CN101630482B - 显示装置、其驱动方法、以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示装置、该显示装置的驱动方法以及电子设备。本发明的目的是通过防止发生亮点来提高产率，以提供一种具有高显示性能的显示装置及其驱动方法。具有不同极性的第一和第二开关元件直列地配置在供给发光元件的电源线和具有等于或低于发光元件的阈值电压的电位的电源线之间，并且发光元件中的一个电极连接到上述两个开关元件的连接点。当等于或高于发光元件的阈值电压的电位不管第一开关元件的开或关而施加到发光元件时，通过开第二开关元件而使施加到发光元件的电位低于阈值，以防止发生亮点。

Description

显示装置、其驱动方法、以及电子设备
本申请是申请号为200610004670.6，申请日为2006年1月26日的发明名称为“显示装置、其驱动方法、以及电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及有源矩阵型显示装置和其驱动方法。本发明尤其涉及在每个像素中具有如薄膜晶体管(以下记为TFT)等的开关元件和发光元件的显示装置及其驱动方法。再有，本发明还涉及使用了该显示装置及其驱动方法的电子设备。
背景技术
近年来，形成TFT的技术有了大幅度的进展，并推进了有源矩阵型显示装置的应用开发。特别是，由于采用多晶硅膜作为活性层的TFT具有比采用常规非晶硅膜的TFT更高的场效应迁移率(mobility)，因此可以高速工作。其结果，通过利用形成在与形成有像素的同一衬底上的由TFT形成的驱动电路而可以控制像素。在如下显示装置中，即，由TFT构成的各种电路形成在与形成有像素的同一衬底上，可以实现各种优点如降低制造成本、小型化、提高成品率以及产量。
作为显示装置的每个像素所具有的显示元件，具有电致发光元件(以下记为EL元件)即发光元件的有源矩阵型EL显示装置被积极地研究。EL显示装置也被称为有机EL显示器(OELD：Organic EL Display)或有机发光二极管(OLED：Organic Light Emitting Diode)。
一般来说，EL元件的发光亮度和流过EL元件的电流值形成比例关系，因此，在EL元件用作显示元件的EL显示装置中，发光亮度由电流值所控制。此外，还有如下驱动方法：发光亮度由电流流过EL元件的时间所控制，其中，流过EL元件的电流值是固定的。
由于EL元件的发光亮度和流过EL元件的电流值形成比例关系，因此，在EL元件用作显示元件的EL显示装置中，当电源线通过开关元件而连接到EL元件时，开关元件的关(OFF)电流成为问题。解决了上述问题的是专利文件1所记载的发明。
(专利文件1)日本专利公开NO.2002-323873
当某个像素不管视频信号而一直发光，即，发生一个亮点时，显示装置就大致成为不良品。与此相反，当某个像素不管视频信号而一直不发光，即发生暗点时，若只发生几个暗点，显示装置就不成为不良品。
此外，发生亮点的原因之一如下：在直列连接于EL元件的TFT中的源和漏之间发生短路，其结果，TFT的源电极和漏电极两者中的一个端子的电位与TFT的源电极和漏电极两者中的另一个端子的电位相同，从而，EL元件不管TFT的栅电极的电位而一直发光。
发明内容
本发明的目的是解决上述问题，即使在直列连接于EL元件的TFT中的源和漏之间发生短路，也不发生亮点而发生暗点，以提高良品率。
本发明是一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括：复数像素；形成在每个像素中的发光元件以及决定发光亮度的第一TFT、具有与第一TFT相反沟道型的第二TFT、以及电源线，其中，电源线通过第一TFT连接于发光元件中的一个电极；发光元件中的一个电极和第一TFT的接触点通过第二TFT连接于具有如下电位的布线，即，使发光元件的一个电极和另一个电极之间的电位差低于发光元件的阈值电压地来设定该电位；当在第一TFT的源和漏之间发生短路并且发光元件的阳极电位成为电源线电位而发生亮点的时候，开(ON)第二TFT，以便使亮点成为暗点。例如，通过开第二TFT而使发光元件的一个电极和另一个电极之间的电位差低于发光元件的阈值电压，因此，发光元件就不会发光。这样，可以使发生亮点的像素成为暗点。
连接第二TFT的低电位，只要是使发光元件的一个电极和另一个电极之间的电位差低于发光元件的阈值电压的电位，就可以是任何电位。
发光元件的阈值电压是指当电流开始流过发光元件时施加到该发光元件的电位。发光元件通过施加等于或高于阈值电压的电位而使电流流动从而实现发光。
下面，将描述使用上述驱动方法进行显示的显示装置的结构。
(第一结构)
本发明是一种显示装置，它包括第一布线和复数像素，复数像素的每个像素又包括：第一开关元件；第二开关元件；具有一对电极的电容元件；具有一对电极的发光元件，其中，第一布线通过第一开关元件连接于发光元件中的一个电极并通过第一开关元件和第二开关元件连接于发光元件中的另一个电极；第一和第二开关元件的开或关被由电容元件保持的电位控制；当第一开关元件开着的时候，第二开关元件关着；当第一开关元件关着的时候，第二开关元件开着。
此外，连接于第一布线的电容元件中的一个端子，只要在工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。例如，可以连接于发光元件中的另一个电极，或者可以连接于其他布线。
(第二结构)
本发明是一种显示装置，它包括第一布线、第二布线和复数像素，复数像素的每个像素又包括：第一开关元件；第二开关元件；具有一对电极的电容元件；具有一对电极的发光元件，其中，第一布线通过第一开关元件连接于发光元件中的一个电极并通过第一开关元件和第二开关元件连接于第二布线；第一和第二开关元件的开或关被由电容元件保持的电位控制；当第一开关元件开着的时候，第二开关元件关着；当第一开关元件关着的时候，第二开关元件开着。
此外，连接于第一布线的电容元件中的一个端子，只要在工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。例如，可以连接于发光元件中的另一个电极，或者可以连接于其他布线。
(第三结构)
本发明是一种显示装置，它包括第一布线、第二布线、第三布线和复数像素，复数像素的每个像素又包括：第一开关元件；第二开关元件；第三开关元件；具有一对电极的电容元件；具有一对电极的发光元件，其中，第一布线通过第一开关元件连接于发光元件中的一个电极并通过第一开关元件和第二开关元件连接于发光元件中的另一个电极；控制第一和第二开关元件的开或关的电极通过电容元件中的一个电极和开着的第三开关元件而连接于第二布线；电容元件中的另一个电极连接于第一布线；控制第三开关元件的开或关的电极连接于第三布线；当第一开关元件开着的时候，第二开关元件关着；当第一开关元件关着的时候，第二开关元件开着。
此外，连接于第一布线的电容元件中的一个端子，只要在工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。例如，可以连接于发光元件中的另一个电极，或者可以连接于其他布线。
(第四结构)
本发明是一种显示装置，它包括第一布线、第二布线、第三布线、第四布线和复数像素，复数像素的每个像素又包括：第一开关元件；第二开关元件；第三开关元件；具有一对电极的电容元件；具有一对电极的发光元件，其中，第一布线通过第一开关元件连接于发光元件中的一个电极并通过第一开关元件和第二开关元件连接于第四布线；控制第一和第二开关元件的开或关的电极通过电容元件中的一个电极和开着的第三开关元件而连接于第二布线；电容元件中的另一个电极连接于第一布线；控制第三开关元件的开或关的电极连接于第三布线；当第一开关元件开着的时候，第二开关元件关着；当第一开关元件关着的时候，第二开关元件开着。
此外，连接于第一布线的电容元件中的一个端子，只要在工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。例如，可以连接于发光元件中的另一个电极，或者可以连接于其他布线。
(第五结构)
作为上述第一结构的开关元件，可以使用晶体管。下文将描述当晶体管用作开关元件时的结构。
本发明是一种显示装置，它包括第一布线和复数像素，复数像素的每个像素又包括：第一晶体管；第二晶体管；具有一对电极的发光元件；具有一对电极的电容元件，其中，第一布线连接于第一晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；第一晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个连接于发光元件中的一个电极和第二晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；第二晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于发光元件中的另一个电极；第一晶体管中的栅电极和第二晶体管中的栅电极连接于电容元件中的一个电极；电容元件中的另一个电极连接于第一布线；当第一晶体管开着的时候，第二晶体管关着；当第一晶体管关着的时候，第二晶体管开着。
此外，连接于第一布线的电容元件中的一个端子，只要在工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。例如，可以连接于发光元件中的另一个电极，或者可以连接于其他布线。
(第六结构)
作为上述第二结构的开关元件，可以使用晶体管。下文将描述当晶体管用作开关元件时的结构。
本发明是一种显示装置，它包括第一布线、第二布线和复数像素，复数像素的每个像素又包括：第一晶体管；第二晶体管；具有一对电极的发光元件；具有一对电极的电容元件，其中，第一布线连接于第一晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；第一晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个连接于发光元件中的一个电极和第二晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；第二晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于第二布线；第一晶体管中的栅电极和第二晶体管中的栅电极连接于电容元件中的一个电极；电容元件中的另一个电极连接于第一布线；当第一晶体管开着的时候，第二晶体管关着；当第一晶体管关着的时候，第二晶体管开着。
此外，连接于第一布线的电容元件中的一个端子，只要在工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。例如，可以连接于发光元件中的另一个电极，或者可以连接于其他布线。
(第七结构)
作为上述第三结构的开关元件，可以使用晶体管。下文将描述当晶体管用作开关元件时的结构。
本发明是一种显示装置，它包括第一布线、第二布线、第三布线和复数像素，复数像素的每个像素又包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；具有一对电极的电容元件；具有一对电极的发光元件，其中，第一布线连接于第一晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；第一晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个连接于发光元件中的一个电极和第二晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；第二晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于发光元件中的另一个电极；第一晶体管中的栅电极和第二晶体管中的栅电极连接于电容元件中的一个电极和第三晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；电容元件中的另一个电极连接于第一布线；第三晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于第二布线；第三晶体管中的栅电极连接于第三布线；当第一晶体管开着的时候，第二晶体管关着；当第一晶体管关着的时候，第二晶体管开着。
此外，连接于第一布线的电容元件中的一个端子，只要在工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。例如，可以连接于发光元件中的另一个电极，或者可以连接于其他布线。
(第八结构)
作为上述第四结构的开关元件，可以使用晶体管。下文将描述当晶体管用作开关元件时的结构。
本发明是一种显示装置，它包括第一布线、第二布线、第三布线、第四布线和复数像素，复数像素的每个像素又包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；具有一对电极的电容元件；具有一对电极的发光元件，其中，第一布线连接于第一晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；第一晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个连接于发光元件中的一个电极和第二晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；第二晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于第四布线；第一晶体管中的栅电极和第二晶体管中的栅电极连接于电容元件中的一个电极和第三晶体管的源电极和漏电极两者中的一个端子；电容元件中的另一个电极连接于第一布线；第三晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于第二布线；第三晶体管中的栅电极连接于第三布线；当第一晶体管开着的时候，第二晶体管关着；当第一晶体管关着的时候，第二晶体管开着。
此外，连接于第一布线的电容元件中的一个端子，只要在工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。例如，可以连接于发光元件中的另一个电极，或者可以连接于其他布线。
注意，晶体管开着是指如下状态：超过阈值的电压被施加到晶体管的栅和源之间而电流在源和漏之间流过。相反，晶体管关着是指如下状态：低于阈值的电压被施加到晶体管的栅和源之间而电流不在源和漏之间流过。
在本发明中，术语“连接”具有与电连接相同的意思。因此，在本发明的结构中，可以设有其他元件(例如，开关、晶体管、二极管、电容器等的元件)，上述元件不仅实现指定的连接关系而且还实现电连接。
第五、六、七和八的结构虽然示出晶体管用作开关元件的一个例子，但是本发明不局限于此。作为开关元件，只要是能够控制电流的元件，就可以使用电开关或机械开关。作为开关元件，还可以使用二极管，或者可以使用组合二极管和晶体管的逻辑电路。
此外，本发明不限定适用于开关元件的晶体管种类，使用以非晶硅、多晶硅为代表的非单晶半导体膜的TFT；使用半导体衬底或SOI衬底形成的MOS型晶体管；接合型晶体管；双极晶体管；使用有机半导体或碳纳米管的晶体管；以及其他晶体管都可以用作开关元件。此外，对于形成晶体管的衬底种类也没有限制，可以任意地使用单结晶衬底、SOI衬底、石英衬底、玻璃衬底、树脂衬底等。
晶体管只是作为开关元件工作的，因此，其极性(导电型)没有特别的限定，即可以使用N型晶体管，也可以使用P型晶体管。注意，在希望关电流小的情况下，优选使用具有关电流小这种特性的晶体管。如下晶体管可以作为关电流小的晶体管，即，赋予导电型的杂质元素添加到沟道形成区域和源或漏之间形成低浓度杂质区域(被称为LDD区域)。
当晶体管在其源电位近于低电位侧电源的状态下工作时，N型晶体管优选地用作上述晶体管。与此相反，当晶体管在其源电位近于高电位侧电源的状态下工作时，P型晶体管优选地用作上述晶体管。通过采用如上所述的结构，可以使晶体管的栅和源之间的电压的绝对值为大，从而，上述晶体管可以很容易地作为开关工作。此外，还可以使用N型晶体管和P型晶体管两者作为CMOS型开关元件。
本发明可以适用于以流过一对电极之间的电流和亮度形成比例关系的元件为发光元件的显示装置。例如，可以适用于以EL元件或发光二极管为发光元件的显示装置。
在本发明的每个像素中，发光元件中的一个电极通过第一开关元件连接于电源线，并且，发光元件中的一个电极通过第二开关元件连接于发光元件中的另一个电极或如下布线，即，与发光元件中的另一个电极之间的电位差低于发光元件的阈值电压的布线。因此，当不管第一开关元件的开或关而等于或高于发光元件的阈值的电位供应到发光元件的电极之间使发光元件发光时，通过开第二开关元件而使施加到发光元件中的一个电极的电位和施加到发光元件中的另一个电极的电位之间的差异为低于发光元件的阈值电压，即发光元件不发光，以实现不管视频信号而发生暗点。因此，可以减少不良率，从而可以提高成品率和产量，并且可以提供能够进行高清晰显示的显示装置。
本发明使用视频信号进行上述工作，因此不需要有复杂的驱动电路结构。
此外，本发明以电压的信号作为图像信号，从而可以使将图像信号输入到像素的驱动电路的结构简单化。
此外，在本发明的第五、六、七和八结构中，设在每个像素的晶体管只是起着作为开关元件的作用，从而可以减少显示装置的消费电力。
附图说明
图1是表示本发明的像素结构的电路图；
图2是表示本发明的像素结构的电路图；
图3是表示本发明的像素结构的电路图；
图4是表示本发明的像素结构的电路图；
图5表示本发明的像素的定时图；
图6表示本发明的像素的定时图；
图7表示本发明的像素的定时图；
图8表示本发明的像素的定时图；
图9是表示本发明实施例1的图；
图10A和10B是表示本发明实施例2的图；
图11A至11C是表示本发明实施例3的图；
图12是表示本发明实施例4的图；以及，
图13A至13H表示本发明制造的电子设备的例子。
最佳实施方案模式
下文将详细描述本发明的实施方案模式。注意，本发明可以以多种不同形式被执行，并且只要是同一领域工作人员，就很容易了解一个事实，即，可以将本发明的形式和内容更改而不脱离本发明的宗旨和范围。所以，对本发明的解释并不局限于本实施方案模式中所记载的内容。
实施方案模式1
以下将参照图1描述上述第五结构的显示装置的像素结构。
在图1中，101和102表示TFT；103，电容元件；104，发光元件；105，发光元件104的一对电极中的另一个电极，即，相对电极；106，电源线。
每个像素具有电容元件103、发光元件104，以及TFT 101和102。
电源线106连接于TFT 101的源电极和漏电极两者中的一个端子；TFT 101的源电极和漏电极两者中的另一个连接于发光元件104中的一个电极和TFT102的源电极和漏电极两者中的一个端子；TFT 102的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于发光元件104中的另一个电极；TFT 101的栅电极和TFT102的栅电极连接于电容元件103中的一个电极；电容元件103中的另一个电极连接于电源线106。
TFT 101、TFT 102和发光元件104中的一个电极的连接点为节点Vm 107。
电源线106和发光元件104中的另一个电极之间的电位差设定为高于发光元件104的阈值电压。
以下将参照图5的定时图来描述图1所示的像素的驱动方法。
首先描述不良工作，本发明就对上述不良工作很有效果。
上述不良工作是指如下状态：电源线106的电位不管TFT 101的开或关而施加到节点Vm 107，或者，一种电位被施加，上述电位使节点Vm 107和发光元件中的另一个电极之间的电位差等于或高于发光元件的阈值电压。换言之，上述不良工作是指在TFT 101的源和漏之间发生短路的时候，等等。
图5表示在TFT 101的源和漏之间发生短路时的工作状态。注意，电源线106的电位高于相对电极105的电位。
周期T1是指将开TFT 101而关TFT 102的信号分别施加到TFT 101和TFT 102的栅的时候。在此，电源线106的电位供应到节点Vm 107。因此，节点Vm 107和发光元件104中的另一个电极之间的电位差变成等于或高于发光元件104的阈值电压，所以发光元件104就发光。
周期T2是指将关TFT 101而开TFT 102的信号分别施加到TFT 101和TFT 102的栅的时候。在此，节点Vm 107电连接于发光元件104中的另一个电极。因此，节点Vm 107和发光元件104中的另一个电极之间的电位差变成低于发光元件104的阈值电压，所以发光元件104就不发光。
当在TFT 101的源和漏之间发生短路，且电源线106的电位供应到节点Vm 107时，通过施加关TFT 101而开TFT 102的栅电压，可以使亮点成为暗点。
在图1中，TFT 101是P型TFT，而TFT 102是N型TFT，但是只要TFT101和102的极性是相反的，就对各个TFT的极性没有限制。
注意，在图1中，电容元件103中的另一个电极连接于电源线106。但是，电容元件103中的另一个电极，只要当TFT 101和102工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。
注意，数字灰度等级方式和模拟灰度等级方式都可以适用于表现显示装置的灰度等级的驱动方式。数字灰度等级方式通过数字控制来开关发光元件，以表现灰度等级。另一方面，模拟方式包括对发光元件的发光亮度进行模拟控制的方式。作为本发明的显示装置的驱动方法，适用所述模拟方式更有效果。下文将描述其理由。
当采用模拟方式，即对发光元件的发光亮度进行模拟控制时，将模拟的电位输入到TFT 101的栅中，并且使TFT 101在饱和区域工作，以对发光元件的发光亮度进行模拟控制。在此，若TFT 101短路，即使控制TFT 101的栅电位也对发光亮度不能进行控制。换言之，即使当希望以低亮度发光时也成为高于所希望的亮度，因此，其像素成为亮点。然而，通过采用本发明的结构，即使当TFT 101短路的时候，也可以通过输入开TFT 102的信号，使其像素一直为暗点。
实施方案模式2
以下将参照图2描述上述第六结构的显示装置的像素结构。
在图2中，201和202表示TFT；203，电容元件；204，发光元件；205，发光元件204的一对电极中的另一个电极，即，相对电极；206和207，电源线。
每个像素具有电容元件203、发光元件204，以及TFT 201和202。
电源线206连接于TFT 201的源电极和漏电极两者中的一个端子；TFT 201的源电极和漏电极两者中的另一个连接于发光元件204中的一个电极和TFT202的源电极和漏电极两者中的一个端子；TFT 202的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于电源线207；TFT 201的栅电极和TFT 202的栅电极连接于电容元件203中的一个电极；电容元件203中的另一个电极连接于电源线206。
TFT 201、TFT 202和发光元件204中的一个电极的连接点为节点Vm 208。
电源线206和发光元件204中的另一个电极之间的电位差设定为高于发光元件204的阈值电压，而电源线207和发光元件204中的另一个电极之间的电位差设定为低于发光元件204的阈值电压。
以下将参照图6的定时图来描述图2所示的像素的驱动方法。
首先描述不良工作，本发明就对上述不良工作很有效果。
上述不良工作是指如下状态：电源线206的电位不管TFT 201的开或关而施加到节点Vm 208的状态，或者，一种电位被施加的状态，上述电位使节点Vm 208和发光元件中的另一个电极之间的电位差等于或高于发光元件的阈值电压。换言之，上述不良工作是指在TFT 201的源和漏之间发生短路的时候，等等。
图6表示在TFT 201的源和漏之间发生短路时的工作状态。注意，电源线206的电位高于电源线207的电位。
周期T1是指将开TFT 201而关TFT 202的信号分别施加到TFT 201和TFT 202的栅的时候。在此，电源线206的电位供应到节点Vm 208。因此，节点Vm 208和发光元件204中的另一个电极之间的电位差变成等于或高于发光元件204的阈值电压，所以发光元件204就发光。
周期T2是指将关TFT 201而开TFT 202的信号分别施加到TFT 201和TFT 202的栅的时候。在此，节点Vm 208电连接于电源线207。因此，节点Vm 208和发光元件204中的另一个电极之间的电位差变成低于发光元件204的阈值电压，所以发光元件204就不发光。
当在TFT 201的源和漏之间发生短路，且电源线206的电位供应到节点Vm 208时，通过施加关TFT 201而开TFT 202的栅电压，可以使亮点成为暗点。
在图2中，TFT 201是P型TFT，而TFT 202是N型TFT，但是只要TFT201和202的极性是相反的，就对各个TFT的极性没有限制。
注意，在图2中，电容元件203中的另一个电极连接于电源线206。但是，电容元件203中的另一个电极，只要当TFT 201和202工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。
实施方案模式3
以下将参照图3描述上述第七结构的显示装置的像素结构。
在图3中，301、302和303表示TFT；304，电容元件；305，发光元件；306，发光元件305的一对电极中的另一个电极，即，相对电极；307，电源线；308，源信号线；309，栅选择线。
每个像素具有电容元件304、发光元件305，以及TFT 301、302和303。
电源线307连接于TFT 301的源电极和漏电极两者中的一个端子；TFT 301的源电极和漏电极两者中的另一个连接于发光元件305中的一个电极和TFT302的源电极和漏电极两者中的一个端子；TFT 302的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于发光元件305中的另一个电极；TFT 301的栅电极和TFT302的栅电极连接于电容元件304中的一个电极和TFT 303的源电极和漏电极两者中的一个端子；电容元件304中的另一个电极连接于电源线307；TFT 303的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于源信号线308；TFT 303的栅电极连接于栅选择线309。
TFT 301、TFT 302和发光元件305中的一个电极的连接点为节点Vm 310。
电源线307和发光元件305中的另一个电极之间的电位差设定为高于发光元件305的阈值电压。
以下将参照图7的定时图来描述图3所示的像素的驱动方法。
首先描述不良工作，本发明就对上述不良工作很有效果。
上述不良工作是指如下状态：电源线307的电位不管TFT 301的开或关而施加到节点Vm 310的状态，或者，一种电位被施加的状态，上述电位使节点Vm 310和发光元件中的另一个电极之间的电位差等于或高于发光元件的阈值电压。换言之，上述不良工作是指在TFT 301的源和漏之间发生短路的时候，等等。
图7表示在TFT 301的源和漏之间发生短路时的工作状态。注意，电源线307的电位高于相对电极306的电位。
周期T1是指通过开着的TFT 303从源信号线308将开TFT 301而关TFT302的信号分别施加到TFT 301和TFT 302的栅的时候。在此，电源线307的电位供应到节点Vm 310。因此，节点Vm 310和发光元件305中的另一个电极之间的电位差变成等于或高于发光元件305的阈值电压，所以发光元件305就发光。
周期T2是指通过开着的TFT 303从源信号线308将关TFT 301而开TFT302的信号分别施加到TFT 301和TFT 302的栅的时候。在此，节点Vm 310电连接于发光元件305中的另一个电极。因此，节点Vm 310和发光元件305中的另一个电极之间的电位差变成低于发光元件305的阈值电压，所以发光元件305就不发光。
当在TFT 301的源和漏之间发生短路，且电源线307的电位供应到节点Vm 310时，通过施加关TFT 301而开TFT 302的栅电压，可以使亮点成为暗点。
在图3中，TFT 301是P型TFT；TFT 302是N型TFT；TFT 303是N型TFT，但是只要TFT 301和302的极性是相反的，就对各个TFT的极性没有限制。
注意，在图3中，电容元件304中的另一个电极连接于电源线307。但是，电容元件304中的另一个电极，只要当TFT 301和302工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。
实施方案模式4
以下将参照图4描述上述第八结构的显示装置的像素结构。
在图4中，401、402和403表示TFT；404，电容元件；405，发光元件；406，发光元件405的一对电极中的另一个电极，即，相对电极；407和410，电源线；408，源信号线；409，栅选择线。
每个像素具有电容元件404、发光元件405，以及TFT 401、402和403。
电源线407连接于TFT 401的源电极和漏电极两者中的一个端子；TFT 401的源电极和漏电极两者中的另一个连接于发光元件405中的一个电极和TFT402的源电极和漏电极两者中的一个端子；TFT 402的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于电源线410；TFT 401的栅电极和TFT 402的栅电极连接于电容元件404中的一个电极和TFT 403的源电极和漏电极两者中的一个端子；电容元件404中的另一个电极连接于电源线407；TFT 403的源电极和漏电极两者中的另一个端子连接于源信号线408；TFT 403的栅电极连接于栅选择线409。
TFT 401、TFT 402和发光元件405中的一个电极的连接点为节点Vm 411。
电源线407和发光元件405中的另一个电极之间的电位差设定为高于发光元件405的阈值电压，而电源线410和发光元件405中的另一个电极之间的电位差设定为低于发光元件405的阈值电压。
以下将参照图8的定时图来描述图4所示的像素的驱动方法。
首先描述不良工作，本发明就对上述不良工作很有效果。
上述不良工作是指如下状态：电源线407的电位不管TFT 401的开或关而施加到节点Vm 411的状态，或者，一种电位施加到节点Vm 411的状态，上述电位使节点Vm 411和发光元件405中的另一个电极之间的电位差等于或高于发光元件的阈值电压。换言之，上述不良工作是指在TFT 401的源和漏之间发生短路的时候，等等。
图8表示在TFT 401的源和漏之间发生短路时的工作状态。注意，电源线407的电位高于电源线410的电位。
周期T1是指通过开着的TFT 403从源信号线408将开TFT 401而关TFT402的信号分别施加到TFT 401和TFT 402的栅的时候。在此，电源线407的电位供应到节点Vm 411。因此，节点Vm 411和发光元件405中的另一个电极之间的电位差变成等于或高于发光元件405的阈值电压，所以发光元件405就发光。
周期T2是指通过开着的TFT 403从源信号线408将关TFT 401而开TFT402的信号分别施加到TFT 401和TFT 402的栅的时候。在此，节点Vm 411电连接于电源线410。因此，节点Vm 411和发光元件405中的另一个电极之间的电位差变成低于发光元件405的阈值电压，所以发光元件405就不发光。
当在TFT 401的源和漏之间发生短路，且电源线407的电位供应到节点Vm 411时，通过施加关TFT 401而开TFT 402的栅电压，可以使亮点成为暗点。
在图4中，TFT 401是P型TFT；TFT 402是N型TFT；TFT 403是N型TFT，但是只要TFT 402相对于TFT 401的极性具有别的极性(即，当TFT 401是P型时TFT 402是N型，相反，当TFT 401是N型时TFT 402是P型)，就对各个TFT的极性没有限制。
注意，在图4中，电容元件404中的另一个电极连接于电源线407。但是，电容元件404中的另一个电极，只要当TFT 401和402工作时被保持为固定的电位，就可以连接于任何地方。
在实施方案模式1、2、3和4中，参照图1、2、3和4描述了TFT的配置。但是在本发明中，TFT的配置不局限于图1、2、3和4所示的配置。只要可以如图5、6、7和8所示的定时图那样使像素工作，TFT就可以配置在任何地方。例如，可以再增加TFT，以提供如数字时分灰度等级方式的进行消除工作的消除用TFT。
此外，作为判断像素是否发生亮点的方法，可以通过只在每个像素和每几个像素中的发光元件发光时的电流值来检测，或者也可以通过目视或使用检测亮点的装置来检测。检测亮点的方法不受限制。
在本发明中，将信号输入到像素的驱动电路可以使用公知的驱动电路。
实施例1
在本实施例中，将对具有最佳实施方案模式中的图3和4所示的像素结构的显示装置进行描述。图9表示显示装置的结构例子。上述显示装置包括显示部905、以及分别设在显示部905周围的源信号线驱动电路903、写入用栅选择线驱动电路904和消除用栅选择线驱动电路907。在上述显示部905中，复数像素900配置为具有m行(m是自然数)n列(n是自然数)的矩阵状态。以S1到Sn表示的源信号线901对于像素900的各列相应地配置，以G1到Gm表示的栅选择线902对于像素900的各行相应地配置。
图3中的源信号线308相当于图9中的源信号线901。图3中的栅选择线309相当于图9中的栅选择线902。图4中的源信号线408相当于图9中的源信号线901。图4中的栅选择线409相当于图9中的栅选择线902。注意，图3和4所示的其他布线，未在图9中示出。
图9所示的显示装置采用如下驱动方法：将一个栅选择周期分成写入周期和消除周期，以便可以由一个栅选择线902实现写入和消除。
注意，源信号线驱动电路903、写入用栅选择线驱动电路904和消除用栅选择线驱动电路907的结构可以使用公知的结构。
实施例2
下文将描述实际制造本发明的显示装置的例子。
图10A和10B是显示装置的像素的截面图，上述显示装置是在最佳实施方案模式中的实施方案模式1、2、3和4所示的显示装置。以下将描述TFT用作配置在实施方案模式1、2、3和4所示的像素中的晶体管的例子。
在图10A和10B中，1000表示衬底；1001，基底膜；1002，半导体层；1102，半导体层；1003，第一绝缘膜；1004，栅电极；1104，电极；1005，第二绝缘膜；1006，电极；1007，第一电极；1008，第3绝缘膜；1009，发光层；1010，第二电极。1100表示TFT；1011，发光元件；1101，电容元件。
在图10A和10B中，代表性地表示出TFT 1100、电容元件1101和发光元件1011作为形成像素的元件。
下文将描述图10A的结构。
衬底1000可以使用玻璃衬底如钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃；石英衬底或陶瓷衬底等，也可以使用表面设置了绝缘膜的包括不锈钢衬底的金属衬底或半导体衬底。衬底1000还可以使用由柔性合成树脂如塑料形成的衬底。通过应用抛光如CMP(化学机械抛光)法，衬底1000表面可被平整。
基底膜1001可以使用绝缘膜如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。基底膜1001可以防止包含在衬底1000中的碱金属如Na或碱土金属扩散到半导体层1002而影响TFT 1100的特性。在图10A和10B中，基底膜1001虽然由单层形成，但还可以采用两层或更多的叠层。注意，当杂质的扩散不成为太大的问题时如使用石英衬底时，基底膜1001不是必需的。
半导体层1002和1102可以使用进行了选择性蚀刻的晶体半导体膜或非晶体半导体膜。通过使非晶体半导体膜结晶化而可以获得晶体半导体膜。作为结晶化的方法，可以使用激光结晶化、采用RTA(快速热退火，RapidThermal Annealing)或炉内退火的热结晶化法或使用促使结晶化的金属元素的热结晶化等。半导体层1002具有沟道形成区域和赋予导电型的杂质元素被添加的一对杂质区域。注意，可以在沟道形成区域和一对杂质区域之间提供杂质以低浓度被添加的杂质区域。半导体层1102还可以采用赋予导电型的杂质元素被添加到整个半导体层1102中的结构。
第一绝缘膜1003可以使用氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等的单层或叠层形成。
栅电极1004和电极1104可以由单层或叠层形成。上述单层和叠层由从Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr和Nd中选择出来的一种元素，或包括上述几种元素的合金或化合物形成。
TFT 1100由半导体层1002、栅电极1004、介于半导体层1002和栅电极1004之间的第一绝缘膜1003形成。在图10A和10B中，虽然只表示连接于发光元件1011中的第一电极1007的TFT 1100作为形成像素的TFT，但是还可以采用具有复数TFT的结构。此外，本实施例虽然以顶栅型晶体管表示TFT 1100，但是也可以采用只在半导体层下有栅电极的底栅型晶体管或在半导体层上下都有栅电极的双栅型晶体管。
电容元件1101通过以第一绝缘膜1003作为电介质并以中间夹第一绝缘膜1003互相面对的半导体层1102和电极1104作为一对电极而被形成。注意，图10A和10B表示如下例子：作为像素具有的电容元件，其一对电极之一用作与TFT 1100的半导体层1002一起形成的半导体层1102，而另一电极用作与TFT 1100的栅电极1004一起形成的电极1104。然而，电容元件不局限于上述结构。
第二绝缘膜1005可以使用由无机绝缘膜或有机绝缘膜形成的单层或叠层。作为无机绝缘膜，可以使用由CVD法形成的氧化硅膜或由SOG(旋涂玻璃、Spin On Glass)法涂敷的氧化硅膜等。作为有机绝缘膜，可以使用如下膜：聚酰亚胺、聚酰胺、BCB(苯并环丁烯)、丙烯酸、正型光敏有机树脂或负型光敏感有机树脂。
此外，第二绝缘膜1005还可以使用包含硅氧烷的材料。注意，硅氧烷是具有Si(硅)-O(氧)键的骨架结构的材料。可以使用至少包含氢的有机基团(例如烷基、芳香族碳化氢)作为取代基。也可以使用氟基团作为取代基。此外，作为取代基，还可以使用至少包含氢的有机基团和氟基团。
电极1006可以由单层或叠层形成。上述单层或叠层由从Al、Ni、C、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au和Mn中选择出来的一种元素，或包含上述几种元素的合金形成。
第一电极1007和第二电极1010两者之一，或者双方都可以由透明电极形成。作为透明电极，可以使用氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、添加了镓的氧化锌(GZO)或其他透光氧化物导电材料。或者，还可以使用包含氧化硅的氧化铟锡、包含氧化钛的氧化铟锡、包含氧化钼的氧化铟锡、添加了钛、钼或镓的ITO、或以添加了2-20wt％的氧化锌(ZnO)的包含氧化硅的氧化铟为靶而形成的材料。
第一电极1007和第二电极1010两者中的另一个可以由不透光的材料形成。例如，可以使用碱金属如Li、Cs；碱土金属如Mg、Ca、Sr；包含上述金属的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)；以及上述金属的化合物(CaF2、CaN)，以及稀土金属如Yb、Er。
第3绝缘膜1008可以由与第二绝缘膜1005相同的材料形成。第3绝缘膜1008形成于第一电极1007的周围并覆盖第一电极1007的端部。第3绝缘膜1008起着隔离相邻像素之间的发光层1009的作用。
发光层1009由单层或叠层形成。当发光层1009由叠层形成时，这些层从载流子输运性能的角度可以分类成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。注意，各层之间的边界不必清晰，有时因为形成各层的材料部分混合，所以界面可能不清晰。对于各层，可以使用有机材料或无机材料。作为有机材料，可以使用高分子量、中等分子量、和低分子量材料中的任何一种。
发光元件1011由发光层1009、第一电极1007和第二电极1010形成，上述发光层1009介于上述两个电极之间。第一电极1007和第二电极1010两者之一相当于阳极，而另一个相当于阴极。在对发光元件1011的阳极和阴极之间施加高于其阈值电压的正向偏压时，电流从阳极流到阴极，上述发光元件1011就发光。
下文将描述图10B的结构。注意，与图10A相同的部分以相同符号表示，并且省略其描述。
图10B表示如下结构：绝缘膜1108介于图10A所示的第二绝缘膜1005和第三绝缘膜1008之间。
提供在绝缘膜1108的接触孔中，电极1006通过电极1106连接于第一电极1007。
绝缘膜1108可以具有与第二绝缘膜1005相同的结构。电极1106可以具有与电极1006相同的结构。
本实施例可以与最佳实施方案模式和实施例1自由地组合。
实施例3
本实施例将参照图11A至11C描述密封后的显示装置的结构。图11A是通过密封显示装置而形成的显示面板的顶视图。图11B和11C分别是按照图11A中的A’-A线切割的截面图。图11B和11C分别表示以不同方法进行密封的例子。
在图11A至11C中，具有复数像素的显示部1302设在衬底1301上，密封材料1306设为包围上述显示部的模式，并且，密封用材料1307被贴上。作为像素的结构，可以使用最佳实施方案模式、实施例1和2所述的结构。
在图11B所示的显示面板中，图11A中的密封用材料1307相当于相对衬底1321。透明的相对衬底1321通过以密封材料1306为贴接层而被贴接，从而，密闭空间1322由衬底1301、相对衬底1321和密封材料1306形成。彩色滤光片1320和保护上述彩色滤光片的保护膜1323设在相对衬底1321上。从配置在显示部1302的发光元件发射的光经由彩色滤光片1320而向外部发出。使用非活性树脂或液体等填充密闭空间1322。注意，作为填充密闭空间1322的树脂，可以使用分散有吸湿材料的透光树脂。此外，可以通过使密封材料1306和用于填充密闭空间1322的材料相同而同时进行相对衬底1321的贴接和显示部1302的密封。
图11C所示的显示面板中，图11A中的密封用材料1307相当于密封用材料1324。密封用材料1324通过以密封材料1306为贴接层而被贴接，从而，密闭空间1308由衬底1301、密封材料1306和密封用材料1324形成。将吸湿剂1309预先提供在密封用材料1324的凹部，上述吸湿剂起着如下作用：通过吸收水分、氧气等使密闭空间1308保持为干净的气氛，以便防止发光元件的劣化。细网状覆盖材料1310覆盖上述凹部。覆盖材料1310虽然可使空气和水分通过，但是不通过吸湿剂1309。注意，可以使用氮气或稀薄气体如氩气等填充密闭空间1308，而且只要是非活性的，也可以使用树脂或液体来填充。
将信号传到显示部1302等的输入端子部1311设在衬底1301上。图像信号等的信号通过FPC(柔性印刷电路)1312传到上述输入端子部1311。在输入端子部1311中，设在衬底1301上的布线通过分散有导电体的树脂(异方性导电树脂：ACF)电连接于设在FPC 1312上的布线。
将信号输入到显示部1302的驱动电路可以一体地设在形成有显示部1302的衬底1301上。首先使用IC芯片形成将信号输入到显示部1302的驱动电路，然后可以通过COG(玻璃上芯片、Chip On Glass)方式连接于衬底1301，或者可以使用TAB(卷带式自动结合、Tape Auto Bonding)或印刷衬底将IC芯片设在衬底1301上。
本发明可以与最佳实施方案模式、实施例1和2自由地组合。
实施例4
本发明可以适用于安装有将信号输入到显示面板的电路的显示模块。
图12表示组合显示面板1200和电路衬底1204的显示模块。
图12表示如下例子：控制电路1205和信号分割电路1206等形成在电路衬底1204上。形成在电路衬底1204上的电路不局限于此。只要是产生控制显示面板的信号的电路，就可以形成任何电路。
形成在电路衬底1204上的上述电路输出的信号由连接布线1207输入显示面板1200。
显示面板1200具有显示部1201、源信号线驱动电路1202和栅选择线驱动电路1203。显示面板1200的结构可以与实施例2等所示的结构相同。图12表示如下例子：源信号线驱动电路1202和栅选择线驱动电路1203形成在与形成有显示部1201相同的衬底上。然而，本发明的模块不局限于此。也可以是：只有栅选择线驱动电路形成在与形成有显示部相同的衬底上，而源信号线驱动电路可以形成在电路衬底上。源信号线驱动电路和栅选择线驱动电路双方都可以形成在电路衬底上。
通过安装如上所述的显示模块，可以形成各种电子设备的显示部。
本实施例可以与最佳实施方案模式和实施例1至3自由地组合。
实施例5
使用本发明的显示模块的电子设备包括如摄像机、数字照相机等的照相机、护目镜型显示器(头戴显示器)、导航系统、音频再现装置(汽车音响设备、音响设备等)、个人计算机、游戏机、便携式信息终端(移动计算机、手提电话、便携式游戏机、电子书等)、包括记录介质的图像再现装置等(更具体地说，可再现记录介质如数字通用盘(DVD)等的装置，并包括用于显示再现图像的显示器)。尤其是便携式信息终端有很多机会从倾斜方向看画面，所以视野角度的大小成为要点，因此，优选使用自发光型的显示装置。本发明特别对于以减少消费电力为重要课题的便携式信息设备有效果。
图13A至13H表示电子设备的具体例子。注意，这里示出的电子设备仅仅是一个例子，本发明的电子设备不局限于此。
图13A表示显示器，其包括外壳2001、支撑台2002、显示部2003、扬声器部2004、视频输入端子2005等。本发明制造的显示模块可以用于显示部2003。显示器包括用于显示信息的所有显示装置，如个人计算机、TV广播的接收、广告显示器。
图13B表示数字照相机，其包括主体2101、显示部2102、图像接收部分2103、操作键2104、外部连接口2105、操作开关2106等。本发明制造的显示模块可以用于显示部2102。
图13C表示个人计算机，其包括主体2201、外壳2202、显示部2203、键盘2204、外部连接口2205、点击鼠标2206等。本发明制造的显示模块可以用于显示部2203。
图13D表示移动计算机，其包括主体2301、显示部2302、开关2303、操作键2304、红外连接口2305等。本发明制造的显示模块可以用于显示部2302。
图13E表示包括记录介质的便携式图像再现装置(具体为DVD再现装置)，其包括主体2401、外壳2402、显示部A 2403、显示部B 2404、记录介质(DVD等)读取部分2405、操作键2406、扬声器部2407等。显示部A 2403主要用于显示图像信息，而显示部B 2404主要用于显示文本信息。本发明制造的显示模块可以用于显示部分A 2403和显示部分B 2404。注意，包括记录介质的图像再现装置还包括家用游戏机等。
图13F表示护目镜型显示器(头戴显示器)，其包括主体2501、显示部2502、臂部2503。本发明制造的显示模块可以用于显示部2502。
图13G表示摄像机，其包括主体2601、显示部2602、外壳2603、外部连接口2604、遥控接收部2605、图像接收部2606、电池2607、声音输入部2608、操作键2609等。本发明制造的显示模块可以用于显示部2602。
图13H表示手提电话，其包括主体2701、外壳2702、显示部2703、声音输入部2704、声音输出部2705、操作键2706、外部连接口2707、天线2708等。本发明制造的显示模块可以用于显示部2703。
如果将来发光元件的发光亮度被提高了，本发明制造的显示模块就还可以通过将包括输出的图像信息的光由镜头之类放大并投射出去来适用于前或后投影器。
目前，上述电子设备有越来越多的机会显示由电子通讯线路如互联网和CATV(有线电视)发送的信息，特别是动画信息。由于发光材料具有非常快的响应速度，因此，本发明的显示模块适用于动画显示。
在本发明的显示装置中，发光部分消费电力，因此优选以较少发光部分的方式显示信息。当显示模块用在便携式信息终端的显示部中，尤其是手提电话和音频再现装置这类主要显示文本信息的装置中时，优选以如下方式驱动上述装置，即，使不发光部分形成背景，而发光部分形成文本信息。
如上所述，本发明的应用范围如此广泛，以致可应用到任何领域的电子设备上。
本实施例可以与最佳实施方案模式和实施例1至4自由地组合。
本说明书根据2005年1月31日在日本专利局受理的日本专利申请编号2005-024616而制作，所述申请内容包括在本说明书中。

Claims (8)

1.一种显示装置，所述显示装置包括布线和复数像素，所述复数像素的每个像素包括：第一晶体管、第二晶体管、具有一对电极的发光元件以及具有一对电极的电容元件，
其中，所述布线电连接于所述第一晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述第一晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述发光元件中的一个电极并电连接于所述第二晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述第二晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述发光元件中的另一个电极；
所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅电极电连接于所述电容元件中的一个电极；
所述电容元件中的另一个电极电连接于所述布线，以及
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的导电类型。
2.根据权利要求1的显示装置，其中所述第一晶体管在饱和区域工作。
3.一种显示装置，所述显示装置包括第一布线、第二布线以及复数像素，所述复数像素的每个像素包括：第一晶体管、第二晶体管、具有一对电极的发光元件以及具有一对电极的电容元件，
其中，所述第一布线电连接于所述第一晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述第一晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述发光元件中的一个电极并电连接于所述第二晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述发光元件的另一个电极和所述发光元件中的一个电极通过置于二者之间的发光层相对，
所述第二晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述第二布线；
所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅电极电连接于所述电容元件中的一个电极；
所述电容元件中的另一个电极电连接于所述第一布线，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的导电类型。
4.根据权利要求3的显示装置，其中所述第一晶体管在饱和区域工作。
5.一种显示装置，所述显示装置包括第一布线、第二布线、第三布线以及复数像素，所述复数像素的每个像素包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、具有一对电极的电容元件以及具有一对电极的发光元件，
其中，所述第一布线电连接于所述第一晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述第一晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述发光元件中的一个电极并电连接于所述第二晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述第二晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述发光元件中的另一个电极；
所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅电极电连接于所述电容元件中的一个电极并电连接于所述第三晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述电容元件中的另一个电极电连接于所述第一布线，并且所述第三晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述第二布线；
所述第三晶体管的栅电极电连接于所述第三布线；
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的导电类型。
6.根据权利要求5的显示装置，其中所述第一晶体管在饱和区域工作。
7.一种显示装置，所述显示装置包括第一布线、第二布线、第三布线、第四布线以及复数像素，所述复数像素的每个像素包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、具有一对电极的电容元件以及具有一对电极的发光元件，
其中，所述第一布线电连接于所述第一晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述第一晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述发光元件中的一个电极并电连接于所述第二晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述发光元件的另一个电极和所述发光元件中的一个电极通过置于二者之间的发光层相对，
所述第二晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述第四布线；
所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅电极电连接于所述电容元件中的一个电极并电连接于所述第三晶体管的源电极和漏电极两者中的一个；
所述电容元件中的另一个电极电连接于所述第一布线；
所述第三晶体管的源电极和漏电极两者中的另一个电连接于所述第二布线；
所述第三晶体管的栅电极电连接于所述第三布线；
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的导电类型。
8.根据权利要求7的显示装置，其中所述第一晶体管在饱和区域工作。
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