,在来实现寄生信号的衰减。事实上,寄生信号实质上由DC电源或DC/DC转换器因其斩波频率而产生的。偏振网络能够衰减这些寄生信号。
今天,改进人造卫星上装载的微波设备的优选途径之一是减少DC/DC转换器的量并使他们更轻。因此解决方案之一是除去某些引起寄生信号衰减的元件。
然而,在现有技术中没有任何替代方法能够避免寄生信号在微波电路级的出现,这正是本发明的目的。本发明实际上包括一种微波电子装置,其实现了出现在所述装置的输入端的寄生调制信号的衰减,所述寄生调制信号通过DC/DC转换器传输到微波电路,且它们的频带已知,因为该频带与所述DC/DC转换器的斩波频率相关。本发明能够不使用用于在整个设备的DC/DC转换器级或电源级上进行寄生信号衰减的单元。目前DC/DC转换器占人造卫星上装载的微波设备量的45%到50%,而整个微波链路约占20%,因此在量上的期望收益是非常显著的。
发明内容
为达此目的,本发明的主题是用于人造卫星上装载的微波设备的电子装置,所述微波设备包括:
DC/DC转换器,其提供DC电源电压和寄生调制信号,
微波链路,其传播高频输入微波信号,并包括至少两个微波电子单元:第一微波电子单元,包含接收输入微波信号的微波输入端以及接收由所述电源提供的电压的至少一个第一电源输入端,并提供中间微波信号作为输出;以及第二微波电子单元,包含接收中间微波信号的微波输入端以及至少一个第二电源输入端,并提供输出微波信号。
所述寄生调制信号至少部分地由作为第一微波电子单元的输出得中间微波信号携带,其特征在于,所述装置进一步包括移相器,该移相器应用于电源电压和寄生调制信号,被放置于第一微波电子单元的第一电源输入端和第二微波电子单元的第二电源输入端之间,所述移相器不构成所述微波链路的一部分,且能够将寄生调制信号移相180°,并且其特征在于,电源电压和被移相180°的寄生调制信号通过第二电源输入端提供给第二微波电子单元,从而在所述输出微波信号中,由输出微波信号携带的寄生调制信号通过寄生调制信号和被移相180°的寄生调制信号的相加而被衰减。
通常,寄生调制信号呈现低频,通常比微波链路的输入微波信号的频率低10到1千万倍。
有利地,该微波链路包括以下类型的微波电子单元:一个或多个放大器、一个或多个衰减器,一个或多个电压可控衰减器(或VGA“电压增益衰减器”(Voltage Gain Attenuator))。
有利地,根据本发明的装置可包括多个微波电子单元和多个移相器,所述移相器能够在对寄生调制信号最敏感的每个微波电子单元之前,将由电源电压引入的并由微波信号携带的寄生调制信号移相180°。
有利地,人造卫星上装载的设备包括根据本发明的微波电子装置。
附图说明
借助下文的说明书,本发明的其他特征和优点将更加明显,说明书参照以下附图:
图1:现有微波电子装置的基本图;
图2:将通过各个微波电路的寄生信号相加的理论的简化表达图;
图3:本发明的理论的简化图,包括将两个微波电路之间的寄生信号移相180°;
图4:能够产生用于本发明的180°移相器的示例性电路图;
图5a:在本发明的应用框架内,应用于任意微波电子装置的测量装备的图,包括两个VGA(电压增益衰减器Voltage Gain Attenuator的首字母缩写),包括衰减器的微波电子单元;
图5b:通过图5a的电路中的示波器测量的电压的图表;
图6a:在本发明的应用框架内,应用于根据本发明的微波电子装置的测量装备的图,其基于与图5a相同的电路,包括位于两个VGA之间的移相器。
图6b:通过图5b的电路中的示波器测量的电压的图表。
具体实施方式
图1描述了作为在一个微波设备的输出端的寄生故障水平的传导敏感度的定义。在这里示例性地描述的微波电子装置中,线电流携带寄生调制信号PAR1。主电路包括DC/DC转换器SUPP1,其用于提供例如100V的DC电压。寄生调制信号可通过DC/DC转换器SUPP1衰减,使其变成寄生调制信号PAR2,该寄生调制信号PAR2的频带与DC/DC转换器SUPP1的斩波频率相关,是可知的。在次电路中,另一次转换器SUPP2为微波链路HYPER提供其所辖微波电子单元操作所需的DC电压。寄生调制信号PAR2可通过次转换器SUPP2衰减,从而变成寄生调制信号PAR3,其到达微波链路HYPER的微波电子单元。此外,由调幅谱线RF1表示的微波信号通过输入端IN到达微波链路HYPER。在输出端OUT,微波链路HYPER提供由调幅谱线RF2表示的微波信号。然而,在输出端OUT也出现寄生调幅谱线PS,其与来自微波链路HYPER的输出端的微波信号携带的寄生调制信号PAR3相对应。谱线RF2和谱线PS之间的差异与传导敏感度相对应。谱线PS相对于谱线RF2越小,传导敏感度性能越好,且输出的微波信号的质量越高。
至此,DC/DC转换器SUPP1确保了寄生调制信号的必要衰减的难题。这是借助于次转换器SUPP2实现的。今天,为了减少微波电子设备的量并使其更轻,特别是针对人造卫星上装载的微波电子设备,应尽量简化DC/DC转换器例如SUPP1。这一简化导致寄生调制信号的衰减减少。因此,更轻的DC/DC转换器SUPP1不能充分地衰减寄生调制信号PAR1,因此到达微波链路HYPER的寄生调制信号PAR3呈现高功率,因此微波链路HYPER输出的微波信号被干扰。
从图2可以看出关于寄生调制信号的另一难题。事实上,提供给微波电子单元CRF1和CRF2的电压A伴有寄生调制信号PAR4。如上文所述,由单元CRF1处理的微波信号RF1变成微波信号RF2,其携带寄生信号PS1。在通过单元CRF2之后,得到携带寄生信号PS2的微波信号RF3。这些寄生信号PS2将干扰来自图2表示的微波链路的输出端的微波信号,这些寄生信号PS2与电源电压馈送的寄生信号的和相对应,该寄生信号首先馈送到单元CRF1,然后馈送到单元CRF2。因此,应注意随着微波信号通过这些单元,传导敏感度性能恶化。图2描述了相加后的寄生信号的调幅谱线,这突出了一个主要问题,但也是本发明的基本思想的来源。
图3示意性地描述了本发明提出的中心思想。从与图2大致相同的微波链路开始。这一次,微波线上的寄生信号假借调制信号,用正弦曲线而不是其相应的调幅谱线来表示。如图2一样,单元CRF1的电源电压A载有寄生调制信号PAR4。微波信号HF0′传递到链路的第一单元CRF1的微波输入端。在来自该单元CRF1的输出端上,微波信号HF1′载有寄生信号PS1′。因此本发明主要包括在电源总线上放置移相器PHI,其目的是在寄生调制信号PAR4到达单元CRF1之后且在到达第二单元CRF2之前,将其移相180°。该移相器PHI被放置在该设备的次电路上,因此不属于该微波链路。因此第二单元CRF2的电源电压A伴有被移相180°的寄生调制信号PAR4D。因此,在由单元CRF2输出的微波信号HF2′中,寄生信号PS2′的和,如在对图2的描述中所述,以简单的方式证明是原始寄生调制信号PAR4和被移相180°的寄生调制信号PAR4D的和。如图3所示,该相加是为了通过180°的相移来除去寄生调制信号。
图4示出了180°移相器的示例性实施例。该非限制性的示例包括运算放大器OA,三个电阻:R1为400kΩ、R2和R3为10kΩ,以及电容C为10nF。通过为该电路提供5V的频率为10kHZ的正弦电压VA,能够测量到在端点V测得的电压和端点Vphshft测得的电压之间有180°的相移。
下图示出了用实验验证本发明的理论的测试和结果。
图5a示出了能够用示波器OSC测量来自微波链路的输出上的寄生故障水平的模型图,该微波链路包括两个VGA(电压增益衰减器Voltage Gain Attenuators),VGA1和VGA2,向它们的正输入端都提供+5V的DC电源5,并在它们的负输入端都提供-1V的电源电压1,借助于1kHz低频信号的发生器通过变压器T在-1V的电源电压1上有意添加寄生调制分量PAR。6GHz频率合成器向微波链路的输入端,特别是单元VGA1的输入端提供微波信号。
在微波链路的输出端处放置检测器D,其作用是能够借助示波器OSC查看来自微波链路的输出端的信号的调制分量,并观察各信号之间的相位水平。测量在微波链路的第一单元VGA1的负电源的输入端的端点V1上,以及在第二单元VGA2之后,在链路的输出端的端点Vf上的电压。图5b表示了由示波器OSC显示的结果。
通过图5b可以注意到在微波链路的输出端的微波线上测得的电压Vf中的寄生调制信号的大幅度。经验显示,串联的两个相同单元使得该幅度乘4:在这里大约是54.4mV,但是未在这里示出的对位于两个单元之间的微波线上的端点的电压的测量值可能呈现约13.8mV的幅度。
因此这些测量显示由微波链路传输的,以及由微波设备的输出微波信号携带的寄生调制信号的功率可以很大。此外,微波链路中的微波单元越多,寄生信号的幅度越大。
图6a示出了应用本发明并能够验证其理论的模型图。参照图5a的模型,在微波单元VGA1和VGA2的负输入端之间增加180°移相器PHI。用过示波器OSC测得的电压为:在移相器PHI之前,在第一单元VGA1的负输入端的电压V1,在移相器PHI之后,在第二单元VGA2的负输入端的电压V2,以及在微波链路的输出端的电压Vfc。在图6b中表示了由示波器OSC显示的结果。
在图6b中,首先看到电压V1和V2确实被移相180°。然后注意到微波链路的输出端测得的寄生调制信号,也就是电压Vfc,非常低。其幅度测量不到,无论如何都可以忽略。
该结果验证了本发明的理论。在VGA2中,到达单元VGA2的微波输入端的由来自第一单元VGA1的输出端的微波信号携带的寄生信号,和到达单元VGA2的负输入端的移相180°的寄生信号PARD相加,极大地减小了微波链路的输出信号中的寄生调制信号。
综上所述,本发明的主要优点是通过简单地在不展现足够的传导敏感度性能的单元之间增加一个或多个180°移相器,就能够显著地衰减在微波装置的微波链路中携带的寄生调制信号,例如那些集成在人造卫星上的微波装置。因此,这使得能够能明显地改善微波链路的传导敏感度性能,而不需要在所述微波链路中增加任何元件,移相器PHI放置在该设备的次电路中。
本发明进一步能够摆脱用于衰减寄生信号的,通常集成在所有现有微波设备的电源和其他DC/DC转换器中的某些元件。对整个微波设备上造成的重量和数量上的改善是十分显著的,这在人造卫星上装载的设备的框架中,具有至关重要的益处。

Claims (5)

1.一种用于人造卫星上装载的微波设备的电子装置,所述微波设备包括:
DC/DC转换器,用于提供DC电源电压(A)和寄生调制信号(PAR4),
微波链路,其传递高频输入微波信号(HF0′),并包括至少两个微波电子单元:第一微波电子单元(CRF1),其具有接收输入微波信号(HF0′)的微波输入端,和接收由所述电源提供的电压的至少一个第一电源输入端,并提供中间微波信号(HF1′)作为输出;以及第二微波电子单元(CRF2),其具有接收所述中间微波信号(HF1′)的微波输入端和至少一个第二电源输入端,并提供输出微波信号(HF2′),
所述寄生调制信号(PAR4)至少部分地由作为所述第一微波电子单元(CRF1)的输出的所述中间微波信号(HF1′)携带,其特征在于,该装置进一步包括移相器(PHI),其应用于电源电压(A)和寄生调制信号(PAR4),被放置在第一微波电子单元(CRF1)的第一电源输入端和第二微波电子单元(CRF2)的第二电源输入端之间,所述移相器(PHI)不构成所述微波链路的一部分,并能够将寄生调制信号(PAR4)移相180°,以及其特征在于,电源电压(A)和被移相180°的寄生调制信号(PAR4D)通过第二电源输入端提供给第二微波电子单元(CRF2),从而在所述输出微波信号(HF2′)中,由输出微波信号(HF2′)携带的寄生调制信号通过寄生调制信号(PAR4)和被移相180°的寄生调制信号(PAR4D)的相加而被衰减。
2.根据前述任意一项权利要求所述的装置,其特征在于,寄生调制信号(PAR4)呈现低频,通常比微波链路的输入微波信号(HF0′)低10到1千万倍。
3.根据前述任意一项权利要求所述的装置,其特征在于,所述微波链路包括以下类型的微波电子单元(CRF1,CRF2):一个或多个放大器,一个或多个衰减器,一个或多个电压可控衰减器(或VGA,电压增益衰减器)。
4.根据前述任意一项权利要求所述的装置,其特征在于,该装置包括多个微波电子单元(CRF1,CRF2)和多个移相器(PHI),所述多个移相器能够在对该寄生调制信号(PAR4)最敏感的每个微波电子单元(CRF1,CRF2)之前,将由电源引入的并微波信号携带的寄生调制信号移相180°。
5.一种在人造卫星上装载的设备,其特征在于包括如前述任意一项权利要求所述的微波电子装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2962601B1 (fr) 2010-07-06 2013-06-14 Thales Sa Connecteur d'ensembles electroniques blindant et sans soudure electrique

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235647A (ja) * 1992-02-19 1993-09-10 Mitsubishi Electric Corp 雑音低減装置
CN1143432A (zh) * 1994-02-02 1997-02-19 汤姆森消费电子有限公司 消除本振器相位噪声的调制技术
US20040252400A1 (en) * 2003-06-13 2004-12-16 Microsoft Corporation Computer media synchronization player
US7299405B1 (en) * 2000-03-08 2007-11-20 Ricoh Company, Ltd. Method and system for information management to facilitate the exchange of ideas during a collaborative effort

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58121806A (ja) * 1982-01-13 1983-07-20 Mitsubishi Electric Corp レ−ダ送信装置
JPH10313220A (ja) * 1997-05-13 1998-11-24 Nec Corp スプリアス抑圧型高周波増幅器
DE19821455C1 (de) 1998-05-13 1999-11-25 Siemens Ag Verzögerungsoptimierter Multiplexer
KR20020070572A (ko) * 2001-03-02 2002-09-10 (주)알에프씨씨 지연선로를 이용한 선형화기를 갖는 선형전력증폭기
DE102008052172B4 (de) * 2008-10-17 2014-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Erzeugen eines Korrektursignals

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235647A (ja) * 1992-02-19 1993-09-10 Mitsubishi Electric Corp 雑音低減装置
CN1143432A (zh) * 1994-02-02 1997-02-19 汤姆森消费电子有限公司 消除本振器相位噪声的调制技术
US7299405B1 (en) * 2000-03-08 2007-11-20 Ricoh Company, Ltd. Method and system for information management to facilitate the exchange of ideas during a collaborative effort
US20040252400A1 (en) * 2003-06-13 2004-12-16 Microsoft Corporation Computer media synchronization player

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Publication number Publication date
FR2928014B1 (fr) 2011-12-23
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JP2011514061A (ja) 2011-04-28
US20100327933A1 (en) 2010-12-30
FR2928014A1 (fr) 2009-08-28
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KR101616255B1 (ko) 2016-04-28

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