CN101546989B - 可变衰减器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种可变衰减器，其包括：基板，在该基板上由串联电阻和并联电阻制作的衰减器，该衰减器的信号输入端，信号输出端，共同接地端。该衰减器的串联电阻是膜状电阻，其还包括至少一个用于改变该串联电阻阻值的导电片，该导电片固定在绝缘物上。本发明在适合于各种高频及微波电路及系统，其具有频带宽、体积小、易于制造、成本低的特点。

Description

可变衰减器

技术领域

本发明涉及一种电子及通信的可变衰减器，尤其涉及一种可用于各种高频和微波电路及系统的可变衰减器。

背景技术

在电子部件家族里，可变衰减器是电路和系统中常用的基本部件之一。可变衰减器的存在，使电路制作和系统的调试变得更加灵活，方便。在几百MHz以下的电路和系统中，可变衰减器已得到广泛地应用。如CATV系统和微波电路系统中，用于测试，调节电平，增加隔离等等。

于是本申请人于2004年10月13日和2006年11月11日分别提交了关于可用于各种高频及微波电路的可变衰减器的专利申请，专利号分别为：ZL200410051879.9、200610156824.3发明名称分别为可变衰减器和微带可变衰减器，在该专利文献中公开了一种可变衰减器，其可用于高频及微波电路，其包括基板，其特征在于：其还包括位于该基板上的第一膜片电阻和连接到该第一膜片电阻两端的输入端和输出端；该第一膜片电阻的两端还分别与第三膜片电阻的一端及第四膜片电阻的一端相电连接；第三膜片电阻和第四膜片电阻的另一端分别与第二膜片电阻的一端相电连接，第二膜片电阻的另一端与接地端相电连接；该可变衰减器还包括能分别与第一膜片电阻和第二膜片电阻相电接触并分别用来改变第一膜片电阻、第二膜片电阻的阻抗大小的第一导电片和第二导电片；该可变衰减器还包括绝缘物，该第一导电片、第二导电片固定在绝缘物上。上述发明需要两种电阻(串联电阻和并联电阻)同时改变，以保证衰减器良好的特性。但由于需两种电阻同时改变，限制了制作的空间，不宜制作的更小。有时为了制作的方便和小型化，可以牺牲一些电特性，在工程使用上，尤其是在移动通信频段、射频读卡器领域(2.4GHz自由频段)，对小型化的要求更高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种具有良好宽频带特性，调节方便、适合高频和微波电路及系统中的可变衰减器。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：提供一种可变衰减器，其包括：基板，在该基板上由串联电阻和并联电阻制作的衰减器，该衰减器的信号输入端，信号输出端，共同接地端，固定在绝缘物上用于改变电阻阻值的导电片，其特征在于：该衰减器的串联电阻是膜状电阻，该导电片仅与该串联电阻电连接、仅用于改变该串联电阻的阻值。

该衰减器是π型衰减器、T型衰减器或桥型衰减器。

该衰减器的膜状串联电阻是厚膜电阻或薄膜电阻；该衰减器的并联电阻是分立电阻、贴片电阻或膜状电阻。

该膜状串联电阻、该并联电阻或所述导电片可以在该基板的不同层面上；该导电片可以是多个。

该可变衰减器还包括一个同轴连接器，该绝缘物可延伸到该连接器的外部，该同轴连接器的输入端经该衰减器的信号输入端和信号输出端与该同轴连接器的输出端相连接，该衰减器的共同接地端与该同轴连接器的壳体相连接；该同轴连接器可以是SMA型同轴连接器、N型同轴连接器或BNC同轴连接器；

或该可变衰减器还包括一个金属壳体，该金属壳体的输入输出端是同轴连接接头，该衰减器的信号输入端、信号输出端分别与该金属壳体的输入输出端相连接，该衰减器的共同接地端与该金属壳体相连接；该绝缘物可延伸到该金属壳体外。

或该可变衰减器还包括一个塑胶壳体，该衰减器的信号输入端、信号输出端、共同接地端延伸到该塑胶壳体外底部，该绝缘物可延伸到该塑胶壳体外部。

为了解决上述技术问题，本发明所采取的另一技术方案是：提供一种可变衰减器，其包括：基板，在该基板上由串联电阻和并联电阻制作的衰减器，该衰减器的信号输入端，信号输出端，共同接地端，固定在绝缘物上用于改变电阻阻值的导电片，其特征在于：该衰减器的并联电阻是膜状电阻，该导电片仅与该并联电阻电连接、仅用于改变该并联电阻的阻值。

该衰减器是π型衰减器、T型衰减器或桥型衰减器。

该衰减器的膜状并联电阻是厚膜电阻或薄膜电阻；该衰减器的串联电阻是分立电阻、贴片电阻或膜状电阻。

该串联电阻、该膜状并联电阻或该导电片可以在该基板的不同层面上。该导电片可以是多个。

该可变衰减器还包括一个同轴连接器，该绝缘物可延伸到该连接器的外部，该同轴连接器的输入端经该衰减器的信号输入端和信号输出端与该同轴连接器的输出端相连接，该衰减器的共同接地端与该同轴连接器的壳体相连接；该同轴连接器可以是SMA型同轴连接器、N型同轴连接器或BNC同轴连接器；

或该可变衰减器还包括一个金属壳体，该金属壳体的输入输出端是同轴连接接头，该衰减器的信号输入端、信号输出端分别与该金属壳体的输入输出端相连接，该衰减器的共同接地端与该金属壳体相连接；该绝缘物可延伸到该金属壳体外。

或该可变衰减器还包括一个塑胶壳体，该衰减器的信号输入端、信号输出端、共同接地端延伸到该塑胶壳体外底部，该绝缘物可延伸到该塑胶壳体外部。

本发明的有益效果是：用微带电路的方式组成一个衰减器，通过改变衰减器的串联电阻或并联电阻的阻值，可改变衰减器的衰减量，其制作更简单、更易于小型化，制作成本更低，调节更方便，射频布线更方便。

因此本发明具有以下优点：

a.本发明的体积小，调节方便，适用各种小型化电路及通信电路中，尤其适用于移动通信、射频读卡器的功率调节用；

b.本发明构造简单，制作成本低；

c.适用于各种均衡电路；

d.适用于各种隔离电路；

e.适用于各种调整电路，控制及安定电路中，以及耦合量的调节用电路；

f.插入损耗小；

g.可作为试验室的研究开发用的调整、测试设备。

附图说明

图1是第一实施例的电路图。

图2是第一实施例的基板表层的电路结构示意图。

图3是第一实施例的基板底层的电路结构示意图。

图4是第一实施例的导电片结构示意图。

图5是第一实施例的多个导电片结构示意图。

图6是第一实施例的基板与导电片的组合示意图。

图7是第一实施例的壳体内部结构组装示意图。

图8是第一实施例的壳体内部结构组合示意图。

图9是第一实施例的金属壳体外观图。

图10是第一实施例的塑胶壳体外观图。

图11是第一实施例的SMA同轴连接器外观结构示意图。

图12是第一实施例的SMA同轴连接器外观结构示意图。

图13是第二实施例的基板的表层电路结构示意图。

图14是第二实施例的基板的底层电路结构示意图。

图15是第三实施例的电路图。

图16是第三实施例的基板表层的电路结构示意图。

图17是第三实施例的基板底层的电路结构示意图。

图18是第三实施例的导电片结构示意图。

图19是第四实施例的电路图。

图20是第四实施例的基板表层的电路结构示意图。

图21是第四实施例的基板底层的电路结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1，它是本发明的可变衰减器的第一实施例的电路图。该电路是一个典型的π型衰减器的电路图。在衰减器里，我们一般把串接于信号输入端与输出端间的电阻称为串联电阻，把并接于信号输入端或输出端间的电阻称为并联电阻。图中的电阻4称为串联电阻4；电阻5、6称为并联电阻5、并联电阻6。π型衰减器的并联电阻5与并联电阻6的阻值要相同。通过改变串联电阻4的阻值，可改变该衰减器的衰减量s21。理想的状态是，按衰减器的理论值来同时改变串联电阻的阻值与并联电阻的阻值。这样设计的可变衰减器其反射系数s11，s22会很理想。但串联电阻、并联电阻变化规律不是按同一个比例变化的，设计起来较复杂且制作起来难度也较高。若只要求一个电阻变化比如串联电阻变化，其它电阻不变，设计和制作都会大大简化，但其反射系数会变坏。若将反射系数的变化限制在某个范围内，比如s11从-30dB变为-14dB(即驻波比SWR从1.06变为1.5)，工程上是可以接受的。比如制作一个6dB到20dB的可变衰减器，理想的6dB衰减器的阻值是：串联电阻4的阻值为37欧姆，并联电阻5，6的阻值为：150欧姆；其s11为-30dB以下；理想的20dB衰减器的阻值是：串联电阻4为247欧姆，并联电阻5，6的阻值为61欧姆，其s11为-30dB以下。这要求串联电阻和并联电阻同时变化。但我们可以只让串联电阻4变，不要求并联电阻5，6变。比如串联电阻4为可变电阻，其变化范围从22欧姆变到350欧姆，并联电阻5、6的阻值相同，为91欧姆固定的阻值的电阻；当串联电阻4从22欧姆变到350欧姆，该衰减器的衰减量s21从6dB变为20dB，其反射系数s11最坏为-14dB(SWR：1.5)。工程使用上是完全可用的。美国著名射频公司Agilent的可变衰减器型号8494H的最大SWR为：1.5在8GHz时。

同样的方法，串联电阻4的阻值不变，将并联电阻制作成膜状电阻，通过改变并联电阻5和6的阻值，也可以完成衰减器的可变。但并联电阻的改变对衰减量的改变影响不如串联电阻改变时的大。

请参阅图2，它是第一实施例的基板表层的电路结构示意图。该π型衰减器制作在一个基板1上，该基板1可以是双层射频PCB板，表层制作有厚膜串联电阻4，该厚膜串联电阻4的一端通过过孔与该基板1的底层上的信号微带线71的端子711相连接；该厚膜串联电阻4的另一端通过过孔与该基板1的底层上的信号微带线72的端子721相连接。该基板1也可以是单层或多层基板，可以是PCB板也可以是陶瓷基板等基板。

请参阅图3，它是第一实施例的基板底层的电路结构示意图。在该基板1的底层，该π型衰减器的信号输入端2通过信号微带线71与端子711相连接；该π型衰减器的信号输出端3通过信号微带线72与端子721相连接。在该基板1的底层上还有两个并联电阻5，6，该并联电阻5，6是贴片电阻，该并联电阻5的一端与端子711相连接，另一端与共同接地端8相连接；该并联电阻6的一端与端子721相连接，另一端与共同接地端8相连接，组成一个π型衰减器。衰减器是一个双向宽带对称网络，其输入输出端原则上是可以互换。这里要说明的是，并联电阻4，5也可以是膜状电阻等电阻；串联电阻4也可以是薄膜电阻，薄膜电阻的频率特性可以做的更高，但它的耐磨性不如厚膜电阻。另外，在该基板1的中心处有一个定位孔9，其作用下节里说明。

请参阅图4，它是第一实施例的导电片结构示意图。该导电片12是制作在PCB板上的(金属)微带线，该微带线的宽度与信号微带线的宽度相同为佳。该导电片12的作用是用于改变该厚膜串联电阻4的阻值。该PCB板10上有导电片的那一面与该厚膜串联电阻4相接触，通过旋转该PCB板，使该导电片与该厚膜串联电阻4的接触面积发生变化，从而可改变该厚膜串联电阻4的阻值，从而改变该π型衰减器的衰减量。该PCB板10上有定位孔9，位移孔11。该PCB上没有导电片的那一面上有一个转动(调节)柱体，该柱体的底部有两个圆柱，一个圆柱插入该定位孔9，并且窜过该PCB板10同时插入该基板1的定位孔内，另一个圆柱插入该PCB板的位移孔，但不可穿过该PCB板。通过旋转该转动柱体，可带动该PCB板旋转，从而使导电片产生所需位移。将该厚膜串联电阻4与其它电阻、微带线等设置在基板1的不同层是为了保证有效地用导电片来改变串联电阻4的阻值。

请参阅图5，它是第一实施例的多个导电片结构示意图。该导电片是由多个(6个)导电片121，122，123，124，125，126组成，各导电片之间的间隔约0.6毫米。该PCB板10上有导电片的那一面与该厚膜串联电阻4相接触，通过旋转该PCB板，使各导电片依次与该厚膜串联电阻4的接触面积发生变化，同样可以可改变该厚膜串联电阻4的阻值，从而改变该π型衰减器的衰减量。用多个导电片来改变该串联电阻4阻值的方式，其好处是射频特性更好，其使用频率可做的更高。因为当一个长长的导电片开始接触该厚膜串联电阻4时，没有表面接触的该导电片的部分，在射频信号回路上，它等效于一个电容，或1/4波长线，其对应的那个频率(波长)来讲，1/4波长的微带线相当于一个短路线，为了克服这一问题，我们将导电片可做成一个个短的导电片，可大大提高使用频率的范围。

在PCB上制作导电片的各种形状很容易，射频特性也较好，在该PCB上还可加装一个调节柱体，便于转动调节；当然绝缘物也可以选塑胶件或其它绝缘材料，将导电片可固定在该绝缘物上。

请参阅图6，它是第一实施例的基板与导电片的组合示意图。从该图中看出，通过旋转该PCB板10，比如顺时针旋转该PCB10，可使该导电片12与厚膜串联电阻4相接触，并且接触的面积逐渐变大，这样该串联电阻4的阻值会从大变小；逆时针旋转该PCB10，该串联电阻4的阻值会从小变大；为了保证可变衰减器的反射系数在工程可用的范围，避免将该串联电阻完全短路为佳，可限制导电片12的转动范围，使反射系数在某个范围内变化，比如s11从-30dB变为-14dB(即驻波比SWR从1.06变为1.5)为佳。其限制的办法，下面说明。

请参阅图7，它是第一实施例的壳体内部结构组装示意图。它由弹片91、转动柱体92、固定座97，PCB板10、基板1组成。目的是通过转动柱体92，可带动PCB10，从而带动该导电片12移动，达到改变该串联电阻4的阻值的作用。该弹片91安装在转动柱体与壳体之间，通过壳体内壳的挤压，使该PCB板10与基板1的表面紧密接触，保证导电片12与基板1上串联电阻紧密电接触。该转动柱体92上有限位柱93，卡位柱齿94，定位柱96，位移柱95。该转动柱体92的一部分插入到固定座97内，固定座97内还有齿98，它与卡位齿94相配合起到稳定转动位置的作用。该固定座97固定在基本1上，并且用螺钉穿过固定孔991，将固定座和该基板1固定在壳体内。在固定座和基板1间有该PCB板10，该转动柱体92上的定位柱96穿过该PCB板的定位孔9，插入到该基板1的定位孔9内，位移柱95插入到该PCB板10的位移孔11内，但要求该位移柱的高度小于该PCB板10的厚度。该转动柱体92可以理解为绝缘物的一部分，它与该PCB板10的绝缘基板部分共同组成绝缘物。

请参阅图8，它是第一实施例的壳体内部结构组合示意图。该固定座97的上部还有一个限位槽99，它与限位柱93配合，可限制该转动柱体92的转动范围。

请参阅图9，它是第一实施例的金属壳体外观图。将图8所述的内部结构安装在一个金属壳体100，该金属壳体的输入输出端是同轴连接接头，该衰减器的信号输入端2、信号输出端3分别与该金属壳体的输入输出端相连接，该衰减器的共同接地端与该金属壳体相连接；由于该基板1的底层上安装有并联电阻等电路，在该金属壳体的内底部开一个深约3毫米的槽，其宽度要保证共同接地端8以外的电路不要与该金属底层接触，同时要保证共同接地端8与该金属壳体的内层底板紧密接触，起到良好接地的作用。该绝缘物(转动柱体92)可延伸到该金属壳体外，通过转动该转动柱体92，可改变衰减器的衰减量。

请参阅图10，它是第一实施例的塑胶壳体外观图。将图8所述的内部结构的整体安装在一个塑胶壳体101内，该衰减器的信号输入端2、信号输出端3、共同接地端8延伸到该塑胶壳体外底部，该绝缘物可延伸到该金属壳体外部。这样，可将该可变衰减器焊接在所需电路板上使用。

请参阅图11，它是第一实施例的SMA同轴连接器外观结构示意图。将图8所述的内部结构的整体安装在一个同轴连接器的壳体102内，该绝缘物可延伸到该同轴连接器的外部，该同轴连接器的输入端经该衰减器的信号输入端和信号输出端与该同轴连接器的输出端相连接，该衰减器的共同接地端8与该同轴连接器的壳体相连接。与图9的说明相同，在该同轴连接器内，其底层的金属壳体上要加工有一个槽，目的是防止该基板1底层的并联电阻等电路与该同轴连接器底层的内壳体相接触，同时保证基板1的良好接地。该同轴连接器可以是SMA型同轴连接器、N型同轴连接器或BNC同轴连接器等其它同轴连接器。

请参阅图12，它是第一实施例的衰减量随串联电阻而改变的理论曲线图。该图的横轴坐标T所表示的是顺时针转动该PCB板10，该图的纵坐标所表示的是串联电阻4阻值和衰减器的衰减量，曲线(R)代表串联电阻4的阻值随该PCB板10的转动而变化的趋势，曲线s21代表衰减量随该PCB板10的转动而变化的趋势。

请参阅图13，它是第二实施例的基板的表层电路结构示意图。在该基板1的表层上有四个金属微带线端子41，42，43，44，它们通过各自的过孔与该基板1的底层的厚膜串联电阻4上的端子411，421，431，441相连接。这样做的目的是为了降低摩擦的影响。

请参阅图14，它是第二实施例的基板的底层电路结构示意图。在该基板1的底层，该π型衰减器的信号输入端2通过信号微带线71与该厚膜串联电阻4的一端相连接；该π型衰减器的信号输出端3通过信号微带线72与该厚膜串联电阻4的另一端相连接。该厚膜串联电阻4上有四个端子411，421，431，441，它们将该串联电阻4分为多个电阻，这样的端子越多，该厚膜串联电阻4会被分的越细。在该基板1的底层上还有两个并联电阻5，6，该并联电阻5，6是贴片电阻，该并联电阻5的一端与端子711相连接，另一端与共同接地端8相连接；该并联电阻6的一端与端子721相连接，另一端与共同接地端8相连接，组成一个π型衰减器。

参考图4或图5的导电片，来短路该基板1表层的端子41，42，43，44，同样可以完成对该厚膜串联电阻4的阻值的改变，从而可改变该π型衰减器的衰减量。该可变衰减器的串联电阻、并联电阻或导电片可以在基板不同的层。

请参阅图15，它是第三实施例的电路图。该电路是一个典型的T型衰减器的电路图。该T型衰减器的串联电阻4a，4b可选用膜状电阻，比如选厚膜电阻，串联电阻4a与4b的阻值相同。该T型衰减器的并联电阻51可选为贴片电阻。该串联电阻4a，4b串接在该衰减器的信号输入端2与信号输出端3之间；该并联电阻51的一端连接在该串联电阻4a与4b的连接处，另一端与共同接地端8相连接。通过用两个导电片来同时改变串联电阻4a，4b的阻值，可实现该T型衰减器的衰减量。

请参阅图16，它是第三实施例的基板表层的电路结构示意图。该T型衰减器制作在一个基板1上，该基板1可以是双层射频PCB板，表层制作有厚膜串联电阻4a，4b，该厚膜串联电阻4a的一端通过过孔与该基板1的底层上的信号微带线71的端子731相连接；该厚膜串联电阻4a的另一端通过过孔与该基板1的底层上的信号微带线73的端子732相连接；该厚膜电阻4b的一端通过过孔与该基板1的底层上的信号微带线73的端子733相连接；该厚膜串联电阻4b的另一端通过过孔与该基板1的底层上的信号微带线72的端子734相连接。

请参阅图17，它是第三实施例的基板底层的电路结构示意图。在该基板1的底层，该T型衰减器的信号输入端2通过信号微带线71与端子731相连接；该T型衰减器的信号输出端3通过信号微带线72与端子734相连接。在该基板1的底层上还有一个并联电阻51，该并联电阻51是贴片电阻，该并联电阻51的一端与微带线73相连接，另一端与共同接地端8相连接，组成一个T型衰减器。

请参阅图18，它是第三实施例的导电片结构示意图。在PCB板10上制作了两个导电片127，128，该导电片的宽度与信号微带线的宽度相同为佳。该导电片127的作用是用于改变该厚膜串联电阻4a的阻值；该导电片128的作用是用于改变该厚膜串联电阻4b的阻值。该PCB板10上有导电片的那一面与该厚膜串联电阻4a，4b相接触，通过旋转该PCB板，使该导电片与该厚膜串联电阻的接触面积发生变化，从而可改变该厚膜串联电阻4a，4b的阻值，从而改变该T型衰减器的衰减量。该PCB板10上有定位孔9，位移孔11。

同样的方法，串联电阻4a，4b的阻值不变，将并联电阻制作成膜状电阻，通过改变并联电阻51的阻值，也可以完成衰减器的可变。但并联电阻的改变对衰减量的改变影响不如串联电阻改变时的大。

请参阅图19，它是第四实施例的电路图。该电路是一个典型的桥型衰减器的电路图。该桥型衰减器的串联电阻4c可选用膜状电阻，比如选厚膜电阻；该桥型衰减器的并联电阻52可选为贴片电阻。该桥型衰减器还有两个50欧姆的电阻53，54。该串联电阻4c串接在该衰减器的信号输入端2与信号输出端3之间。通过用导电片来同时改变串联电阻4c的阻值，可实现该T型衰减器的衰减量。

请参阅图20，它是第四实施例的基板表层的电路结构示意图。该桥型衰减器制作在一个基板1上，该基板1可以是双层射频PCB板，表层制作有厚膜串联电阻4c，该厚膜串联电阻4c的一端通过过孔与该基板1的底层上的信号微带线71的端子741相连接；该厚膜串联电阻4c的另一端通过过孔与该基板1的底层上的信号微带线72的端子742相连接。

请参阅图21，它是第四实施例的基板底层的电路结构示意图。在该基板1的底层，该桥型衰减器的信号输入端2通过信号微带线71与端子741相连接；该桥型衰减器的信号输出端3通过信号微带线72与端子742相连接。在该基板1的底层上还有两个50欧姆的贴片电阻53，54，该电阻53的一端与端子741相连接，另一端与微带线74相连接；该电阻54的一端与端子742相连接，另一端与微带线74相连接；该并联电阻52的一端与微带线74相连接，另一端与共同接地端8相连接，组成一个桥型衰减器。

关于所用导电片，可选用图4或图5所示的导电片结构。该导电片的作用是用于改变该厚膜串联电阻4c的阻值；通过旋转该PCB板，使该导电片与该厚膜串联电阻4c的接触面积发生变化，可改变该厚膜串联电阻4c的阻值，从而改变该桥型衰减器的衰减量。

同样的方法，串联电阻4c的阻值不变，将并联电阻52制作成膜状电阻，通过改变并联电阻52的阻值，也可以完成衰减器的可变。但并联电阻的改变对衰减量的改变影响不如串联电阻改变时的大。

对于所述的π型衰减器、T型衰减器、桥型衰减器来讲，其改变衰减量的调节方式、封装结构是相同或相近的，这里不再重复说明。

另外，也可以用内部构造是膜状电阻的电位器代替该π型衰减器的膜状电阻、导电片和绝缘物，或代替该桥型衰减器的膜状电阻、导电片和绝缘物。因为该电位器的内部构造也是膜状电阻、也有导电片和绝缘物。但这样的电位器只是一个可调电阻，不是π型、T型或桥型衰减器，它的射频特性是无法保证的。但将它与本发明的电路结构相结合，即用它代替所述的膜状电阻、导电片和绝缘物，也可以用于改变衰减器的衰减量，可用于使用频率不高的场合，比如1GHz到2GHz。这样的结构也在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种可变衰减器，其包括：基板，在该基板上由串联电阻和并联电阻制作的衰减器，该衰减器的信号输入端，信号输出端，共同接地端，固定在绝缘物上用于改变电阻阻值的导电片，其特征在于：

该衰减器的串联电阻是膜状电阻，该导电片仅与该串联电阻电连接、仅用于改变该串联电阻的阻值；

该衰减器的膜状串联电阻是厚膜电阻或薄膜电阻；该衰减器的并联电阻是分立电阻、贴片电阻或膜状电阻；并且该膜状串联电阻、该并联电阻或该导电片在该基板的不同层面上，所述导电片为一个或多个。

2.根据权利要求1所述的可变衰减器，其特征在于：该衰减器是π型衰减器、T型衰减器或桥型衰减器。

3.根据权利要求1所述的可变衰减器，其特征在于：该可变衰减器还包括一个同轴连接器，该绝缘物可延伸到该连接器的外部，该同轴连接器的输入端经该衰减器的信号输入端和信号输出端与该同轴连接器的输出端相连接，该衰减器的共同接地端与该同轴连接器的壳体相连接；该同轴连接器是SMA型同轴连接器、N型同轴连接器或BNC同轴连接器；

或该可变衰减器还包括一个金属壳体，该金属壳体的输入输出端是同轴连接接头，该衰减器的信号输入端、信号输出端分别与该金属壳体的输入输出端相连接，该衰减器的共同接地端与该金属壳体相连接；该绝缘物可延伸到该金属壳体外；

或该可变衰减器还包括一个塑胶壳体，该衰减器的信号输入端、信号输出端、共同接地端延伸到该塑胶壳体外底部，该绝缘物可延伸到该塑胶壳体外部。

4.一种可变衰减器，其包括：基板，在该基板上由串联电阻和并联电阻制作的衰减器，该衰减器的信号输入端，信号输出端，共同接地端，固定在绝缘物上用于改变电阻阻值的导电片，其特征在于：

该衰减器的并联电阻是膜状电阻，该导电片仅与该并联电阻电连接、仅用于改变该并联电阻的阻值；

该衰减器的膜状并联电阻是厚膜电阻或薄膜电阻；该衰减器的串联电阻是分立电阻、贴片电阻或膜状电阻；并且该串联电阻、该膜状并联电阻或该导电片在该基板的不同层面上，所述导电片为一个或多个。

5.根据权利要求4所述的可变衰减器，其特征在于：该衰减器是π型衰减器、T型衰减器或桥型衰减器。

6.根据权利要求4所述的可变衰减器，其特征在于：该可变衰减器还包括一个同轴连接器，该绝缘物可延伸到该连接器的外部，该同轴连接器的输入端经该衰减器的信号输入端和信号输出端与该同轴连接器的输出端相连接，该衰减器的共同接地端与该同轴连接器的壳体相连接；该同轴连接器是SMA型同轴连接器、N型同轴连接器或BNC同轴连接器；

或该可变衰减器还包括一个金属壳体，该金属壳体的输入输出端是同轴连接接头，该衰减器的信号输入端、信号输出端分别与该金属壳体的输入输出端相连接，该衰减器的共同接地端与该金属壳体相连接；该绝缘物可延伸到该金属壳体外；

或该可变衰减器还包括一个塑胶壳体，该衰减器的信号输入端、信号输出端、共同接地端延伸到该塑胶壳体外底部，该绝缘物可延伸到该塑胶壳体外部。