CN101482758B - 直发器的控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种直发器的控制方法，包括以下步骤：将负系数热敏电阻NTC装在直发器的发热体背面；在同样的充电电压下分别经过负系数热敏电阻NTC和标准电阻R给同一电容充电，结合标准电阻R的阻值、经过标准电阻R给电容充满电的时间T1、经过负系数热敏电阻NTC给电容充满电的时间T2得到负系数热敏电阻NTC的阻值RNTC＝R*T2/T1，再根据负系数热敏电阻NTC的特性参数计算负系数热敏电阻NTC的当前温度TNTC。本发明方法中，AD转换采用电容充放电的形式，采用本发明方法可以使用不带AD转换功能的MCU，成本十分低廉；可以充分发挥MCU运算速度快的优点；使得电路简单，调试方便。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种直发器的控制方法，尤其是一种可以简单地实现直发器发热温度控制的直发器控制方法。
【背景技术】
直法器在工作时，通过发热体产生高温，与直发器接触的头发被发热。发热体温度的控制原理为：市电经整流滤波电路变换为直流电，供给带AD转换的MCU用，MCU通过NTC检测到的信号转化成AD值，通过内部运算，再转化成温度值，通过内部比较去控制可控硅是否导通，从而控制发热体的温度。MCU再与LCD驱动芯片通讯，将温度在LCD上显示出来。
这种控制过程所用的MCU必须自带AD转化功能，这就增加了MCU的成本。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题是提供一种可以简单地实现直发器发热温度控制的直发器控制方法。
为解决上述技术问题，本发明提供一种直发器的控制方法，包括以下步骤：将负系数热敏电阻NTC装在直发器的发热体背面；在同样的充电电压下分别经过负系数热敏电阻NTC和标准电阻R给同一电容充电，结合标准电阻R的阻值、经过标准电阻R给电容充满电的时间T1、经过负系数热敏电阻NTC给电容充满电的时间T2得到负系数热敏电阻NTC的阻值RNTC＝R*T2/T1，再根据负系数热敏电阻NTC的特性参数计算负系数热敏电阻NTC的当前温度TNTC；将直发器发热体所需要得到的温度与所述负系数热敏电阻NTC的当前温度TNTC进行比较，根据比较结果控制直发器的发热体是否继续发热。
本发明方法中，AD转换采用电容充放电的形式，得到标准电阻R给电容充满电的时间T1、负系数热敏电阻NTC给电容充满电的时间T2，通过运算就可得知NTC的阻值，因负系数热敏电阻NTC是装在直发器的发热体的背面的，所以就可检知发热体当前的温度。
本发明的有益效果是：本发明方法中，AD转换采用电容充放电的形式，采用本发明方法可以使用不带AD转换功能的MCU，成本十分低廉；可以充分发挥MCU运算速度快的优点；使得电路简单，调试方便。
【附图说明】
下面通过具体实施方式并结合附图，对本发明作进一步的详细说明：
图1是实施本发明方法的一种电路的示意图。
【具体实施方式】
图1示出了实施本发明方法的一种电路。
如图1所示，该电路包括多点控制单元MCU、电容C1、标准电阻R5和负系数热敏电阻NTC。MCU采用义隆公司的78P153，该MCU不带AD转换器，价格十分低廉；标准电阻R5的阻值为R；电容C1一端接地、另一端连接在MCU的P62口；负系数热敏电阻NTC一端连接在MCU的P64口、另一端连接在MCU的P62口与电容C1之间；标准电阻R5一端连接在MCU的P65口、另一端连接在MCU的P62口与电容C1之间；可控硅SCR1与发热体10串联，可控硅SCR1通过电阻R7连接在MCU的P66口。负系数热敏电阻NTC装在直发器的发热体10的背面。
工作时，在进行AD转换期间，先将MCU的P62口输出低电平，对C1进行放电。而与标准电阻R5、负系数热敏电阻NTC连接的MCU的I/O口(P64口、P65口)也输出低电平。然后经过R5对C1充电，过程如下：将与负系数热敏电阻NTC连接的P64置为输入口，那么其阻抗就非常大，对其他电路不会有影响；与R5连接的P65口输出高电平；此时将与C1连接的P62做为输入口，就开始充电。当P62口检测到高电平时，记录经过标准电阻R5给电容C1充满电的时间T1。完成这一过程后，将P62、P64、P65置为输出口并输出低电压，将电容C1放电。再经过负系数热敏电阻NTC对C1充电，过程如下：将P65置为输入口，P64输出高电压。再将P62置为输入口，就开始了充电过程。到P62检测到高电平时，记录经过负系数热敏电阻NTC给电容C1充满电的时间T2。由于(R1/T1)＝(RNTC/T2)，RNTC为经过负系数热敏电阻NTC对C1充电时负系数热敏电阻NTC的阻值，则RNTC＝R*T2/T1，从而得知当前负系数热敏电阻NTC的阻值。再根据负系数热敏电阻NTC的特性参数计算负系数热敏电阻NTC的当前温度TNTC，因负系数热敏电阻NTC是装在直发器的发热体的背面的，所以就可检知发热体当前的温度。MCU将计算得到的负系数热敏电阻NTC的当前温度TNTC与直发器发热体所需要的温度进行比较，根据比较结果MCU通过R7去控制可控硅SCR1的导通或截止，也就是发热体10通电或不通电，从而控制了发热体10的温度。
经过标准电阻R5给电容C1充满电与经过负系数热敏电阻NTC给电容C1充满电这两个过程之间的先后顺序对控制过程没有影响。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种直发器的控制方法，其特征在于：包括以下步骤：将负系数热敏电阻NTC装在直发器的发热体背面；在同样的充电电压下分别经过所述负系数热敏电阻NTC和标准电阻R给同一电容充电，结合所述标准电阻R的阻值、经过所述标准电阻R给所述电容充满电的时间T1、经过所述负系数热敏电阻NTC给所述电容充满电的时间T2得到所述负系数热敏电阻NTC的阻值RNTC＝R*T2/T1，再根据所述负系数热敏电阻NTC的特性参数计算所述负系数热敏电阻NTC的当前温度TNTC；将直发器发热体所需要得到的温度与所述负系数热敏电阻NTC的当前温度TNTC进行比较，根据比较结果控制直发器的发热体是否继续发热。
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Publications (2)
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| CN101482758A CN101482758A (zh) | 2009-07-15 |
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- 2009-01-19 CN CN2009101051279A patent/CN101482758B/zh active Active
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