CN101916040A - 一种适用于投影光刻系统的检焦系统及检焦方法 - Google Patents

Abstract

一种适用于投影光刻系统的检焦系统包括：光弹调制系统，对称成像系统，光栅调制系统，偏振调制系统以及光电探测系统，通过光栅以及偏振调制系统将被测面的偏移量转换成信号光的相对强弱变化，应用光弹调制系统来提高信噪比，从而获得高精度的测量结果，且测量该系统信号光稳定性极高、信噪比高，有效消除杂散光的影响。

Description

一种适用于投影光刻系统的检焦系统及检焦方法

技术领域

本发明是涉及一种微纳位移测量方法，特别涉及投影光刻中的检焦系统及检焦方法，属于超大规模集成电路制造以及光学微细加工技术中的纳米器件制造技术领域。

背景技术

光学测量方法是微位移测量的一种重要手段，特别对于非接触测量方法。通过应用不同的光参量作为测量参数，如测量光的光强、相位、偏振态等等，光学测量获得了广泛的应用。以激光干涉测量方法为代表的激光测量已经达到亚纳米的精度。然而对于有遮挡阻拦的被测物体，例如投影光刻中的焦面检测技术，激光干涉测量等方法显得无能为力。传统光学测量方法中，主要是测量光的强度，较少应用光的偏振态作为测量参数，使得测量的灵活性大大降低。

超大规模集成电路制造的最主要手段是光学投影光刻，这是因为光学投影光刻具有极高的生产效率，较高的精度以及很低的生产成本。长期以来，光刻精度的提高主要依赖于增大投影物镜的数值孔径。从总体而言，根据DOF＝kλ/NA²，增大数值孔径使得投影物镜的焦深缩短。此外，光刻制造业界为了提高单位时间内的芯片产出率，也在不断增大硅片的直径。根据2007版的国际半导体技术蓝图预计，到2012年微电子工业界将大规模采用450mm直径的硅片，使得硅片表面的不平度增大。从以上两点看出，为了保证芯片成品率，必须充分利用有效焦深，让硅片表面位于最佳焦面上。根据焦深公式，投影物镜焦深仅为百纳米量级，因此，调焦精度要求必须要达到纳米级，高精度的检焦技术是投影光刻系统中极为关键的技术。

投影光刻中的光学检焦方法普遍采用反射式的三角形测量法。其基本原理是利用反射光的三角关系，即测量光束以较大的入射角照射被测面，在另一侧以探测器接收，获得光斑的位置信息、光强信息，这些信息反映处硅片面的位置变化即离焦量。各种方法的主要区别在于信号的获取方法。例如以狭缝像照明被测面，并将狭缝像成像到CCD上，通过图像处理算法获得狭缝像的边缘从而得到狭缝像的位置信息，根据几何关系即可得到被测面的位移量，此种方法见于文献《0.35μm投影光刻机的逐场调平技术与套刻步进模型》和美国专利US6765647B1等。这种方法严重依赖于狭缝的成像质量以及图像处理算法的精确度，其成像质量又很容易受到被测面表面质量的影响，因此只能达到百纳米级的精度。基于位移传感器(PSD)的光学检焦方法采用圆形光斑作为投影像投影到被测面上并再次成像到二维PSD上。由于PSD较四象限探测器具有更小的间隙以及更高的灵敏度，能够得到光斑的精确位置，并摆脱了对图像处理算法的依赖，可以获得数十纳米的检焦灵敏度，其缺点是容易受到被测面不均匀性的影响，特别是在光刻多层套刻工艺中，由于硅片表面经过数十道工艺处理，对于四象限探测器以及PSD这样的分割区域求解光斑中心的方法，难以提高精度，这种方法见于文献《Focusing and leveling system using PSDs for the wafer steppers》和中国专利200610117401.0等。中国专利CN101187783A公开了一种调焦调平测量系统及其测量方法，它通过测量光栅莫尔条纹的移动，利用莫尔条纹的位移放大作用来达到测量目的，这种方法的优点是可以通过改变物光栅和调制光栅的夹角来改变莫尔条纹的位移放大率，但是其内在的缺点无法克服，即光栅周期过大则莫尔条纹是一系列的离散信号，这时的测量精度就严重依赖于图像处理算法以及光栅的成像质量；而较小的光栅周期虽然使得莫尔条纹信号连续性更好，但是光栅的衍射角过大，造成成像系统的数值孔径太大，从而增加了系统的复杂程度。另外物光栅与像光栅的夹角的误差与莫尔条纹具有同样的放大倍率，因此，这种方法也难以达到纳米级的精度。国际上也有不少专利采用阵列式的检焦方法，例如针孔阵列式(美国专利US6081614)，通过增加采样点，提高信号的稳定性。阵列式的优点是在被测面上放置多个测量点，综合考虑被测面形，但是由于各点的放大倍率不一致，需要制作复杂的放大率调整结构。

发明内容

本发明技术解决问题：克服现有技术的不足，提供一种适用于投影光刻系统的检焦系统及检焦方法，该系统信号光稳定性极高、信噪比高，能有效消除杂散光的影响，实现纳米级的测量精度。

本发明的技术解决方案：一种适用于投影光刻系统的检焦系统，包括照明系统、对称成像系统，光栅调制系统，偏振调制系统，光弹调制系统及光电探测器。其中照明系统由照明小孔光源、准直镜、光弹调制器和两个楔形镜组成，照明小孔光源经过准直镜准直后进入光弹调制器；光弹调制器位于准直镜后的照明光路中，照明光经过光弹调制器后被调制成高频50kHz正弦信号，在光电探测器后的光电信号处理电路中有利于过滤掉环境杂光产生的噪声，提高信噪比；第一个楔形镜位于光弹调制器后，使得照明物光栅标记的主光线发生偏折，而在对称成像系统的像方有相同的另一个楔形镜将第一个楔形镜偏折后的主光线再次折射使光线方向与光轴平行并垂直于探测器面；第一个楔形镜产生两个方向的照明光，分别为测量光路和参考光路，照明物光栅面上的测量光栅和参考光栅并被第一镜组分别成像于被测面和参考面上，经过反射后进入第二镜组再次成像。参考面为投影物镜末端平面，被测面为投影光刻的光刻对象。第一镜组和第二镜组组成对称成像系统。两个成像透镜组对称于投影光刻物镜光轴且均为双远心结构，由于空间上受到投影物镜的限制，对称成像系统必须倾斜或水平放置，同时放置两组两片反射镜将成像光束反射到测量空间内，对称成像系统的光轴在测量空间是水平的，两组两片反射镜的夹角正好为对称成像系统的倾斜角的二分之一；偏振调制系统由偏振片、第一平行分束剪切片和第二平行分束剪切片组成，偏振片透光轴与第一平行分束剪切片的光轴成45°角，使得透过第一平行分束剪切片的寻常光分量和非寻常光分量正好相等，并且45°正好位于线性区，有利于检焦过程中的微调；光栅调制系统由物光栅和调制光栅组成，物光栅位于第一个楔形镜后，调制光栅放置于偏振调制系统中的第一个平行分束剪切片之后并正好位于物光栅经第二镜组成像后的像面上；第二平行分束剪切片将成像光束分成两束偏振方向相互垂直的光并在空间上完全分开，最后垂直入射到探测器上。

本发明与现有技术相比的优点在于：

(1)本发明将参考信号和被测信号用同一个成像系统传输到被测面上。这是由于在纳米级测量领域，任何轻微的扰动都可能造成很大的误差。本发明的设计将参考和被测信号置于完全一样的环境中，消除环境的干扰才有可能达到纳米级的测量精度，对超大规模集成电路制造精度的提高有很大的帮助。

(2)本发明采用光栅调制将光信号变成偏振方向正交的寻常光信号和非寻常光信号两路信号，充分利用光参量中的偏振特性，经过偏振调制系统后形成自参考光路，被测量仅与该两路信号强度的差值有关，从而获得高稳定性的信号。

(3)本发明把光弹调制器置于照明光路中，其原理是通过改变偏振光的偏振态，使得通过该偏振光通过正交尼克尔光路后得到按正弦规律变化的调制光信号，在提取信号时能够消除背景光的影响，使得信号易于提取，信噪比高。

(4)本发明的对称成像镜组为双远心结构，因为两组成像系统需经过空间对接完成光栅的最终成像，在对接过程中容易出现离焦的问题，双远心结构能够在离焦保持像的倍率不变。

附图说明

图1为本发明检焦系统结构示意图；

图2为本发明中的光弹调制器结构示意图；

图3为本发明中楔形镜照明示意图；

图4为本发明中的检焦三角关系示意图；

图5为本发明中的物光栅标记示意图；

图6为本发明中的对称成像镜组示意图；

图7为本发明中的光栅调制示意图；

图8为本发明中的偏振调制示意图。

具体实施方式

本发明提出的方案对于相关领域内的人士是容易掌握的，实施方式中给定的任何相关参数是为了更好地说明本发明，相关人士应用时不应仅受限于实施方式中的具体条件而应遵从权利要求中所要求的权利。

本发明旨在提供一种高精度的投影光刻检焦系统，该系统同样可以用于微纳位移光学测量领域，如图1所示。在投影光刻中，硅片表面所涂的光刻胶能够形成干涉薄膜，由于表面起伏不定该干涉薄膜在不同位置厚度不一样，从而导致干涉强度不同，影响测量信号的稳定性。为了平滑这种效应，照明光为多波长组成的宽带光，照明光波相干长度较长，薄膜上不易发生膜层多光束干涉，因此照明光源为包含可见光和近红外光的卤素灯。卤素灯发热量较大，而光刻系统内部各部分均为超精密系统并要求恒温，故照明光采用图1中101的毫米级的粗光纤作为照明小孔，避免卤素灯产生的热量对光刻精度和测量精度造成不利影响。照明小孔光源101经过准直镜102准直后进入光弹调制器103。由于光电探测器119位于整个对称成像系统的离焦位置进行能量探测，为了使得弥散的光斑尽量小，照明光的数值孔径应尽量与对称成像系统的数值孔径像匹配，这就对小孔直径和准直镜的焦距提出要求。若对称成像系统的数值孔径为NA，则要求准直镜的照明数值孔径小于NA，即sin(D/2f)＜NA，D为光纤小孔直径，f为准直镜的焦距，由于准直镜数值孔径很小，其孔径角近似等于D/2f。

为了减小照明光弹调制器带来的像差传递，如球差、彗差等，应将光弹调制器103放在经准直镜2准直后的照明平行光路中，如图1和图2所示。光弹调制器103包括信号发生器204、两片透光轴相互垂直的检偏器202、203以及位于检偏器之间的光学晶体201，位于光学晶体201前的检偏器202、203透光轴方向与光学晶体201的光轴夹角为45°，信号发生器204将调制信号加于光学晶体201上，使得光学晶体201光产生的相位差从-π到π之间变化。在未加信号的情况下，入射光透过检偏器202后变成线偏振光，光学晶体201不对偏振态产生任何影响，检偏器202与203透光轴相互垂直，透过光强为零。当给光学晶体201施加压力后会产生双折射效应，寻常光和非寻常光折射率差随着施加压力的大小而改变，其相位差也随着施加压力的大小而改变，偏振光透过光学晶体201后偏振态发生变化，检偏器偏203的透过率也随之变化。当施加的压力为使得光学晶体201产生的相位差在-π到π之间变化的高频调制正弦信号时，例如50kHz的正弦信号，透过光强也为0到最大值之间变化的高频正弦信号。由于对称成像系统中间过渡部分暴露在环境杂光中，光弹调制器103的引入使得检焦系统在信号处理中，通过高频滤波技术能够很好地过滤这部分杂光产生的噪声。

对称成像系统由左右两个完全一样的第一镜组108和第二组镜114组成，并在空间中完成对接，即物光栅被第一镜组成实像到被测面和参考面上后，再次由第一镜组成像到调制光栅上。为了保证最后成像系统的放大倍率为1，成像镜组被设计成双远心结构。双远心结构的特征之一即为入射的平行光线出射后仍为平行光线，为了能够让参考光栅和测量光栅的主光线分别照射到参考面112和被测面113上，照明系统中必须加入楔形镜104，其作用是使得物光栅标记105的主光线发生偏折，使得物光栅的主光线在光轴两侧并像反方向偏折，如图3所示，偏折角301等于斜入射到参考面112和被测面113上的入射角的余角，即主光线106和107与各自投射面的夹角。而在成像系统的像方有另一同样的楔形镜104’，其作用是将第一片楔形镜104偏折后的主光线再次偏折，使之与光轴平行。

随着光刻投影物镜111数值孔径地增大，镜头孔径增大的同时工作距离也在缩小，检焦空间更狭窄，这就要求检焦光束的斜入射角很大，在本发明中，入射角401用θ表示，大小为86°，等同于401’，θ与楔形镜对主光线的偏折角互为余角，如图4所示。根据三角关系得到像位移量402与被测面113的位移量403的关系：

ΔX＝2ΔZcos(90-θ)

可见两者约为2倍的关系。其中ΔX表示像位移量402，ΔZ表示被测面位移量403。以γ表示棱镜的倾斜角即图4中的404或404’，根据几何关系得以下关系式：

$n=\frac{\sin \mathrm{\γ}}{\sin [\mathrm{\γ}-\arcsin \left(\frac{\sin (90-\mathrm{\θ})}{n}\right)}$

式中，n为棱镜折射率，根据上式能够计算处棱镜的倾斜角。

由于空间上受到投影物镜的限制，对称成像系统必须倾斜或水平放置，需要放置两组两片反射镜109、110、109’、110’将成像光束反射到测量空间内。对称成像系统的光轴在测量空间是水平的。

物光栅105的标记经过对称成像系统成像到调制光栅117面上，光栅周期是根据成像系统的数值孔径设计的。成像系统的孔径角不小于楔形镜对照明光线的偏折角与光栅标记的1级衍射角之和，由于工作距离要求过大，物光栅周期应尽量大并大于照明波长的10倍，衍射角应尽量小，从而缩小孔径角，降低成像系统的设计难度与加工装配成本。成像系统的数值孔径为光束张角的一半的正弦值，成像系统的孔径至少应包含光栅衍射一级光。光线经楔形镜偏折后斜入射到物光栅上，因此成像系统的最小数值孔径为物光栅一级衍射角与楔形镜偏折角之和的正弦，即NA_min＝sin(90-θ-α)，其中α为物光栅一级衍射角，满足关系式dsinα＝λ，其中d为物光栅周期，为照明光波波长。在本发明实施方式中，θ为86°，d取50微米，照明波长λ为1微米，则数值孔径最小值NA_min约为0.1。

在投影光刻中，检焦系统需要测量曝光场内的典型区域的离焦量，据此设计物光栅标记501和502，如图5所示，物光栅标记分为上下两部分，上部分为参考光栅401，下部分为测量光栅402，分别由2个光栅窗口组成，每个光栅窗口代表一个测量区域。每两个测量区域的高度值与测量点之间的距离可以测量该两点连线方向的倾斜角度值。两路以上的测量光路能够测量被测面在各个方向的倾斜。

为了能够全面反映曝光场内各点的高度，物光栅标记的像应覆盖大部分曝光场的区域。由于测量光束是以很大的入射角斜照射到112和113上的，物光栅105的投影像被拉大，较小的光栅窗口就足以覆盖曝光场的多数区域，如图6中虚线框所示。由于硅片表面起伏不平，特别是经过多层套刻以及工艺处理后，不同区域的材料也会不同，造成反射率不一致，因此增大测量面积是为了平滑这种表面不平度。图6仅画出测量光路106，参考光路107与之相同。物光栅窗口较小，为了增加采样点，应保证一定光栅周期数，故物光栅周期也不能过大，在本发明中，光栅周期为50微米。

在图1中，物光栅标记105被参考面112和被测面113反射，经过对称成像系统后携带位移量信息成像调制光栅面117上。如前所述，物光栅像在调制光栅面上的平移量与被测面112、113的位移量具有2倍的关系。为了进一步提高精度和抗干扰能力，本发明应用光栅调制与偏振调制方法。

光栅调制是指应用另一个与物光栅标记105完全相同的标记对光栅像进行调制，该光栅被称为调制光栅117。物光栅标记105被对称成像系统到调制光栅117面上。以被测面113正好位于物镜焦面上时作为零位标定面，零位时物光栅像与调制光栅正好错开半个周期，如图7中701和702所示，701为调制光栅线，702为物光栅像的栅线。当被测面113移动时，物光栅像702随着移动，移动的距离与被测面的位移成正比，此时透过光栅像的光强度也和位移量成正比。

在调制光栅之前加入第一平行分束剪切片116，如图7所示，702是用石英晶体制成。石英晶体的作用是，光束通过后分成偏振方向相互垂直的寻常光和非寻常光，且在垂直于光束传播的方向上分开一定的距离，该距离成为最大剪切量。在本发明的光栅调制系统中，该距离正好是物光栅周期的二分之一，从而使得透过第一平行分束剪切片后的寻常光像和非寻常光像正好也错开半个光栅周期，如图7所示702和703。图中702、703分别表示物光栅的寻常光像与非寻常光像。由于受到调制光栅的作用，当被测面113发生位移时，物光栅像在调制光栅面上移动并造成702与703光强的相对强弱变化，本发明的主要原理即是通过测量这两个像的光强变化来达到高精度测量的。由于两个光栅像是由同一光路分离开的，符合能量探测中的共光路原理，即使受到环境干扰，两个光强值的差值仍然不变，其差值仅受到被测面位移的影响，例如探测面在零位时，寻常光和非寻常光像正好位于调制光栅中间，即在垂直于光栅栅线的方向上偏离半个光栅周期，且正好完全覆盖调制光栅，如图7所示的位置，则此时寻常光和非寻常光的透射光强恒相等，即差值为零。

寻常光像702和非寻常光像703的光强分别由不同的能量探测器测量，因此，需将它们在空间上完全分开。在光学测量中，将两个偏振方向相互垂直的光束分离的方法很多，为了能保持共光路的原则，本发明的偏振调制采用一块大剪切量的第二平行分束剪切片118将它们分开。

第二平行分束剪切片118应采用寻常光和非寻常光折射率差尽量大的晶体方可产生大于1毫米的横向剪切量，在本发明的具体实施方式中，第二平行分束剪切片是方解石晶体，如图8所示。这是因为方解石晶体寻常光和非寻常光具有很大的折射率差，便于获得较大的光束剪切量，其作用是将偏振方向相互正交的光栅像在空间上完全分离。图中802和803分别是被第二个平行分束剪切片118分离后的光栅像斑，与图7中物光栅的非寻常光像702和寻常光像703相对应。透过寻常光和非寻常光光强度之和等于未被调制时透过的光强度。

寻常光像和非寻常光像的光强正比于调制光栅的透光长度，如图7所示。因此，

$I_0=(I_0+I_e)\frac{d/4+\mathrm{\ΔX}}{d/4},$ $I_e=(I_0+I_e)\frac{d/4-\mathrm{\ΔX}}{d/4}$

$\mathrm{\ΔZ}=\frac{d}{8}\frac{I_o-I_e}{I_o+I_e}$

式中各符号意义同前所述，Io和Ie分别表示寻常光像和非寻常光像的光强。上述式子对参考面和被测面均成立，参考面和被测面的位移量正比于寻常光和非寻常光的光强差与光强和的比值。

在上式中，分子为寻常光像和非寻常光像的光强差值，是在测量过程中主要的变化量。由于是共光路的，寻常光像和非寻常光像的光强受到外界的干扰相同，通过差值得以消除影响，减小误差，提高精度。分母为光强的和值，即输出光的总光强。光源的稳定性、环境的干扰等都会对输出光总光强有所影响。为此，本发明引入参考光路，原理与测量光路完全一样且共光路。总光强的起伏在参考光路的输出总光强中有所体现并且是与测量光路的输出总光强同步变化的，通过比较，能够有效地消除参考面和被测面之间的扰动以及光源稳定性导致的测量误差，进一步提高精度。

为了便于标定被测面的零位，在图1中将偏振片115置于光栅调制117和第一个平行分束剪切片116之前，在零位时微调偏振片115使得寻常光和非寻常光光强相等。

Claims (10)

1.一种适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：包括照明系统、对称成像系统，光栅调制系统，偏振调制系统，光弹调制系统(103)及光电探测器(119)；其中照明系统由照明小孔光源(101)、准直镜(102)、光弹调制器(103)和两个楔形镜(104、104’)组成，照明小孔光源(101)经过准直镜(102)准直后进入光弹调制器(103)，光弹调制器(103)位于准直镜(102)后的照明光路中，照明光经过光弹调制器(103)后被调制成高频50kHz的正弦信号；楔形镜(104)位于光弹调制器(103)后，使得物光栅标记(105)的主光线发生偏折，而在对称成像系统的像方有相同的另一个楔形镜(104’)，将前一个楔形镜(104)偏折后的主光线再次折射，使偏折的光线方向与光轴平行并垂直于探测器(119)；楔形镜(104)产生两个方向的照明光，分别为测量光路(106)和参考光路(107)，这两路光分别照明物光栅面上的测量光栅(401)和参考光栅(402)并被第一镜组(108)分别成像于被测面(113)和参考面(112)上，经过反射后进入第二镜组(114)再次成像，参考面(112)为投影物镜末端平面，被测面为投影光刻的光刻对象；第一镜组(108)和第二镜组(114)组成对称成像系统，两个成像透镜组对称于投影光刻物镜(111)光轴且均为双远心结构，对称成像系统倾斜或水平放置，同时放置两组两片反射镜(109、110、109’、110’)将成像光束反射到测量空间内，对称成像系统的光轴在测量空间是水平的，两组两片反射镜(109、110、109’、110’)的夹角正好为对称成像系统的倾斜角的二分之一；偏振调制系统由偏振片(115)、第一平行分束剪切片(116)和第二平行分束剪切片(118)组成，偏振片(110)透光轴与第一平行分束剪切片(116)的光轴成45°角，使得透过第一平行分束剪切片(116)的寻常光分量和非寻常光分量正好相等，并且所述45°角正好位于线性区；光栅调制系统由物光栅(105)和调制光栅(117)组成，物光栅(105)位于第一个楔形镜(104)后，调制光栅(117)放置于偏振调制系统中的第一个平行分束剪切片(106)之后并正好位于物光栅(105)经第二镜组成像后的像面上；第二平行分束剪切片将成像光束分成两束偏振方向相互垂直的光并在空间上完全分开，最后垂直入射到探测器(119)上。

2.根据权利要求1所述的适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：所述光弹调制系统(103)包括信号发生器，两片透光轴相互垂直的检偏器以及位于检偏器之间的光学晶体，位于光学晶体前的检偏器透光轴方向与光学晶体的光轴夹角为45°，信号发生器204将调制信号加于光学晶体上，使得光学晶体光产生的相位差从-π到π之间变化。

3.根据权利要求1所述的适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：所述两个楔形镜(104、104’)分别由两块棱镜胶合而成，使入射平行光向两侧折射，两块棱镜倾斜角根据成像系统主光线在被测面(112)和参考面(113)上的掠入射角计算。

4.根据权利要求1所述的适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：所述第一个平行分束剪切片(116)为双折射材料，是根据光栅标记的周期设计的，将入射光束的寻常光和非寻常光在垂直于光束传播方向上发生剪切，第一平行分束剪切片(116)的最大剪切量等于光栅周期的一半。

5.根据权利要求1所述的适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：所述第二个平行分束剪切片(118)由方解石晶体组成，这是因为方解石晶体寻常光和非寻常光具有很大的折射率差，便于获得较大的光束剪切量，其作用是将偏振方向相互正交的光栅像在空间上完全分离。

6.根据权利要求1所述的适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：所述参考面(112)和被测面(113)的位置正比于寻常光和非寻常光的光强差与光强和的比值。

7.根据权利要求1所述的适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：所述对称成像系统内包含两束成像光束，分别将物光栅标记成像到被测区域，并以掠入射照射在参考面和被测面上，从参考面反射后出射的光信号称为参考信号，从被测面反射后出射的信号称为被测信号，信号相互独立，参考面为标准平晶面，被测信号以参考信号作为参考可以消除参考面和被测面之间的任何扰动。

8.根据权利要求1所述的适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：所述光栅调制系统中光栅标记为一周期较大的光栅，应该大于照明波长的10倍，物光栅标记和调制光栅标记完全一样，分布于玻璃基板上并保证物光栅投影到被测面和参考面上时正好覆盖一个曝光场的面积。

9.根据权利要求1所述的适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：所述光栅调制系统的物光栅在玻璃基板上分为两部分，分别由楔形镜偏折后的两束光照明；成像镜组的最小数值孔径由物光栅的一级衍射角和楔形镜的偏折角确定。

10.根据权利要求1所述的适用于投影光刻系统的检焦系统，其特征在于：所述光栅调制系统中，当被测面和参考面在标定的投影光刻物镜焦面的位置时，物光栅像和调制光栅在垂直于栅线的方向上偏离半个光栅周期时，由于物光栅像受到调制光栅的调制，使得从调制光栅出射的偏振方向相互垂直的两束光光强恒相等，不受任何外部因素的干扰，两束光的光强差仅与被测面和参考面的位置有关。

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