CN101658355A - 一种直发器温度校准装置与方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种直发器温度校准装置，其包括：电阻值检测模块，用于检测出氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值；运算模块，用于根据所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及氧化铝陶瓷发热片自身的温度与阻值正温度系数特性的比值，进行逻辑运算处理，求得氧化铝陶瓷发热片恒温在不同温度时，温度校准电位器的阻值调整值；显示模块，用于显示所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及温度校准电位器的阻值调整值。本发明还公开了一种直发器温度校准方法。本发明能够快速准确的计算出温度校准电位器的电阻调整值，从而大大地提高生产效率。

Description

一种直发器温度校准装置与方法
技术领域
本发明涉及温度校准电路技术，尤其涉及一种直发器温度校准装置与方法。
背景技术
直发器产品中用MCH作为发热体、无需NTC传感器，用MCH自身R/T正温度系数特性，采用检测MCH电阻变化控温的方案非常普及。就我公司此方案年产量超过100万把。但因MCH生产工艺原因，同一批MCH阻值有一定的范围。此方案的直发器电路必须加一个温度校准电位器，补赏MCH的阻值差点来保证产品温度一致。传统的温度校准方法是直发器都插上电工作，一边测温度，根据温度高低再来相应调电位器，而且要重复几次材能调准。这种方法生产效率低，而且人工成本高。采用调试电路可节约人力成本，大幅度提高生产效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种直发器温度校准装置与方法，能够快速准确的计算出温度校准电位器的电阻调整值，从而大大地提高生产效率。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种直发器温度校准装置，其包括：
电阻值检测模块，用于检测出氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值；
运算模块，用于根据所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，并根据氧化铝陶瓷发热片其自身温度与阻值正温度系数特性的比值，进行逻辑运算处理，求得氧化铝陶瓷发热片恒温在不同温度时，温度校准电位器的阻值调整值；
显示模块，用于显示所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及温度校准电位器的阻值调整值。
具体地，所述温度检测模块和运算模块均设置在单片机中。
所述显示模块包括寄存器和数码显示管，所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值、温度校准电位器的实际阻值以及温度校准电位器的阻值调整值存储在所述寄存器中，并通过数码显示管显示出来。
本发明还提供了一种直发器温度校准方法，其包括以下步骤：
检测出氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值；
根据所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及氧化铝陶瓷发热片其自身温度与阻值正温度系数特性的比值，进行逻辑运算处理，求得氧化铝陶瓷发热片恒温在不同温度时，温度校准电位器的阻值调整值；
显示所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及温度校准电位器的阻值调整值。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：由于本发明利用检测出的氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，自动求得氧化铝陶瓷发热片恒温在不同温度时，温度校准电位器的阻值调整值，使得生产效率得到了大大地提高。
附图说明
图1是本发明实施例一种直发器温度校准装置的原理框架示意图；
图2是本发明实施例一种直发器温度校准装置的结构示意图；
图3是本发明实施例一种直发器温度校准装置进行温度校准的流程图；
图4是本发明实施例一种直发器温度校准装置的主要电路图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参照图1，本发明一种直发器温度校准装置，其包括：
电阻值检测模块1，用于检测出氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值；
运算模块2，用于根据所述氧化铝陶瓷发热片(MCH)的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，利用氧化铝陶瓷发热片其自身的R/T正温度系数特性进行逻辑运算处理，求得氧化铝陶瓷发热片恒温在不同温度时，温度校准电位器的阻值调整值；具体地，根据MCH自身R/T正温度系数特性，当温度升高时自身的电阻值也升高，而且此电阻值与它在常温的电阻值成一定的关系，利用这一关系进行运算，只要测试出MCH常温电阻值，就能运算出温度校准电位器的阻值；
上述的温度检测模块1和运算模块2均可以采用单片机MCU来实现；其详细电路图参考图3。
显示模块3，用于显示所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及温度校准电位器的阻值调整值，其包括寄存器31和数码显示管32两部分，所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值、温度校准电位器的实际阻值以及温度校准电位器的阻值调整值存储在寄存器31中，并通过数码显示管32显示出来。
图2是本发明一种直发器温度校准装置在一种具体实施例中的详细结构图，如图所示，直发器温度校准装置包括：
A/D温度检测端口11，与内置的温度检测模块1相连，检测出氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值；
CPU中央处理器21，相当于上述运算模块2的作用，作为运算和控制的核心部件；
RAM寄存器31和ROM寄存器32，用于存储检测出的氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及所述CPU中央处理器21计算出的温度校准电位器的阻值调整值；
数码管显示数据输出端口4，用于显示所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及所述CPU中央处理器21计算出的温度校准电位器的阻值调整值；
内部定时器5，所述CPU中央处理器21根据该定时器控制各个部件的协调工作。
其中图4是本发明实施例一种直发器温度校准装置的详细电路图。
参考图3，以下是对直发器中MCH进行温度校准的详细步骤流程：
S01、单片机上电初始化；
S02、检测氧化铝陶瓷发热片MCH的常温阻值，进行A/D模数转换，并查表求得MCH的常温阻值；
S03、检测温度校准电位器的实际阻值，进行A/D模数转换，并查表求得温度校准电位器的实际阻值；
S04、根据所述氧化铝陶瓷发热片(MCH)的常温阻值(参数1)和温度校准电位器的实际阻值(参数2)，利用氧化铝陶瓷发热片其自身的R/T正温度系数特性进行逻辑运算处理，求得氧化铝陶瓷发热片恒温在不同温度(高档和低档)时，温度校准电位器的阻值调整值(参数3)；
S05、将氧化铝陶瓷发热片MCH的常温阻值调整成个、十、百位，并送寄存器待加载；
S06、将温度校准电位器的实际阻值(参数2)调整成个、十、百位，并送寄存器待加载；
S07、将温度校准电位器的阻值调整值(参数3)调整成个、十、百位，并送寄存器待加载，数码显示管显示寄存器中的三个参数值；
调试人员只需将校准电位器的阻值(参数2)，调到与校准电位器的应该要调整的阻值(参数3)，就可以完成调试。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (6)

1、一种直发器温度校准装置，其特征在于包括：
电阻值检测模块，用于检测出氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值；
运算模块，用于根据所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，并根据氧化铝陶瓷发热片其自身温度与阻值正温度系数特性的比值，进行逻辑运算处理，求得氧化铝陶瓷发热片恒温在不同温度时，温度校准电位器的阻值调整值；
显示模块，用于显示所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及温度校准电位器的阻值调整值。
2、如权利要求1所述的直发器温度校准装置，其特征在于，所述温度检测模块和运算模块均设置在单片机中。
3、如权利要求2所述的直发器温度校准装置，其特征在于，所述显示模块包括寄存器和数码显示管，所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值、温度校准电位器的实际阻值以及温度校准电位器的阻值调整值存储在所述寄存器中，并通过数码显示管显示出来。
4、一种直发器温度校准方法，其特征在于包括以下步骤：
检测出氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值；
根据所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，并根据氧化铝陶瓷发热片其自身温度与阻值正温度系数特性的比值，进行逻辑运算处理，求得氧化铝陶瓷发热片恒温在不同温度时，温度校准电位器的阻值调整值；
显示所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值，以及温度校准电位器的阻值调整值。
5、如权利要求4所述的直发器温度校准方法，其特征在于，所述氧化铝陶瓷发热片的常温阻值、温度校准电位器的实际阻值以及温度校准电位器的阻值调整值存储在所述寄存器中，并通过数码显示管显示出来。
6、如权利要求4所述的直发器温度校准方法，其特征在于，所述逻辑运算处理是根据氧化铝陶瓷发热片其自身的R/T正温度系数特性来进行运算的。
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