CN101593785A - 光学感测元件、其制作方法及光学式触控装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光学感测元件、其制作方法及光学式触控装置。所述光学感测元件包括第一电极、第二电极、第一富硅介电层以及第二富硅介电层。第一富硅介电层设置于第一电极与第二电极之间，用于吸收红外光，而第二富硅介电层设置于第一富硅介电层与第二电极之间，用于吸收可见光。通过第一富硅介电层与第二富硅介电层的复合层结构，使单一光学感测元件即可有效感测红外光与可见光的信号，更利于将光学感测元件整合至光学式触控装置之中，以形成内嵌光学式触控面板。

Description

光学感测元件、其制作方法及光学式触控装置

技术领域

本发明涉及一种光学感测元件、其制作方法及光学式触控装置，特别是涉及一种具有富硅(silicon-rich，Si-rich)介电层的光学感测元件、其制作方法及光学式触控装置。

背景技术

光学感测元件已逐渐广泛应用于各类型薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)显示器中，现行的光学感测元件是以利用三A族与五A族材料形成的PIN(positive-intrinsic-negative)二极管(diode)为主，然而PIN二极管的光接收效率偏低，且容易受到非目标光源(杂讯)的影响，因此具有信号杂讯比较差等缺点。此外，对于TFT显示器内而言，PIN二极管使用的三A族与五A族材料与TFT特性本身的限制而影响其PIN二极管光学感测元件工艺的可调性，因此传统PIN二极管在应用上与产能上皆有其发展限制。

另一方面，业界亦研发利用非晶硅(α-Si)材料的强烈光敏感性，而以非晶硅材料制作薄膜晶体管感应元件(TFT sensor)。请参考图1，其为传统的非晶硅光学感测元件的示意图。非晶硅光学感测元件10包括第一电极12、第二电极14，以及一层非晶硅层16设置于第一电极12与第二电极14之间。当可见光照射至非晶硅层16时，可激发非晶硅层16而引起光电流。然而，非晶硅薄膜晶体管感应元件也具有光电流稳定性较低的缺点，即使在没有操作感应元件的情况下，光电流也会容易随着时间而衰减，因此有严重的可靠度问题。此外，非晶硅薄膜晶体管感应元件的主要侦测波段落于可见光范围，对于红外光(infrared rays，IR)周围波段的侦测能力则较低，因此非晶硅薄膜晶体管感应元件的侦测能力受到较大的局限。

有鉴于此，目前业界所使用的光学感测元件已无法满足其在光电领域上的应用，因此新一代的光学感测元件已成为研发的重点。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种液晶显示面板，以解决前述已知问题。

为达上述目的，本发明的实施例提供一种光学感测元件，包括第一电极、第二电极、第一富硅介电层以及第二富硅介电层。第一富硅介电层设置于第一电极与第二电极之间，用于吸收红外光，而第二富硅介电层设置于第一富硅介电层与第二电极之间，用于吸收可见光。

为达上述目的，本发明的实施例另提供一种光学感测元件的制作方法。根据前述制作方法，首先提供基板，并于基板上形成第一电极。之后，在第一电极上形成第一富硅介电层，用于吸收红外光。接着，在第一富硅介电层上形成第二富硅介电层，用于吸收可见光。其后，在第二富硅介电层上形成第二电极。

此外，本发明的实施例还提供一种光学式触控装置，包括光源装置与显示面板。光源装置具有可见光元件与红外光元件，以分别提供可见光与红外光。显示面板包括显示元件与光学感测元件，且光学感测元件包括第一电极、第二电极、第一富硅介电层与第二富硅介电层。第一富硅介电层设置于第一电极与第二电极之间，用于吸收红外光，而第二富硅介电层设置于第一富硅介电层与第二电极之间，用于吸收可见光。

以下为有关本发明的详细说明与附图。然而附图仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为传统的非晶硅光学感测元件的示意图。

图2为本发明制作光学感测元件的方法的优选实施例示意图。

图3至图4为本发明制作光学感测元件的方法的另一优选实施例示意图。

图5为PIN二极管光学感测元件与本发明的光学感测元件的光感响应频谱图。

图6为本发明的光学感测元件整合于光学式触控装置的优选实施例的示意图。

图7为本发明的侧光式背光模块的示意图。

图8为本发明的直下式背光模块的示意图。

图9为本发明的光学式触控装置的另一优选实施例的示意图。

图10为本发明的光学感测元件整合于光学式触控装置的又一优选实施例的示意图。

附图标记说明

10  非晶硅光学感测元件 12  第一电极

14  第二电极           16  非晶硅层

100 光学感测元件       110 基板

112 第一电极           114 第二电极

122 第一富硅介电层     124 第二富硅介电层

200 光学感测元件       224 第二富硅介电层

226 半导体层           300 光学式触控装置

310 光源装置           311 显示面板

312 光学膜层           314 偏光片

316 透明基板           318 液晶层

320 透明基板           322 偏光片

324 读取薄膜晶体管     326 电容

328 驱动薄膜晶体管     330 感光区域

332 黑色矩阵           334 彩色滤光片

336 触控物             338 可见光

340 红外光             400 光学式触控装置

410 可见光背光模块     442 红外光元件

444 导光板             510 直下式背光模块

512 发光元件           512a可见光元件

512b红外光元件         513 框架

520 侧光式背光模块     522 发光元件

524 框架               526 导光板

638 透明基板           650 TFT区域

652 感光区域           660 图案化非晶硅层

662 掺杂非晶硅层       676 驱动薄膜晶体管

GE  栅极电极           GI  栅极绝缘层

IDL1氧化物介电层       IDL2氮化物介电层

ITO 第二电极层         PA  保护层

SD  栅极/源极线       UHA 平坦层

具体实施方式

为使本领域一般技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的数个优选实施例，并配合附图，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。

请参考图2。图2为本发明制作光学感测元件的方法的优选实施例示意图，且可据以说明本发明的光学感测元件结构。附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。根据本实施例，本发明可先提供基板110，并于基板110上形成第一电极112。之后，在第一电极112上形成第一富硅介电层122，主要可用于吸收红外光。接着，在第一富硅介电层122上形成第二富硅介电层124，主要可用于吸收可见光。其后，在第二富硅介电层124上形成第二电极114，以制作出光学感测元件100。其中，第一富硅介电层122或第二富硅介电层124实际上不须局限于仅分别吸收红外光或可见光，例如第一富硅介电层122或第二富硅介电层124亦可互换，分别吸收近可见光与红外光(包括近红外光，near-IR)。

于本实施例中，第一富硅介电层122具有第一硅含量，第二富硅介电层124具有第二硅含量，且第一富硅介电层122的第一硅含量优选可大于第二富硅介电层124的第二硅含量，如此可使单一光学感测元件100即能有效感测红外光与可见光的信号。当近红外光、红外光或可见光照射到第一富硅介电层122或第二富硅介电层124时，会激发出电子-空穴对而形成光电流。跟据第一富硅介电层122与第二富硅介电层124成分，第一富硅介电层122的折射率可大于第二富硅介电层124的折射率。针对光学感测元件100各材料层的优选形成样态详述如下，但本发明不需限于此：

基板110是供光学感测元件100形成的基底，可以为任何材料、物体或特定区域，例如阵列基板(array substrate)的周边电路区域、阵列基板的显示区域，或独立的触控面板的基板。第一电极112与第二电极114均可包括导电材料，且第一电极112与第二电极114至少其中之一优选可包含透明导电材料，或由透明导电材料所构成，以供光线信号通过。以本实施利为例，第一电极112优选包含金属材料，如此不但可以提供低电阻路径，也便于整合于TFT显示器的工艺中，而第二电极114优选包含透明导电材料，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)等透明金属氧化物，透明导电材料不但适于作为入光的感测面，且也可同时整合于TFT显示器的工艺中。由此，光学感测元件100可感测由第二电极114方向射入的光线(正面光)，而由第一电极112方向射入的光线(背面光)则会被第一电极112遮蔽，达到降低背面光线的信号干扰。再者，第一电极112与第二电极114的形成方式可通过沉积工艺产生膜层，并且可通过图案化工艺形成所需图案，但不以此为限。

本发明的第一富硅介电层122例如可包括富硅氧化硅(SiO_x1)层、富硅氮化硅(SiN_y1)层、富硅氮氧化硅(SiO_x1N_y1)层、富硅的碳氧化硅层(SiO_x1C_z1)或富硅的碳化硅(SiC_z1)层。形成第一富硅介电层122的方法可包括：进行等离子体辅助化学气相沉积工艺，利用硅甲烷与氮来源气体反应而形成第一富硅介电层122，其中硅甲烷与氮来源气体的气体流量比例大致上优选大于4.0，以使第一富硅介电层122具有优选成分比例，但不限于此。氮来源气体例如可为氨气(NH₃)或氮气(N₂)其中至少之一者，或亦可为其它合适的含氮气体。根据本发明的研究结果，第一富硅介电层122的第一硅含量大致上优选可大于55.6％而小于100％，其折射率大致上优选介于3.4至3.9之间，而其厚度大致上优选介于100纳米至300纳米之间，以提供优选的感测效果与元件可靠度。以富硅氧化硅(SiO_x1)的第一富硅介电层122为例，其第一硅含量Cs₁为1/(1+x1)，而氧含量Cx₁为x1/(1+x1)，其中Cs₁+Cx₁＝1，0＜x1＜2，且优选为0＜x1＜4/5。

第二富硅介电层124亦可包括富硅氧化硅(SiO_x2)层、富硅氮化硅(SiN_y2)层、富硅氮氧化硅(SiO_x2N_y2)层、富硅的碳氧化硅层(SiO_x2C_z2)或富硅的碳化硅(SiC_z2)层。形成第二富硅介电层124的方法可包括：进行等离子体辅助化学气相沉积工艺，利用硅甲烷与氮来源气体反应而形成第二富硅介电层124，其中硅甲烷与氮来源气体的气体流量比例大致上大于1.2，但不限于此。根据本发明的研究结果，第二硅含量大致上优选大于47.4％而小于100％，其折射率大致上优选介于2.7至3.9之间，而其厚度大致上优选介于100纳米至300纳米之间，以提供优选的感测效果与元件可靠度。以富硅氧化硅(SiO_x2)的第二富硅介电层124为例，其第二硅含量Cs₂为1/(1+x2)，而氧含量Cx₂为x2/(1+x2)，其中Cs₂+Cx₂＝1，0＜x2＜2，且优选为0＜x2＜10/9。

以本实施例而言，第二富硅介电层124形成于第一富硅介电层122之后，亦即第一富硅介电层122设置于第一电极112与第二电极114之间，而第二富硅介电层124设置于第一富硅介电层122与第二电极114之间。而于其它实施例中，第一富硅介电层122与第二富硅介电层124的形成顺序亦可互换，例如先形成第二富硅介电层124，使得具有较高硅含量的第一富硅介电层122位于第二富硅介电层124与第一电极112之间。根据本发明的研究结果，不论先形成第一富硅介电层122或先形成第二富硅介电层124，本发明的单一光学感测元件100均能有效感测近红外光与可见光的信号。须注意的是，前述制作方法主要是提供一种垂直式多层堆叠的光学感测元件100，而本发明的其它实施例亦可利用多道沉积工艺与图案化工艺而形成水平式多层堆叠的光学感测元件，不需受到前述步骤顺序所局限。

另外，前述实施例的感光复合层结构主要是由至少两层不同的富硅介电层所构成，而于其它实施例中，本发明的感光复合层结构亦可包含三层以上的富硅介电层，或包含非氧化物、氮化物或氮氧化物的材料。请参考图3至图4。图3至图4为本发明制作光学感测元件的方法的另一优选实施例示意图。其中，为比较两实施例的不同，相同元件使用相同符号标注，且以下仅针对两实施例不同处加以说明，相同部分则不再赘述。

如图3所示，先于基板110上形成第一电极112与第一富硅介电层122，接着可于第一富硅介电层122上形成半导体层226。半导体层226的厚度大致上优选介于10纳米至30纳米之间，且优选可包括微米硅(micro-Si)层、纳米硅(nano-Si)层、多晶硅(poly-Si)层、非晶硅(α-Si)层至少其中之一或其组合。其中，本实施例的半导体层226优选包含微米硅或纳米硅。所谓的微米硅层与纳米硅层分别包含有硅微米管芯(microcrystalline silicon)与硅纳米管芯(nanocrystalline silicon)，可提供高感光效率与高转换效率。形成半导体层226的方法例如包括：进行等离子体辅助化学气相沉积工艺，利用氢气与硅甲烷反应而形成半导体层226，其中氢气与硅甲烷的气体流量比例大致上优选大于8.0，但不限于此。

如图4所示，其后于半导体层226上形成第二富硅介电层224，主要可用于吸收可见光，再形成第二电极114，以制作出光学感测元件200。据此，本发明的半导体层226可设置于第一富硅介电层122与第二富硅介电层224之间，但不需局限于此。其中，本实施例的第二富硅介电层224适合的材料、成分比例、形成方式、折射率与厚度等范围均可与第一富硅介电层122的适用范围相同，例如本实施例的第一富硅介电层122与第二富硅介电层224优选具有相似或相同的材料与成分比例，但两者不需局限于此。不论第一富硅介电层122与第二富硅介电层224为相同材料层或不同材料层，第一富硅介电层122、半导体层226与第二富硅介电层224的复合层结构均可提供良好的光学感测元件200，不但可有效感测近红外光、红外光与可见光的信号，且易于整合至光学式触控装置之中。

请参考图5。图5为PIN二极管光学感测元件与本发明的光学感测元件的光感响应频谱图(photo-responsibility spectrum)。其中，纵座标表示光学感测元件的光感响应，横座标表示感应光的波长，Poly-Si PIN是PIN二极管光学感测元件的光感响应曲线，Si-rich_1/Si-rich_2是本发明的光学感测元件100的光感响应曲线，Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_2与Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_1均为本发明的光学感测元件200的光感响应曲线。于Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_2的曲线中，第一富硅介电层122的第一硅含量大致上大于55.6％，折射率大致上介于3.4至3.9之间，而第二富硅介电层224的第二硅含量大致上大于47.4％，折射率大致上介于2.7至3.9之间。于Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_1的曲线中，第一富硅介电层122与第二富硅介电层224为相同材料层，其硅含量大致上均大于55.6％。

如图5所示，不论是在可见光波段范围(约介于380纳米至780纳米)或近红外光波段范围(约介于780纳米至2500纳米)，本发明的光学感测元件100与光学感测元件200的感测效果均优于PIN二极管光学感测元件的感测效果。依照光感响应曲线，各光学感测元件的光感响应程度由低至高分别为：Poly-Si PIN＜Si-rich_1/Si-rich_2＜Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_2＜Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_1。尤其，具有半导体层226的光学感测元件200(Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_2与Si-rich_1/micro-Si/Si-rich_1)对于波长850纳米附近的近红外光明显具有较高的感测能力，而PIN二极管光学感测元件对于红外光的感测能力则明显较差。

请参考图6。图6为本发明的光学感测元件整合于光学式触控装置的优选实施例的示意图。如图6所示，本实施例的光学感测元件100整合于光学式触控装置300内，例如低温多晶硅TFT液晶显示装置。光学式触控装置300可包括光源装置310、显示面板311与光学膜层312，例如漫射片。显示面板311包括显示元件与上述的光学感测元件100，其中显示元件可包括彩色滤光片基板、阵列基板，以及液晶层318设置彩色滤光片基板与阵列基板。彩色滤光片基板可包含透明基板320、偏光片322、黑色矩阵(black matrix)332与彩色滤光片334。黑色矩阵332的开口可暴露出感光区域(photo-sensingarea)330，大致上对应于光学感测元件100的上方。

阵列基板可包含透明基板316、偏光片314、栅极绝缘层GI、氧化物介电层IDL1、氮化物介电层IDL2、栅极电极GE、栅极/源极线SD、保护层PA、平坦层UHA与图案化的第二电极层ITO等许多膜层，而这些膜层可用以形成驱动薄膜晶体管(drive TFT)328、读取薄膜晶体管(readout TFT)324与电容326等元件。

光学感测元件100设置于读取薄膜晶体管324上方，可与光学式触控装置300的像素结构工艺整合。例如在本实施例中，光学感测元件100的第一电极122、驱动薄膜晶体管328的栅极/源极线SD与电容326的上电极可均由同一电极层所形成，而光学感测元件100的第二电极114则可与驱动薄膜晶体管328的像素电极可均由第二电极层ITO所形成。此外，读取薄膜晶体管324的工艺亦可与显示区的TFT的工艺整合，例如读取薄膜晶体管324的栅极电极GE与驱动薄膜晶体管328的栅极电极GE可利用相同沉积工艺与图案化工艺所形成。

本实施例的光源装置310可设置于显示面板311下方，光源装置310内部可具有可见光元件与红外光元件(图6未示)，以分别提供可见光与红外光。根据光源装置310的类型，光源装置310可以包含侧光式背光模块或直下式背光模块，分别如图7与图8所示。于图7中，侧光式背光模块520包含多个发光元件522、框架524与导光板526。部分的发光元件522可为可见光元件，而部分的发光元件522可为红外光元件，惟附图中仅绘示出单一发光元件522，其余发光元件522并排被遮蔽而未示。于图8中，直下式背光模块510包含多个发光元件512与框架513。发光元件512包含部分的发光元件512可为可见光元件512a，而部分的发光元件512可为红外光元件512b。其中，可见光元件512a与红外光元件512b可以彼此间隔排列或是随机(random)排列，但不限于此。发光元件的类型与形状不需受到图7与图8所局限，例如，本发明的发光元件可以为发光二极管、冷阴极灯管或任何合适的光源。

请再参照图6，本发明的光学式触控装置300可具有框胶(图未示)设置于彩色滤光片基板与阵列基板之间。光学感测元件100可设置于框胶内侧的显示区域内，作为触控感测元件。如图6所示，当触控物336接近光学式触控装置300时，光源装置310所发出的光线(可包含可见光338与红外光340)会受到触控物336的反射而朝向感光区域330照射，进而被光学感测元件100所感测。光学感测元件100被激发出电子-空穴对而形成光电流，而读取薄膜晶体管324可将形成的光电流转换为感测信号。

于其它实施例中，光学感测元件100亦可设置于框胶的外侧，作为环境光感测元件。当光学感测元件100作为环境光感测元件的用时，可在显示装置运作时侦测环境光的亮度变化而改变光源装置310的背光亮度，使显示画面的亮度最佳化。视产品设计、使用环境或工艺整合等需求，本发明光学式触控装置300中的光学感测元件100均可视需要而被光学感测元件200或是前述各实施例的光学感测元件所取代。

于其它实施例中，光源装置亦可具有其它样态。请参考图9。图9为本发明的光学式触控装置的另一优选实施例的示意图。其中，为比较两实施例的不同，相同元件使用相同符号标注，且以下仅针对两实施例不同处加以说明。如图9所示，光学式触控装置400的光源装置包括可见光背光模块410，设置于显示面板311下方，可见光背光模块410可以为直下式背光模块或侧光式背光模块。而光源装置另包括红外光光源模块，设置于显示面板311上方，红外光光源模块包含至少一红外光元件442与导光板444。如此一来，光源装置可从显示面板311的下方与上方分别提供可见光338与红外光340，作为光学感测元件100的光线感测来源。

除了前述的低温多晶硅TFT液晶显示装置之外，本发明的光学感测元件亦可整合于非晶硅TFT液晶显示装置中。请参考图10。图10为本发明的光学感测元件整合于光学式触控装置的又一优选实施例的示意图，其中本实施例仅绘示出阵列基板上的部分显示元件与光学感测元件，而光学式触控装置的光源装置、彩色滤光片基板、电容与光学膜层等其余元件则可参照前述各实施例的设置。如图10所示，阵列基板可包含透明基板638、栅极绝缘层GI、栅极电极GE、栅极/源极线SD、图案化非晶硅层660、掺杂非晶硅层662、平坦层UHA与图案化的第二电极层ITO等许多膜层。阵列基板上可定义出至少一TFT区域650与至少一感光区域652，前述膜层可于TFT区域650中形成驱动薄膜晶体管676，而于感光区域652中可形成光学感测元件100。

同样地，光学感测元件100的第一电极122与驱动薄膜晶体管676的栅极/源极线SD可均由同一电极层所形成，而光学感测元件100的第二电极114与驱动薄膜晶体管676的像素电极ITO可均由同一电极层所形成，达到工艺整合的目的。

综上所述，通过第一富硅介电层与第二富硅介电层的复合层结构，本发明的单一光学感测元件即可有效感测近红外光、红外光与可见光的信号。此外，本发明的光学感测元件更易于整合至光学式触控装置之中，不但可以简化光学式触控装置的工艺与结构，且适于形成内嵌光学式触控面板。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的等同变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (33)

1.一种光学感测元件，包括：

第一电极；

第二电极；

第一富硅介电层，设置于该第一电极与该第二电极之间，用于吸收红外光；以及

第二富硅介电层，设置于该第一富硅介电层与该第二电极之间，用于吸收可见光。

2.如权利要求1所述的光学感测元件，其中该第一富硅介电层具有第一硅含量，该第二富硅介电层具有第二硅含量，且该第一富硅介电层的该第一硅含量大于该第二富硅介电层的该第二硅含量。

3.如权利要求2所述的光学感测元件，其中该第一硅含量大致上大于55.6％而小于100％，且该第二硅含量大致上大于47.4％而小于100％。

4.如权利要求1所述的光学感测元件，其中该第一富硅介电层的折射率大于该第二富硅介电层的折射率。

5.如权利要求1所述的光学感测元件，其中该第一富硅介电层包括富硅氧化硅层、富硅氮化硅层或富硅氮氧化硅层。

6.如权利要求1所述的光学感测元件，其中该第一富硅介电层的折射率大致上介于3.4至3.9之间。

7.如权利要求1所述的光学感测元件，其中该第一富硅介电层的厚度大致上介于100纳米至300纳米之间。

8.如权利要求1所述的光学感测元件，其中该第二富硅介电层包括富硅氧化硅层、富硅氮化硅层或富硅氮氧化硅层。

9.如权利要求1所述的光学感测元件，其中该第二富硅介电层的折射率大致上介于2.7至3.9之间。

10.如权利要求1所述的光学感测元件，其中该第二富硅介电层的厚度大致上介于100纳米至300纳米之间。

11.如权利要求1所述的光学感测元件，还包括半导体层，该半导体层设置于该第一富硅介电层与该第二富硅介电层之间。

12.如权利要求11所述的光学感测元件，其中该半导体层包括微米硅层、纳米硅层、多晶硅层或非晶硅层。

13.如权利要求11所述的光学感测元件，其中该半导体层的厚度大致上介于10纳米至30纳米之间。

14.一种光学感测元件的制作方法，包括：

提供基板，并于该基板上形成第一电极；

于该第一电极上形成第一富硅介电层，用于吸收红外光；

于该第一富硅介电层上形成第二富硅介电层，用于吸收可见光；以及

于该第二富硅介电层上形成第二电极。

15.如权利要求14所述的制作方法，其中该第一富硅介电层具有第一硅含量，该第二富硅介电层具有第二硅含量，且该第一富硅介电层的该第一硅含量大于该第二富硅介电层的该第二硅含量。

16.如权利要求15所述的制作方法，其中该第一硅含量大致上大于55.6％而小于100％，且该第二硅含量大致上大于47.4％而小于100％。

17.如权利要求14所述的制作方法，其中该第一富硅介电层的折射率大于该第二富硅介电层的折射率。

18.如权利要求14所述的制作方法，其中形成该第一富硅介电层的方法包括：

进行等离子体辅助化学气相沉积工艺，利用硅甲烷与氮来源气体反应而形成该第一富硅介电层，其中硅甲烷与该氮来源气体的气体流量比例大致上大于4.0。

19.如权利要求14所述的制作方法，其中该第一富硅介电层包括富硅氧化硅层、富硅氮化硅层或富硅氮氧化硅层。

20.如权利要求14所述的制作方法，其中该第一富硅介电层的折射率大致上介于3.4至3.9之间。

21.如权利要求14所述的制作方法，其中该第一富硅介电层的厚度大致上介于100纳米至300纳米之间。

22.如权利要求14所述的制作方法，其中形成该第二富硅介电层的方法包括：

进行等离子体辅助化学气相沉积工艺，利用硅甲烷与氮来源气体反应而形成该第二富硅介电层，其中硅甲烷与该氮来源气体的气体流量比例大致上大于1.2。

23.如权利要求14所述的制作方法，其中该第二富硅介电层包括富硅氧化硅层、富硅氮化硅层或富硅氮氧化硅层。

24.如权利要求14所述的制作方法，其中该第二富硅介电层的折射率大致上介于2.7至3.9之间。

25.如权利要求14所述的制作方法，其中该第二富硅介电层的厚度大致上介于100纳米至300纳米之间。

26.如权利要求14所述的制作方法，还包括形成半导体层，其中该半导体层设置于该第一富硅介电层与该第二富硅介电层之间。

27.如权利要求26所述的制作方法，其中该半导体层包括微米硅层、纳米硅层、多晶硅层或非晶硅层。

28.如权利要求26所述的制作方法，其中形成该半导体层的方法包括：

进行等离子体辅助化学气相沉积工艺，利用氢气与硅甲烷反应而形成该半导体层，其中氢气与硅甲烷的气体流量比例大致上大于8.0。

29.如权利要求26所述的制作方法，其中该半导体层的厚度大致上介于10纳米至30纳米之间。

30.一种光学式触控装置，包括：

光源装置，具有可见光元件与红外光元件，以分别提供可见光与红外光；以及

显示面板，该显示面板包括显示元件与光学感测元件，该光学感测元件包括：

第一电极；

第二电极；

第一富硅介电层，设置于该第一电极与该第二电极之间，用于吸收红外光；以及

第二富硅介电层，设置于该第一富硅介电层与该第二电极之间，用于吸收可见光。

31.如权利要求30所述的光学式触控装置，其中该光源装置包括直下式背光模块，设置于该显示面板下方。

32.如权利要求30所述的光学式触控装置，其中该光源装置包括侧光式背光模块，设置于该显示面板下方。

33.如权利要求30所述的光学式触控装置，其中该光源装置包括可见光背光模块，设置于该显示面板下方，红外光光源模块，置于该显示面板上方。

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