CN101854578A - 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 - Google Patents
一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101854578A CN101854578A CN201010196722A CN201010196722A CN101854578A CN 101854578 A CN101854578 A CN 101854578A CN 201010196722 A CN201010196722 A CN 201010196722A CN 201010196722 A CN201010196722 A CN 201010196722A CN 101854578 A CN101854578 A CN 101854578A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pole plate
- back pole
- vibrating diaphragm
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001755 vocal effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
本发明涉及一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其包括如下步骤：a、提供连接板与背极板；b、将背极板与连接板键合固定；c、对背极板进行减薄；d、减薄后的背极板上生长绝缘键合层；e、提供基板；f、在基板上生长有绝缘支撑层；g、在基板淀积振膜；h、得到安装槽内的振膜；i、将背极板与基板键合固定；j、刻蚀基板上方的连接板与氧化层；k、在背极板上得到下电极孔；l、在上述背极板上淀积电极层；m、得到位于背极板与振膜上的电极；n、得到位于背极板上的若干声孔；o、刻蚀上述基板对应于设有背极板的另一端，得到位于振膜下方的声腔。本发明灵敏度高、噪声低、频带宽、成品率高，制备工艺简单。
Description
技术领域
本发明涉及一种微型麦克风制备方法，尤其是一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法。
背景技术
MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)技术是几年来高速发展的一项高新技术，与传统对应器件相比，MEMS器件在体积、功耗、重量等方面都具有十分明显的优势，而且其采用先进的半导体制造工艺，可以实现MEMS器件的批量制造，能极好的控制生产成本，提高器件的一致性。对于目前的MEMS产品，加速度计、压力传感器、陀螺仪、微镜、硅麦克风等都已经实现了批量生产，在相应的市场上都占有了一定的份额。
硅麦克风耐高温、耗电量小以及体积小等特点，使得它在移动电话、助听器、笔记本电脑、PDA、摄像机等视听产品以及国防、国家安全等相关领域应用将更加广泛。从麦克风市场的预测和发展来看，硅麦克风成为传统驻极体麦克风的替代产品已经毋庸置疑，它提供了令声学工程师相当满意的相似的甚至更好的声学性能。硅麦克风在几年以后将会成为麦克风市场上的主要产品。
为了开发出高灵敏度和宽带宽的麦克风，高性能振膜的制作至关重要，振膜制作面临的一个主要问题就是振膜应力的控制。现有薄膜的制作主要采用淀积的方法得到，通过淀积得到的振膜会存在较大的残余应力，残余应力对微型硅麦克风的性能有较大影响，大的残余应力能大幅度降低麦克风的灵敏度，压应力还能减小麦克风的耐压能力，严重时能使得麦克风无法正常工作。另外，背极板的制作也至关重要，刚性背极是硅麦克风有良好频率特性和低噪声的前提条件。
目前改善振膜残余应力通常有两种方法，一是通过附加工艺，用退火的方式，这种方式对工艺的控制要求极高，重复性不是很好；另外一种是通过结构调整，如制作自由膜或纹膜结构，但这种结构的制作会导致工艺复杂度的增加，可能需要添加多步工艺，来控制振膜。而实现刚性背极也是麦克风制作过程中的一大难点，目前也是有两种主要方法来解决，一是制作厚背极，但是通过常规的淀积工艺很难得到需要的厚背极；还有一种方法是通过结构调整来提高背极板的刚性，但也是要增加工艺的复杂度。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其灵敏度高、噪声低、频带宽、成品率高，制备工艺简单。
按照本发明提供的技术方案，所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法包括如下步骤：
a、提供连接板与背极板，所述连接板与背极板上均生长有氧化层；b、将背极板放置在连接板上，所述背极板对应于生长氧化层的表面与连接板上对应于生长有氧化层的表面相接触，背极板与连接板通过对应的氧化层键合固定；c、对上述背极板进行刻蚀，使氧化层上方相对应背极板的厚度为4～10μm；d、在厚度为4～10μm的背极板上生长有绝缘键合层；e、提供基板，并在基板上凹设有安装槽；f、在基板对应于设置安装槽的表面及安装槽的内周面上均生长有绝缘支撑层；g、在基板对应于生长有绝缘支撑层的表面上淀积振膜；h、选择性的掩蔽和刻蚀所述振膜，得到位于安装槽内的振膜；i、将背极板放置在基板上，背极板上对应于生长有绝缘键合层表面与基板对应于生长有绝缘支撑层的表面相接触，背极板与基板利用绝缘键合层与绝缘支撑层相键合固定；j、刻蚀基板上方的连接板与氧化层，去除背极板上方的连接板与氧化层；k、选择性的掩蔽和刻蚀背极板，在背极板上得到下电极孔，所述下电极孔与安装槽相连通，且对应于振膜的一端；l、在上述背极板上淀积电极层，所述电极层覆盖在背极板的表面，并填充在下电极孔的底部；m、选择性的掩蔽和刻蚀电极层，得到位于背极板与振膜上的电极；n、刻蚀振膜上方的背极板，得到位于背极板上的若干声孔，所述声孔位于振膜上方，并与安装槽相连通；o、刻蚀上述基板对应于设有背极板的另一端，得到位于振膜下方的声腔；p、刻蚀振膜下方的绝缘支撑层，使振膜与声腔相连。
所述氧化层为二氧化硅。所述连接板的材料为单晶硅。所述电极的材料为铝、镉或金。所述振膜的材料为导电多晶硅或绝缘材料与金属材料的复合层。所述绝缘支撑层为二氧化硅或氮化硅。所述绝缘键合层为二氧化硅。所述声孔形状为圆形、方形或椭圆形。所述振膜、背极板分别与对应的电极电性连接。所述背极板为掺杂的单晶硅。
本发明的优点：所述背极板为掺杂的单晶硅，通过对应的硅片减薄工艺，背极板的厚度可控，能够满足较强的刚性要求。所述电极的材料范围更广，不需要考虑抗氢氟酸腐蚀的问题，去除了材料释放工艺，避免了因释放而产生的粘连问题。成品率高，工艺实现简单，能够满足小尺寸的要求。
附图说明
图1～图18为本发明具体实施工艺步骤的示意图，其中：
图1为本发明连接板的结构示意图。
图2为本发明背极板的结构示意图。
图3为连接板与背极板相键合固定后的结构示意图。
图4为对背极板减薄后的结构示意图。
图5为背极板上生长绝缘键合层后的结构示意图。
图6为本发明基板的结构示意图。
图7为基板上生长绝缘支撑层后的结构示意图。
图8为基板上淀积振膜后的结构示意图。
图9为刻蚀振膜后的结构示意图。
图10为背极板与基板相键合固定后的结构示意图。
图11为刻蚀连接板后的结构示意图。
图12为刻蚀氧化层后的结构示意图。
图13为背极板上得到下电极孔后的结构示意图。
图14为背极板上淀积电极层后的结构示意图。
图15为得到电极后的结构示意图。
图16为背极板上得到声孔后的结构示意图。
图17为基板上刻蚀出声腔后的结构示意图。
图18为刻蚀绝缘支撑层后的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
本发明的微型麦克风制备方法，主要利用硅硅键合的工艺，形成电容式的微型麦克风。
所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法包括如下步骤：
a、提供连接板1与背极板2，所述连接板1与背极板2上均生长有氧化层4；所述连接板1为单晶硅，背极板2的材料为掺杂的单晶硅；氧化层4为二氧化硅，连接板1与背极板2利用对应的氧化层4相键合固定；连接板1主要用于背极板2的减薄工艺的可靠性；连接板1与背极板2的结构分别如图1和图2所示；
b、将背极板2上对应于生长有氧化层4的表面放置在连接板1上对应于生长有氧化层4的表面，背极板2与连接板1通过对应的氧化层4键合固定；连接板1与背极板2利用硅硅键合，可靠性高；连接板1与背极板2键合固定后的结构如图3所示；
c、对上述背极板2进行刻蚀，并双面抛光，使氧化层4上方相对应背极板2的厚度为4～10μm，如图4所示；
d、在厚度为4～10μm的背极板2上生长有绝缘键合层11，所述绝缘键合层11为二氧化硅或氮化硅，背极板2利用绝缘键合层11与基板3相键合与绝缘；当绝缘键合层11为二氧化硅时，只需要对背极板2进行氧化就可得到；背极板2上生长绝缘键合层11后的结构如图5所示；
e、提供基板3，并在基板3上凹设有安装槽12；通过对基板3进行光刻，得到安装槽12；所述安装槽12的腔体可以作为电容式麦克风的上极板与下极板间的间隙；安装槽12的刻蚀深度，决定了电容式麦克风的上、下极板间的间隙，所述间隙的大小能直接影响硅麦克风的灵敏度、噪声、可靠性等性能；通过在基板3上光刻得到安装槽12，避免了需要通过填充牺牲层材料的方法形成电容间隙，不会引起振膜5与背极板2间的粘连问题，提高了成品率，工艺操作简单；所述基板3为单晶硅，其结构如图6所示；
f、在基板3对应于设置安装槽12的表面及安装槽12的内周面上均生长有绝缘支撑层13，如图7所示；
所述绝缘支撑层13为二氧化硅，通过将基板3对应的表面进行氧化就能够得到绝缘支撑层13，绝缘支撑层13可以作为基板3的键合层；
g、在基板3对应于生长有绝缘支撑层13的表面上淀积振膜5，如图8所示；
所述振膜5覆盖在基板3对应设置安装槽12的表面，所述安装槽12的内壁生也覆盖有振膜5；振膜5为导电多晶硅或绝缘材料与金属材料的复合层；
h、选择性的掩蔽和刻蚀所述振膜5，得到位于安装槽12内的振膜5，如图9所示；
选择性的掩蔽和刻蚀振膜5，去除基板3对应于设置安装槽12表面的振膜5，同时保留安装槽12内的振膜5；安装槽12的振膜5作为电容式麦克风的下极板；
i、将背极板2上对应于生长有绝缘键合层11表面放置在基板3对应于生长有绝缘支撑层13的表面，背极板2与基板3利用绝缘键合层11与绝缘支撑层13相键合固定，如图10所示；
所述背极板2利用绝缘键合层11与基板3上的绝缘支撑层13硅硅键合固定，基板2对应于设置绝缘键合层11的表面位于安装槽12的槽口，将安装槽12的槽口封闭；所述背极板2与振膜5分别形成电容式麦克风的两个极板，振膜5与背极板2间对应于安装槽12的间隙，作为电容式极板间的间隙；
j、刻蚀基板3上方的连接板1与氧化层4，去除背极板2上方的连接板1与氧化层4，如图11和图12所示；
所述连接板1的作用仅仅是为了提高背极板2的减薄工艺与抛光质量，在形成电容式麦克风的结构上没有功能性作用，因此可以将连接板1腐蚀掉；连接板1可以采用湿法腐蚀，腐蚀到氧化层4为止；接着对背极板2上的氧化层4进行腐蚀，将背极板2上方的氧化层4全部去除掉，使背极板2对应于与基板3相连的另一端表面全部露出；
k、选择性的掩蔽和刻蚀背极板2，在背极板2上得到下电极孔6，所述下电极孔6与安装槽12相连通，且对应于振膜5的一端，如图13所示；
所述下电极孔6从背极板2的表面延伸到振膜5的一端，通过下电极孔6能够在振膜5上形成电极7；
l、在上述背极板2上淀积电极层15，所述电极层15覆盖在背极板2的表面，并填充在下电极孔6的底部，如图14所示；
所述电极层15可以选用常用的镉、金等金属，还可以选用铝等IC工艺常用的金属；
m、选择性的掩蔽和刻蚀电极层15，得到位于背极板2与振膜5上的电极7，如图15所示；
通过刻蚀电极层15，得到位于背极板2以及振膜5上的电极7；所述振膜5上的电极7即是通过下电极孔6底部的电极层15获得；所述电极7分别与背极板2与振膜5电性连接；
n、刻蚀振膜5上方的背极板2，得到位于背极板2上的若干声孔8，所述声孔8位于振膜5上方，并与安装槽12相连通，如图16所示；
所述声孔8按振膜5的形状以阵列方式排列，声孔8可以用于形成过滤一定频率或一定频率范围的声学滤波器，传播声压，调节振膜5与背极板2之间的阻尼，减小噪声，声孔8的形状可以为圆形，方形，椭圆形等任意形状，不同形状的声孔，具有不同的性能影响；如声孔8为圆形时，有利于释放空气压力，更有效减小压膜阻尼，但是会增加工艺制作的复杂性；声孔8为方形时，制作简单，但是会引起应力集中问题，也会影响麦克风的性能；
o、刻蚀上述基板3对应于设有背极板2的另一端，得到位于振膜5下方的声腔9，如图17所示；
声腔9的大小直接影响麦克风的性能，特别是低频特性；在不影响芯片尺寸的前提下，尽量增大声腔9；声腔9的形状可以根据不同的工艺，形成圆形或方形，由于受振膜5形状及麦克风性能的影响，声腔9的形状也需要根据振膜5的形状来设计；
p、刻蚀振膜5下方的绝缘支撑层13，使振膜5与声腔9相连，如图18所示。
通过对振膜5下方的绝缘支撑层13刻蚀，释放出振膜5结构，使振膜5的下端面与声腔9相连，振膜5作为声腔9的上端面；也可以不刻蚀绝缘支撑层13，形成一种复合结构。
如图18所示：为本发明制备方法得到的微型麦克风结构，使用时，所述振膜5及背极板2上相对应的电极7分别与对应的外部接线端连接；当有声音进入声孔8或声腔9内时，声音会引起振膜5的形变。所述振膜5与背极板2形成电容式结构，当振膜5发生对应的形变后，通过检测麦克风的外部接线端相应的输出信号，能够得到对应的声音信号。
本发明所述背极板2为掺杂的单晶硅，通过对应的硅片减薄工艺，背极板2的厚度可控，能够满足较强的刚性要求。所述电极7的材料选用方便，不需要考虑抗氢氟酸腐蚀的问题，去除了释放工艺，避免了因释放而产生的粘连问题；工艺操作简单；成品率高，工艺实现简单，能够满足小尺寸的要求。采用硅硅键合技术制备的硅麦克风，避免了常规的牺牲层制备和释放工艺，振膜5与背极板2间距可任意调整，背极板2厚度可控，不存在所谓的软背极效应，成品率高，芯片尺寸小，适合于批量生产。
Claims (10)
1.一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是，所述微型麦克风的制备方法包括如下步骤：
(a)、提供连接板(1)与背极板(2)，所述连接板(1)与背极板(2)上均生长有氧化层(4)；
(b)、将背极板(2)放置在连接板(1)上，所述背极板(2)对应于生长氧化层(4)的表面与连接板(1)上对应于生长有氧化层(4)的表面相接触，背极板(2)与连接板(1)通过对应的氧化层(4)键合固定；
(c)、对上述背极板(2)进行刻蚀，使氧化层(4)上方相对应背极板(2)的厚度为4～10μm；
(d)、在厚度为4～10μm的背极板(2)上生长有绝缘键合层(11)；
(e)、提供基板(3)，并在基板(3)上凹设有安装槽(12)；
(f)、在基板(3)对应于设置安装槽(12)的表面及安装槽(12)的内周面上均生长有绝缘支撑层(13)；
(g)、在基板(3)对应于生长有绝缘支撑层(13)的表面上淀积振膜(5)；
(h)、选择性的掩蔽和刻蚀所述振膜(5)，得到位于安装槽(12)内的振膜(5)；
(i)、将背极板(2)放置在基板(3)上，背极板(2)上对应于生长有绝缘键合层(11)表面与基板(3)对应于生长有绝缘支撑层(13)的表面相接触，背极板(2)与基板(3)利用绝缘键合层(11)与绝缘支撑层(13)相键合固定；
(j)、刻蚀基板(3)上方的连接板(1)与氧化层(4)，去除背极板(2)上方的连接板(1)与氧化层(4)；
(k)、选择性的掩蔽和刻蚀背极板(2)，在背极板(2)上得到下电极孔(6)，所述下电极孔(6)与安装槽(12)相连通，且对应于振膜(5)的一端；
(l)、在上述背极板(2)上淀积电极层(15)，所述电极层(15)覆盖在背极板(2)的表面，并填充在下电极孔(6)的底部；
(m)、选择性的掩蔽和刻蚀电极层(15)，得到位于背极板(2)与振膜(5)上的电极(7)；
(n)、刻蚀振膜(5)上方的背极板(2)，得到位于背极板(2)上的若干声孔(8)，所述声孔(8)位于振膜(5)上方，并与安装槽(12)相连通；
(o)、刻蚀上述基板(3)对应于设有背极板(2)的另一端，得到位于振膜(5)下方的声腔(9)；
(p)、刻蚀振膜(5)下方的绝缘支撑层(13)，使振膜(5)与声腔(9)相连。
2.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述氧化层(4)为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述连接板(1)的材料为单晶硅。
4.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述电极(7)的材料为铝、镉或金。
5.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述振膜(5)的材料为导电多晶硅或绝缘材料与金属材料的复合层。
6.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述绝缘支撑层(13)为二氧化硅或氮化硅。
7.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述绝缘键合层(11)为二氧化硅。
8.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述声孔(8)形状为圆形、方形或椭圆形。
9.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述振膜(5)、背极板(2)分别与对应的电极(7)电性连接。
10.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述背极板(2)为掺杂的单晶硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010196722 CN101854578B (zh) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010196722 CN101854578B (zh) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101854578A true CN101854578A (zh) | 2010-10-06 |
| CN101854578B CN101854578B (zh) | 2013-03-27 |
Family
ID=42805790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010196722 Active CN101854578B (zh) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101854578B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103561376A (zh) * | 2013-10-15 | 2014-02-05 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风及其制造方法 |
| CN104270701A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-01-07 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种mems麦克风中的振膜结构及其制造方法 |
| CN106937230A (zh) * | 2017-03-30 | 2017-07-07 | 歌尔股份有限公司 | 电容式麦克风及其制作方法 |
| CN107231595A (zh) * | 2016-03-24 | 2017-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
| CN108650606A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-10-12 | 歌尔股份有限公司 | 麦克风 |
| CN111217323A (zh) * | 2018-11-27 | 2020-06-02 | 中科院微电子研究所昆山分所 | 一种晶圆键合方法 |
| CN113023661A (zh) * | 2019-12-09 | 2021-06-25 | 觉芯电子(无锡)有限公司 | 一种微镜及制作方法 |
| CN113926680A (zh) * | 2021-09-01 | 2022-01-14 | 中国电子科技集团公司第三研究所 | 超声换能器、超声扫描显微镜以及超声换能器的制作方法 |
| CN116364483A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-06-30 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种高冲击石英微开关 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070045757A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Sensor |
| CN101516053A (zh) * | 2008-02-20 | 2009-08-26 | 歌尔声学股份有限公司 | 电容式传声器芯片 |
| CN101534466A (zh) * | 2009-04-15 | 2009-09-16 | 无锡市纳微电子有限公司 | 一种硅麦克风芯片及其制作方法 |
| CN101614604A (zh) * | 2009-07-14 | 2009-12-30 | 西北工业大学 | 基于滑膜差动结构的硅谐振式压力传感器及其制作方法 |
-
2010
- 2010-06-01 CN CN 201010196722 patent/CN101854578B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070045757A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Sensor |
| CN101516053A (zh) * | 2008-02-20 | 2009-08-26 | 歌尔声学股份有限公司 | 电容式传声器芯片 |
| CN101534466A (zh) * | 2009-04-15 | 2009-09-16 | 无锡市纳微电子有限公司 | 一种硅麦克风芯片及其制作方法 |
| CN101614604A (zh) * | 2009-07-14 | 2009-12-30 | 西北工业大学 | 基于滑膜差动结构的硅谐振式压力传感器及其制作方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103561376A (zh) * | 2013-10-15 | 2014-02-05 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风及其制造方法 |
| CN103561376B (zh) * | 2013-10-15 | 2017-01-04 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风及其制造方法 |
| CN104270701A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-01-07 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种mems麦克风中的振膜结构及其制造方法 |
| CN104270701B (zh) * | 2014-09-30 | 2018-04-13 | 歌尔股份有限公司 | 一种mems麦克风中的振膜结构及其制造方法 |
| CN107231595A (zh) * | 2016-03-24 | 2017-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
| CN106937230A (zh) * | 2017-03-30 | 2017-07-07 | 歌尔股份有限公司 | 电容式麦克风及其制作方法 |
| CN108650606A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-10-12 | 歌尔股份有限公司 | 麦克风 |
| CN111217323A (zh) * | 2018-11-27 | 2020-06-02 | 中科院微电子研究所昆山分所 | 一种晶圆键合方法 |
| CN113023661A (zh) * | 2019-12-09 | 2021-06-25 | 觉芯电子(无锡)有限公司 | 一种微镜及制作方法 |
| CN113926680A (zh) * | 2021-09-01 | 2022-01-14 | 中国电子科技集团公司第三研究所 | 超声换能器、超声扫描显微镜以及超声换能器的制作方法 |
| CN113926680B (zh) * | 2021-09-01 | 2022-12-13 | 中国电子科技集团公司第三研究所 | 超声换能器、超声扫描显微镜以及超声换能器的制作方法 |
| CN116364483A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-06-30 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种高冲击石英微开关 |
| CN116364483B (zh) * | 2023-06-02 | 2023-08-01 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种高冲击石英微开关 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101854578B (zh) | 2013-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101854578B (zh) | 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 | |
| CN101835079B (zh) | 一种电容式微型硅麦克风及其制备方法 | |
| CN105721997B (zh) | 一种mems硅麦克风及其制备方法 | |
| CN101754077B (zh) | 压电声换能器及其制造方法 | |
| US8509462B2 (en) | Piezoelectric micro speaker including annular ring-shaped vibrating membranes and method of manufacturing the piezoelectric micro speaker | |
| CN208337874U (zh) | 电声mems换能器、麦克风和电子设备 | |
| US10158951B2 (en) | Silicon microphone with suspended diaphragm and system with the same | |
| CN109905833B (zh) | Mems麦克风制造方法 | |
| CN102348155B (zh) | 微机电麦克风及其制造方法 | |
| CN111050256A (zh) | 一种小型化的高灵敏度压电式麦克风 | |
| CN204836579U (zh) | 一种梳齿结构mems硅麦克风 | |
| KR20090059756A (ko) | Ｍｅｍｓ를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 및 그 제조방법 | |
| CN102333254B (zh) | 一种与cmos电路纵向集成的mems硅麦克风及其制备方法 | |
| US20060291674A1 (en) | Method of making silicon-based miniaturized microphones | |
| CN105792084B (zh) | Mems麦克风及其制造方法 | |
| CN202444620U (zh) | 电容式微型硅麦克风 | |
| CN111148000B (zh) | 一种mems麦克风及阵列结构 | |
| CN104378724A (zh) | 一种无背部大声学腔体的mems硅麦克风 | |
| CN103297907A (zh) | 电容式微型硅麦克风及其制备方法 | |
| CN109485009A (zh) | 麦克风及其制造方法 | |
| CN103067838B (zh) | 一种高灵敏度压电式硅麦克风的制备方法 | |
| CN110012409A (zh) | Mems麦克风制造方法 | |
| CN203027480U (zh) | 一种高灵敏度压电式硅麦克风 | |
| CN111770422A (zh) | 级联微型麦克风及其制造方法 | |
| CN201750548U (zh) | 一种电容式微型麦克风 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: No. 100-17 Dicui Road, Liyuan Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee after: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. Address before: Room 10 # 225, Hujing Science and Technology Park, No. 288 Shibawan Road (Meiyuan Jikangli), Binhu District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee before: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder |