CN101722475A - 具有混合研磨表面的cmp抛光垫修整器及其相关方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种具有混合研磨表面的CMP抛光垫修整器及其相关方法，其中CMP抛光垫修整器包括复数研磨片段，各研磨片段具有一片段基质以及附着于该片段基质的一研磨层，该研磨层包括超硬研磨层料；另外也提供一抛光垫修整器基材，且各研磨片段能永久地以一方向附着在该抛光垫修整器基材，以使得在该抛光垫修整器与该CMP抛光垫相对移动时，能够藉由该研磨层将材料自CMP抛光垫移除。

Description

具有混合研磨表面的CMP抛光垫修整器及其相关方法

技术领域

本发明通常有关于一种用以从CMP抛光垫移除材料的CMP抛光垫修整器(如整平、抛光、修整等)。因此，本发明是关于化学、物理及材料科学的领域。

背景技术

半导体产业目前每年耗资超过千万美元制造硅晶圆，该硅晶圆必须呈现非常平坦、光滑的表面，所用来制造具有光滑且平坦的表面的硅晶圆的方法有很多种，其中最常用的方法为化学机械研磨(CMP)制程，其包括结合研磨浆并使用抛光垫。在所有CMP制程中最重要的就是能在各方面获得高效能，如抛光后晶圆的均匀性、集成电路(IC)电路系统的平滑性、产率上的移除率、CMP耗材使用寿命的经济性等。

发明内容

根据一实施例，本发明提供一CMP抛光垫修整器，包括复数研磨片段。例如在一形态中是提供一CMP抛光垫修整器，其包括复数刀片状的研磨片段，其中各刀片状研磨片段具有一延伸的刀片状研磨基质以及一附着于该刀片状研磨基质的研磨层，该研磨层包括超硬研磨材料。该修整器也包括复数颗粒状研磨基质以及附着于该颗粒状研磨基质的研磨层，该研磨层包括复数超研磨颗粒。再者，该修整器包括一抛光垫修整器基材，其中各刀片状研磨片段以及颗粒状研磨片段能永久性地以一交替的图案和一方向附着在该抛光垫修整器基材，以使得在该抛光垫修整器与该CMP抛光垫相对移动时，能够藉由该研磨层将材料自CMP抛光垫移除。

在本发明另一形态是提供修整一CMP抛光垫表面的方法。这种方法包括相对移动一修整器表面与该CMP抛光垫表面，因此该修整器表面交替性地刮除(shave)和犁整(furrow)该CMP抛光垫表面。

在又一特定形态中，形成一CMP抛光垫调整器的方法，包括以所述的交替性排列将复数刀片状研磨片段以及复数颗粒状研磨片段以一方向定位于一抛光垫修整器表面的面上，使得材料在该抛光垫修整器以及该CMP抛光垫相对移动时能从CMP抛光垫上藉由该等研磨层而移除。该方法能在包括永久性地结合该等复数刀片状研磨片段以及该等复数颗粒状研磨片段于该抛光垫修整器表面。

现在仅概括性且较广地描述出本发明的各种特征，因此在接下来的详细说明中可更进一步地理解，并且在本领域所做的贡献可能会有更佳的领会，而本发明的其它特征将会从接下来的详细说明及其附图和申请专利范围中变得更为清晰，也可能在实行本发明时得知。

附图说明

图1为本发明一实施例示范性的抛光垫修整器的俯视示意图。

图2A为能用于图1的抛光垫修整器的示范性研磨片段的放大立体示意图。

图2B为能用于图1的抛光垫修整器的示范性研磨片段的放大立体示意图。

图2C为能用于图1的抛光垫修整器的另一示范性研磨片段的立体示意图。

图3A为具有切割面的研磨片段的侧视示意图，以显示从部分CMP抛光垫移除材料。

图3B为一具有不同构型的切割面的研磨片段的侧视示意图，以显示从部分CMP抛光垫移除材料。

图3C为一具有不同构型的切割面的研磨片段的侧视示意图，以显示从部分CMP抛光垫移除材料。

图4为具有一连串排列在不同高度的研磨片段的部分CMP抛光垫修整器的侧视示意图(其中，箭头表示relative direction of travel)。

要了解的是所附图式仅是为进一步了解本发明而作为描述用途，该图式并非依照尺寸绘制或显示，因此在尺寸、粒径大小以及其它形态可能且通常是有夸饰情形，以更清楚叙述本发明，例如，一研磨层是以一些包括复数研磨颗粒的图示来表示，然而，许多在此揭露的特定的实施例并不需要包含研磨颗粒。因此，为制造本发明抛光垫修整器，显示于图中的特定尺寸和形态是会出现偏差的。

主要组件符号说明

10  抛光垫修整器

12  刀片状研磨片段

14  颗粒状研磨片段

16  抛光垫修整器基材

18、24、30  片段基质

20、26、32、44、54、54′、54″  研磨层

22  超研磨颗粒

28  切割边缘

34  切割锯齿

42  CMP抛光垫

46、50  切割面

48  方向

具体实施方式

在揭露与叙述本发明之前，需要了解本发明并非限制于在此所揭露的特定的结构、方法步骤以及材料，而是可延伸至所属技术领域具通常知识者能思及的等效结构、方法步骤及材料，应了解的是，在此所使用专有名词的目的只是在叙述特定实施例，并非意欲对本发明有任何的限制。

值得注意的是在本说明书及其申请专利范围所使用的单数型态字眼如“一”和“该”，除非在上下文中清楚明白的指示为单数，不然这些单数型态的先行词也包括复数对象，因此例如“一研磨片段”包括一个或多个这样的研磨片段。

定义

以下是在本发明的说明及专利范围中所出现的专有名词的定义。

全部的筛孔大小除了有特别注明，否则在这里指的都是美国筛孔尺寸，而且，筛孔大小通常都能了解为一定量的颗粒的平均筛孔大小，即使每个颗粒于特定的筛孔大小实际上可能为在小分布范围内变动。

所述的“实质上(substantially)”是指步骤、特性、性质、状态、结构、项目或结果的完全、接近完全的范围或程度。任意举一个例子来说，当两个或多个物体被指出彼此之间间隔有一“实质上”一致的距离，则可得知这两个或多个物体彼此间隔有完全不可改变的距离，或彼此之间有着非常接近不可改变的距离，而一般人无法察知其分别。而离绝对完全确实可允许的偏差可在不同情况下依照特定上下文来决定。然而，通常来说接近完全就如同获得绝对或完整的完全具有相同的总体结果。

所述的“实质上地”在当使用于负面含意也同等适用，以表示完全或接近完全缺乏步骤、特性、性质、状态、结构、项目或结果。任意举一个例子来说，一“实质上没有(substantially free of)”外来物质的凹洞可为完全没有外来物质，或者非常近乎完全没有外来物质，而其影响会如同完全缺乏外来物质一样。换句话说，一“实质上没有”外来物质的凹洞只要结果在孔洞没有可测量的影响，则实际上依然包含微小部分的外来物质。

所述的“基材(substrate)”是指支撑研磨材料的抛光垫修整器的一部份，可贴附于该研磨材料和/或能承载研磨材料的片段基质(segmentblank)。本发明所用的基材可为各种形状、厚度或材料，其可用足以让一抛光垫修整器达成所欲达到的目的的方式承载研磨材料。基材可为实心材料、粉末材料(加工后成为实心)或可挠性材料(flexible material)。典型基材的例子包括但不限制于金属、金属合金、陶瓷、相对硬的聚合物或其它有机材料、玻璃及其混合物。再者，该基材可包括能帮助研磨材料附着在该基材上的材料，包括但不限制在硬焊合金材料、烧结助剂等。

所述的片段基质“(segment blank)”是指与之前所定义的抛光垫修整器的基材相似的结构。片段基质用于本发明以承载研磨层：将该等研磨层附着在该抛光垫修整器的基材通常是藉由将该片段基质附着在该抛光垫修整器的基材，重要的是要注意各种将该等片段基质附着在基材上的方法以及各种将该等研磨层附着在片段基质的方法皆在此讨论。需要了解的是，这些在此所述的各种附着机制皆能交换使用，即，当讨论将一片段基质附着在基材上的方法，所讨论的附着方法也能用于将一研磨层附着于一片段基质。然而，为了要讨论的任何特别的CMP抛光垫修整器，需要了解的是，该等将研磨层附着于片段基质的附着方法能与用于将片段基质附着至该抛光垫修整器基材上的附着方法不同或相同。

所述的“几何构型(geometric configuration)”是指能够以很快被了解且辨认的数学术语来描述的形状。例如，被形容为“几何构型”的形状包括但不限制在立方体形状、多面体(包括正多面体)形状、三角形(包括等边三角形)、等腰三角形以及3D三角形、角锥形、球形、矩形、“派”形(“pie”shapes)、楔形、八边形、圆形等。

所述的“气相沉积法”是指一种藉由气体相将物质沉积在一基材上的方法，其包括任何方法，例如但不限制在化学气相沉积法(chemicalvapor deposition，CVD)和物理气相沉积法(physical vapor deposition，PVD)，每一个气相沉积法的使用皆可由于本领域具通常知识者在不改变主要原理的情况下做变动，因此该气相沉积法的例子包括热灯丝气相沉积法(hot filament CVD)、射频化学气相沉积法(rf-CVD)、雷射化学气相沉积法(laser CVD，LCVD)、雷射剥离法(laser ablation)、金属有机物化学气相沉积法(metal-organic CVD，MOCVD)、溅镀、热蒸镀物理气相沉积法(thermal evaporation PVD)、离子化金属物理气相沉积法(ionizedmetal PVD，IMPVD)、电子束物理气相沉积法(electron beam PVD，EBPVD)以及反应性物理气相沉积法(reactive PVD)等其它类似的方法。

所述的“研磨轮廓(abrasive profile)”能被了解是指藉由能用于从CMP抛光垫移除材料的研磨材料所定义的形状、构型或空间。研磨轮廓的例子包括但不限制在矩形、一端渐细的矩形、截面为楔形的形状、楔形、锯齿(saw tooth)轮廓等。在一些实施例中，当材料从CMP抛光垫移除，而CMP抛光垫被定向视为一平面时，藉由本发明的研磨片段呈现的研磨轮廓是明显的。

所述的“磨蚀表面(abrading surface)”或“磨蚀点(abrading point)”可用以指研磨片段接触CMP抛光垫和自CMP抛光垫移除材料的表面、边缘、面、点或尖端。一般而言，该磨蚀表面或点是当该研磨片段与CMP抛光垫相互接触时，该研磨片段最先与该CMP抛光垫接触的部分。

所述的“超硬(superhard)”是指具有任何结晶、或多晶材料或莫氏硬度(Mohr’s hardness)大约8或大于8的材料的混合物。在一些形态中，莫氏硬度可大于9或大于9，这种材料包括但不限制于钻石、多晶钻石(PCD)、立方氮化硼(cBN)、多晶立方氮化硼(PcBN)、金刚砂(corundum)和蓝宝石，以及其它所属技术领域中具有通常知识者所知的超硬材料。超硬材料能以各种不同的形式(包括颗粒、沙砾、薄膜、层状结构、片状、片段等)与本发明结合。在一些情形中，本发明的超硬材料是采多晶超硬材料的形式，如PCD和PcBN材料。

所述的“有机材料(organic material)”是指有机化合物的半固体或固体复合物或混合物。其中，“有机材料层”和“有机材料基质”可互换使用，是指一层或一团有机化合物的半固体或固体无晶型混合物，包括树脂、高分子、胶等。较佳的是，有机材料是由一或多个单体进行的聚合反应所形成的聚合物或共聚合物。在一些情形中，这种有机材料可为黏着剂。

所述的“硬焊(brazing)”制程是指在超研磨颗粒/材料的碳原子以及硬焊材料之间化学键的产生。再者，该“化学键”是指共价键，如碳化物、氮化物或硼化物键，而非机械的或微弱的原子间吸引力，因此，当“硬焊”用于连接超研磨颗粒时，就会形成真实的化学键。然而，当“硬焊”被用于金属与金属之间的键结时，该词汇即为一更传统的意义-冶金的连接。因此超研磨片段硬焊于工具本体并不需要碳化物形成物的出现。

所述的“颗粒(particle)”和“砂砾(grit)”能互换使用。

所述的“研磨层(abrasive)”是指能够从CMP抛光垫移除(如切割、抛光、刮落(scraping))的各种结构，一研磨层能包括其上或其内部具有许多切割点、脊、平台的块体。值得注意的是这种切割点、脊、平台可形成有许多凸部或凹部而涵盖在该块体里。再者，一研磨层可包括复数个独立的研磨颗粒，其仅具有形成在其上或表面的一切割点、脊或平台。一研磨层也可包括复合块体，如PCD片、片段或基质(blank)，可个别包括研磨层或共同包括研磨层。

所述的“金属的(metallic)”是指金属、或两种或更多金属的合金。金属材料的各种形态皆可为于所属技术领域中具有通常知识者所熟知，特别是包括但不限制在钢、铁以及不锈钢。

这里所述的复数个物品、结构组件、组成元素和/或材料，基于方便可出现在一般的常见列举中，然而这些列举可解释为列举中的单一构件单独或个别地被定义，因此，这样列举中的单一构件不能视为任何单独基于在一般族群中无相反表示的解释的相同列举中实际上相等的其它构件。

浓度、数量以及其它数值上的数据可是以范围的形式来加以呈现或表示，而需要了解的是这种范围形式的使用仅基于方便性以及简洁，因此在解释时，应具有相当的弹性，不仅包括在范围中明确显示出来以作为限制的数值，同时也可包含所有个别的数值以及在数值范围中的次范围，如同每一个数值以及次范围被明确地引述出来一般。

例如一个数值范围“约1到约5”应该解释成不仅仅包括明确引述出来的大约1到大约5，同时还包括在此指定范围内的每一个数值以及次范围，因此，包含在此一数值范围中的每一个数值，例如2、3及4，或例如1-3、2-4以及3-5等的次范围等，也可以是个别的1、2、3、4和5。此相同原则适用在仅有引述一数值的范围中，再者，这样的阐明应该能应用在无论是一范围的幅度或所述的特征中。

本发明

本发明大体而言是提供一抛光垫修整器以及相关方法，以用来修整(如整平、研磨、修整)或其它影响一CMP抛光垫以将材料自该CMP抛光垫移除，而提供抛光垫具有一光滑、平整和/或平坦的表面。本发明的抛光垫修整器有助于如修整用于研磨、磨光或其它影响硅晶圆的CMP抛光垫。

现已发现增进CMP抛光垫的修整能藉由在同样的修整操作中交替使用切割以及犁整而达成，这样的达成能藉由使用一包含具呈交替性样式排列的刀片状研磨片段以及颗粒状研磨片段修整表面CMP抛光垫修整器，因此当该CMP抛光垫修整器相对于该CMP抛光垫移动时，该CMP抛光垫的表面能交替性地以刀片状研磨片段切割并以颗粒状研磨片段犂整。

除此之外，藉由将颗粒状研磨片段交错放置于邻近的刀片状研磨片段之间，则刀片状研磨片段使该CMP抛光垫挤压为最小化。如一示范性的例子，与一具有较紧密相邻刀片状研磨片段的CMP抛光垫修整器相较下，一具有远离设置的刀片状研磨片段的CMP抛光垫修整器需较大的向下挤压以助于切割，是由于该等研磨片段之间的CMP抛光垫材料会朝上冒出。一具有较紧密设置研磨片段的CMP抛光垫修整器有助于该抛光垫以更少的挤压力量就能完成切割，因此减少该抛光垫过度切割的伤害。藉由交错颗粒状研磨片段于邻近的刀片状研磨片段之间，所需要修整该CMP抛光垫的挤压力量能够减少，因为在研磨片段之间的抛光垫材料的突出为最小化。当许多现有精密的此抛光制程需要使用柔软材料制成的CMP抛光垫时；此种建构将特别有效。这种软性材料在使用较低的修整器挤压力量时可更有效率地修整，是因为当自修整器施加压力时，此材料的特性使其可承受较高程度的变形。例如在一形态中，该软性材料能如既有的聚氨酯(polyurethane)抛光垫一样软。在另一形态中，该软性材料能比既有的聚氨酯(polyurethane)抛光垫还软。在又一形态中，该软性材料能至少比既有的聚氨酯(polyurethane)抛光垫软约10％。又于另一形态中，该软性材料能至少比既有的聚氨酯(polyurethane)抛光垫软约25％。再于一形态中，该软性材料能至少比既有的聚氨酯(polyurethane)抛光垫软约50％。在一特定形态中，如图1所示是提供一抛光垫修整器10，该抛光垫修整器包括复数刀片状研磨片段12以及复数颗粒状研磨片段14交替排列定位于一抛光垫修整器基材16。可考虑多种交替性的排列，包括但不限制在如图1所示的放射状(radial)排列。应注意的是，在此所提及的该等刀片状研磨片段以及该颗粒状研磨片段为了简洁的目的而总称为“研磨片段”；同样地，为了简洁的缘故，“研磨层”的用语可用于总称该等刀片状研磨层以及该等颗粒状研磨层。

该CMP抛光垫修整器也能包含复数环状研磨片段，相对于如图1所示的单环结构。再者，应注意的是交替的研磨片段也能包括聚集复数具有一或多个研磨片段的图案的排列，例如在一形态中，该研磨片段能包含两个或更多交替于各对颗粒状研磨片段之间的刀片状研磨片段。在另一形态中，该研磨片段的图案包括三个或更多交替于各对颗粒状研磨片段之间的刀片状研磨片段。除此之外，在一些形态中，复数颗粒状研磨片段能聚集且交替于刀片状研磨片段或片段群组(group)之间。

该抛光垫修整器基材16能依照设计的抛光垫修整器的应用而有所不同，但在一形态中是包括一研磨片段固定于其上的面，以提供该抛光垫修整器可用于研磨、切割或其它将材料从一CMP抛光垫(图中未示)移除材料的面。该等研磨片段能永久性地以一方向结合于该抛光垫修整器16，以至于在该抛光垫修整器以及该抛光垫相对移动时能够将该CMP抛光垫藉由该研磨层移除材料。例如，图1所描述且显示的，该等研磨片段12、14是放射状地沿着实质上圆形的抛光垫修整器基材边缘排列，这种排列已发现在该抛光垫修整器基材相对于该抛光垫转动时，适于将材料从一CMP抛光垫移除(当“修整”该抛光垫时)。

本发明提供许多优于既有装置的优点，其中一项优点是能够依照指定规格将该研磨层附着于该片段基质的方法，是独立于将该片段基质或该等基质附着于该抛光垫修整器基材的方法。例如，当所试图使用的抛光垫修整器具有大的或复杂的表面积时，而各种附着方法可能涉及很高的温度和/或压力、很高要求的环境条件、或单纯要求高密集劳力，以明显、简单操作的片段基质执行该附着方法能改善附着程序的成本、效能以及完整性；另外，若将片段基质分离而呈相对小的部份，则能更容易将各片段基质上的研磨层的构成物整平，所产生的复数研磨片段也同样地更容易在研磨层个别附着于各研磨片段后，于该抛光垫修整器基材的面上被定位、整平、形成间隔、定向等。

此外，藉由获得复数研磨片段，各具有一研磨层已附着于其上，该抛光垫修整器基材的面上的一研磨图案是被设计为能最有效地进行各种修整程序。例如，在邻近的研磨片段之间的间隔能谨慎地选择而有助于或更能控制各种流体(如研磨浆)在该等研磨片段周围或穿过该等研磨片段的流动，以增加材料移除制程的效率及效能。而且，如图1所示，具有不同研磨轮廓(如不同尺寸、形状、研磨侵入等)的片段基质能用于一单一基材上，以能够客制化该抛光垫修整器的磨蚀轮廓的整体。

研磨片段的多种构型是依照CMP抛光垫的特性或依预期的修整特性做为考虑。在一形态中，其示范于图2A，各颗粒状研磨片段14包括-片段基质18以及附着于该片段基质的一研磨层20，该研磨层20能包括一超硬研磨材料：如图2A所例示的实施例，该超硬研磨材料包括复数超研磨颗粒22。

在又一形态中，其例示于图2B，一刀片状研磨片段12包括一片段基质24以及一附着于该片段基质的研磨层26，以作为延伸切割刀片。这些刀片包括明显比宽度长的长度，其类似于既有刀具上的刀片，在本发明的此形态中，该刀片能用于从该CMP抛光垫切割、刮除(scrape)或切刻(carve)一相对宽的长条状(swath)材料。该刀片状研磨片段的研磨层26包括一连续性切割边缘28。在另一形态中，例示于图2C，一刀片状研磨片段12包括一片段基质30以及一附着于该片段基质的研磨层32，以作为延伸切割刀片。与此形态相比，示于图2B中的该片段基质的研磨层32包括一系列形成在该研磨层中的切割锯齿34。更进一步关于结构上的细节以及刀片状研磨片段的使用揭露于2007年11月13日提出申请的美国专利申请案第60/987,687号，其可合并于此作为参考。

该刀片状研磨片段的切割动作现显示有利于一CMP抛光垫的修整。例如图3A至图3C所示，一实施例显示帮助关于一CMP抛光垫(例示性的显示且以剖面图显示为42)可塑性变形所产生的问题。此实施例减少在该抛光垫调整器以及该CMP抛光垫之间所需的下压力，因此，CMP抛光垫留下一具有被修整的表面，其比使用既有方法所得到的更加平滑且平整。

在图3A至图3C所示的修整器包括一研磨层44(仅显示部分)，该研磨层包括一切割面46，其相对于该CMP抛光垫的被研磨表面呈90度或更小的角度(如该切割面相对移动远离该被研磨表面-是有时作为一正向切割角)。该研磨层44的面46能被定向，以使得该抛光垫修整器(在图3A所标的方向48以及该CMP抛光垫42相对移动时能使切割面将材料从CMP抛光垫移除干净，以修整该CMP抛光垫。

藉由调整该切割面46相对于该抛光垫42的被研磨表面呈90度或更小的角度，该修整制程能干净地自该抛光垫刮除一层抛光垫材料，在该抛光垫上所产生的表面能安全地用于CMP制程中，而不会破坏昂贵的硅晶圆。本发明的抛光垫修整器甚至能用来刮除该抛光垫上非常浅、薄的材料层，而在该抛光垫上留下干净、平滑以及更平坦的表面。此技术能用于移除薄层的硬化层，该硬化层是形成在该CMP抛光垫的表面上。

显示于图3A及图3B的切割面46是定向于相对该CMP抛光垫被研磨表面呈大约90度的角度α₁，图3C的切割面50是定向于相对该CMP抛光垫被研磨表面呈小于90度的角度α₂，约为60度。该切割面能定向于各种角度，且在一实施例中是相对该CMP抛光垫被研磨表面为约45度至约90度。已发现缩小角度能够在该切割组件与该抛光垫之间产生更尖锐的切割界面。

这些显示于图式中的实施例包括调整过角度的切割面，各调整过角度的切割面包括形成具有该对应角度的一切割面。然而，在一些实施例中，应该了解能使用相对直角(如90度)的切割面，但具有切割面形成其上的切割片段在附着于该基材时会形成“倾斜(tilted)”的情形除外；换句话说，该切割表面不能相对于该研磨片段呈现角度，而是该研磨片段本身的角度而产生该切割表面的角度，以此方式，提供调整过角度的切割面，而无须要求该研磨片段上(或其中)形成参考角度。

在本发明中所使用额外且多样的研磨片段也被考虑，例如，在使用上而考虑各种切割组件/研磨片段的使用能详细地参考于2006年2月17日提出申请的美国申请案第11/357,713号，其能合并于本案作为参考。除此之外，在片段基质上形成的研磨层能藉由各种不同的技术来达成，包括但不限制在气相沉积技术，其与概略于2006年8月29日提出申请的美国专利申请案第11/512,755号相似，且其可合并于此作为参考。除此之外，该研磨片段的构成是使用陶瓷材料组件(如同该片段基质和/或研磨层任一或二者)、电镀技术等。

如图4所示的实施例是提供一系列的研磨层54、54′、54″，各包括一定位于不同高度的切割尖端。于本发明的一形态中，在前的研磨片段(研磨层54形成一部分)通常是相对于在后的研磨层54′、54″处于较高的位置，而该在后的研磨层于该在前的刀片通过后仍无法接触存留的抛光垫材料。该具有研磨层54、54′、54″的研磨片段能以各种方法形成，且具有各种形状、尺寸以及构型，更详细地，如在2007年11月16日提出申请的美国暂时申请案第60/988,643号能够整体合并于此作为参考。此实施例能刻意地使用阶梯状(cascaded)的切割组件以达到所要的切割效果。

很多材料以及制造方法皆能考虑用以建构本发明的CMP抛光垫修整器。应该注意的是在此所揭露的该等材料以及技术皆为例示性的，且额外的材料以及技术皆能使用而不脱离本发明的范畴。

在此所显示及讨论的各种片段基质能以各种材料所制成，包括但不限制在金属材料(如铝、铜、钢、金属合金等)、陶瓷材料、玻璃、高分子、复合材料等。一般而言，实际上任何能让研磨片段附着的材料就能够使用。

在一些实施例中，在将该研磨层附着片段基质的制程中；其材料的选择是为提供更优越的效果。该研磨层能以各种不同的方式附着于该片段基质，包括环氧树脂接合(bonding)法(如有机接合方法)、金属硬焊、烧结、电沉积等；能依照所预设的附着方法而选择片段基质的材料，例如，部分或全部由镍或不锈钢所组成的片段基质能使用在一些有关硬焊和/或烧结制程，而陶瓷材料或金属材料可用于有机附着方法中。

本发明各种实施例使用各种附着该研磨层至该片段基质的方法。在一形态中，一有机材料层能沉积于该片段基质，且一或多个研磨颗粒、片、片段等能藉由该有机材料层固定在该片段基质。适合的有机材料的范例包括但不限制在胺基树脂(amino resins)、丙烯酸酯树脂(acrylateresins)、醇酸树脂(alkyd resins)、聚酯树脂(polyester resins)、聚酰胺树脂(polyamide resins)、聚亚酰胺树脂(polyimide resins)、聚氨酯树脂(polyurethane resins)、酚醛树脂(phenolic resins)、酚醛/乳胶树脂(phenolic/latex resins)、环氧树脂(epoxy resins)、异氰酸酯树脂(isocyanate resins)、异氰尿酸酯树脂(isocyanurate resins)、聚硅氧烷树脂(polysiloxane resins)、反应型乙烯基树脂(reactive vinyl resins)、聚乙烯树脂(polyethylene resins)、聚丙烯树脂(polypropylene resins)、聚苯乙烯树脂(polystyrene resins)、苯氧树脂(phenoxy resins)、二萘嵌苯树脂(perylene resins)、聚砜树脂(polysulfone resins)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(acrylonitrile-butadiene-styrene resins)、丙烯酸树脂(acrylicresins)、聚碳酸酯树脂(polycarbonate resins)及其混合物。

所谓的“逆浇注(reverse casting)”法能够用于准确且可控制地将该研磨材料定向及附着在该片段基质上(且将该片段基质定位和附着于该抛光垫修整器基材)，这种方法包括首先使用一“光罩”材料固定一超研磨材料(如复数超研磨颗粒)至一基材上，接着部分突出于光罩材料的颗粒使用在此所讨论过的方法附着于该抛光垫修整器基材，在此之后或在此期间能移除该光罩材料。

适合的逆浇注法能够在本案发明人的各种专利及专利申请案中找到，包括在2007年12月6日申请的美国申请案第60/992,966号、在2007年5月16日申请的美国申请案第11/804,221号、以及在2007年5月22日申请的美国申请案第11/805,549号，其皆可合并于此作为参考，当将本发明该等研磨片段附着于抛光垫修整器基材时、当将本发明该等研磨层附着于该等片段基质时皆能使用这些技术。这种技术可提供非常准确地控制该等研磨片段或研磨层的横向设置，也能非常准确地控制该等研磨片段或研磨层的相对高度。

当使用一有机结合材料层时，于所属技术领域中具有通常知识者能够知道各种硬化该有机材料层的方法，以使有机材料产生相变化而从至少一柔软的状态到至少一坚硬的状态，硬化能够藉由但不限制在将该有机材料接触热形式的能量、电磁辐射(如紫外线、红外线以及微波幅射)、粒子撞击(如电子束)、有机触媒、无机触媒或其它于所属技术领域中具有通常知识者所熟知的硬化技术。

于本发明的一形态中，该有机材料层可为热塑性材料，热塑性材料能可逆地分别藉由冷却和加热而硬化或软化。在另一形态中，该有机材料层可为热固性材料，热固性材料无法像热塑性材料一样可逆地硬化和软化；换句话说，一旦产生硬化现象，该制程实质上为不可逆。

有机材料更细节的表如下所列，有机材料在本发明的实施例中是有用的，包括但不限制在胺基树脂具有烷基化脲醛树脂(alkylatedurea-formaldehyde resins)、三聚氰胺甲醛树脂(melamine-formaldehyderesins)以及烷基化苯代三聚氰胺甲醛树脂(alkylatedbenzoguanamine-formaldehyde resins)；丙烯酸酯树脂(acrylate resins)包括乙烯丙烯酸酯(vinyl acrylates)、环氧丙烯酸酯(acrylated epoxies)、聚氨酯丙烯酸酯(acrylated urethanes)、丙烯酸酯树脂(acrylate resins)、聚酯丙烯酸酯(acrylated polyethers)、乙烯醚(vinyl ethers)、丙烯酸油(acrylated oils)、硅酮丙烯酸酯(acrylated silicons)以及相关的丙烯酸酯(methacrylates)；醇酸树脂(alkyd resins)如聚氨酯酸醇树脂(urethanealkyd resins)；聚酯树脂(polyester resins)；聚酰胺树脂(polyamide resins)；聚亚酰胺树脂(polyimide resins)；反应型氨酯树脂(reactive urethaneresins)；聚氨酯树脂(polyurethane resins)酚醛树脂(phenolic resins)，如酚少醛多的酚醛树脂(resole resins)以及酚多醛少的酚醛树脂(novolacresins)；酚醛/乳胶树脂(phenolic/latex resins)；环氧树脂(epoxy resins)，如二酚环氧树脂(bisphenol epoxy resins)；异氰酸酯树脂(isocyanateresins)异氰尿酸酯树脂(isocyanurate resins)；聚硅氧烷树脂(polysiloxaneresins)包括烷基烷氧基硅树脂(alkylalkoxysilane resins)；反应型乙烯基树脂(reactive vinyl resins)；标有Bakelite^TM商标的树脂，包括聚乙烯树脂(polyethylene resins)、聚丙烯树脂(polypropylene resins)、环氧树脂(epoxy resins)、酚醛树脂(phenolic resins)、聚苯乙烯树脂(polystyreneresins)、苯氧树脂(phenoxy resins)、二萘嵌苯树脂(perylene resins)、聚砜树脂(polysulfone resins)、氯乙烯共聚合物树脂(ethylene copolymerresins)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(acrylonitrile-butadiene-styreneresins，ABS)、乙烯基树脂(vinyl resins)；丙烯酸树脂(acrylic resins)；聚碳酸酯树脂(polycarbonate resins)以及其混合物或组合物。在本发明的一形态中，该有机材料可为环氧树脂。在另一形态中，该有机材料可为聚亚酰胺树脂。又一形态中，该有机材料可为聚氨酯树脂。

很多添加物能包含在该有机材料中以帮助其使用。例如，能使用额外的交联剂以及填充剂以改善该有机材料层硬化的特性。除此之外，可使用溶剂以改变该有机材料在未硬化状态的特性。也能配置一强化材料于至少部份的硬化有机材料层中，此种强化材料可用于增加该有机材料层的强度，且因此更进一部增加各别研磨片段的保持度；在一形态中，该强化材料可包括陶材、金属或其组合物，陶材的范例包括氧化铝、碳化铝、二氧化硅、碳化硅、氧化锆、碳化锆及其混合物。

此外，在一形态中，可将耦合剂或有机金属化合物涂布于各研磨材料的表面上，以藉由化学键结而帮助该超研磨材料保持在该有机材料层中。于所属技术领域中具有通常知识者能知道且能使用各种有机和有机金属化合物。有机金属耦合剂能在该等超研磨材料以及该有机材料基质之间产生化学键，因而增加该等超研磨材料在其中的保持度。如此，该有机金属耦合剂能作为一桥梁而在该有机材料基质以及该超研磨材料表面之间形成键结。在本发明的一形态中，该有机金属耦合剂可为钛酸酯(titanate)、锆酸酯(zirconate)、硅甲烷或其混合物。所用的有机金属偶合剂的量是依照耦合剂的种类以及该超研磨材料的表面积而定，通常必须是该有机材料层重量的0.05％至10％才会足够。

适合用于本发明的硅甲烷特定但非限制的范例包括3-甲基三乙酰氧基硅甲烷[3-glycidoxypropyltrimethoxy silane，购自道康宁公司(DowCorning)，型号为Z-6040]、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅甲烷[γ-methacryloxy propyltrimethoxy silane，购自联合碳化公司(UnionCarbide Chemicals Company)，型号为A-174]、β-(3，4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅甲烷[β-(3，4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxy silane]、γ-氨丙基三乙氧基硅甲烷[γ-aminopropyltriethoxy silane)、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅甲烷(N-(β-aminoethyl)-γ-aminopropylmethyldimethoxy silane，购自联合碳化物公司(UnionCarbide)、信越化学工业株式会社(Shin-etsu Kagaku Kogyo K.K.)等]。

适合用于本发明的钛酸盐耦合剂特定但非限制的范例包括异丙基三硬酯酸钛酸酯[isopropyltriisostearoyl titanate]、二(异丙苯基)氧乙酸酯钛酸酯[di(cumylphenylate)oxyacetate titanate]、4-氨基苯磺酰氟十二烷基苯磺酸钛酸酯[4-aminobenzenesulfonyldodecylbenzenesulfonyltitanate]、四辛基双(二三葵基亚磷酸)钛酸酯[tetraoctylbis(ditridecylphosphite)titanate]、异丙基三(N-氨基乙基-氨基乙基)钛酸酯[isopropyltri(N-ethylamino-ethylamino)titanate，购自美国肯瑞奇石油化工有限公司(Kenrich Petrochemicals，Inc.)]、新烷氧基钛酸酯(neoalkyoxy titanates)，例如型号LICA-01、LICA-09、LICA-28、LICA-44以及LICA-97(也是购自Kenrich)等。

铝耦合剂特定但非限制的范例包括醋酸烷氧基二异丙氧基铝[acetoalkoxy aluminum diisopropylate，购自橘生药品工业株式会社(Ajinomoto K.K.)]等。

锆酸酯耦合剂特定但非限制的范例包括新烷氧基锆酸酯[neoalkoxyzirconates，型号为LZ-01、LZ-09、LZ-12、LZ-38、LZ-44、LZ-97，全部皆购自美国肯瑞奇石油化工有限公司(Kenrich Petrochemicals，Inc.)]等，其它已知的有机金属耦合剂[如硫醇基化合物(thiolate basedcompounds)]能用于本发明且被考虑在本发明的范畴中。

金属硬焊法也能应用于将该研磨层附着至片段基质，于所属技术领域中具有通常知识者熟知金属硬焊法，例如，在制作钻石颗粒状研磨片段时，该制程包括混合钻石颗粒(如40/50美国网目(mesh)的磨料)以及适当的金属支持基质(结合)粉末(如具有1.5微米的钴粉末)；接着该混合物压在一模具中，以形成一预期的形状(如一锯子片段)；该工具的“生胚”接着是在温度为700-1200℃之间烧结而固化，并形成具有复数研磨颗粒设置于其中的单一块体；最后，该硬化的块体(如以硬焊方式)附着于该工具主体，如锯子的圆形刀片，以形成最终产品。许多其它的范例皆能用此技术，且为所属技术领域中具有通常知识者所熟知的。

应该注意的是也能使用各种烧结方法将该研磨层附着于该片段基质，于所属技术领域中具有通常知识者在拥有本发明内容后就能轻易地了解合适的烧结方法。

该研磨层也能藉由已知的电镀和/或电沉积法附着于该片段基质。如一个在电沉积之前或同时定位并保持该研磨材料的适合方法的范例，是使用一包括能够有效防止电沉积材料累积在模具表面上的绝缘材料的模具，在电沉积时，研磨颗粒能保持在该模具的模具表面上，因此，能防止电沉积材料累积在颗粒尖端以及该抛光垫修整器基材的工作表面上。这种技术如于2005年12月2日所提出的美国专利申请案第11/292,938号中所描述的，其能合并于本案作参考。

一个或多个孔延伸进该绝缘材料中，以供电解液从模具外的区域经过该模具而循环至该抛光垫修整器的表面，以帮助电沉积。这种循环有利于在电沉积位置上其电解液中一般需要保持足够的离子浓度。也可使用其它已知的技术，且能了解上述所提供的范例仅为多种适合技术中的其中之一。

该片段基质能以各种方法类似地附着于该抛光垫修整器基材，依据片段基质形成的材料，而能够使用各种方法固定该片段基质至该抛光垫修整器基材。适合的附着方法包括但不限制在有机键结(organic binding)、硬焊、焊接(welding)等。

该研磨片段的几何构型可为各式各样的。例如在一形态中，该研磨片段包括具有研磨材料层结合于一般矩形或梯型的片段基质，该片段基质可为各种尺寸，在本发明的一形态中，片段尺寸能够调整以达到钻石颗粒/或切割刀片均匀分布为一环型排列，各片段包括高达约一千颗钻石颗粒，在颗粒状研磨片段中，各片段可包含复数钻石颗粒；其一组尖端间隔为3至10倍的钻石粒径。较小的片段较能够分摊在修整时的负载力量。

本发明系统的模块化性质(modular nature)使得将该研磨层附着于片段基质时可提供很大的弹性。由于片段基质能够与该抛光垫修整器基材分开制备，所以当将该研磨层施加至片段基质时，可以了解各种制作优势，而无需在意最后与该片段基质附着于其上的抛光垫修整器的尺寸、形状、质量、材料等。

在一形态中，排列于该修整器基材的面上的研磨片段是各别在尺寸、形状、研磨物组成、与另一研磨片段的相对高度等实质上相同。在另一形态中，尺寸、形状、研磨物组成、与另一研磨片段的相对高度等能有目的地不同，以达到任何特定应用最适当的设计弹性(flexibility)；各前述的质量也能够在各个片段中有所不同，如间隔的片段包括PCD研磨片、碎片、板，而相邻的片段包含研磨颗粒。

该研磨片段在该抛光垫修整器基材上的保持度能够藉由排列该等研磨片段而改进，以使得在任何个别的研磨片段上的机械应力冲击最小化。藉由减少在各研磨片段的应力冲击，该等研磨片段能够轻易地保持在该基材上的适当位置，特别能应用在需精细处理的状况中，各片段之间应力变化的最小化能够藉由均匀地(或一致地)间隔该等片段、将各片段最高部分整平至均匀的高度(相对于该抛光垫修整器的面)、将该等片段放射状地排列在该抛光垫修整器基材的面上而达成。各种其它高度以及间隔方法皆能使用，以达到预期的效果。

于本发明的另一实施例中，该等研磨片段的间隔能调整而改变各片段的接触部分的接触压力(如接触并该CMP抛光垫移除材料的部分片段)。通常，片段之间彼此间隔越远，在该片段与该CMP抛光垫之间的接触压力越高，因此，在一些情况中，若于该抛光垫修整器基材面上的研磨片段具较高的密度，则在该抛光垫修整器基材以及该CMP抛光垫之间能提供一较理想的研磨界面。在其它应用中，较小密度的研磨片段可能是有益的。在任一情况中，本发明提供很大的设计弹性以获得最佳的研磨轮廓。

藉由形成具有特定几何形状的研磨片段于个别单元中，该研磨片段以非常精确的方式来排列会变得更简单，当该明确几何形状从一片段至另一片段完全精确地被复制，如此，各研磨片段在该抛光垫修整器面上应力冲击的位置可达完全一致，例如，利用先前技术的研磨颗粒，各复数颗粒的整体形状以及尺寸可能与另一个颗粒有相当大的不同，所以很难完成精确的颗粒排列。这些问题皆于本发明的优点特征中充分地提出。

已发现商用的钻石抛光垫修整器通常含有约一万颗钻石颗粒，特别当一碟盘在用高温制程(如硬焊)制作时，由于该基材的扭曲以及该颗粒尺寸的分布与钻石定向，该切割尖端会处于不同的高度；当该等切割尖端接触一抛光垫时，只有约1％的凸出钻石能够与该抛光垫接触，此会增加钻石的应力而深入地切至该抛光垫内，且该钻石可能会破裂而在昂贵的晶圆上造成严重的刮痕。

藉由使用如上所述的逆浇铸方法，在颗粒之间的高度差能够显著地降低。于本发明的一形态中，该研磨片段是设置于一具有在一保持环上形成设置的间隔的平坦金属(如不锈钢)模具上，与硬化剂充分混和的环氧树脂被倒入该保持环中以填满并覆盖于全部的片段，于该模具上的钻石颗粒能藉由环氧树脂流的渗透而被遮盖，在硬化(有加热或无加热)后，移除该保持环以及该模具，该钻石片段因此稳固地埋设于该环氧树脂基质中，藉由该平坦模具对于钻石的整平，使得最高的钻石颗粒的尖端高度差异达最小化。

实施例

以下实施例提供各种制造本发明的抛光垫修整器的方法。需要了解这种实施例仅供说明，并非用以限制本发明。

例1

一抛光垫修整器是藉由：首先将钻石颗粒(如50/60网目)排列在具有一黏结层(如丙烯酸树脂)的不锈钢平板模具上(有轻微的凸面或轮廓的模具也可以使用)，使用一硬橡胶材质以将个别的钻石颗粒压入该黏结层中，且颗粒的尖端藉由该平板模具而整平，接着将环氧树脂以及硬化剂的混合物倾倒在突出于黏结层外的颗粒上(一挡止环定向于该模具的外侧以保留该环氧树脂)，硬化后，移除该模具，且剥除该黏结层，所留下的有机钻石碟(ODD)包括突出于该硬化的环氧树脂基材外的钻石颗粒，而该环氧树脂的背面是以机械加工处理，且该碟盘黏附在具有为设置在CMP抛光机而形成的固定孔的一不锈钢(如316不锈钢)平板。

例2

一抛光垫修整器是藉由放射状地排列于具有锯齿的PCD刀片上所形成，如前述例子，该PCD刀片的锯齿是以一模具而整平，以定位于该抛光垫修整器的底部或顶部，接着如前述例子浇铸环氧树脂，在此情况中，该模具是于顶部，而该刀片是稍微压入一基材的狭长孔中，而该狭长孔由环氧树脂或硅胶封住。

例3

一密切结合于以上所述的例1与例2的复合设计，该设计具有例1中许多切割尖端的平整性以及例2中的切割效率。在例3中，藉由通常比环氧树脂硬的纤维强化高分子所形成的有机研磨片段，接着该有机片段放射性地排列于一具有例2的刀片散置其中的抛光垫修整器基材，该等刀片的切割尖端被整平，以使其高出该有机研磨片段的尖端约20微米。如此，藉此能控制该刀片切割锯齿的穿透深度，而该有机切割锯齿在修整抛光垫时扮演次要的角色，以有效地移除硬化层(glaze)，且使该抛光垫形成凹槽。

需要了解的是以上所述的排列皆仅是在描述本发明原则的应用，许多改变及不同的排列也可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下被本领域具通常知识者所设想出来，而申请范围也涵盖上述的改变和排列。因此，尽管本发明被特定及详述地描述呈上述最实用和最佳实施例，本领域具通常知识者可在不偏离本发明的原则和观点的情况下做许多如尺寸、材料、形状、样式、功能、操作方法、组装和使用等变动。

Claims (20)

1.一种CMP抛光垫修整器，包括：

复数刀片状研磨片段，各刀片状研磨片段包括一延伸的刀片状研磨基质以及一附着于该刀片状研磨基质的研磨层，该研磨层包括一超硬研磨材料；

复数颗粒状研磨片段，各颗粒状研磨片段包括一颗粒状研磨基质以及一附着于该颗粒状研磨基质的研磨层，该研磨层包括复数超研磨颗粒；以及

一抛光垫修整器基材；

各复数个刀片状研磨片段以及颗粒状研磨片段永久性地以交替的图案且以一方向固定于该抛光垫修整器基材上，以能够在该抛光垫修整器以及该CMP抛光垫相互移动时将材料从一CMP抛光垫藉由该等研磨层而移除。

2.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：其中各刀片状研磨片段的纵轴沿着该抛光垫修整器基材的半径排列。

3.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：其中各研磨层包括一研磨表面或点，其中该等研磨表面或点相互齐平，而无研磨表面或点突出于另一个研磨表面或点超过约30微米。

4.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：其中复数刀片状研磨片段放射状分部于该抛光垫修整器表面的面。

5.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：该等刀片状研磨片段的研磨层包括多晶钻石刀片。

6.如权利要求5所述的抛光垫修整器，其特征在于：该刀片状研磨片段的研磨层至少部分具有锯齿状的切割边缘。

7.如权利要求5所述的抛光垫修整器，其特征在于：该刀片状研磨片段的研磨层至少部分具有一平坦的切割边缘。

8.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：其中交替的图案包括交替排列单一刀片状研磨片段于颗粒状研磨片段之间。

9.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：该交替的图案包括一组具有二或多个交替设置于该等颗粒状研磨片段之间的刀片状研磨片段。

10.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：该等颗粒状研磨片段的研磨层包括个别的研磨颗粒。

11.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：该复数研磨层是藉由一有机材料层附着于该刀片状研磨基质以及该颗粒状研磨基质，该有机材料层选自于以下物质所组成的群组：胺基树脂、丙烯酸酯树脂、醇酸树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚亚酰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、酚醛/乳胶树脂、环氧树脂、异氰酸酯树脂、异氰尿酸酯树脂、聚硅氧烷树脂、反应型乙烯基树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚苯乙烯树脂、苯氧树脂、二萘嵌苯树脂、聚砜树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂及其混合物。

12.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：该等研磨层是藉由一硬焊合金附着于该等刀片状研磨基质以及该等颗粒状研磨基质。

13.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：该复数刀片状研磨片段以及颗粒状研磨片段是藉由一有机材料层附着于该修整器基材，该有机材料层选自于以下物质所组成的群组：胺基树脂、丙烯酸酯树脂、醇酸树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚亚酰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、酚醛/乳胶树脂、环氧树脂、异氰酸酯树脂、异氰尿酸酯树脂、聚硅氧烷树脂、反应型乙烯基树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚苯乙烯树脂、苯氧树脂、二萘嵌苯树脂、聚砜树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂及其混合物。

14.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于：该等刀片状研磨片段以及颗粒状研磨片段是藉由一硬焊合金附着于该修整器基材。

15.一种修整一CMP抛光垫表面的方法，包括：相对移动一修整器表面以及该CMP抛光垫表面，以令该修整器表面交替性地刮除(shave)和犁整(furrow)该CMP抛光垫表面。

16.一种形成一CMP抛光垫修整器的方法，包括：

以一交替排列的方式定位如权利要求1所述的复数刀片状研磨片段以及复数颗粒状研磨片段于一方向在一抛光垫修整器表面的面上，以能够在该抛光垫修整器以及该CMP抛光垫相对移动时将材料从一CMP抛光垫修整器上藉由该等研磨层移除；以及

永久性地结合该等复数刀片状研磨片段以及该等复数颗粒状研磨片段于该抛光垫修整器基材。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于：该复数刀片状研磨片段以及复数颗粒状研磨片段是藉由一有机材料层附着于该修整器基材，该有机材料层选自于以下物质所组成的群组：胺基树脂、丙烯酸酯树脂、醇酸树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚亚酰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、酚醛/乳胶树脂、环氧树脂、异氰酸酯树脂、异氰尿酸酯树脂、聚硅氧烷树脂、反应型乙烯基树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚苯乙烯树脂、苯氧树脂、二萘嵌苯树脂、聚砜树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂及其混合物。

18.如权利要求16所述的方法，其特征在于：该复数刀片状研磨片段以及该复数颗粒状研磨片段是藉由一硬焊合金附着于该修整器基材。

19.如权利要求16所述的方法，其特征在于：该复数刀片状研磨片段以及该复数颗粒状研磨片段是利用逆浇铸技术使其相互齐平。

20.一种修整一CMP抛光垫的方法，包括：

将一CMP抛光垫修整器压入一CMP抛光垫中；

相对移动该CMP抛光垫修整器以及该CMP抛光垫，藉由附着于该CMP抛光垫修整器交替排列的该等刀片状研磨片段以及颗粒状研磨片段，使得该CMP抛光垫修整器在该CMP抛光垫的挤压为最小化。

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