CN101572987B - 背光短路保护电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种背光短路保护电路，该背光短路保护电路包括两个背光供电电路、一脉宽调制集成电路、一第一输入电路及一第二输入电路。每一背光供电电路包括两个背光灯管及两个检测输出端。该脉宽调制集成电路包括一电流采样端，当该电流采样端电压小于一定电压值时，该脉宽调制集成电路停止工作。该第一输入电路包括一第一晶体管及一第二晶体管，该第一晶体管的控制极接收一检测输出端的信号，该第二晶体管的第一传导极连接至该电流采样端并接收另一检测输出端的信号，其第二传导极接地。该第二输入电路接收其余两个检测输出端的信号，并且根据该信号通过该第一晶体管控制该第二晶体管的开启与关闭。本发明背光短路保护电路安全、可靠性高。

Description

背光短路保护电路
技术领域
本发明涉及一种背光短路保护电路，尤指一种用于液晶显示器的背光短路保护电路。
背景技术
液晶显示器具有轻薄，低耗电及辐射少等特点，因此被广泛用于显示器、液晶电视、手机及笔记本电脑等领域。由于液晶显示器中的液晶分子本身并不发光，因此液晶显示器需借助一背光模组发光来提供光源，通常该背光模组包括多个背光灯管及一调节该多个背光灯管工作电流的脉宽调制集成电路，当一背光灯管工作出现意外，造成该脉宽调制集成电路的输出负载短路时，该脉宽调制集成电路需一背光短路保护电路使其停止工作，以免发生意外。
请参阅图1，是一种现有技术背光短路保护电路100的电路结构示意图。该背光短路保护电路100包括两个背光供电电路110、一输入电路120及一脉宽调制集成电路130。
每一背光供电电路110包括两个背光灯管111、一检测输出端112及一变压器113。该变压器113的副变绕组的A端连接一背光灯管111的高压端，该背光灯管111的低压端通过该检测输出端112输出反馈信号。该变压器113的副变绕组的B端连接另一背光灯管111的高压端，该背光灯管111的低压端接地。
该输入电路120包括一限流电阻121、一滤波电容122、一电阻电容并联支路123、一第一晶体管1201及一第二晶体管1202。该第一晶体管1201的源极s接地，其漏极d电连接至该第二晶体管1202的栅极g1，其栅极g连接该限流电阻121作为该输入电路120的一输入端a0。该第二晶体管1202的源极s1接地，其漏极d1作为该输入电路120的另一输入端a1。该两个输入端a0、a1分别接收该两个检测输出端112的反馈信号。该第二晶体管1202的漏极d1与源极s1之间并联一滤波电容122接地。该电阻电容并联支路123一端连接于该第二晶体管1202的栅极g1，其另一端连接至一外部电源(图未示)。
该脉宽调制集成电路130包括一电流采样端131，该电流采样端131经过一限流电阻132电连接至该第二晶体管1202的漏极d1。当该电流采样端131被拉为低电压，即小于0.3V时，该脉宽调制集成电路130停止工作。
正常工作时，该两个背光供电电路110的两个检测输出端112分别输出两个高电压信号。其中一高电压信号使得该第一晶体管1201开启，则该第二晶体管1202的栅极g1被下拉为低电压，因此该第二晶体管1202关闭。该电流采样端131检测到自a1端输入的另一高电压信号，该脉宽调制集成电路130正常工作。
当具有该检测输出端112的一背光灯管111短路或者开路时，相应的检测输出端112产生一低电压信号。当该低电压信号经过该输入端a0输入时，该第一晶体管1201关闭，该第二晶体管1202开启，该脉宽调制集成电路130的电流采样端131被接地，该脉宽调制集成电路130停止工作。当该低电压信号经过该输入端a1输入时，该脉宽调制集成电路130的电流采样端131直接检测到该低电压信号，该脉宽调制集成电路130停止工作，从而实现背光短路保护功能。
然而，当另一背光灯管111短路时，具有该检测输出端112的背光灯管111分压更高，该检测输出端112仍然保持输出高电压信号，该脉宽调制集成电路130的电流采样端131检测到该高电压信号，该脉宽调制集成电路130仍然正常工作。故该背光短路保护电路100的至少两个背光灯管111短路时，得不到有效保护，容易引发意外。
发明内容
为了解决现有技术背光短路保护电路可靠性低的问题，有必要提供一种可靠性高的背光短路保护电路。
一种背光短路保护电路，其包括两个背光供电电路、一脉宽调制集成电路、一第一输入电路及一第二输入电路。每一背光供电电路包括两个背光灯管及两个检测输出端。该脉宽调制集成电路包括一电流采样端，当该电流采样端电压小于一定电压值时，该脉宽调制集成电路停止工作。该第一输入电路包括一第一晶体管及一第二晶体管，该第一晶体管的控制极接收一检测输出端的信号，该第二晶体管的第一传导极连接至该电流采样端并接收另一检测输出端的信号，其第二传导极接地。该第二输入电路接收其余两个检测输出端的信号，并且根据该信号通过该第一晶体管控制该第二晶体管的开启与关闭。
相较于现有技术，本发明的背光短路保护电路中的第一晶体管的控制极接收一检测输出端的信号，该第二晶体管的第一传导极连接至该电流采样端并接收另一检测输出端的信号，该第二输入电路接收其余两个检测输出端的信号，并且根据该信号通过该第一晶体管控制该第二晶体管的开启与关闭，无论该两个背光供电电路的四个背光灯管其中之一短路、均出现短路或者开路时，该脉宽调制集成电路均可以实现短路保护。有效保护了设备的安全，同时也有效防止了意外的发生。
附图说明
图1是一种现有技术的背光短路保护电路的电路结构示意图。
图2是本发明背光短路保护电路一较佳实施方式的电路结构示意图。
具体实施方式
请参阅图2，是本发明背光短路保护电路200一较佳实施方式的电路结构示意图。该背光短路保护电路200包括两个背光供电电路210、一第一输入电路201、一第二输入电路202及一脉宽调制集成电路230。
每一背光供电电路210包括两个背光灯管211、两个检测输出端212及一变压器213。该变压器113的副变绕组的A端连接一背光灯管211的高压端，其副变绕组的B端连接另一背光灯管211的高压端。该两个背光灯管211的低压端分别通过该两个检测输出端212输出反馈信号。该两个背光灯管211是冷阴极荧光灯管。
该第一输入电路201包括一第一限流电阻221、一电阻电容并联支路223、一第一滤波电容227、一第一晶体管2201及一第二晶体管2202。该第一晶体管2201及该第二晶体管2202是N沟道增强型MOS场效应晶体管。
该第二输入电路202包括一第二限流电阻222、一第一二极管224、一第二二极管225、一第三二极管226、一第二滤波电容228及一第三晶体管2203。该第三晶体管2203是NPN型双极晶体管。该第一二极管224、第二二极管225及第三二极管226可采用型号为D1N4148的二极管。
该第一晶体管2201的源极s连接该第三晶体管2203的集电极c，其漏极d电连接至该第二晶体管2202的栅极g1，其栅极g连接该第一限流电阻221作为该第一输入电路201的输入端a0。
该第二晶体管2202的源极s1接地，其漏极d1作为该第一输入电路201的另一输入端a1。该电阻电容并联支路223一端连接于该第二晶体管2202的栅极g1，其另一端连接至一电源(图未示)。
该第三晶体管2203的射极e接地，其基极b依次经过该第三二极管226的负极、正极及该第二限流电阻222连接至该电源。该第一二极管224及该第二二极管225并联且其正极也经过该第二限流电阻222连接至该电源。即，在该第二输入电路202中，该第一二极管224、该第二二极管225及该第三二极管226呈“Y”型连接，其正极经过该第二限流电阻222连接至该电源。该第一二极管224的负极作为该第二输入电路202的一输入端a2，该第二二极管225的负极作为该第二输入电路202的另一输入端a3。
该第一滤波电容227并联于该第二晶体管2202的漏极d1与源极s1之间；该第二滤波电容228并联于该第三晶体管2203的基极b与射极e之间。
该脉宽调制集成电路230包括一电流采样端231及一第三限流电阻232，该电流采样端231通过该第三限流电阻232电连接至该第二晶体管2202的漏极d1。当该电流采样端231被拉为低电压，即小于0.3V时，该脉宽调制集成电路230停止工作。其中，该脉宽调制集成电路是采用型号为O29936的集成电路。
该两个背光供电电路210的四个检测输出端212分别连接至该第一输入电路201的输入端a0、a1及该第二输入电路202的输入端a2、a3。
正常工作时，该两个背光供电电路210的四个检测输出端212均输出高电压信号。其中两个高电压信号分别到达该输入端a0及该输入端a1，另外两个高电压信号到达该输入端a2及该输入端a3。该第一二极管224及该第二二极管225截止，该第三晶体管2203开启，该第一晶体管2201的源极d经过该第三晶体管2203接地，该第一晶体管2201开启，故该第二晶体管2202关闭，该输入端a1的高电压信号经过该第三限流电阻232到达该脉宽调制集成电路230的电流采样端231，该脉宽调制集成电路230保持正常工作。
当任意一背光灯管211短路或者开路时，该检测输出端212产生一低电压信号，该低电压信号几乎为0V。当该低电压信号经过该输入端a0输入到该第一输入电路201，该第一晶体管2201关闭，该第二晶体管2202开启，则该脉宽调制集成电路230的电流采样端231经过该第三限流电阻232接地，该脉宽调制集成电路230停止工作实现短路保护。
当该低电压信号经过该输入端a1输入到该第一输入电路201，该电流采样端231直接检测到该低电压信号，故该脉宽调制集成电路230停止工作实现短路保护。
当该低电压信号经过该第二输入电路202的输入端a2、a3其中之一输入，该第一二极管224及该第二二极管225是并联，且其正极经过该第二限流电阻222连接至该电源，故其正极电位由该输入端a2、a3电位较低之一决定。故该第三晶体管2203关闭，该第一晶体管2201关闭，该第二晶体管2202开启，该脉宽调制集成电路230的电流采样端231经过该第三限流电阻232接地，该脉宽调制集成电路230停止工作实现短路保护。
相较于现有技术，本发明的背光短路保护电路200中的第一输入电路201具有输入端a0、a1及第二输入电路202具有输入端a2、a3。无论该四个背光灯管211中任意一背光灯管211短路或者均出现短路或者开路时，该脉宽调制集成电路230均可以实现短路保护，有效保护了设备的安全，同时也防止了意外的发生。
本实施方式中该第一晶体管2201、该第二晶体管2202及该第三晶体管2203的栅极g、栅极g1及基极b均可称为控制极，其漏极d、漏极d1及集电极c均可称为第一传导极，其源极s、源极s1及射极e均可称为第二传导极。该第一晶体管2201及该第二晶体管2202也可为NPN双极晶体管，该第一晶体管及该第二晶体管的控制极是基极，其第一传导极是集电极，其第二传导极是射极。该第三晶体管2203也可为N沟道增强型MOS场效应晶体管，其控制极是栅极，其第一传导极是漏极，其第二传导极是源极。
另外，该两个背光供电电路210的四个检测输出端212中任一检测输出端212可以连接至该四个输入端a0、a1、a2、a3其中之一，且每一检测输出端212连接一输入端ai(i＝0，1，2，3)。

Claims (8)

1.一种背光短路保护电路，其包括两个背光供电电路、一脉宽调制集成电路及一第一输入电路，每一背光供电电路包括两个背光灯管及两个检测输出端，该脉宽调制集成电路包括一电流采样端，当该电流采样端电压小于一定电压值时，该脉宽调制集成电路停止工作，该第一输入电路包括一第一晶体管及一第二晶体管，该第一晶体管的控制极接收一检测输出端的信号，该第二晶体管的第一传导极连接至该电流采样端，并接收另一检测输出端的信号，其第二传导极接地，其特征在于：该背光短路保护电路还包括一第二输入电路，该第二输入电路包括一第一二极管、一第二二极管及一第三晶体管，该第一二极管与该第二二极管并联，其正极连接在一起并连接至一电源，其负极作为该第二输入电路的两个输入端，该第三晶体管的第一传导极输出信号经过该第一晶体管控制该第二晶体管的开启或关闭，该第二输入电路还包括一第三二极管，该第一二极管、第二二极管及第三二极管呈“Y”型连接，其正极连接在一起，该第三晶体管的控制极依次经过该第三二极管的负极、正极连接至该电源，其第二传导极接地；该第二输入电路接收其余两个检测输出端的信号，并且根据该信号通过该第一晶体管控制该第二晶体管的开启与关闭。
2.如权利要求1所述的背光短路保护电路，其特征在于：该第一晶体管的第一传导极连接于该第二晶体管的控制极，其第二传导极连接于该第三晶体管的第一传导极。
3.如权利要求2所述的背光短路保护电路，其特征在于：该第一输入电路还包括一限流电阻及一电阻电容并联支路，该检测输出端的信号经过该限流电阻传输至该第一晶体管的控制极，该电阻电容并联支路一端连接该第二晶体管的控制极，另一端连接该电源。
4.如权利要求1所述的背光短路保护电路，其特征在于：该第一输入电路还包括一第一滤波电容，该第二输入电路还包括一第二滤波电容，该脉宽调制集成电路还包括一限流电阻，该第一滤波电容并联于该第二晶体管的第一传导极与第二传导极之间，该第二滤波电容并联于该第三晶体管的控制极与第二传导极之间，该电流采样端经过该限流电阻连接至该第二晶体管的第一传导极。
5.如权利要求1所述的背光短路保护电路，其特征在于：该第一输入电路还包括一第一滤波电容，该第二输入电路还包括一 第二滤波电容，该第一滤波电容并联于该第二晶体管的第一传导极与第二传导极之间，该第二滤波电容并联于该第三晶体管的控制极与第二传导极之间。
6.如权利要求1所述的背光短路保护电路，其特征在于：该第三晶体管是NPN型双极晶体管或者N沟道增强型MOS场效应晶体管其中之一，该第三晶体管为NPN型双极晶体管时，其控制极是基极，其第一传导极是集电极，其第二传导极是射极，该第三晶体管为N沟道增强型MOS场效应晶体管时，其控制极是栅极，其第一传导极是漏极，其第二传导极是源极。
7.如权利要求1所述的背光短路保护电路，其特征在于：该脉宽调制集成电路是采用型号为OZ9936的集成电路。
8.如权利要求1所述的背光短路保护电路，其特征在于：该第一晶体管及该第二晶体管是N沟道增强型MOS场效应晶体管或NPN型双极晶体管其中之一，该第一晶体管及该第二晶体管为N沟道增强型MOS场效应晶体管时，其控制极是基极，其第一传导极是集电极，其第二传导极是射极，该第一晶体管及该第二晶体管为NPN型双极晶体管时，该第一晶体管及该第二晶体管的控制极是基极，其第一传导极是集电极，其第二传导极是射极。 
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