CN101734606B - 感测薄膜及应用其的微机电系统装置 - Google Patents

Abstract

一种应用于一微机电系统装置中的感测薄膜，包括一本体、一应力分散结构以及一连接部。应力分散结构围绕本体，用以分散一薄膜残留应力(residual stress)。应力分散结构具有多个第一贯穿孔(perforation)及多个第二贯穿孔，第一贯穿孔位于本体与第二贯穿孔之间。连接部连接应力分散结构及微机电系统装置的一基板。

Description

感测薄膜及应用其的微机电系统装置

技术领域

本发明是有关于一种感测薄膜及应用其的微机电系统装置，且特别是有关于一种利用半导体工艺所制造的感测薄膜及应用其的微机电系统装置。

背景技术

近年来消费性电子产品在市场上越来越受到消费者的欢迎，各式各样的电子产品已经充斥在现代人的日常生活中。随着近年来电子产品逐渐朝向多功能、小体积的趋势发展，业界无不致力于发展整合性更佳以及成本更低的产品。为了能够有效地缩减产品的体积，近年来微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)装置是广泛地应用于各类产品中，常见的例子包括微机电式麦克风、加速传感器(G-sensor)等。

在各式各样的微机电系统装置中，包括一种应用薄膜的感测装置。感测装置由薄膜感受外界信号发生的振动，将外界信号转换(transducing)为电性信号以进行各种信号的感测。在此种应用薄膜的感测装置中，薄膜感受外界信号而发生振动的灵敏度，对于感测装置的性能具有决定性的影响。然而，一般在薄膜的制造过程中，特别是当薄膜由复合材料制成时，更因为不同材料间不同膨胀系数的影响，常使得完成的薄膜的结构中具有大量的薄膜残留应力。此种薄膜残留应力不仅影响到薄膜的灵敏度，进而导致感测装置的品质不足。

此外，业界广泛应用的微机电系统装置，是利用晶圆级(wafer level)工艺，于一晶圆上形成多个微机电系统组件，然后进一步进行切单以及后续的工艺步骤，以形成单一微机电系统装置。由于薄膜的面积是相关于薄膜振动的频率，在相同薄膜厚度及振动频率的条件下，一般均难以改变薄膜的面积。如此薄膜的微机电系统装置的体积、单位面积的晶圆可形成微机电系统组件的数目，需考量其所受的限制。

发明内容

本发明是提供一种感测薄膜及应用其的微机电系统装置，利用感测薄膜的应力分散结构释放薄膜的残留应力，可增加感测薄膜的灵敏度，并且缩小感测薄膜所需的面积。

根据本发明，提出一种感测薄膜，包括一本体、一应力分散结构以及一连接部。应力分散结构围绕本体，用以分散一薄膜残留应力。应力分散结构具有多个一贯穿孔及多个第二贯穿孔，第一贯穿孔位于本体与第二贯穿孔之间。连接部连接应力分散结构及微机电系统装置的一基板。

根据本发明，另提出一种微机电系统装置，包括一基板及一感测薄膜。感测薄膜包括一本体、一应力分散结构及一连接部。应力分散结构围绕本体，用以分散一薄膜残留应力。应力分散结构具有多个第一贯穿孔及多个第二贯穿孔，第一贯穿孔位于本体与第二贯穿孔之间。连接部连接应力分散结构及基板。

附图说明

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下，其中：

图1绘示依照本发明较佳实施例的微机电系统装置的示意图；

图2A绘示依照本发明第一实施例的感测薄膜的示意图；

图2B绘示图2A中的应力分散结构具有不同形状时的示意图；

图3绘示薄膜残留应力释放百分比与贯穿孔几何配置关系的曲线图；

图4绘示依照本发明第二实施例的感测薄膜的示意图；

图5A绘示依照本发明第三实施例的感测薄膜的示意图；

图5B绘示具有不同于图5A中第一及第二贯穿孔的感测薄膜的示意图；

图6绘示依照本发明第四实施例的感测薄膜的示意图；

图7A绘示依照本发明第五实施例的感测薄膜的示意图；以及

图7B绘示图7A中的应力释放结构具有三组贯穿孔时的示意图。

具体实施方式

依照本发明较佳实施例的感测薄膜是应用于微机电系统装置中。感测薄膜是利用依序围绕本体的至少两组贯穿孔，释放感测薄膜本身材质的薄膜残留应力，以减少残留应力对于薄膜感测灵敏度的影响，更可进一步减小感测薄膜的面积。以下是提出较佳的实施例作为本发明的详细说明，然各实施例是用以作为范例说明，并不会限缩本发明欲保护的范围。再者，实施例中的图标亦省略不必要的组件，以清楚显示本发明的技术特点。

请参照图1，其绘示依照本发明较佳实施例的微机电系统装置的示意图。微机电系统装置100例如是一微机电式麦克风(MEMS microphone)，并且至少包括一基板50及一感测薄膜80。基板50具有一腔体50a，腔体50a是贯通基板的上下两表面。感测薄膜80是经由连接部15连接基板50，以将感测薄膜80设置于基板50上，且感测薄膜80是遮盖腔体50a的上方开口，使得感测薄膜80可于基板50上进行振动。

另外，本实施例的微机电系统装置100还包括一背板(backplate)70。背板70是平行设置于感测薄膜80上，且实质上与感测薄膜80相隔一间距。背板70具有多个入声孔70a，外部的声音信号穿过入声孔70a接触感测薄膜80。感测薄膜80感受到声压变化后发生振动，微机电式麦克风由感测薄膜80与背板70间电容值的改变，进行电声转换(electro-acoustictransducing)，其运作原理为熟悉此技术领域者所熟知，不再加以赘述。另外，此处微机电系统装置100以微机电式麦克风为例进行说明，然微机电系统装置100亦可为微变焦反射镜、加速传感器、超声波传感器或者微波开关等应用感测薄膜组件的微机电系统装置。

关于感测薄膜80的实施方式，以下提出多个实施例，并辅以图2至图5进行详细说明。

第一实施例

请参照图2A，其绘示依照本发明第一实施例的感测薄膜的示意图。感测薄膜10包括一本体11、一应力分散结构13以及一连接部15。应力分散结构13是围绕本体11，用以分散一薄膜残留应力(membrane residualstress)。应力分散结构13具有多个第一贯穿孔13a及多个第二贯穿孔13b，第一贯穿孔13a位于本体11与第二贯穿孔13b之间。连接部15连接应力分散结构13及微机电系统的一基板(未显示于图中)。如图2A所示，相邻的两第一贯穿孔13a之间、相邻的两第二贯穿孔13b之间，以及各第一与第二贯穿孔13a、13b之间，是形成释放应力的路径，依序由第一贯穿孔13a及第二贯穿孔13b释放残留应力，此部分将详述于后。

更进一步来说，本实施例的应力分散结构13包括一弹性环130、多个第一弹性件131及多个第二弹性件132。弹性环130围绕本体11，第一弹性件131连接弹性环130的内缘及本体11，第二弹性件132连接弹性环130的外缘及连接部15。每个第一贯穿孔13a形成于本体11、两个第一弹性件131及弹性环130之间，每个第二贯穿孔13b形成于弹性环130、两个第二弹性件132及连接部15之间。本实施例中，本体11例如是圆形，各第一弹性件131及各第二弹性件132分别沿本体11的径向配置。各第一弹性件131及第二弹性件132较佳地是交错连接于弹性环130的两侧，使得第一贯穿孔13a及各第二贯穿孔13b是交错配置。

另外一方面，本体11、第一弹性件131、弹性环130、第二弹性件132及连接部15，较佳地是一体成形。感测薄膜10不需要经由其它组件或材料的辅助，即可分散释放本身结构形成的薄膜残留应力。再者，各第一弹性件131及各第二弹性件132例如是S形结构，弹性环130例如是波浪状结构，使得感测薄膜10可由应力分散结构13发生形变(例如伸展或收缩)，有效分散及释放残留应力。举例来说，由本体11朝向连接部15方向的残留应力(以图2A的一第一应力分散方向D1为例)，一部份先经由第一贯穿孔13a的空间进行释放，剩余的应力接着由第一弹性件131及弹性环130引导至第二贯穿孔13b，并由第二贯穿孔13b再一次释放应力。接下来更进一步由与第一弹性件131交错配置的邻近两个第二弹性件132，将应力分散至连接部15。以此方式，感测薄膜10是可由应力分散结构13，分散释放不同位置的局部压应力(local compression stress)。此外，由连接部15朝向本体11方向的残留应力(以图2A的第二应力分散方向D2为例)，一部份先经由第二贯穿孔13b的空间进行释放，剩余的应力接着由第二弹性件132及弹性环130导引至第一贯穿孔13a，并由第一贯穿孔13a再一次释放应力。接下来更进一步由与第二弹性件132交错配置的邻近两个第一弹性件131，将应力更分散至本体11。以此方式，感测薄膜10可由应力分散结构13，分散释放不同位置的局部张应力(local tension stress)。一旦压应力及张应力得以释放，即可避免薄膜残留应力影响感测薄膜10的灵敏度。

依照本实施例的第一弹性件131、第二弹性件132及弹性环130，分别以S形结构及波浪状结构为例，如图2A所示。然于本发明所属技术领域中具有通常知识者，可知前述组件的形状并不以此为限。第一弹性件131及第二弹性件132亦可分别具有M形、Z形或其它不同的形状，弹性环130亦可为锯齿状或其它结构。请参照图2B，其绘示图2A中的应力分散结构具有不同形状时的示意图。感测薄膜10’的应力分散结构13’中，每一第一弹性件131’及每一第二弹性件132’实质上为长条状，弹性环130’为边缘平滑的一圆形环状结构，第一贯穿孔13a’及第二贯穿孔13b’具有平整的边缘。

另一方面，本实施例中是以16个第一弹性件131及16个第二弹性件132，并且对应形成16个第一贯穿孔13a及16个第二贯穿孔13b为例，如图2A所示。然而各组件的数目是不限制于此，且第一弹性件131与第二弹性件132亦可具有不相同的数量。各第一弹性件131较佳地以相等的间距连接弹性环130，第二弹性件132亦较佳地以相等的间距连接弹性环130，因此感测薄膜10经由连接部15连接至基板时，应力分散结构13是可平均地支撑本体11。另外，每个第一弹性件131以及每个第二弹性件132亦可连接于弹性环130的同一位置。

上述依照本发明第一实施例的感测薄膜10中，应力分散结构13是以具有多个第一贯穿孔131围绕本体11，并取具有多个第二贯穿孔132围绕第一贯穿孔131为例进行说明。然而，应力分散结构13还可包括一第二弹性环以及多个第三弹性件，使得感测薄膜10除第一、第二贯穿孔131、132外，还具有多个第三贯穿孔围绕第二贯穿孔132。换言之，凡具有依序围绕本体11的两组或者两组以上的贯穿孔，以进行薄膜残留应力分散及释放的，均属于本发明的范围。

此外，本实施例中，感测薄膜10的材质可例如是碳基聚合物(carbon-based polymers)、硅(silicon)、氮化硅(silicon nitride)、多晶硅(polycrystalline silicon)、非晶硅(amorphous silicon)、二氧化硅(silicon dioxide)、碳化硅(silicon carbide)，以及锗(germanium)、镓(gallium)、砷化物(arsenide)、碳(carbon)、钛(titanium)、金(gold)、铁(iron)、铜(copper)、铬(chromium)、钨(tungsten)、铝(aluminum)、铂(platinum)、镍(nickel)、钽(tantalum)等金属或其合金。其次，感测薄膜10可例如应用光刻工艺，将感测薄膜10蚀刻出应力分散结构13的图形。

此外，根据实验结果可知，当第一贯穿孔13a及第二贯穿孔13b于垂直径向的方向上的长度增加时，是增加释放薄膜残留应力的比例。以下是采用一圆形感测薄膜进行测试，此感测薄膜具有一圈围绕本体配置的多个贯穿孔，薄膜半径为250μm，薄膜厚度为0.275μm。测试结果请参照图3，其绘示薄膜残留应力释放百分比与贯穿孔几何配置关系的曲线图。当贯穿孔的圆弧所对应的圆心角增加，或者贯穿孔于垂直径向方向的长度增加时(相当于贯穿孔面积增加时)，薄膜残留应力释放的百分比是相对增加。另外，由测试结果可知，当贯穿孔的面积增加时，感测薄膜的共振频率相对降低，且当感测薄膜的半径减小时，感测薄膜的共振频率相对增加。因此，在相同感测薄膜厚度及共振频率的条件下，可由增加贯穿孔面积，来达到减小感测薄膜半径的目的。亦即在相同共振频率及相同感测薄膜厚度的条件下，相对于已知感测薄膜，应用本实施例的感测薄膜可具有较小的面积。

由于感测薄膜上具有围绕本体11的应力分散结构13，可有效分散及释放感测薄膜10的薄膜残留应力，避免残留应力影响感测薄膜10振动的灵敏度，进而可提升微机电系统装置100(绘示于图1中)的感测灵敏度。同时由在相同共振频率下具有较小面积的感测薄膜10，可缩小微机电系统装置100整体的体积。如此是可在单位面积晶圆上制造更多数目的组件，有助于降低成本。

第二实施例

本实施例的感测薄膜与上述依照本发明第一实施例的感测薄膜，不同之处主要在于应力分散结构的设计，其余相同之处是略去不再重复赘述。

请参照图4，其绘示依照本发明第二实施例的感测薄膜的示意图。感测薄膜20包括一本体21、一应力分散结构23以及一连接部25。应力分散结构23是围绕本体21，并且包括一弹性环230、多个第一弹性件231及多个第二弹性件232。本实施例中，本体21例如是圆形，且应力分散结构23具有多个第一贯穿孔23a、多个第二贯穿孔23b、多个第三贯穿孔23c及多个第四贯穿孔23d。各第一贯穿孔23a分别形成于本体21、两个第一弹性件231及弹性环230之间；各第二贯穿孔23b分别形成于弹性环230、两个第二弹性件232及连接部25之间；各第三贯穿孔23c位于各第一弹性件231连接于弹性环230之处；各第四贯穿孔23d位于各第二弹性件232连接于弹性环230之处。

本实施例中，各个第三贯穿孔23c以及各个第四贯穿孔23d分别例如是一矩形，且矩形的长轴方向是通过本体21的中心，亦即各第三贯穿孔23c及各第四贯穿孔23d分别沿着本体21的径向配置。第三贯穿孔23c较佳地未接触本体21，第四贯穿孔23d较佳地未接触连接部25。感测薄膜20由第一贯穿孔23a及第二贯穿孔23b释放本体21至连接部25或连接部25至本体21方向的残留应力，并且由第三贯穿孔23c及第四贯穿孔23d释放弹性环230的沿本体21切线方向的残留应力。

第三实施例

本实施例的感测薄膜与上述第一实施例的感测薄膜，不同之处在于感测薄膜的形状，以及第一贯穿孔及第二贯穿孔的配置方式，其余相同之处以下不再加以重复赘述。

请参照图5A，其绘示依照本发明第三实施例的感测薄膜的示意图。感测薄膜30包括一本体31、一应力分散结构33以及一连接部35。应力分散结构33是围绕本体31，并且具有多个第一贯穿孔33a及多个第二贯穿孔33b，且第一贯穿孔33a是位于本体31与第二贯穿孔33b之间。连接部35连接应力分散结构33及微机电系统的一基板。

更进一步来说，本实施例中本体31为多边形，并且具有多个侧边30s。各第一贯穿孔33a及第二贯穿孔33b是为长条状，且各第一贯穿孔33a实质上平行于对应的侧边30s。一个第一贯穿孔33a对应位于一个以上的第二贯穿孔33b旁，且各第二贯穿孔33b实质上平行于对应的第一贯穿孔33a。本实施例中，本体31以四边形为例，应力分散结构33以具有对应于侧边30s的四个第一贯穿孔33a为例做说明，如图5A所示。然而本体31的形状是不限制于此，本体亦可为五边形、六边形或更多边形。此外，各贯穿孔33a、33b亦不限制为长条形，其亦可为不规则的形状。每一个第一贯穿孔33a对应有三个第二贯穿孔33b，各第二贯穿孔33b实质上均平行于对应的第一贯穿孔33a，且各第二贯穿孔33b与对应的第一贯穿孔33a等长。

再者，本实施例的连接部35更可例如包括多个凸缘35a，各个凸缘35a是沿着垂直于对应侧边30s的方向向外凸出，感测薄膜30是由各凸缘35a连接基板。

另外一方面，各第二贯穿孔33b亦可与对应的第一贯穿孔33a不等长。请参照图5B，其绘示具有不同于图5A中第一及第二贯穿孔的感测薄膜的示意图。如图5B所绘示的感测薄膜30’，各第二贯穿孔33b’短于对应的第一贯穿孔33a’。连接部35’亦可包括多个凸缘35a’，各第二贯穿孔33b’分别沿对应侧边30s’的方向，配置于凸缘35a’的两侧，如此可提升感测薄膜30’由凸缘35a’连接于基板的支撑强度。

第四实施例

本实施例的感测薄膜与上述第三实施例的感测薄膜，不同之处在于第一贯穿孔及第二贯穿孔的配置方式，其余相同之处以下不再加以重复赘述。

请参照图6，其绘示依照本发明第四实施例的感测薄膜的示意图。感测薄膜40包括本体41、应力分散结构43以及连接部45。该本体41为四边形，并且具有多个侧边40s。应力分散结构43中多个第一贯穿孔43a为长条状，且各个第一贯穿孔43a是平行于对应的侧边40s。本实施例中，各第二贯穿孔43b分别为一矩形开口，且一个矩形开口的面积远小一个第一贯穿孔43a的面积。各第二贯穿孔43b依照多个矩形阵列M排列，且一个矩形阵列M对应位于一个第一贯穿孔43a旁。各矩形阵列M的长边，平行于所对应的各个第一贯穿孔43a。其中一实施例，各矩形阵列M的长边与对应的各个第一贯穿孔43a等长，或是其它设计态样。

另外，本实施例的连接部45可例如包括多个凸缘45a，各个凸缘45a是沿着垂直于对应侧边40s的方向向外凸出，感测薄膜40例如是由各凸缘45a连接于基板。于另一实施方式中，各矩形阵列M长边的长度亦可短于对应的第一贯穿孔43a的长度，且各矩形阵列M是沿对应侧边40s的方向，配置于凸缘45a的两侧。此时一个第一贯穿孔43a对应于两个矩形阵列M。然而矩形阵列M长边的长度可针对需求进行调整，且一个第一贯穿孔33a亦可对应两个以上的矩形阵列M，端视设计上的需求。

第五实施例

本实施例的感测薄膜与上述第三实施例的感测薄膜，不同之处在于第一贯穿孔及第二贯穿孔的配置方式，其余相同之处以下不再加以重复赘述。请参照图7A，其绘示依照本发明第五实施例的感测薄膜的示意图。感测薄膜60包括本体61、应力分散结构63以及连接部65。本实施例中本体61以四边形为例进行说明，并且具有多个侧边60s。应力分散结构63包括多个第一弹性件631、一弹性环630及多个第二弹性件632，应力分散结构63的各个第一贯穿孔63a分别形成于本体61、两个第一弹性件631及弹性环630之间，各个第二贯穿孔63b分别形成于弹性环630、两个第二弹性件632及连接部65之间。各个第一贯穿孔63a沿着一个以上的侧边60s配置，且第二贯穿孔63a则例如平行于对应的侧边60s。如图7A所示，其中一个第一贯穿孔63a是沿着二侧边60s(1)及60s(2)配置，使得本体61的角落亦受到第一贯穿孔63a围绕，以释放残留应力。此外，连接部65具有多个凸缘65a，感测薄膜60是由各凸缘35a连接于一微机电系统装置的基板。

另外，请参照图7B，其绘示图7A中的应力释放结构具有三组贯穿孔时的示意图。感测薄膜60’的应力释放结构63’除多个第一贯穿孔63a’及多个第二贯穿孔63b’之外，还具有多个第三贯穿孔63c。各第三贯穿孔63c分别位于各第一弹性件631’连接于弹性环630’之处，且未接触本体61，用以释放弹性环630’平行于对应侧边60s’的方向的残留应力。然于另一实施方式中，各第三贯穿孔63c亦可位于各第二弹性件632’连接于弹性环630’之处。另外，本实施例中是不限定第三贯穿孔63c的形状，其可例如是方形(如图7B所示)、平行对应的侧边60s’的矩形、垂直对应的侧边60s’的矩形或者不规则形状。

上述依照本发明较佳实施例的感测薄膜及应用其的微机电系统装置，利用至少包括多个第一弹性件、弹性环以及多个第二弹性件的应力分散结构，分散不同位置的局部压应力或局部张应力。再者，至少利用围绕本体的多个第一贯穿孔及多个第二贯穿孔，来达到释放薄膜残留应力的效果。其是兼容于传统应用感测薄膜的微机电系统装置，并且可提升微机电系统装置的灵敏度。此外，更可由缩减感测薄膜的面积，减小微机电系统装置的体积，进一步降低成本。

综上所述，虽然本发明已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求范围所界定的为准。

Claims (35)

1.一种感测薄膜，应用于一微机电系统装置中，该感测薄膜包括：

一本体；

一应力分散结构，围绕该本体，用以分散一薄膜残留应力，该应力分散结构具有多个第一贯穿孔及多个第二贯穿孔，所述第一贯穿孔位于该本体与所述第二贯穿孔之间；以及

一连接部，连接该应力分散结构及该微机电系统装置的一基板；

其中该应力分散结构包括：

一弹性环，围绕该本体；

多个第一弹性件，连接该弹性环的内缘及该本体；及

多个第二弹性件，连接该弹性环的外缘及该连接部；

该应力分散结构还具有多个第三贯穿孔，各第三贯穿孔分别位于所述各第一弹性件连接于该弹性环之处。

2.如权利要求1所述的感测薄膜，其中该本体为圆形，且各第一弹性件及各第二弹性件分别沿该本体的径向配置。

3.如权利要求1所述的感测薄膜，其中所述第一弹性件及所述第二弹性件交错连接于该弹性环的两侧。

4.如权利要求1所述的感测薄膜，其中所述第一贯穿孔分别形成于该本体、两个该第一弹性件及该弹性环之间，所述第二贯穿孔分别形成于该弹性环、两个该第二弹性件及该连接部之间。

5.如权利要求1所述的感测薄膜，其中该弹性环为波浪状结构。

6.如权利要求1所述的感测薄膜，其中所述第一弹性件为S形结构。

7.如权利要求1所述的感测薄膜，其中所述第二弹性件为S形结构。

8.如权利要求1所述的感测薄膜，其中该本体、所述第一弹性件、该弹性环、所述第二弹性件及该连接部是一体成形。

9.如权利要求1所述的感测薄膜，其中各第三贯穿孔分别为一矩形，且各矩形的长轴方向通过该本体的中心。

10.如权利要求1所述的感测薄膜，其中该应力分散结构还具有多个第四贯穿孔，所述各第四贯穿孔分别位于各第二弹性件连接于该弹性环之处。

11.如权利要求10所述的感测薄膜，其中所述各第三贯穿孔及所述各第四贯穿孔分别为一矩形，且所述各矩形的长轴方向通过该本体的中心。

12.如权利要求1所述的感测薄膜，其中该本体为多边形，并且具有多个侧边，各第一贯穿孔是平行于该对应侧边。

13.如权利要求1所述的感测薄膜，其中一个该第一贯穿孔对应位于一个以上的该第二贯穿孔旁，所述各第二贯穿孔是平行于该对应所述第一贯穿孔。

14.如权利要求13所述的感测薄膜，其中所述第二贯穿孔至少部分地与所对应的所述第一贯穿孔等长。

15.如权利要求13所述的感测薄膜，其中所述第二贯穿孔分别短于所对应的所述第一贯穿孔。

16.如权利要求13所述的感测薄膜，其中所述第一贯穿孔为长条状。

17.如权利要求13所述的感测薄膜，其中所述第一贯穿孔为不规则形状。

18.如权利要求13所述的感测薄膜，其中所述第二贯穿孔为长条状。

19.如权利要求13所述的感测薄膜，其中所述第二贯穿孔为不规则形状。

20.如权利要求12所述的感测薄膜，其中该连接部包括：

多个凸缘，沿着垂直于所述侧边的方向向外凸出，用以连接该基板。

21.如权利要求12所述的感测薄膜，其中所述第二贯穿孔是依照多个矩形阵列排列，且一个该第一贯穿孔对应位于一个以上的该矩形阵列旁，所述矩形阵列的长边分别平行于所对应的各第一贯穿孔。

22.如权利要求21所述的感测薄膜，其中至少部分的所述矩形阵列的长边与所对应的所述第一贯穿孔等长。

23.如权利要求1所述的感测薄膜，其中该本体为多边形，并且具有多个侧边，各第一贯穿孔沿着一个以上的该侧边配置。

24.一种感测薄膜，应用于一微机电系统装置中，该感测薄膜包括：

一本体；

一应力分散结构，围绕该本体，用以分散一薄膜残留应力，该应力分散结构具有多个第一贯穿孔及多个第二贯穿孔，所述第一贯穿孔位于该本体与所述第二贯穿孔之间；以及

一连接部，连接该应力分散结构及该微机电系统装置的一基板；

其中该应力分散结构包括：

一弹性环，围绕该本体；

多个第一弹性件，连接该弹性环的内缘及该本体；及

多个第二弹性件，连接该弹性环的外缘及该连接部；

该应力分散结构还具有多个第三贯穿孔，各第三贯穿孔分别位于所述各第二弹性件连接于该弹性环之处。

25.一种微机电系统装置，包括：

一基板；

一感测薄膜，包括：

一本体；

一应力分散结构，围绕该本体，用以分散一薄膜残留应力，该应力分散结构具有多个第一贯穿孔及多个第二贯穿孔，所述第一贯穿孔位于该本体与所述第二贯穿孔之间；及

一连接部，连接该应力分散结构及该基板；以及

一背板，平行设置于该感测薄膜的一侧，且实质上与该感测薄膜相隔一间距；

其中该应力分散结构包括：

一弹性环，围绕该本体；

多个第一弹性件，连接该弹性环的内缘及该本体；及

多个第二弹性件，连接该弹性环的外缘及该连接部；

该应力分散结构还具有多个第三贯穿孔，各第三贯穿孔分别位于所述各第一弹性件连接于该弹性环之处。

26.如权利要求25所述的微机电系统装置，其中该本体为圆形，且各第一弹性件及各第二弹性件分别沿该本体的径向配置。

27.如权利要求25所述的微机电系统装置，其中所述第一弹性件及所述第二弹性件交错连接于该弹性环的两侧。

28.如权利要求25所述的微机电系统装置，其中所述第一贯穿孔分别形成于该本体、两个该第一弹性件及该弹性环之间，所述第二贯穿孔分别形成于该弹性环、两个该第二弹性件及该连接部之间。

29.如权利要求25所述的微机电系统装置，其中该本体、所述第一弹性件、该弹性环、所述第二弹性件及该连接部是一体成形。

30.如权利要求25所述的微机电系统装置，其中该应力分散结构还具有多个第四贯穿孔，各第四贯穿孔实质上分别位于各第二弹性件连接于该弹性环之处。

31.如权利要求25所述的微机电系统装置，其中该本体为多边形，并且具有多个侧边，各第一贯穿孔平行于该对应侧边。

32.如权利要求31所述的微机电系统装置，其中一个该第一贯穿孔对应位于一个以上的该第二贯穿孔旁，各第二贯穿孔平行于该对应第一贯穿孔。

33.如权利要求31所述的微机电系统装置，其中所述第二贯穿孔依照多个矩形阵列排列，且一个该第一贯穿孔对应位于一个以上的该矩形阵列旁，所述矩形阵列的长边分别平行于所对应的各第一贯穿孔。

34.如权利要求25所述的微机电系统装置，其中该本体为多边形，并且具有多个侧边，各第一贯穿孔沿着一个以上的该侧边配置。

35.一种微机电系统装置，包括：

一基板；

一感测薄膜，包括：

一本体；

一应力分散结构，围绕该本体，用以分散一薄膜残留应力，该应力分散结构具有多个第一贯穿孔及多个第二贯穿孔，所述第一贯穿孔位于该本体与所述第二贯穿孔之间；及

一连接部，连接该应力分散结构及该基板；以及

一背板，平行设置于该感测薄膜的一侧，且实质上与该感测薄膜相隔一间距；

其中该应力分散结构包括：

一弹性环，围绕该本体；

多个第一弹性件，连接该弹性环的内缘及该本体；及

多个第二弹性件，连接该弹性环的外缘及该连接部；

该应力分散结构还具有多个第三贯穿孔，各第三贯穿孔分别位于所述各第二弹性件连接于该弹性环之处。

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