CN101597062A - 多晶硅还原炉自动调功装置 - Google Patents
多晶硅还原炉自动调功装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101597062A CN101597062A CNA2009100598283A CN200910059828A CN101597062A CN 101597062 A CN101597062 A CN 101597062A CN A2009100598283 A CNA2009100598283 A CN A2009100598283A CN 200910059828 A CN200910059828 A CN 200910059828A CN 101597062 A CN101597062 A CN 101597062A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon core
- silicon
- control
- voltage
- constant temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 203
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 59
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000026676 system process Effects 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开一种多晶硅还原炉自动调功装置，包括硅芯预加热装置、硅芯恒温加热装置及它们的控制器，所述硅芯预加热装置具有顺序联结的电源开关、饱和电抗器、升压变压器、倒极开关，硅芯预加热装置通过其倒极开关连接硅芯；所述硅芯恒温加热装置具有顺序联结的电源开关、隔离变压器、可控硅调压器、隔离开关，硅芯恒温加热装置通过其隔离开关连接硅芯；控制器具有饱和电抗器控制模块，用于控制升压变压器的原边电压；开关自动切换控制模块，用于：a.控制预加热装置、恒温加热装置的切换；b.控制硅芯击穿顺序；c.控制倒极开关在升压变压器副边的分接位置，从而控制硅芯预加热电流；可控硅调压器控制模块，用于控制可控硅的导通角，从而控制硅芯恒温加热的电流，调压器采用拼波调压。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅生产装置，具体涉及多晶硅还原炉自动调功装置，适用于西门子法生产多晶硅。
背景技术
多晶硅生产绝大部分是采用西门子法，其原理是使用三氯氢硅和氢气在还原炉内进行化学反应，在1100℃附近，还原出来的硅晶体附着在作为加热器的硅芯上，实现硅芯的长粗，生产过程分为两个阶段：
1.硅芯预热阶段，将硅芯加热至适合晶体生长的温度。该阶段又分为两个步骤：首先，硅芯作为半导体，常温下阻抗非常高，必须使用高压电将其击穿，电阻降低，成为导体；然后，施加中压于硅芯两端，通过流过硅芯的电流使硅芯发热，温度逐渐升至1100℃，再转入正常生产阶段。
2.正常生产阶段，在1100℃恒温条件下，实现硅芯持续生长，直径逐渐长粗，从8mm长到150mm甚至更大。因该化学反应是一个吸热反应，须不断输入电功率来维持反应条件，随着硅芯逐渐变粗，电阻逐渐减少，要保持恒温条件，须调节输入功率，使功率增长与硅芯直径增长同步，在硅芯生长后期，直径很大，所加的电流最高可达3000A以上。
目前，上述生产过程的装置还很简陋，自动化水平很低，主要存在以下缺陷：
1.硅芯预热阶段使用的预加热装置和正常生产阶段使用的恒温加热装置是分离的，用户必须先操作预加热装置，施高压击穿硅芯并将其温度升到1100℃后，再手动关闭预加热装置，打开恒温加热装置，在此转换过程中，两套装置不容易衔接，操作间隔时间较长，硅芯变冷，电阻很快升高，对后序硅芯生长不利，容易出现夹层，产品质量差。
2.预加热装置的倒极切换是手工操作。因硅芯击穿、预热是两个步骤，硅芯击穿瞬间必须及时操作倒极开关，切断高压电源，转为中压加热。由于是手动操作，受工人经验的因素影响较大，倒极时机不易把握准确，若硅芯击穿后未能及时切断高压电源，硅芯将超温，对后序硅芯生长不利，超温严重时，硅芯会被烧毁，酿成安全事故。对此，申请人发明了一种硅芯击穿、预热阶段使用的自控装置，并已申请专利(申请号：200810147870.6)，该装置成功地解决了硅芯击穿后及时倒极的问题。但是，该装置也还存在一个缺点，即，还原炉中有多根硅芯，分为三组，在还原炉中呈内、中、外环状分布，各组硅芯均串联连接，串联节点接有短对开关，可将硅芯相间短接，使电压可施加在未被短接的硅芯两端，将其击穿之后，断开短对开关，电压通过已被击穿的硅芯施加在其余硅芯两端，将其击穿。问题是：该装置每一组硅芯均串联节点都接有短对开关，各组硅芯击穿、预热同时进行，由于短对开关数量很多，设备投资太大，且由于击穿瞬间冲击电流很大，短对开关的触头很容易产生积炭，短对开关数量越多，故障几率越高，维修成本也高。
3.恒温加热装置的功率调节采用可控硅斩波的方式实现硅芯电压的连续调节，这种方法将产生大量的谐波噪声，对变压器和电网造成污染。
发明内容
本发明在解决了硅芯击穿后及时倒极问题的基础上，要进一步解决硅芯预加热装置和恒温加热装置的切换问题，以及可控硅对硅芯电压的连续调节产生的谐波噪声问题，提供一种全功能的多晶硅还原炉自动调功装置。该装置不仅能够实现硅芯击穿后的及时自动倒极，也能实现预加热装置和恒温加热装置的自动切换，并且，能大幅度降低可控硅对硅芯电压的连续调节产生的谐波噪声。
本发明的技术解决方案是：
一种多晶硅还原炉自动调功装置，包括硅芯预加热装置、硅芯恒温加热装置及它们的控制器，所述硅芯预加热装置具有顺序联结的电源开关、饱和电抗器、升压变压器、倒极开关，硅芯预加热装置通过其倒极开关连接硅芯；所述硅芯恒温加热装置具有顺序联结的电源开关、隔离变压器、可控硅调压器、隔离开关，硅芯恒温加热装置通过其隔离开关连接硅芯；所述控制器具有预加热控制单元和恒温加热控制单元，分别对硅芯预加热过程、硅芯恒温加热过程进行控制；所述控制器具有硅芯预加热、恒温加热自动切换控制模块，当预加热过程结束时，自动关闭硅芯预加热装置，开启硅芯恒温加热装置。
所述控制器由信号检测装置和中央处理器组合构成。
所述信号检测装置包括预加热装置的变压器原边电压检测装置、变压器原边电流检测装置、硅芯电流检测装置；恒温加热装置的硅芯电压检测装置、硅芯电流检测装置。
所述中央处理器具有：
数据采集模块，用于采集来自信号检测装置的数据；
存储模块，用于存储检测数据、控制参数给定值及控制信号；
信号处理模块，用于将检测信号数据与控制参数给定值进行比较运算，向各受控对象输出控制信号；
饱和电抗器控制模块，用于控制饱和电抗器的电抗值，从而控制升压变压器的原边电压；
开关自动切换控制模块，用于：a.控制预加热装置、恒温加热装置的切换，当预加热过程结束时，自动切断预加热装置的所有开关，闭合恒温加热装置的开关；b.控制短对开关的启、闭顺序，从而控制硅芯击穿顺序；c.控制倒极开关在升压变压器副边的分接位置，从而控制硅芯预加热电流；
可控硅调压器控制模块，用于控制可控硅的导通角，从而控制硅芯恒温加热的电流。
所述可控硅调压器是拼波调压器，具有四组反向并联的可控硅，可控硅的输入端按顺序分别连接隔离变压器副边的1700V、660V、340V和250V电压抽头，构成拼波调压方式。
所述中央处理器由顺序联结的PLC控制器、DSP控制器组成，可控硅调压器由DSP控制器控制，其余由PLC控制器控制。
所述恒温加热装置的硅芯电压检测装置、硅芯电流检测装置的输出端连接有录波器，录波器的输出端连接PLC控制器。
所述硅芯是多根，分为三组，在还原炉中呈内、中、外环状分布，各组硅芯均串联连接，各组硅芯的电压输入端接有短对开关；其中内环硅芯的串联节点也接有短对开关，可将内环硅芯相间短接，使电压可施加在未被短接的硅芯两端；所述控制器对硅芯击穿、预热过程进行如下顺序控制：
-在硅芯击穿之初，中、外环的短对开关断开，内环硅芯的所有短对开关闭合，电压施加在未被短接的硅芯两端，将其击穿；
-内环硅芯串联节点的短对开关断开，电压通过已被击穿的硅芯施加在其余硅芯两端，将其击穿，倒极开关倒极，内环硅芯进入预热阶段；
-待炉内温度升至180℃时，中、外环硅芯的阻抗势垒大幅度降低，短对开关闭合，电压施加在串联连接的硅芯的两端，将其整体击穿，倒极开关倒极，中、外环硅芯进入预热阶段。
本装置的有益技术效果：
本装置实现了预加热与恒温加热的自动快速连接，转换时机稳定可控，电流中断时间短，使生产工艺得到了保证。本装置所采用的“拼波”方式可以大大降低噪声污染。
本装置预加热的第二阶段是利用炉内温度升高，中、外环硅芯的阻抗降低，可用较低的势垒击穿电压同时对还原炉内中、外环中的各四对硅棒进行击穿加热。这样既控制了设备的成本、确保了系统的安全性，同时预加热过程能够得到可靠的保障。
本装置实时记录还原炉系统各测试点的信号。每一次生产过程的所有信号都被完整的记录下来，通过对生产过程的控制信号和测试信号进行分析，可以改善生产工艺水平，并且可以根据多炉硅芯生长的数据，总结出最优生长曲线，根据这条曲线，就可以实现硅芯发热功率、硅芯直径和进料配比等的统一控制，不仅可以实现硅芯生长的自动化控制，还可以大大降低电耗和提高效率。
附图说明
图1是本装置的一种结构框图
图2是本装置中央控制器的结构框图
图3是本装置的一种电路图
图4是本装置的控制原理图
图5是本装置可控硅调压器的结构示意图
图6是可控硅调压器的输出波形图
图7是本装置恒温阶段系统工作参数曲线图
具体实施方式
参见图1至图4：本多晶硅还原炉自动调功装置，包括硅芯预加热装置、硅芯恒温加热装置及它们的控制器，所述硅芯预加热装置具有顺序联结的电源开关4、饱和电抗器5、升压变压器6、倒极开关7，硅芯预加热装置通过其倒极开关7连接硅芯12；所述硅芯恒温加热装置具有顺序联结的电源开关13、隔离变压器14、可控硅调压器15、隔离开关16，硅芯恒温加热装置通过其隔离开关16连接硅芯12。
控制器由信号检测装置和中央处理器组合构成，信号检测装置包括预加热装置的变压器原边电流检测装置1、变压器原边电压检测装置2、硅芯电流检测装置3，恒温加热装置的硅芯电压检测装置17、硅芯电流检测装置18。中央处理器由顺序联结的PLC控制器8、DSP控制器11组成，可控硅调压器由DSP控制器11控制，其余由PLC控制器8控制。
中央处理器具有数据采集模块19，用于采集来自信号检测装置的数据；存储模块20，用于存储检测数据、控制参数给定值及控制信号；数据(信号)处理模块21，用于将检测信号数据与控制参数给定值进行比较运算，向各受控对象输出控制信号；饱和电抗器控制模块22，用于控制饱和电抗器的电抗值，从而控制升压变压器6的原边电压，开关自动切换控制模块24，用于：a.控制预加热装置、恒温加热装置的切换，当预加热过程结束时，自动切断预加热装置的所有开关，闭合恒温加热装置的开关；b.控制短对开关9的启、闭顺序，从而控制硅芯击穿顺序；c.控制倒极开关7在升压变压器6副边的分接位置，从而控制硅芯预加热电流；可控硅调压器控制模块23，用于控制可控硅的导通角，从而控制硅芯恒温加热的电流。
还原炉中的硅芯是12根，分为三组，每组4根，在还原炉中呈内、中、外环分布，各组硅芯均串联连接，各组硅芯的电压输入端接有短对开关9；其中内环硅芯的串联节点也接有短对开关9，可将内环硅芯相间短接，使电压可施加在未被短接的硅芯两端；控制器对硅芯击穿、预热过程进行如下顺序控制：
-在硅芯击穿之初，中、外层的短对开关断开，内层硅芯的所有短对开关闭合，电压施加在未被短接的硅芯两端，将其击穿；
-内环硅芯串联节点的短对开关断开，电压通过已被击穿的硅芯施加在其余硅芯两端，将其击穿，倒极开关倒极，内环硅芯进入预热阶段；
-待炉内温度升至180℃时，中、外层硅芯的阻抗势垒大幅度降低，短对开关闭合，电压施加在串联连接的硅芯的两端，将其整体击穿，倒极开关倒极，中、外环硅芯进入预热阶段。
预热阶段结束后，控制器自动切断预加热装置的所有开关，闭合恒温加热装置的所有开关，包括电源开关和13隔离开关16，切换时机准确，速度快捷。切换后进入恒温加热阶段，转入正常生产。
恒温加热由可控硅调压器15调节硅芯电流、电压，使硅芯温度恒定在1100℃左右，随着硅芯直径增长，阻抗逐渐降低，施加的电压越来越低，而电流越来越大，在硅芯生长后期，直径在150mm左右时，电流高达3000A以上。工作参数曲线见图7。
参见图5：可控硅调压器15采用拼波调压器，具有四组反向并联的可控硅，可控硅的输入端按顺序分别连接隔离变压器14副边的1700V、660V、340V和250V电压抽头，构成拼波调压方式。其调压原理是，系统分为三个调压区间，分别是1700V/660V区间，660V/340V区间，340V/250V区间，当工作电压落在相应的电压区间内时，由该区间对应的两组可控硅导通工作，其余的可控硅截止，总体工作趋势是，各区间对应的可控硅随着工作电压的下降顺序导通。
例如，调压范围在250V至340V之间时，以电源电压的正半周为例，调压设备的工作流程如下：PC1过零导通，PC2关断；在α处，PC2导通，PC1承受反压关断，依此类推，在其它电压区间也是如此。可控硅无级调压时负载上的波形如图6所示。从图6可以看出，在α处，负载电压有一个跳变，此处产生的谐波相对于仅使用PC2进行调压的谐波将大大减小。
另外，恒温加热装置的硅芯电压检测装置17、硅芯电流检测装置18的输出端连接有录波器10，录波器10的输出端连接PLC控制器8。录波器10可以实时记录系统各测试点的信号以及各开关的状态信号。每一次生产过程的上述信号都被完整的记录下来，以便对生产过程的控制信号和测试信号进行分析，调整给定参数值，改进生产工艺。
Claims (6)
1.一种多晶硅还原炉自动调功装置，包括硅芯预加热装置、硅芯恒温加热装置及它们的控制器，所述硅芯预加热装置具有顺序联结的电源开关、饱和电抗器、升压变压器、倒极开关，硅芯预加热装置通过其倒极开关连接硅芯；所述硅芯恒温加热装置具有顺序联结的电源开关、隔离变压器、可控硅调压器、隔离开关，硅芯恒温加热装置通过其隔离开关连接硅芯；所述控制器具有预加热控制单元和恒温加热控制单元，分别对硅芯预加热过程、硅芯恒温加热过程进行控制，其特征在于：所述控制器具有硅芯预加热、恒温加热自动切换控制模块，当预加热过程结束时，自动关闭硅芯预加热装置，开启硅芯恒温加热装置。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉自动调功装置，其特征在于：所述控制器由信号检测装置和中央处理器组合构成；
所述信号检测装置包括预加热装置的变压器原边电压检测装置、变压器原边电流检测装置、硅芯电流检测装置，恒温加热装置的硅芯电压检测装置、硅芯电流检测装置；
所述中央处理器具有：
数据采集模块，用于采集来自信号检测装置的数据；
存储模块，用于存储检测数据、控制参数给定值及控制信号；
信号处理模块，用于将检测信号数据与控制参数给定值进行比较运算，向各受控对象输出控制信号；
饱和电抗器控制模块，用于控制饱和电抗器的电抗值，从而控制升压变压器的原边电压；
开关自动切换控制模块，用于：a.控制预加热装置、恒温加热装置的切换，当预加热过程结束时，自动切断预加热装置的所有开关，闭合恒温加热装置的开关；b.控制短对开关的启、闭顺序，从而控制硅芯击穿顺序；c.控制倒极开关在升压变压器副边的分接位置，从而控制硅芯预加热电流；
可控硅调压器控制模块，用于控制可控硅的导通角，从而控制硅芯恒温加热的电流。
3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉自动调功装置，其特征在于：所述可控硅调压器是拼波调压器，具有四组反向并联的可控硅，可控硅的输入端按顺序分别连接隔离变压器副边的1700V、660V、340V和250V电压抽头，构成拼波调压方式。
4.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉自动调功装置，其特征在于：所述硅芯是多根，分为三组，在还原炉中呈内、中、外环状分布，各组硅芯均串联连接，各组硅芯的电压输入端接有短对开关；其中内环硅芯的串联节点也接有短对开关，可将内环硅芯相间短接，使电压可施加在未被短接的硅芯两端；所述控制器对硅芯击穿、预热过程进行如下顺序控制：
-在硅芯击穿之初，中、外环的短对开关断开，内环硅芯的所有短对开关闭合，电压施加在未被短接的硅芯两端，将其击穿；
-内环硅芯串联节点的短对开关断开，电压通过已被击穿的硅芯施加在其余硅芯两端，将其击穿，倒极开关倒极，内环硅芯进入预热阶段；
-待炉内温度升至180℃时，中、外环硅芯的阻抗势垒大幅度降低，短对开关闭合，电压施加在串联连接的硅芯的两端，将其整体击穿，倒极开关倒极，中、外环硅芯进入预热阶段。
5.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉自动调功装置，其特征在于：所述中央处理器由顺序联结的PLC控制器、DSP控制器组成，可控硅调压器由DSP控制器控制，其余由PLC控制器控制。
6.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉自动调功装置，其特征在于，所述恒温加热装置的硅芯电压检测装置、硅芯电流检测装置的输出端连接有录波器，录波器的输出端连接PLC控制器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100598283A CN101597062B (zh) | 2009-06-27 | 2009-06-27 | 多晶硅还原炉自动调功装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100598283A CN101597062B (zh) | 2009-06-27 | 2009-06-27 | 多晶硅还原炉自动调功装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101597062A true CN101597062A (zh) | 2009-12-09 |
| CN101597062B CN101597062B (zh) | 2011-06-15 |
Family
ID=41418694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009100598283A Expired - Fee Related CN101597062B (zh) | 2009-06-27 | 2009-06-27 | 多晶硅还原炉自动调功装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101597062B (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101863475A (zh) * | 2010-07-21 | 2010-10-20 | 峨嵋半导体材料研究所 | 多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法 |
| CN102193516A (zh) * | 2011-03-30 | 2011-09-21 | 四川瑞能硅材料有限公司 | 还原炉自动加电流控制电路及控制方法 |
| CN102351190A (zh) * | 2011-09-21 | 2012-02-15 | 江西赛维Ldk太阳能多晶硅有限公司 | 还原炉控制方法及装置 |
| CN102386782A (zh) * | 2011-07-18 | 2012-03-21 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 用于多晶硅生产的供电调节系统 |
| CN102608925A (zh) * | 2012-02-04 | 2012-07-25 | 南京因泰莱电器股份有限公司 | 一种多晶硅还原炉电源控制装置 |
| CN102745690A (zh) * | 2011-04-20 | 2012-10-24 | 硅科创富有限公司 | 多晶硅制造装置 |
| CN102976331A (zh) * | 2011-09-06 | 2013-03-20 | 青岛赛瑞达电子科技有限公司 | 硅烷分解法多晶硅制备设备 |
| CN104562194A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 上海西门子工业自动化有限公司 | 一种工艺过程控制方法 |
| CN106329505A (zh) * | 2016-09-05 | 2017-01-11 | 西北工业大学 | 一种实现限压保护的可控硅控温电路 |
| WO2017096905A1 (zh) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 朱伯秦 | 一种硅芯连接方法 |
| CN106933119A (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-07 | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 | 多晶硅还原炉调功柜控制系统 |
-
2009
- 2009-06-27 CN CN2009100598283A patent/CN101597062B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101863475B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-05-23 | 峨嵋半导体材料研究所 | 多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法 |
| CN101863475A (zh) * | 2010-07-21 | 2010-10-20 | 峨嵋半导体材料研究所 | 多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法 |
| CN102193516A (zh) * | 2011-03-30 | 2011-09-21 | 四川瑞能硅材料有限公司 | 还原炉自动加电流控制电路及控制方法 |
| CN102745690A (zh) * | 2011-04-20 | 2012-10-24 | 硅科创富有限公司 | 多晶硅制造装置 |
| CN102386782A (zh) * | 2011-07-18 | 2012-03-21 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 用于多晶硅生产的供电调节系统 |
| CN102976331A (zh) * | 2011-09-06 | 2013-03-20 | 青岛赛瑞达电子科技有限公司 | 硅烷分解法多晶硅制备设备 |
| CN102351190A (zh) * | 2011-09-21 | 2012-02-15 | 江西赛维Ldk太阳能多晶硅有限公司 | 还原炉控制方法及装置 |
| CN102351190B (zh) * | 2011-09-21 | 2013-06-12 | 江西赛维Ldk太阳能多晶硅有限公司 | 还原炉控制方法及装置 |
| CN102608925A (zh) * | 2012-02-04 | 2012-07-25 | 南京因泰莱电器股份有限公司 | 一种多晶硅还原炉电源控制装置 |
| CN104562194A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 上海西门子工业自动化有限公司 | 一种工艺过程控制方法 |
| CN104562194B (zh) * | 2013-10-24 | 2017-05-31 | 西门子工厂自动化工程有限公司 | 多晶硅生产过程的温度控制方法 |
| WO2017096905A1 (zh) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 朱伯秦 | 一种硅芯连接方法 |
| CN106933119A (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-07 | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 | 多晶硅还原炉调功柜控制系统 |
| CN106329505A (zh) * | 2016-09-05 | 2017-01-11 | 西北工业大学 | 一种实现限压保护的可控硅控温电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101597062B (zh) | 2011-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101597062B (zh) | 多晶硅还原炉自动调功装置 | |
| CN102055241B (zh) | 集成的实时功率和太阳能电场控制系统 | |
| CN102621501B (zh) | 一种大功率光伏逆变器额定功率下的温升和效率测试系统及方法 | |
| CN101969210A (zh) | 一种基于自抗扰控制技术的光伏发电系统的并网控制方法 | |
| CN107508551A (zh) | 一种集中式光伏发电系统的iv扫描方法 | |
| CN104129788B (zh) | 一种多晶硅还原炉的启动系统 | |
| CN104638668B (zh) | 一种光伏发电并网控制方法及系统 | |
| CN106786630B (zh) | 一种含多类型分布式电源的电压无功优化控制方法 | |
| CN102738807B (zh) | 风电场集中接入公用变电站的全站无功优化控制方法 | |
| CN105281331A (zh) | 一种基于分区优化的省地协同电压控制方法 | |
| CN203690924U (zh) | 一种可控电抗器协调控制装置 | |
| CN107196321A (zh) | 一种提高电力弹簧稳态运行范围的方法 | |
| CN109617091B (zh) | 一种动态无功补偿装置控制策略验证系统 | |
| CN110865252A (zh) | 一种质子交换膜燃料电池输出电特性模拟装置及其控制方法 | |
| CN101428801B (zh) | 多晶硅还原炉高压启动装置 | |
| CN105445539A (zh) | 一种光伏发电站动态无功性能测试方法和系统 | |
| CN111261978B (zh) | 一种基于储能电池交流预热的储能电站冬季保温方法 | |
| CN102351416B (zh) | 一种漏板应急系统、dcs系统及漏板应急方法 | |
| CN103606928B (zh) | 反时限变电站电压控制方法及装置 | |
| CN107742890B (zh) | 一种新能源发电站avc系统及其无功实时调节量计算方法 | |
| CN206060515U (zh) | 一种改良西门子法启动电路 | |
| CN201550028U (zh) | 一种无谐波污染大功率的直接电加热中频电源 | |
| CN201383110Y (zh) | 程序控制交流恒流电源 | |
| CN202471850U (zh) | 一种全自动模拟负载调节装置 | |
| CN205195241U (zh) | 分子筛电加热器防干烧控制器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Free format text: FORMER OWNER: SICHUAN ORIENT ELECTRIC AUTOMATIC CONTROL ENGINEERING CO., LTD. Effective date: 20131225 Owner name: SICHUAN ORIENT ELECTRIC AUTOMATIC CONTROL ENGINEER Free format text: FORMER OWNER: DONGFANG TURBINE CO., LTD., DONGFANG ELECTRIC GROUP Effective date: 20131225 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 618201 DEYANG, SICHUAN PROVINCE TO: 618000 DEYANG, SICHUAN PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20131225 Address after: 618000 No. three, 18 South Mount Lu Road, Sichuan, Deyang Patentee after: Sichuan Orient Electric Automatic Control Engineering Co., Ltd. Address before: 618201 Deyang City, Sichuan Province town of Hanwang Patentee before: Dongfang Turbine Co., Ltd., Dongfang Electric Group Patentee before: Sichuan Orient Electric Automatic Control Engineering Co., Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 618000 No. 18, Third Section of Lushan South Road, Deyang City, Sichuan Province Patentee after: Dongfang Electric Automatic Control Engineering Co., Ltd. Address before: 618000 No. 18, Third Section of Lushan South Road, Deyang City, Sichuan Province Patentee before: Sichuan Orient Electric Automatic Control Engineering Co., Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110615 Termination date: 20190627 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |