CN101785181B - 用于无线电发射机的信号放大器结构 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 16
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 21
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005314 correlation function Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
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- H03G3/225—Automatic control in amplifiers having discharge tubes controlling or controlled by the (local) oscillators of a (super)heterodyne receiver
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
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- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0088—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
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- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
- H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B1/0483—Transmitters with multiple parallel paths
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/336—A I/Q, i.e. phase quadrature, modulator or demodulator being used in an amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21142—Output signals of a plurality of power amplifiers are parallel combined to a common output
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21196—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers the supply voltage of a power amplifier being switchable controlled
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7227—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the supply circuit of the amplifier
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- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
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Abstract
本发明提供包含多个并联放大器子单元(208)的模块化放大器结构。每个放大器子单元被配置用于在至少一个接收到的控制信号的控制下放大接收到的净荷信号。所述放大器子单元的输出被加载到合并电路(218)。所述合并电路被配置用于合并多个放大器子单元的输出从而提供被放大的净荷信号。
Description
技术领域
本发明涉及无线电发射机中的信号放大。
背景技术
在无线电发射机中,发射信号(即正在被发射的信号)必须被放大到适合在与无线电接收机之间的空中接口上传送的电平。被放大的发射信号的电平应当足够高,以便使得无线电接收机能够将包含在发射信号中的信息解码出来。
CMOS(互补型金属氧化物半导体)晶体管已经被广泛应用于实现为集成电路的放大器。对于本领域专业人员而言,与诸如双极性结型晶体管(BJT)相比,CMOS晶体管具有明显优势。然而,与BJT相比,CMOS晶体管的典型劣势包括较低的跨导、较低的击穿电压、CMOS过程中无源器件的有限性能、以及较低的绝缘度。较低的跨导造成放大器中较高的电流损耗,较低的击穿电压会导致低电源并且由此造成在放大器输出处的有限电压摆动。有限的无源器件性能造成较低的集成水平和设计,例如避免使用电阻。较低的绝缘度使得难以设计出宽且精确的功率调节范围。因此,在放大器中使用CMOS晶体管存在着许多必须考虑的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种改进方案,用于对将从无线电发射机发射的信号执行放大和频率转换。
根据本发明的一方面,提供了在独立的权利要求1和26中规定的装置。
根据本发明的另一方面,提供了在独立的权利要求14中规定的方法。
根据本发明又一方面,提供了在独立的权利要求13中规定的无线电收发机。
本发明的实施例在从属权利要求中定义。
附图说明
下文仅通过示例方式参照附图描述本发明实施例,其中:
图1示出无线电发射机的框图;
图2示出包含根据本发明实施例的模块化放大器结构的框图;
图3示出根据本发明实施例的放大器子单元的详细图示;
图4A和4B示出根据本发明实施例的合并电路的两种状态图示;以及
图5是流程图,示出在根据本发明实施例的放大器中放大净荷信号的方法。
具体实施方式
下列实施例是示例性的。虽然在多个场合的详述中可能提及“一个”、“一个”或“某些”实施例,但是这并不必须意味着每一引用都指的是相同实施例,或者某个特性仅仅用于单个实施例。不同实施例的单个特性也可以被结合以提供其他实施例。
图1示出了其中可以实施本发明实施例的无线电发射机结构的简化框图。发射机结构包含一个或多个数字信号处理器(DSP)100,其对将要从所述发射机发射的信号进行数字处理。发射机的DSP部分100可以产生包括同相(I)信号分量和正交(Q)信号分量的净荷信号。净荷信号是指从发射机发送的实际信息信号。I和Q信号然后被馈入数字到模拟(D/A)转换器102以转换为模拟信号。经过D/A转换的模拟I和Q信号接下来在低通滤波器中被滤波以去除作为D/A转换结果包含在信号中的不必要的量化噪声和杂散高频信号分量。例如,低通滤波器104可以是简单的升余弦滤波器。
然后,经过低通滤波的I和Q信号被馈入用于执行对信号的上变频的上变频器(混频器)106。换句话说,上变频器106通过将I信号和Q信号分别与本地振荡器信号LO_I和LO_Q相乘,来将I和Q信号从基带转变为射频(RF)频带。本地振荡器信号可以是相同但是具有90度相位差的本地振荡器信号。因此,从上变频器中得到的射频I和Q信号之间具有同样的90度相位差。此外,上变频器106可以将所述I和Q信号合并。上变频器可以是有源或无源混频器。
于是,经过上变频并合并的信号被加载到功率放大器108,功率放大器108用于将所述信号放大用以传送。接下来,经过功率放大的信号作为无线电信号通过天线110被发射至空中接口。
图2示出根据本发明实施例的增益控制放大器208。净荷信号的I分量在第一D/A转换器202中被D/A转换,并且在第一低通滤波器204中被低通滤波。类似的,净荷信号的Q分量在第二D/A转换器200中被D/A转换,并且在第二低通滤波器206中被低通滤波。第一和第二D/A转换器200和202可以一起对应于图1中示出的D/A转换器102,而且第一和第二低通滤波器可以一起对应于低通滤波器104。
接下来,净荷信号被加载到增益控制放大器208的接口。而且,增益控制放大器208接收控制信号,所述控制信号是用于控制增益控制放大器208的工作的。增益控制放大器208可以接收本地振荡器信号LO_I和LO_Q作为控制信号。本地振荡器信号LO_I和LO_Q可以通过本地振荡器信号发生器220产生,信号发生器220被控制器222控制。对于到增益控制放大器208的本地振荡器信号的产生尤其是输入的控制将在下文进一步详细描述。控制器可以是通过适当软件配置的数字信号处理器,所述软件包括用于执行计算机处理以控制模块化放大器结构208的放大的指令。该软件可以被具体化在计算机可读介质上。
增益控制放大器的接口可以将净荷信号和控制信号分配到增益控制放大器208的模块化放大器结构。在图2的示例中模块化放大器结构包括执行上变频和放大操作两者的放大器子单元210和212。接口可以将接收到的净荷信号分配到放大器子单元210和212的净荷信号输入。此外,接口可以将本地振荡器信号LO_I和LO_Q分配到放大器子单元210和212的控制信号输入。
每个放大器子单元210和212被配置用于在至少一个接收到的控制信号的控制下放大接收到的净荷信号。在本示例中,控制信号是接收到的振荡器信号。每个放大器子单元210和212可以包含上变频器部分214和放大器部分216。上变频器部分214可以执行从一个频率到另一更高频率(RF频率)的上变频,而且放大器部分216可以放大经过上变频的信号。换句话说,放大器子单元210和212可以上变频并放大所接收到的净荷信号,每个放大器子单元210和212因此产生经过上变频和放大的输出信号。上变频器(即频率转换器)可以被配置为将来自相同的第一频带的信号处理为相同的第二频带的信号。换句话说,上变频器可以将净荷信号都转换为同样频带。该配置可以通过向频率转换器施加具有相同频率的振荡器信号来实施。
放大器子单元210和212产生的经过上变频和放大的输出信号被馈入合并器218,合并器218被配置为将信号合并以便产生合并的输出信号。当适当合并时,被合并的输出信号的放大因子是放大器子单元210和212的放大因子的叠加。
实践中,控制信号可以被用于使放大器子单元210和212激活或无效,由此控制增益控制放大器208的放大因子。实际上,给定的放大器子单元210或212可以通过将振荡器信号加载到放大器子单元来被激活。另一方面,放大器子单元可以通过阻止放大器子单元输入到振荡器信号来被无效。相应的,如上所述,增益控制放大器的放大因子可以通过选择性的激活/无效具有模块化结构的增益控制放大器208的放大器子单元208来调整。放大器子单元210和212的选择可以通过控制器222确定。值得注意的是放大器子单元的数量可以取决于实际实现方式。
为了简单,图2仅示出了2个放大器子单元210和212,而放大器子单元的实际数量可以高于2个。而且,根据本发明实施例的增益控制器放大器已经在上述无线电发射机的上下文中描述。然而,根据本发明实施例的增益控制器放大器也等同地可应用于无线电接收机、无线电收发机,以及其他相应的应用。
图3示出根据本发明实施例的放大器子单元的详细图示。如图2所示出的,放大器子单元可以包括混频器部分和放大器部分。在图3中示出的实施例中,从电容C1和C2看位于左侧的元件组成了混频器部分,而从电容C1和C2看位于右侧的元件组成了放大器部分。电容C1和C2防止放大器部分的偏置电压Vbias泄漏至混频部分。
在图3中示出的实施例中,净荷信号的I和Q分量被以差分模式输入至放大器子单元,其中信号IP和IM表示净荷信号的I分量,而QP和QM表示净荷信号的Q分量。信号IP被从放大器子单元的输入耦合至第一CMOS(互补型金属氧化物半导体)晶体管308和第二CMOS晶体管310的源极,而信号IM被加载到第三和第四CMOS晶体管312和314的源极。第一和第三CMOS晶体管308和312的漏极被耦合在一起,而第二和第四CMOS晶体管310和314的漏极也被耦合在一起。CMOS晶体管310至314构成混频器的同相位部分,被配置为将净荷信号I分量的上变频。
在差分模式下,通过本地振荡器信号发生器提供的同相位振荡器信号LO_I被加载到第一至第四CMOS晶体管308至314的栅极。同相位振荡器信号的正分量LO_I_P被耦合至第一和第四晶体管308和314的栅极,而同相位振荡器信号的负分量LO_I_M被耦合至第二和第三晶体管310和312的栅极。同相位振荡器信号的正分量和负分量分别通过逻辑NOR门300和302被耦合至晶体管308至314的栅极,而NOR门300和302接收控制信号CNTL作为另一个输入。控制信号CNTL可以由图2中示出的控制器222提供。
控制信号CNTL被用于控制振荡器信号LO_I_P和LO_I_M(以及相应的正交振荡器信号LO_Q_P和LO_Q_M)到混频器的耦合,由此激活或无效混频器部分,因此激活或无效放大器子单元。根据逻辑NOR门300、302、304以及306的真值表,当控制信号为0时给出的NOR门的另一个输入端处的振荡器信号被耦合至混频器部分,而当控制信号为1时该振荡器信号被从混频器部分断开。值得注意的是,振荡器信号至混频器部分的耦合可以通过其他方式实现,例如采用由控制信号控制的开关。
NOR门300至306可以被包括在放大器子单元中,在这种情况下放大器子单元接收振荡器信号以及控制信号CNTL作为控制信号。或者,NOR门300至306可以被包括在本地振荡器信号发生器220中,在这种情况下放大器子单元可以仅接收振荡器信号作为控制信号。在后者情况下,根据本发明实施例,控制器222控制本地振荡器信号发生器220向放大器子单元输入本地振荡器信号。
如上文指出的那样,第一至第四晶体管308至314构成混频器的同相位部分。类似地,晶体管316、318、320以及322构成混频器的正交相位部分。Q信号的正分量(QP)被从放大器子单元的输入端耦合至第五CMOS晶体管316和第六CMOS晶体管318的源极,而Q信号的负分量(QM)被加载至第七和第8CMOS晶体管320和322的源极。第五和第七CMOS晶体管316和320的漏极被耦合在一起,而第六和第八CMOS晶体管318和322的漏极也被耦合在一起。因此,CMOS晶体管316至322被配置为上变频净荷信号的Q分量。
在差分模式下,本地振荡器提供的正交振荡器信号LO_Q被加载到第五至第八CMOS晶体管316至322的栅极。正交振荡器信号的正分量LO_Q_P被耦合至第五和第八晶体管316和322的栅极,而正交振荡器信号的负分量LO_Q_M被耦合至第六和第七晶体管318和320的栅极。正交振荡器信号的正分量和负分量通过逻辑NOR门304和306耦合至晶体管316至322的栅极,逻辑NOR门304和306具有作为另一个输入的控制信号CNTL。
净荷信号的差分模式上变频I和Q分量可以通过将晶体管308、312、316以及320的漏极耦合在一起来被合并,从而组成净荷信号的正分量,其中包括净荷信号的I和Q分量的正分量。类似的,晶体管310、314、318和322的漏极也可以被耦合在一起,从而组成净荷信号的负分量,其中包括净荷信号的I和Q分量的负分量。
图3中示出的混频器通过CMOS桥实现,其中CMSO晶体管308至322作为开关根据它们的由振荡器信号定义的门电压工作。在本示例中,CMOS晶体管308至322可以是N型晶体管。相应的,当没有振荡器信号耦合至晶体管的栅极时,晶体管308至322不导通。
经过上变频的净荷信号可以通过电容C1和C2被耦合至放大器部分。精确的说,净荷信号的正分量可以通过第一电容C1耦合,而净荷信号的负分量可以通过第二电容C2耦合。在一端,所述第一电容C1被耦合到第一放大器CMOS晶体管324的栅极,而第二晶体管C2被耦合到第二CMOS晶体管330的栅极。此外,偏置电压Vbias分别通过第一和第二电阻R1和R2被加载到第一和第二放大器晶体管324和330的栅极。电阻R1和R2可以(相对于彼此)被串联耦合在净荷信号的正信号通路和负信号通路之间,而且偏置电压Vbias可以被加载到电阻R1和R2之间的点上。偏置电压Vbias可以保证第一和第二放大器晶体管324和330永久导通。
放大器部分进一步包含第三放大器晶体管326、第四放大器晶体管332,以及第五放大器晶体管328。第二偏置电压Vbias2被加载至第三和第四放大器晶体管326和332的栅极,以保证他们保持在导通状态。第五晶体管328在其栅极处接收控制信号CNTL的互补信号,从而控制放大器部分的工作。第三和第四放大器晶体管326和332的源极可以被耦合至地,而且第三和第四放大器晶体管326和332的漏极可以被分别耦合至第一和第二放大器晶体管324和330的源极。第一和第二放大器晶体管324和330的漏极可以被连接至第五放大器晶体管328的源极,而且第五放大器晶体管328的漏极可以被连接至工作电压。换句话说,第一和第三放大器晶体管324和326采用并联方式与第二和第四放大器晶体管330和332被耦合在工作电压和地之间。第五放大器晶体管328以串联方式与其他放大器晶体管324、326、330、332排列在工作电压和地之间,从而控制在放大器子单元的放大器部分中的电流。在本例中,放大器电阻324至332是N型CMOS晶体管。
放大器子单元的输出信号可以从晶体管324、326和/或330、332之间的点获得。更具体的,经过放大的净荷信号的负分量可以在第二和第四放大器晶体管330和332之间获得,即从第二放大器晶体管330的源极和第四放大器晶体管332的漏极之间的点获得。类似的,经过放大的净荷信号的正分量可以在第一和第三放大器晶体管324和326之间获得,即从第一放大器晶体管324的源极和第三放大器晶体管326的漏极之间的点获得。
让我们更详细的考虑放大器部分的工作情况。如上所述,放大器部分的工作由加载在第五放大器晶体管328栅极上的控制信号控制。加载在第五放大器晶体管328栅极的控制信号是加载在NOR门300至306的输入端的控制信号CNTL的互补信号。让我们假设通过将控制信号CNTL设置为逻辑值零(0),振荡器信号LO_I_P、LO_I_M、LO_Q_P,以及LO_Q_M被耦合至混频器。相应的,放大器子单元的混频器部分对接收到的信号IP、IM、QP、QM执行上变频,并且将经过上变频的净荷信号耦合至放大器部分。由于控制信号CNTL为逻辑值零(0),输入至第五放大器晶体管328的栅极的它的互补值为逻辑值一(1),即正电压。因此第五放大器晶体管处于导通状态,并将工作电压通过第五放大器晶体管328耦合至其他放大器晶体管324、326、330、以及330,并且造成在放大器晶体管324、326、330,以及330中对经过上变频的净荷信号的放大。因此,经过上变频并放大的净荷信号被馈送至放大器子单元的输出端口。通过这种方式,放大器子单元被控制信号CNTL激活,并在控制器222的控制下工作。
另一方面,让我们假设通过将控制信号CNTL设置为逻辑值一(1),振荡器信号LO_I_P、LO_I_M、LO_Q_P,以及LO_Q_M被从混频器部分断开。相应的,无论振荡器信号的值如何,NOR门的输出保持为0,而且振荡器信号被有效的从放大器子单元的混频器部分断开。因此,混频器部分的晶体管保持在非导通状态。此外,控制信号的互补信号现在为零(0)因此第五放大器晶体管328也处于非导通状态,从而将其他放大器晶体管324、326、330以及332从工作电压断开。由于偏置电压加载至它们的栅极,第二和第四放大器晶体管326和332保持在导通状态,因此在这种状态下放大器子单元的输出被有效连接至地。通过这种方式,放大器子单元在控制器222的控制下被控制信号CNTL有效地无效。
电容C3和C4可以被设置在放大器子单元的输出处。所述电容可以被认为是放大器子单元的一部分,但是也可以被认为是合并电路的一部分,从下列描述中将更加明确。电容C3可以被设置在正信号通路上,而电容C4可以被设置在负信号通路上。
如图2中示出的,放大器子单元210、212的输出可以被连接到合并电路218的输入。图4A和4B以两种状态示出合并电路218的实施例。让我们首先考虑图4A。也是在这种情况下,组合电路218从2个放大器子单元接收输入,但是在实际情况下放大器子单元的数量可以更多。以差分模式提供并且包含正分量V1in_P和负分量V1in_M的信号V1通过电容C3和C4被从图3中示出的放大器子单元中接收。类似的,信号V2(分量V2in_P和V2in_M)通过电容C5和C6从另一个放大器子单元被接收。电容C5可以被耦合至电容C3以便于合并两个输入信号V1和V2的正分量。类似的方式,电容C6可以被耦合至电容C4以便合并2个输入信号V1和V2的负分量。电容相互连接的点可以位于电容C3至C6以及合并电路的输出端口之间。
当防止在放大器子单元和合并电路之间的DC(直流)连接的同时,电容C3至C6结合线圈L作为串联谐振电路的功能,因此有效地合并接收到的信号V1和V2并且提供比单个放大器子单元显著提高的电压增益。线圈L耦合在正信号和负信号通路之间,即所述线圈可以在电容C3至C6以及合并电路输出端口之间的点处将信号通路连接在一起。包括正分量Vout_P和负分量Vout_M的合并输出信号Vout于是被加载到表示组合电路输出负载元件的负载电阻RL上。与线圈L并联的电阻R不是必须的,但是它可以被用于调谐所述电路的输出负载。
在图4A示出的状态中,两个放大器子单元都被激活,而且因此它们的输出在合并电路中被合并。在图4B示出的状态中,放大器子单元中的一个被无效,而且因此电容C5和C6被从放大器子单元的一侧连接到地。如上所述,当放大器子单元被无效时,放大器子单元的放大器部分有效地将输出接地。因此,只有被激活的放大器子单元的输出信号被耦合至合并电路的输出。
在本实施例中,可以维持合并电路的输出阻抗而不考虑激活的和/或无效的放大器子单元的数量。从图4A和4B能够看出,输出功率的变化岁被激活放大器子单元数量而变但也随电容C1至C4电容比而变。在现代CMOS处理中,电容比可以被精确控制以避免无效的放大器子单元对输出功率的影响。因此,输出功率仅随激活的放大器子单元的数量而变地受到影响。
由于无效的放大子单元不输出可能造成信号泄漏的信号,对于隔离度的需要也很低。此外,无效的放大器子单元的功耗也很小,因此根据本发明的模块化放大器结构的功耗也很低。而且,增益控制的放大器可以被设计为避免对使用额外的无源元件的需要。
在根据本发明实施例的模块化放大器中提供的放大器子单元可以相同但是也可以在拓扑和在它们放大净荷信号的放大能力方面互不相同。根据另一实施例,至少部分放大器单元的放大因子通过二进制加权方式控制。二进制加权的放大器子单元可以包括类似于图3中示出的放大器部分的多个放大器部分,其中每个放大器部分被二进制信号激活或无效,所述二进制信号控制着将放大器部分耦合至工作电压的开关。除了加载到第五放大器晶体管328上的互补控制信号CNTL被独立于加载到NOR门300至306的控制信号的另一个二进制控制信号替换之外,上述可以通过类似与图3中的方式实现。于是,多个并联的放大器部分的输出可以在合并电路中被合并,或者输出端口可以直接简单的相互连接。
图5是流程图,示出了在根据本发明实施例的放大器中放大净荷信号的方法。根据本发明实施例,所述方法可以在无线电发射机中被执行。无线电发射机可以包括图2和/或图3示出的装置。
方法从块500开始。在块502中提供包含多个放大器子单元的模块化放大器结构。在块504中,在模块化放大器的输入接口处接收净荷信号和至少一个控制信号。净荷信号是在至少一个控制信号的控制下将要在模块化放大器结构中放大的信号。控制信号可以由用于控制模块化放大器结构的工作的控制器提供。
在块506中,在至少一个控制信号的控制下在每个放大器子单元中放大净荷信号。实际上,不同的控制信号可以控制每个放大器子单元。由控制器提供的至少一个控制信号可以激活或无效每个放大器子单元,由此有效控制模块化放大器结构的放大因子。在块508中,在合并电路中合并放大器子单元的输出。合并电路可以是上文描述的振荡电路。
上文描述的图5中的步骤和相关功能并不是按照绝对的时间顺序,而且部分步骤可以同步完成或者按照与图中给出的顺序不同的顺序执行。也可以在步骤之间个或步骤之中执行其他功能。某些步骤或部分步骤也可以通过相应的步骤或部分步骤替换。
对于本领域技术人员非常明显,随着技术进步,本发明的概念可以采用多种方式实现。本发明及其实施例不限于上述示例,但是可以在权利要求范围内变化。
Claims (24)
1.一种用于信号放大的装置,包含:
接口,其被配置用于接收净荷信号以及至少一个控制信号;
模块化放大器结构,包含多个并联放大器子单元,每个放大器子单元包括频率变换器并被配置用于在至少一个接收到的控制信号的控制下,处理接收到的净荷信号,其中所述控制信号为振荡器信号;以及
合并电路,可操作的耦合在所述多个放大器子单元的输出,并被配置用于合并所述多个放大器子单元的输出从而提供被放大的净荷信号,
其中,每个放大器子单元被配置用于通过将振荡器信号耦合至所述频率变换器而被激活,以及通过阻止所述振荡器信号耦合至所述频率变换器而被无效。
2.根据权利要求1的装置,其中所述合并电路的输出是所述放大器子单元的输出的叠加。
3.根据权利要求1或2的装置,其中所述频率变换器被配置用于将所述净荷信号从第一频带转换为第二频带。
4.根据权利要求1或2的装置,其中所述频率转换器被配置用于将净荷信号从相同的第一频带处理到相同的第二频带。
5.根据权利要求1或2的装置,其中所述至少一个控制信号包括至少一个振荡器信号。
6.根据权利要求1或2的装置,其中每个放大器子单元被配置用于通过将振荡器信号耦合至所述频率变换器而被激活或通过阻止所述振荡器信号耦合至所述频率变换器而被无效,从而控制所述模块化放大器结构的输出功率。
7.根据权利要求1或2的装置,其中所述至少一个控制信号被耦合至所述模块化放大器结构的晶体管的栅极,而且所述晶体管被配置用于响应于所述至少一个控制信号,将所述净荷信号耦合至所述模块化放大器结构的输出。
8.根据权利要求1或2的装置,其中所述合并电路通过无源元件实现。
9.根据权利要求1或2的装置,其中所述合并电路包括振荡电路。
10.根据权利要求1或2的装置,其中所述放大器子单元被配置用于通过不同放大因子放大所述净荷信号。
11.根据权利要求1或2的装置,其中所述放大器子单元中的至少一部分的放大因子通过二进制加权控制。
12.一种无线电发射机,其包含根据前述权利要求1至11中任何一个的装置。
13.一种用于信号放大的方法,包含:
提供包含多个并联放大器子单元的模块化放大器结构,其中每个放大器子单元包括频率转换器;
在所述模块化放大器结构中接收净荷信号以及至少一个控制信号;
在至少一个接收到的控制信号的控制下,在每个放大器子单元中处理接收到的净荷信号,其中所述控制信号为振荡器信号;
在可操作的耦合到所述多个放大器子单元的输出的合并电路中,合并多个放大器子单元的输出以提供被放大的净荷信号;
通过将振荡器信号耦合至所述频率转换器来激活每个放大器子单元;以及
通过阻止所述振荡器信号耦合至所述频率转换器来无效每个放大器子单元。
14.权利要求13的方法,进一步包含:作为所述放大器子单元的输出的叠加来提供所述合并电路的输出。
15.权利要求13或14的方法,进一步包含:响应于加载到每个放大器子单元上的所述至少一个控制信号,在每个放大器子单元中,将所述净荷信号从第一频带转换到第二频带。
16.根据权利要求13或14的方法,进一步包含:将净荷信号从相同的第一频带处理到相同的第二频带。
17.根据权利要求13或14的方法,进一步包含:提供至少一个振荡器信号作为所述至少一个控制信号。
18.根据权利要求13或14的方法,进一步包含:响应于将振荡器信号耦合至所述频率变换器或阻止所述振荡器信号耦合至所述频率变换器,选择性地激活或无效每个放大器子单元,由此控制所述模块化放大器结构的输出功率。
19.根据权利要求13或14的方法,进一步包含:
将至少一个控制信号耦合至所述模块化放大器结构晶体管的栅极;以及
响应于所述至少一个控制信号,配置所述晶体管从而将所述净荷信号耦合至所述模块化放大器结构的输出。
20.根据权利要求13或14的方法,进一步包含:采用无源元件实现所述合并电路。
21.根据权利要求13或14的方法,进一步包含:配置所述合并电路以包含振荡电路。
22.根据权利要求13或14的方法,进一步包含:配置所述放大器子单元以通过不同放大因子放大所述净荷信号。
23.根据权利要求13或14的方法,进一步包含:采用二进制加权控制所述放大器子单元中的至少一部分的放大因子。
24.一种用于信号放大的装置,包含:
用于提供包含多个并联放大器子单元的模块化放大器结构的装置,其中每个放大器子单元包括频率转换器;
用于在所述模块化放大器结构中接收净荷信号和至少一个控制信号的装置;
用于在至少一个接收到的控制信号的控制下,在每个放大器子单元中处理接收到的净荷信号的装置,其中所述控制信号为振荡器信号;以及
用于在可操作地耦合到所述多个放大器子单元的输出的合并电路中,合并多个放大器子单元的输出以提供被放大的净荷信号的装置;
用于通过将振荡器信号耦合至所述频率转换器来激活每个放大器子单元的装置;以及
用于通过阻止所述振荡器信号耦合至所述频率转换器来无效每个放大器子单元的装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20075586A FI20075586A0 (fi) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | Radiolähettimen signaalivahvistinrakenne |
FI20075586 | 2007-08-24 | ||
PCT/FI2008/050472 WO2009027581A1 (en) | 2007-08-24 | 2008-08-22 | Signal amplifier structure for radio transmitter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101785181A CN101785181A (zh) | 2010-07-21 |
CN101785181B true CN101785181B (zh) | 2013-07-10 |
Family
ID=38468752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008801041656A Active CN101785181B (zh) | 2007-08-24 | 2008-08-22 | 用于无线电发射机的信号放大器结构 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8041314B2 (zh) |
EP (2) | EP2195924B1 (zh) |
CN (1) | CN101785181B (zh) |
ES (1) | ES2744127T3 (zh) |
FI (1) | FI20075586A0 (zh) |
PL (1) | PL2195924T3 (zh) |
WO (1) | WO2009027581A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2465146B (en) * | 2008-11-04 | 2014-05-28 | Nujira Ltd | Improved power supply stage |
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US10871382B2 (en) | 2016-02-22 | 2020-12-22 | Analog Devices International Unlimited Company | Measurement-driven electronic device design environment and techniques |
US11599697B2 (en) | 2016-02-22 | 2023-03-07 | Analog Devices, Inc. | Virtual evaluation for circuits and systems |
US11193803B2 (en) | 2018-02-02 | 2021-12-07 | Analog Devices International Unlimited Company | Measurement system |
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-
2007
- 2007-08-24 FI FI20075586A patent/FI20075586A0/fi unknown
- 2007-10-09 US US11/907,071 patent/US8041314B2/en active Active
-
2008
- 2008-08-22 WO PCT/FI2008/050472 patent/WO2009027581A1/en active Application Filing
- 2008-08-22 PL PL08787745T patent/PL2195924T3/pl unknown
- 2008-08-22 EP EP08787745.2A patent/EP2195924B1/en active Active
- 2008-08-22 ES ES08787745T patent/ES2744127T3/es active Active
- 2008-08-22 CN CN2008801041656A patent/CN101785181B/zh active Active
- 2008-08-22 EP EP19152372.9A patent/EP3493402A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2195924A4 (en) | 2016-11-30 |
EP3493402A1 (en) | 2019-06-05 |
US20090054017A1 (en) | 2009-02-26 |
WO2009027581A1 (en) | 2009-03-05 |
EP2195924A1 (en) | 2010-06-16 |
EP2195924B1 (en) | 2019-06-05 |
US8041314B2 (en) | 2011-10-18 |
FI20075586A0 (fi) | 2007-08-24 |
CN101785181A (zh) | 2010-07-21 |
ES2744127T3 (es) | 2020-02-21 |
PL2195924T3 (pl) | 2020-03-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TR01 | Transfer of patent right |
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