CN101917811B

CN101917811B - 一种抗噪声干扰的高端驱动电路

Info

Publication number: CN101917811B
Application number: CN 201010244190
Authority: CN
Inventors: 王光; 高寅生; 李向军; 吴燕妮; 王安; 赵永瑞; 田磊; 王雪燕; 苗苗
Original assignee: Xian University
Current assignee: Xian University
Priority date: 2010-08-02
Filing date: 2010-08-02
Publication date: 2013-04-17
Anticipated expiration: 2030-08-02
Also published as: CN101917811A

Abstract

本发明公开了一种抗噪声干扰的高端驱动电路，包括浮动电源、双脉冲产生电路、高压电平移位电路、欠压检测电路、RS触发器电路和栅驱动电路；还包括噪声消除电路，噪声消除电路由依次相接的共模电压检测电路、共模噪声消除电路和失调噪声消除电路组成；噪声消除电路的两个输入端接高压电平移位电路的两个输出端，接收高压电平移位电路输出的高压同向控制信号，消除高压同向控制信号中的浮动噪声，并输出置位信号和复位信号；噪声消除电路的置位信号输出端接RS触发器电路的XS输入端，噪声消除电路的复位信号输出端接RS触发器电路的XR输入端。本发明消除了高端电源浮动产生的浮动噪声，功耗低，电路结构简单，节省芯片面积，便于推广使用。

Description

一种抗噪声干扰的高端驱动电路

技术领域

本发明属于功率MOS栅集成电路中高端驱动电路的设计技术领域，尤其是涉及一种抗噪声干扰的高端驱动电路。

背景技术

国产的电子镇流器几乎都采用传统的变压器驱动半桥逆变电路。众所周知，在以变压器驱动的电子镇流器中，接成推挽型式的两只功率晶体管不仅用作开关，同时又是振荡电路中的重要有源元件。这种依靠脉冲变压器耦合的高频振荡器，需要由电阻、启动电容和双向二极管等组成的触发电路来启动″从而建立振荡。通过变压器次级线圈产生相位相反的脉冲驱动两只功率管″使其交替饱和导通″从而在它们的中点输出高频电压为灯供电，依靠电感和电容等组成的串联电路，发生谐振时在启动电容两端产生高电压来引燃荧光灯。这种电路各部分之间互相影响和牵制，频率稳定性差，开关特性欠佳。电源管理技术的发展趋势是在更小的硅芯片上集成更多功能特性，同时以更高的设计灵活性实现更强的系统用电性能，而不会增加成本。微电子技术与高压功率器件技术的成熟推动了高压集成电路(High Voltage Integrated Circuits，简称HVIC)的发展，HVIC有可靠性高、体积小、速度快、功耗低等优点，功率MOS栅驱动集成电路是HVIC的典型电路之一。

这类HVIC采用高压电平移位技术，它是将低压电路与高压电路集成在一起，实现从低电压向高电压的电平转换，从而转换为控制高端电路的信号，驱动高端电路工作，并采用外部自举电容获得高端驱动浮动电源，这使驱动电路设计大为简化，成本降低。

由于高端电路采用的是浮动电源供电，所以高端电路中和高压浮动电源相连的线上都会有浮动噪声，其中尤为突出、也是破坏性最大的是高压电平移位电路的输出信号，由于高压电平移位对管大的寄生电容的影响，同时由于工艺造成的高压电平位移电路的不完全匹配，高压电平移位电路的输出信号会带有大的共模噪声和失调噪声，会使高端电路误触发，从而破坏高端电路的正常工作。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种结构简单，可以消除高端浮动电源变化时引起的浮动噪声的抗噪声干扰的高端驱动电路。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种抗噪声干扰的高端驱动电路，包括浮动电源、双脉冲产生电路、高压电平移位电路、欠压检测电路、RS触发器电路和栅驱动电路；所述高压电平移位电路的两个输入端分别与双脉冲产生电路的两个输出端相接且将双脉冲产生电路所输出的两路信号分别转换为高压同向控制信号V_set和V_rst输出；其特征在于：还包括噪声消除电路，所述噪声消除电路由共模电压检测电路和与共模电压检测电路相接的共模噪声消除电路组成；所述噪声消除电路的两个输入端接高压电平移位电路的两个输出端，接收高压电平移位电路输出的高压同向控制信号V_set和V_rst，消除高压同向控制信号V_set和V_rst中的浮动噪声，并输出置位信号Vset和复位信号Vrst；噪声消除电路的置位信号Vset输出端接RS触发器电路的XS输入端，噪声消除电路的复位信号Vrst输出端接RS触发器电路的XR输入端；所述共模电压检测电路由PMOS管M3和M4以及NMOS管M8构成，PMOS管M3的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M4的栅极接高压同向控制信号V_set，PMOS管M3和M4的源极均接浮动电源VB，PMOS管M3和M4的漏极均接NMOS管M8的漏极和栅极；NMOS管M8的源极接浮动电源的参考点VS；所述共模噪声消除电路包括V_rst信号共模噪声消除支路和V_set信号共模噪声消除支路，所述V_rst信号共模噪声消除支路由PMOS管M1、NMOS管M5和M7以及电阻R1和R3构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M1的源极接浮动电源VB，PMOS管M1的漏极与NMOS管M5的栅极以及NMOS管M7的漏极和电阻R1的一端相接，NMOS管M5的源极、NMOS管M7的源极和电阻R1的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M7的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M5的漏极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接浮动电源VB；所述V_set信号共模噪声消除支路由PMOS管M2、NMOS管M6和M9以及电阻R2和R4构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M2的源极接浮动电源VB，PMOS管M2的漏极与NMOS管M6的栅极以及NMOS管M9的漏极和电阻R2的一端相接，NMOS管M6的源极、NMOS管M9的源极和电阻R2的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M9的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M6的漏极接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接浮动电源VB。

所述噪声消除电路还包括与共模噪声消除电路相接的失调噪声消除电路。

所述失调噪声消除电路包括V_rst信号失调噪声消除支路和V_set信号失调噪声消除支路，所述V_rst信号失调噪声消除支路由PMOS管M10、NMOS管M12、电阻R5、电容C1和施密特触发器SMIT1构成，PMOS管M10的栅极与NMOS管M12的栅极以及NMOS管M5的漏极相接，PMOS管M10的源极接浮动电源VB，PMOS管M10的漏极接电阻R5的一端，电阻R5的另一端与NMOS管M12的漏极以及施密特触发器SMIT1的输入端和电容C1的一端相接，电容C1的另一端接浮动电源的参考点VS，施密特触发器SMIT1将滤除浮动噪声后的高压同向控制信号V_rst整形并输出复位信号Vrst给RS触发器电路的XR输入端；所述V_set信号失调噪声消除支路由PMOS管M11、NMOS管M13、电阻R6、电容C2和施密特触发器SMIT2构成，PMOS管M11的栅极与NMOS管M13的栅极以及NMOS管M6的漏极相接，PMOS管M11的源极接浮动电源VB，PMOS管M11的漏极接电阻R6的一端，电阻R6的另一端与NMOS管M13的漏极以及施密特触发器SMIT2的输入端和电容C2的一端相接，电容C2的另一端接浮动电源的参考点VS，施密特触发器SMIT2将滤除浮动噪声后的高压同向控制信号V_set整形并输出置位信号Vset给RS触发器电路的XS输入端。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

1、本发明中的噪声消除电路，可以消除高端电源浮动产生的浮动噪声(包括共模噪声和失调噪声)，保证高端信号正确无误的传输。

2、本发明电路结构简单，节省芯片面积，由于噪声消除电路能够消除比有用信号大或者小的浮动噪声，所以可以通过减小双脉冲产生电路产生的脉冲信号的脉宽，缩短高压电平移位电路中耐高压LDMOS管LDM1和LDM2的导通时间，从而进一步降低功耗。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明的电路结构框图。

图2为本发明噪声消除电路的结构框图。

图3为本发明噪声消除电路的电路原理图。

图4为本发明的时序图。

附图标记说明：

1-双脉冲产生电路； 2-高压电平移位电路； 3-欠压检测电路；

4-RS触发器电路； 5-栅驱动电路； 6-噪声消除电路。

6-1-共模电压检测电路； 6-2-共模噪声消除电路； 6-3-失调噪声消除电路。

具体实施方式

如图1和图2所示，本发明所述的抗噪声干扰的高端驱动电路，包括浮动电源、双脉冲产生电路1、高压电平移位电路2、欠压检测电路3、RS 触发器电路4和栅驱动电路5；所述高压电平移位电路2的两个输入端分别与双脉冲产生电路1的两个输出端相接且将双脉冲产生电路1所输出的两路信号分别转换为高压同向控制信号V_set和V_rst输出；其特征在于：还包括噪声消除电路6，所述噪声消除电路6由共模电压检测电路6-1和与共模电压检测电路6-1相接的共模噪声消除电路6-2组成；所述噪声消除电路6的两个输入端接高压电平移位电路2的两个输出端，接收高压电平移位电路2输出的高压同向控制信号V_set和V_rst，消除高压同向控制信号V_set和V_rst中的浮动噪声，并输出置位信号Vset和复位信号Vrst；噪声消除电路6的置位信号Vset输出端接RS触发器电路4的XS输入端，噪声消除电路6的复位信号Vrst输出端接RS触发器电路4的XR输入端；所述共模电压检测电路6-1由PMOS管M3和M4以及NMOS管M8构成，PMOS管M3的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M4的栅极接高压同向控制信号V_set，PMOS管M3和M4的源极均接浮动电源VB，PMOS管M3和M4的漏极均接NMOS管M8的漏极和栅极；NMOS管M8的源极接浮动电源的参考点VS；所述共模噪声消除电路6-2包括V_rst信号共模噪声消除支路和V_set信号共模噪声消除支路，所述V_rst信号共模噪声消除支路由PMOS管M1、NMOS管M5和M7以及电阻R1和R3构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M1的源极接浮动电源VB，PMOS管M1的漏极与NMOS管M5的栅极以及NMOS管M7的漏极和电阻R1的一端相接，NMOS管M5的源极、NMOS管M7的源极和电阻R1的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M7的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M5的漏极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接浮动电源VB；所述V_set信号共模噪声消除支路由PMOS管M2、NMOS管M6和M9以及电阻R2和R4构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M2的源极接浮动电源VB，PMOS管M2的漏极与NMOS管M6的栅极以及NMOS管M9的漏极和电阻R2的一端相接，NMOS管M6的源极、NMOS管M9的源极和电阻R2的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管 M9的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M6的漏极接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接浮动电源VB。

本实施例中，所述高压电平移位电路2由耐高压LDMOS管LDM1和LDM2、电阻R1和R2以及齐纳二极管D1和D2构成，所述耐高压LDMOS管LDM1的栅极与所述双脉冲产生电路1的一个输出端相接并接收双脉冲产生电路1所产生的一路信号，源极接地，漏极接电阻R1的一端并作为高压同向控制信号V_set的输出，电阻R1的另一端接浮动电源的VB端，电阻R1为LDMOS管LDM1的负载，齐纳二极管D1并联接在电阻R1的两端，用于将电阻R1上的压降钳位在齐纳二极管D1的稳压值内，防止后级电路被击穿，所述耐高压LDMOS管LDM2的栅极与所述双脉冲产生电路1的一个输出端相接并接收双脉冲产生电路1所产生的一路信号，源极接地，漏极接电阻R2的一端并作为高压同向控制信号V_rst的输出，电阻R2的另一端接浮动电源的VB端，电阻R2为LDMOS管LDM2的负载，齐纳二极管D2并联接在电阻R2的两端，用于将电阻R2上的压降钳位在齐纳二极管D2的稳压值内，防止后级电路被击穿。

本实施例中，所述噪声消除电路6还包括与共模噪声消除电路6-2相接的失调噪声消除电路6-3。所述失调噪声消除电路6-3包括V_rst信号失调噪声消除支路和V_set信号失调噪声消除支路，所述V_rst信号失调噪声消除支路由PMOS管M10、NMOS管M12、电阻R5、电容C1和施密特触发器SMIT1构成，PMOS管M10的栅极与NMOS管M12的栅极以及NMOS管M5的漏极相接，PMOS管M10的源极接浮动电源VB，PMOS管M10的漏极接电阻R5的一端，电阻R5的另一端与NMOS管M12的漏极以及施密特触发器SMIT1的输入端和电容C1的一端相接，电容C1的另一端接浮动电源的参考点VS，施密特触发器SMIT1将滤除浮动噪声后的高压同向控制信号V_rst整形并输出复位信号Vrst给RS触发器电路4的XR输入端；所述V_set信号失调噪声消除支路由PMOS管M11、NMOS管M13、电阻R6、电容C2和施密特触发器SMIT2构成，PMOS管M11的栅极与NMOS管M13的栅极以及NMOS管M6的漏极相接，PMOS管M11的源极接浮动电源VB，PMOS管M11的漏极接电阻R6的一端，电阻R6的另一端与NMOS管M13的漏极以及施密特触发器SMIT2的输入端和电容C2的一端相接，电容C2的另一端接浮动电源的参考点VS，施密特触发器SMIT2将滤除浮动噪声后的高压同向控制信号V_set整形并输出置位信号Vset给RS触发器电路4的XS输入端。

如图1和图4所示，本发明所述的一种抗噪声干扰的高端驱动电路，其工作过程如下：当欠压检测电路3检测到高端供电VB不欠压时，低压方波控制信号Vin经过双脉冲产生电路1后，产生分别对应Vin上升沿和下降沿的第一窄脉冲控制信号Von和第二窄脉冲控制信号Voff，这两路窄脉冲信号Von和Voff控制高压电平移位电路2中的耐高压LDMOS管LDM1和LDM2的开通与关断，通过高压电平移位电路2在LDM1和LDM2的漏极产生相对于高端电源VB的V_set置位脉冲信号和V_rst复位脉冲信号，此信号经噪声消除电路6消除噪声后成为接入RS触发器电路4中的Vset置位脉冲控制信号和Vrst复位脉冲控制信号，最后利用RS触发器还原高端输入逻辑控制信号，RS触发器的输出控制具有适当电流驱动能力的栅驱动电路5输出高端控制信号HO来驱动外部功率器件；当欠压检测电路3检测到高端供电VB欠压时，欠压检测电路3输出控制信号使高端控制信号HO为低，关断外部功率器件。

具体地，高压电平移位电路2的工作原理是：当双脉冲产生电路1的输入信号Vin的上升沿到来时，双脉冲产生电路1产生第一窄脉冲控制信号Von，Von使LDMOS管LDM1导通，从而负载R1上有电流产生，导致在R1上产生一定的压降，从而从LDM1漏极输出一个相对浮动电源向下的脉冲(就是后来的置位脉冲信号V_set)；同理，当双脉冲产生电路1的输入信号Vin的下降沿到来时，双脉冲产生电路1产生第二窄脉冲控制信号Voff，Voff使LDMOS管LDM2导通，从而负载R2上有电流产生，导致在R2上产生一定的压降，从而从LDM2漏极输出一个相对浮动电源向下的脉冲(就是后来的复位脉冲信号V_rst)。而在双脉冲产生电路1的输入信号Vin没有跳变(即上升沿和下降沿没有到来)时，Von和Voff为低电平，此时耐高压LDMOS管LDM1和LDM2不导通，不会有电流流过R1和R2，所以负载R1和R2上不会有压降，LDM1和LDM2的漏极输出为高电平。

以上说的是在理想情况下高压电平移位电路2的工作原理，而实际中，由于耐高压LDMOS管的特殊工艺制造及它的特殊结构，决定了它的寄生电容很大，所以当浮动电源VB变化时，会通过负载电阻给它的寄生电容充电，导致同样在负载电阻上产生压降，而使后级电路误触发，造成高端电路的错误工作，所以后级要加噪声消除电路6。

在此结构图中，设ΔV为噪声消除电路6设置的失调电压，共模电压检测电路6-1检测两输入信号V_set和V_rst的共模电压V_comm，V_comm＝1/2(V_set+V_rst)，V_set和V_rst分别与共模电压V_comm和失调电压ΔV之和进行比较，当电源电压浮动时，V_set和V_rst端都会有浮动噪声，当V_set＞V_comm+ΔV时，共模噪声消除电路6-2消除此噪声；当V_set＜V_comm+ΔV时，此噪声通过共模噪声消除电路6-2及失调噪声消除电路6-3来消除；对于V_rst端也是一样。

具体地，结合图2和图3，本发明噪声消除电路6的工作原理是：当浮动电源电压浮动时，由于高压电平移位电路2中两个耐高压LDMOS管LDM1和LDM2大的寄生电容的影响，高压电平移位电路2的输出将会产生浮动噪声，即高压同向控制信号V_set和V_rst端都会有浮动噪声，V_set端的浮动噪声加载在PMOS管M2和M4上，V_rst端的浮动噪声加载在PMOS管M1和M3上。浮动噪声中的共模成分和部分失调成分通过共模电压检测电路6-1和共模噪声消除电路6-2来消除，其余失调成分通过失调噪声消除电路6-3来消除。PMOS管M3和M4以及NMOS管M8组成共模电压检测电路6-1，浮动噪声在PMOS管M3和M4上产生的电流全部流进NMOS管M8，NMOS管M8上的电流经过2∶1的镜像关系(加上一定的失调)分别镜像给NMOS管M7和M9，如果V_rst端有失调，在V_rst端浮动噪声的共模成分和部分失调成分在PMOS管M1上产生的电流和NMOS管M7上的电流抵消，浮动噪声中的共模成分和部分失调噪声消除，剩下的失调成分加在电阻R1上，如果能使NMOS管M5导通，NMOS管M5的漏极输出经过PMOS管M10、NMOS管M12、电阻R5、电容C1和施密特触发器SMIT1组成的V_rst信号失调噪声消除支路消除剩下的失调噪声，经过施密特触发器SMIT1整形输出不受噪声影响的Vrst复位信号；在V_set端浮动噪声在PMOS管M2上产生的电流和NMOS管M9上的电流抵消，没有电流流过电阻R2，从而M6保持关断，输出保持原样。同理，如果V_set端有失调，在V_set端浮动噪声的共模成分和部分失调成分在PMOS管M2上产生的电流和NMOS管M9上的电流抵消，浮动噪声中的共模成分和部分失调成分消除，剩下的失调成分加在电阻R2上，如果能使NMOS管M6导通，NMOS管M6的漏极输出经过PMOS管M11、NMOS管M13、电阻R6、电容C2和施密特触发器SMIT2组成的V_set信号失调噪声消除支路消除剩下的失调噪声，经过施密特触发器SMIT2整形输出不受噪声影响的Vset置位信号；在V_rst端浮动噪声在PMOS管M1上产生的电流和NMOS管M7上的电流抵消，没有电流流过电阻R1，从而NMOS管M5保持关断，输出保持原样。

当正常情况下，即没有噪声的情况下，两个输入端在一个时刻只有一端信号到来，当V_rst端有复位信号到来，复位信号在PMOS管M1和M3上产生电流，而此时置位信号没有到来，为高电平，PMOS管M2和M4不导通，PMOS管M2和M4上不会产生电流，所以V_set端对应的输出端信号Vset仍保持高电平，此时只有PMOS管M3上的电流流进NMOS管M8，从而镜像给NMOS管M7的电流只是PMOS管M1上电流的一部分，从而输出为高电平，使NMOS管M5导通，此时的信号比前面的失调电压大很多，所以通过PMOS管M10、NMOS管M12、电阻R5、电容C1和施密特触发器SMIT1组成的V_rst信号失调噪声消除支路不会被消除，经过施密特触发器SMIT1整形后输出Vrst复位信号；同理，当V_set端有置位信号到来，置位信号在PMOS管M2和M4上产生电流，而此时复位信号没有到来，V_rst端为高电平，PMOS管M1和M3不导通，PMOS管M1和M3上不会产生电流，所以V_rst端对应的输出端信号Vrst仍保持高电平，此时只有PMOS管M4上的电流流进NMOS管M8，从而镜像给NMOS管M9的电流只是PMOS管M2上电流的一部分，从而输出为高电平，使NMOS管M6导通，此时的信号比前面的失调电压大很多，所以通过PMOS管M11、NMOS管M13、电阻R6、电容C2和施密特触发器SMIT2组成的V_set信号失调噪声消除支路不会被滤除，经过施密特触发器SMIT2整形后输出Vset置位信号。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。

Claims

1.一种抗噪声干扰的高端驱动电路，包括浮动电源、双脉冲产生电路(1)、高压电平移位电路(2)、欠压检测电路(3)、RS触发器电路(4)和栅驱动电路(5)；所述高压电平移位电路(2)的两个输入端分别与双脉冲产生电路(1)的两个输出端相接且将双脉冲产生电路(1)所输出的两路信号分别转换为高压同向控制信号V_set和V_rst输出；其特征在于：还包括噪声消除电路(6)，所述噪声消除电路(6)由共模电压检测电路(6-1)和与共模电压检测电路(6-1)相接的共模噪声消除电路(6-2)组成；所述噪声消除电路(6)的两个输入端接高压电平移位电路(2)的两个输出端，接收高压电平移位电路(2)输出的高压同向控制信号V_set和V_rst，消除高压同向控制信号V_set和V_rst中的浮动噪声，并输出置位信号Vset和复位信号Vrst；噪声消除电路(6)的置位信号Vset输出端接RS触发器电路(4)的XS输入端，噪声消除电路(6)的复位信号Vrst输出端接RS触发器电路(4)的XR输入端；所述共模电压检测电路(6-1)由PMOS管M3和M4以及NMOS管M8构成，PMOS管M3的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M4的栅极接高压同向控制信号V_set，PMOS管M3和M4的源极均接浮动电源VB，PMOS管M3和M4的漏极均接NMOS管M8的漏极和栅极；NMOS管M8的源极接浮动电源的参考点VS；所述共模噪声消除电路(6-2)包括V_rst信号共模噪声消除支路和V_set信号共模噪声消除支路，所述V_rst信号共模噪声消除支路由PMOS管M1、NMOS管M5和M7以及电阻R1和R3构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M1的源极接浮动电源VB，PMOS管M1的漏极与NMOS管M5的栅极以及NMOS管M7的漏极和电阻R1的一端相接，NMOS管M5的源极、NMOS管M7的源极和电阻R1的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M7的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M5的漏极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接浮动电源VB；所述V_set信号共模噪声消除支路由PMOS管M2、NMOS管M6和M9以及电阻R2和R4构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M2的源极接浮动电源VB，PMOS管M2的漏极与NMOS管M6的栅极以及NMOS管M9的漏极和电阻R2的一端相接，NMOS管M6的源极、NMOS管M9的源极和电阻R2的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M9的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M6的漏极接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接浮动电源VB。

2.按照权利要求1所述的一种抗噪声干扰的高端驱动电路，其特征在于：所述噪声消除电路(6)还包括与共模噪声消除电路(6-2)相接的失调噪声消除电路(6-3)；所述失调噪声消除电路(6-3)包括V_rst信号失调噪声消除支路和V_set信号失调噪声消除支路，所述V_rst信号失调噪声消除支路由PMOS管M10、NMOS管M12、电阻R5、电容C1和施密特触发器SMIT1构成，PMOS管M10的栅极与NMOS管M12的栅极以及NMOS管M5的漏极相接，PMOS管M10的源极接浮动电源VB，PMOS管M10的漏极接电阻R5的一端，电阻R5的另一端与NMOS管M12的漏极以及施密特触发器SMIT1的输入端和电容C1的一端相接，电容C1的另一端接浮动电源的参考点VS，施密特触发器SMIT1将滤除浮动噪声后的高压同向控制信号V_rst整形并输出复位信号Vrst给RS触发器电路(4)的XR输入端；所述V_set信号失调噪声消除支路由PMOS管M11、NMOS管M13、电阻R6、电容C2和施密特触发器SMIT2构成，PMOS管M11的栅极与NMOS管M13的栅极以及NMOS管M6的漏极相接，PMOS管M11的源极接浮动电源VB，PMOS管M11的漏极接电阻R6的一端，电阻R6的另一端与NMOS管M13的漏极以及施密特触发器SMIT2的输入端和电容C2的一端相接，电容C2的另一端接浮动电源的参考点VS，施密特触发器SMIT2将滤除浮动噪声后的高压同向控制信号V_set整形并输出置位信号Vset给RS触发器电路(4)的XS输入端。