CN101932165B - 发光装置及其控制方法 - Google Patents

Abstract

一种发光装置及其控制方法，其中发光装置具有用于发光的半导体元件。半导体元件的驱动功率会逐次且渐进地被调降至理想功率，且在每一次调降半导体元件的驱动功率后的预设时间内，半导体元件维持以当次调降后的驱动功率发光。

Description

发光装置及其控制方法

技术领域

本发明是涉及一种光电装置及其控制方法，且特别是涉及一种发光装置及其控制方法。

背景技术

用于发光的半导体元件的发光原理是利用半导体特有的性质，其不同于一般日光灯或白炽灯发热的发光原理。而用于发光的半导体元件的种类众多，就发光二极管而言，其具备了高亮度的输出、体积小、低电压驱动以及不含汞等优点，因此发光二极管已广泛地应用在照明方面与显示器的领域。

为了使发光二极管得以因应各种产品的需求，其规格的订定显得格外重要。一般来说，发光二极管的额定驱动功率(rated power)为决定其发光功率的重要参数，而当发光二极管运作时，即以其额定驱动功率被驱动。然而，额定驱动功率并非为影响发光二极管的发光功率的唯一参数。当发光二极管的结温(junction temperature)升高时，其发光功率随之降低。严重的话，还会发生额定驱动功率较高但结温也高的发光二极管的发光功率比额定驱动功率较低且结温较低的发光二极管的发光功率还低的情形。

举例来说，如图1所示。图1绘示两种发光二极管的温度、操作时间与发光功率三者之间的关系比较图，其中横坐标表示发光二极管的操作时间，左右两侧的纵坐标分别表示发光二极管的结温以及发光功率，曲线T16、曲线L16表示额定驱动功率为1.6瓦(W)的发光二极管的特征曲线，曲线T10、曲线L10表示额定驱动功率为1.0瓦的发光二极管的特征曲线。其中，曲线T16和曲线T10分别表示额定驱动功率分别为1.6瓦和1.0瓦的发光二极管的结温与时间的关系，而曲线L16和曲线L10分别表示额定驱动功率分别为1.6瓦和1.0瓦的发光二极管的发光功率与时间的关系。

承上述，由曲线L16、L10得知，起初两发光二极管进行发光时，额定驱动功率为1.6瓦的发光二极管的发光功率(约301毫瓦)大于额定驱动功率为1.0瓦的发光二极管的发光功率(约244毫瓦)。此外，从曲线T16、T10得知，此时额定驱动功率为1.6瓦的发光二极管的结温虽然大于额定驱动功率为1.0瓦之发光二极管的结温，但并无太大差异。

然而，上述两发光二极管在持续发光6000秒(1.6小时)之后，额定驱动功率为1.6瓦的发光二极管的发光功率已降至约174毫瓦，其低于额定驱动功率为1.0瓦的发光二极管的发光功率(约176毫瓦)，且额定驱动功率为1.6瓦的发光二极管的结温高于额定驱动功率为1.0瓦的发光二极管的结温很多。

由上述可知，在额定驱动功率为1.6瓦的发光二极管持续发光6000秒期间，其升温程度大于额定驱动功率为1.0瓦的发光二极管的升温程度，因而产生较多的功率消耗，致使发光功率降低。

发明内容

本发明提出一种发光装置的控制方法，其大幅节省发光装置的功率消耗。

本发明提出一种发光装置，其整体的消耗功率较低。

本发明的其它目的和优点可以从本发明所揭露的技术特征中得到进一步的了解。

为达上述的一或部份或全部目的或是其它目的，本发明的一实施例提供一种发光装置的控制方法，其中发光装置具有用于发光的半导体元件，而控制方法如下列叙述。逐次且渐进地将半导体元件的驱动功率调降至理想功率，且在每一次调降半导体元件的驱动功率后的预设时间内，半导体元件维持以当次调降后的驱动功率发光。

在本发明的一实施例中，发光装置的控制方法还包括下列步骤。首先，感测半导体元件的温度。然后，比较半导体元件的温度与温度安全值，其中在每一次调降驱动功率前，半导体元件的温度大于温度安全值。

在本发明的一实施例中，发光装置的控制方法还包括下列步骤。首先，感测半导体元件的发光功率。然后，依据半导体元件目前的驱动功率以及所感测到的半导体元件的发光功率，以求得半导体元件的温度。之后，比较半导体元件的温度与温度安全值，其中在每一次调降驱动功率前，半导体元件的温度大于温度安全值。

本发明的一实施例提供一种发光装置，其包括半导体元件以及控制单元，其中半导体元件用于发光，而控制单元电耦接半导体元件。此外，控制单元用于逐次且渐进地将半导体元件的驱动功率调降至理想功率，其中每一次调降半导体元件的驱动功率后的预设时间内，半导体元件维持以当次调降后的驱动功率发光。

在本发明的一实施例中，发光装置还包括感测单元，其中感测单元电耦接控制单元，并用于感测半导体元件的温度。此外，控制单元比较半导体元件的温度与温度安全值，而在每一次控制单元调降驱动功率前，半导体元件的温度大于温度安全值。

在本发明的一实施例中，发光装置还包括感光单元，其中感光单元电耦接控制单元，并用于感测半导体元件的发光功率。此外，控制单元依据半导体元件目前的驱动功率以及感光单元所感测到的半导体元件的发光功率，以求得半导体元件的温度，且控制单元比较半导体元件的温度与温度安全值，而在每一次控制单元调降驱动功率前，半导体元件的温度大于温度安全值。

在本发明的一实施例中，逐次且渐进地将半导体元件的驱动功率调降至理想功率的步骤包括下列子步骤。首先，于每次调降驱动功率后，(控制单元)判断半导体元件的温度于预设时间内是否上升。随后，倘若半导体元件的温度于预设时间内上升，则(控制单元)调降驱动功率。

在本发明的一实施例中，逐次且渐进地将半导体元件的驱动功率调降至理想功率的步骤包括下列子步骤。首先，于每次调降驱动功率后，(控制单元)判断半导体元件的温度于预设时间内是否下降。之后，倘若半导体元件的温度于预设时间内下降，且半导体元件的温度于预设时间后仍大于温度安全值，则(控制单元)判断半导体元件的温度于预设时间内的变动幅度是否超过预设值，而倘若判断出半导体元件的温度于预设时间内的变动幅度超过预设值，则(控制单元)调整半导体元件的驱动功率。

在本发明的上述实施例中，因采用逐次且渐进地将发光装置中的半导体元件的驱动功率调降至理想功率的控制方法，因而节省发光装置的功率消耗。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举多个实施例，并结合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1绘示两种发光二极管的温度、操作时间与发光功率三者之间的关系比较图；

图2是依照本发明第一实施例的三种发光二极管的温度、操作时间与发光功率三者之间的关系比较图；

图3A是依照本发明第二实施例的两种发光二极管的温度、操作时间与发光功率三者之间的关系比较图；

图3B是依照本发明第二实施例的一种发光装置的框图；

图3C是依照本发明第二实施例的一种发光装置的控制方法的流程图。

具体实施方式

有关本发明的前述及其它技术内容、特点与功效，在以下结合附图的一优选实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。

在本实施例中，发光装置中的用于发光的半导体元件可以是发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)、激光二极管(Laser Diode)...等适于发光的半导体元件。在下述实施例中，用于发光的半导体元件主要是以发光二极管为例，以方便说明本实施例所欲阐述的精神，但本发明并不以下述实施例为限。

有鉴于额定驱动功率较高但结温也高的发光二极管的发光功率比额定驱动功率较低且结温较低的发光二极管的发光功率还低的情形，本发明的实施例将通过动态调整驱动功率来减少发光二极管的功率消耗。以下列举几种动态调整驱动功率的方法，但本发明并不限定以下实施例为本发明的所有实施方式。

第一实施例

参照图2，其中图2是依照本发明第一实施例的三种发光二极管的温度、操作时间与发光功率三者之间的关系比较图。其中，曲线LA、TA为依据本发明第一实施例动态地调整发光二极管的驱动功率所获得的特征曲线，曲线LA表示被调整的发光二极管其发光功率与时间的关系，而曲线TA表示被调整的发光二极管其结温与时间的关系。至于曲线L16、T16、L10、T10的代表意义可参考上述关于图1部分的说明，在此不重复叙述。以下，为方便说明起见，其驱动功率依据本发明的各实施例而被动态地调整的发光二极管简称为「标的发光二极管」。

承上述，标的发光二极管起初以1.6瓦的驱动功率来进行驱动。由曲线LA、L16、L10得知，标的发光二极管以及额定驱动功率为1.6瓦的发光二极管的起始发光功率约为301毫瓦，其值大于额定驱动功率为1.0瓦之发光二极管的起始发光功率(约244毫瓦)。

接下来，逐次且渐进地调降标的发光二极管的驱动功率，其中在每一次调降标的发光二极管的驱动功率后的预设时间内，半导体元件维持以当次调降后的驱动功率发光。在本实施例中，上述预设时间例如是60秒，而以每分钟调降0.006瓦的方式来对标的发光二极管的驱动功率进行调整，而在每一次驱动功率被调降0.006瓦后的60秒内，标的发光二极管维持以调降后的驱动功率来进行发光。由曲线TA和曲线T16可知，通过逐次且渐进地调降标的发光二极管的驱动功率，标的发光二极管的结温始终低于持续以额定驱动功率为1.6瓦来驱动的发光二极管之结温。当标的发光二极管持续发光6000秒后，其驱动功率已下降至1.0瓦，而其结温则下降至与额定驱动功率为1.0瓦的发光二极管的结温相同的温度。

值得注意的是，经由上述调降驱动功率的方法，可获得与曲线L16非常接近的曲线LA，其代表着标的发光二极管以及额定驱动功率为1.6瓦的发光二极管在持续发光的6000秒期间内具有几乎相同的发光功率。然而，标的发光二极管所耗费的消耗功率却低于额定驱动功率为1.6瓦的发光二极管所耗费的消耗功率。换句话说，标的发光二极管以较低的驱动功率来提供相同的发光功率，而有效地降低电能的消耗。此外，结温随着调降驱动功率而降低，故可提高发光二极管的使用寿命以及可靠性。

在此需要说明的是，本实施例采取「逐次且渐进地」调降驱动功率主要是为了避免发光二极管亮度发生明显变暗的情形，而上述以每分钟调降0.006瓦的驱动功率仅是用来举例说明逐次且渐进地调降驱动功率所采取的其中一个方式，但实际调降的幅度应视产品而定。

在实际产品的应用上，本实施例调降发光二极管的驱动功率可通过调降标的发光二极管的驱动电流的方式来达成。具体而言，假设上述标的发光二极管起初以800毫安(mA)的驱动电流以及1.6瓦的驱动功率来进行驱动，而在标的发光二极管持续发光10分钟的期间内以每分钟调降其驱动电流15毫安的方式来进行调整。则10分钟后，此标的发光二极管的驱动电流以及驱动功率分别降至650毫安以及1.16瓦，此结果相较于传统额定驱动功率为1.6瓦的发光二极管可节省约25％～30％的电力。然而，本发明并不限定调降驱动功率的手法，举例来说，调降发光二极管的驱动功率的手法也可以通过调降驱动电压的占空比(duty cycle)、驱动电压、...等方式来达成。

第二实施例

本实施例欲阐述的精神与第一实施例相类似，而本实施例在调整驱动功率时还会进一步考虑半导体元件的温度安全值，并使半导体元件的最终温度大致维持在温度安全值。此外，关于本实施例的图示若与前述实施例的图示有相同或相似的标号则代表相同或相似的构件，而不重复叙述。

在实际产品的应用上，通常会为产品设定温度安全值，倘若使用者在超过温度安全值的环境下使用该产品，则产品可能会发生误动作甚至永久损坏的情形，因此温度安全值的设定可确保该产品正常运作。在本实施例中，除了采用第一实施例的概念，更进一步考虑半导体元件的温度安全值来调整驱动功率。然而，所谓的温度安全值会随着实际产品的使用情境而有所不同，而下述实施例中所订定的温度安全值也仅用于举例说明，并非限定本发明。

在本实施例中，主要是在半导体元件达到温度安全时，始进行调整驱动功率的动作。以发光二极管为例，如图3A所示，图3A是依照本发明的第二实施例的两种发光二极管的温度、操作时间与发光功率三者之间的关系比较图，其中曲线T32、曲线L32表示额定驱动功率为3.2瓦的发光二极管的特征曲线，而曲线TB、曲线LB表示标的发光二极管的特征曲线。曲线T32和曲线TB分别表示额定驱动功率为3.2瓦的发光二极管以及标的发光二极管的结温与时间的关系，而曲线L32和曲线LB分别表示额定驱动功率为3.2瓦的发光二极管以及标的发光二极管的发光功率与时间的关系。

承上述，本实施例起初先以3.2瓦的驱动功率来驱动上述两发光二极管，并假设标的发光二极管的温度安全值设定为70℃，当标的发光二极管的温度尚未达到70℃之前，尚不会进行调降驱动功率的动作。然而，当标的发光二极管持续发光1000秒钟时，其温度达到70℃，则开始对标的发光二极管的驱动功率进行调整。

在本实施例中，调整驱动功率的方法是将驱动功率调降至理想功率，以进一步维持标的发光二极管的温度，其中理想功率小于标的发光二极管的额定驱动功率。在将标的发光二极管的驱动功率调整至理想功率的过程中，主要会以使标的发光二极管的最终温度大致维持在70℃的温度安全值或低于70℃为原则。如曲线TB所示，于1000秒～4000秒的发光期间内，标的发光二极管的最终温度大致维持在温度安全值70℃。

另一方面，如曲线T32所示，额定驱动功率为3.2瓦的发光二极管从一开始到持续发光4000秒的期间内始终以3.2瓦的驱动功率进行驱动，因而其温度持续升高。

由曲线LB、L32可清楚得知，标的发光二极管的发光功率与额定驱动功率为3.2瓦的发光二极管的发光功率相去不远，以致于使用者难以察觉标的发光二极管以及额定驱动功率为3.2瓦的发光二极管两者之间的差异。然而，由于标的发光二极管所需的驱动功率较低，例如其温度在超过温度安全值70℃之后便以低于3.2瓦的额定功率的理想功率进行驱动。因此，在实际应用上，标的发光二极管可有效节省电能。

在此需要说明的是，上述将驱动功率调整至理想功率的方法是以逐次且渐进的方式来进行调整，而所谓的「逐次」以及「渐进」，主要是为了避免发光二极管的亮度发生明显变暗的情形而让使用者察觉甚至感到不适。接下来，将进一步举例说明本实施例如何以逐次且渐进地将半导体元件的驱动功率调降至理想功率。

参考图3B以及图3C，其中图3B是依照本发明第二实施例的一种发光装置的框图，而图3C是依照本发明第二实施例的一种发光装置的控制方法的流程图。本实施例的发光装置300包括用于发光的半导体元件310以及控制单元320，其中用于发光的半导体元件310可以是发光二极管、激光二极管...等适于发光的半导体元件，而控制单元320电耦接半导体元件310。

承上述，首先，感测半导体元件310的温度(步骤S301)，其中本实施例例如是进一步于发光装置300中设置电耦接到控制单元320的感测单元330，用于感测半导体元件310，以获得半导体元件310的温度的信息。

在本实施例中，感测单元330为热敏电阻(thermistor)，其以直接的方式感测半导体元件310的温度。然而，在其它实施例中，也可通过半导体元件310的结温、发光功率以及驱动功率三者之间的相依关系来间接地获得半导体元件310的温度信息。举例来说，感测单元330可以是一种感光器(Photo-sensor)，用于感测半导体元件310的发光功率，随后控制单元320再依据感测单元330所感测到的半导体元件310的发光功率以及半导体元件310目前的驱动功率，以进一步求得半导体元件310的温度(步骤S301)。

然后，比较半导体元件310的温度与温度安全值，以作为后续调整驱动功率的依据。以70℃的温度安全值为例，本实施例的控制单元320会先判断半导体元件310的温度是否大于70℃的温度安全值(步骤S303)，以确保在每一次调降驱动功率前，半导体元件310的温度大于70℃的温度安全值，此举可避免控制单元320过度调降半导体元件310的温度。

当上述判断结果为半导体元件310的温度大于70℃的温度安全值时，控制单元320可据以调降半导体元件310的驱动功率(步骤S305)。如此，半导体元件310便可依据此调降过后的驱动功率而进行发光。

而后，控制单元320判断半导体元件310于预设时间内的温度变化，以作为后续是否再次调整驱动功率的依据，其中半导体元件310在此预设时间内仍维持以当次调降后的驱动功率发光。具体而言，假设预设时间为1分钟，而控制单元320可判断半导体元件310在1分钟内的状态是否为温度上升(步骤S307)。若是，则意味着上述调降过后的驱动功率仍然过高，因此需再次进行步骤S305，即控制单元320再次调降半导体元件310的驱动功率。

此外，控制单元320还可判断半导体元件310在1分钟内的状态是否为温度下降(步骤S309)。若是，但半导体元件310的温度在此1分钟的预设时间后小于70℃的温度安全值，则意味着上述调降过后的驱动功率可能过低，因此需再次进行步骤S301以重新感测半导体元件310的温度或发光功率，使驱动功率的调整能更为准确。

另一方面，倘若控制单元320判断半导体元件310在1分钟内的状态为温度下降，且半导体元件310的温度于1分钟的预设时间后仍大于70℃的温度安全值，则控制单元320判断半导体元件310的温度于1分钟的预设时间内的变动幅度是否超过预设值(步骤S311)，以作为后续是否再次调整驱动功率的依据，而此步骤亦可避免控制单元320过度调降半导体元件310的温度。

承上述，假设前述的预设值为3℃。当控制单元320判断出半导体元件310的温度于1分钟的预设时间内的变动幅度超过3℃的预设值时，意味着半导体元件310的驱动功率并未调整至理想功率，因此需再次进行步骤S305以进一步使控制单元320调整半导体元件310的驱动功率。倘若变动幅度超过3℃的预设值且半导体元件310的温度降至70℃的温度安全值以下，则需再次进行步骤S305以进一步使控制单元320调升半导体元件310的驱动功率；或者变动幅度超过3℃的预设值且半导体元件310的温度仍超过70℃的温度安全值，则需再次进行步骤S305以进一步使控制单元320调降半导体元件310的驱动功率。反之，倘若控制单元320判断出半导体元件310的温度于1分钟的预设时间内的变动幅度并未超过3℃的预设值，则表示半导体元件310的驱动功率业已调降至理想功率(步骤S313)，此时半导体元件310的温度大致为温度安全值。

随后，控制单元320还是会持续进行步骤S311，即判断半导体元件310的温度于1分钟的预设时间内的变动幅度是否超过3℃的预设值，以确保半导体元件310的温度维持在温度安全值。

在此特别一提的是，上述的步骤S305、S307、S309、S311以及S313主要是依据半导体元件310的温度来进行调整或判断。然而，由于半导体元件310的结温、发光功率以及驱动功率三者之间的关系彼此相依，因此在其它实施例中，步骤S305、S307、S309、S311以及S313也可依据的半导体元件310的发光功率(即亮度)来进行判断或调整。

由上述可知，本实施例不仅具备第一实施例的优点，还进一步考虑半导体元件的温度安全值，以使应用此半导体元件的发光装置具有更为稳定的发光亮度以及更高标准的安全规格。

综上所述，在本发明的上述实施例中，发光装置的控制方法逐次且渐进地将发光装置中的半导体元件的驱动功率调降至理想功率，以使发光装置具有功率消耗低、使用寿命长、可靠性高、高标准的安全规格等优势。

但是，以上所述仅为本发明的优选实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明权利要求及发明说明内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。另外本发明的任一实施例或权利要求不须达成本发明所揭露的全部目的或优点或特点。此外，摘要部分和标题仅是用来辅助专利文件搜寻之用，并非用来限制本发明的权利范围。

Claims (6)

1.一种发光装置的控制方法，所述发光装置具有用于发光的半导体元件，所述控制方法包括下列步骤：

感测所述半导体元件的温度；

比较所述半导体元件的所述温度与温度安全值，其中在每一次调降驱动功率前，所述半导体元件的所述温度大于所述温度安全值；

逐次且渐进地将所述半导体元件的所述驱动功率调降至理想功率，其中在每一次调降所述半导体元件的所述驱动功率后的预设时间内，所述半导体元件维持以当次调降后的所述驱动功率发光，于每次调降所述驱动功率后，判断所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内是否符合下述条件之一：

（1）倘若所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内上升，则调降所述驱动功率；以及

（2）倘若所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内下降，且所述半导体元件的所述温度于所述预设时间后仍大于所述温度安全值，则判断所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内的变动幅度是否超过预设值，而倘若判断出所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内的所述变动幅度超过所述预设值，则调整所述半导体元件的所述驱动功率。

2.如权利要求1所述的控制方法，其中逐次且渐进地将所述半导体元件的所述驱动功率调降至所述理想功率的步骤包括：倘若所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内下降，且所述半导体元件的所述温度于所述预设时间后仍小于所述温度安全值，则感测所述半导体元件的所述温度。

3.一种发光装置的控制方法，所述发光装置具有用于发光的半导体元件，所述控制方法包括下列步骤：

感测所述半导体元件的发光功率；

依据所述半导体元件目前的驱动功率以及所感测到的所述半导体元件的所述发光功率，求得所述半导体元件的温度；以及

比较所述半导体元件的所述温度与温度安全值，其中在每一次调降所述驱动功率前，所述半导体元件的所述温度大于所述温度安全值；

逐次且渐进地将所述半导体元件的所述驱动功率调降至理想功率，其中在每一次调降所述半导体元件的所述驱动功率后的预设时间内，所述半导体元件维持以当次调降后的所述驱动功率发光，于每次调降所述驱动功率后，判断所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内是否符合下述条件之一：

（1）倘若所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内上升，则调降所述驱动功率；以及

（2）倘若所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内下降，且所述半导体元件的所述温度于所述预设时间后仍大于所述温度安全值，则判断所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内的变动幅度是否超过预设值，而倘若判断出所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内的所述变动幅度超过所述预设值，则调整所述半导体元件的所述驱动功率。

4.一种发光装置，包括：

半导体元件，用于发光；

控制单元，电耦接所述半导体元件，用于逐次且渐进地将所述半导体元件的驱动功率调降至理想功率，其中在每一次调降所述半导体元件的所述驱动功率后的预设时间内，所述半导体元件维持以当次调降后的所述驱动功率发光；以及

感测单元，电耦接所述控制单元，用于感测所述半导体元件的温度，

其中所述控制单元比较所述半导体元件的所述温度与温度安全值，而在每一次所述控制单元调降所述驱动功率前，所述半导体元件的所述温度大于所述温度安全值，且于每次调降所述驱动功率后，所述控制单元判断所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内是否符合下述条件之一：

（1）倘若所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内上升，则所述控制单元调降所述驱动功率；以及

（2）倘若所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内下降，且所述半导体元件的所述温度于所述预设时间后仍大于所述温度安全值，则所述控制单元判断所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内的变动幅度是否超过预设值，而倘若判断出所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内的所述变动幅度超过所述预设值，则所述控制单元调整所述半导体元件的所述驱动功率。

5.一种发光装置，包括：

半导体元件，用于发光；

控制单元，电耦接所述半导体元件，用于逐次且渐进地将所述半导体元件的驱动功率调降至理想功率，其中在每一次调降所述半导体元件的所述驱动功率后的预设时间内，所述半导体元件维持以当次调降后的所述驱动功率发光；以及

感光单元，电耦接所述控制单元，用于感测所述半导体元件的发光功率，

其中所述控制单元依据所述半导体元件目前的所述驱动功率以及所述感光单元所感测到的所述半导体元件的所述发光功率，求得所述半导体元件的温度，且所述控制单元比较所述半导体元件的所述温度与温度安全值，而在每一次所述控制单元调降所述驱动功率前，所述半导体元件的所述温度大于所述温度安全值，且于每次调降所述驱动功率后，所述控制单元判断所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内是否符合下述条件之一：

（1）倘若所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内上升，则所述控制单元调降所述驱动功率；以及

（2）倘若所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内下降，且所述半导体元件的所述温度于所述预设时间后仍大于所述温度安全值，则所述控制单元判断所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内的变动幅度是否超过预设值，而倘若判断出所述半导体元件的所述温度于所述预设时间内的所述变动幅度超过所述预设值，则所述控制单元调整所述半导体元件的所述驱动功率。

6.如权利要求5所述的发光装置，其中所述理想功率小于所述半导体元件的额定驱动功率。

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