CN101471356A - Cmos图像传感器及其制造方法 - Google Patents
Cmos图像传感器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101471356A CN101471356A CNA2008101790098A CN200810179009A CN101471356A CN 101471356 A CN101471356 A CN 101471356A CN A2008101790098 A CNA2008101790098 A CN A2008101790098A CN 200810179009 A CN200810179009 A CN 200810179009A CN 101471356 A CN101471356 A CN 101471356A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- watertight composition
- image sensor
- cmos image
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 36
- -1 cycloalkyl hydrocarbon Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 11
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- HDERJYVLTPVNRI-UHFFFAOYSA-N ethene;ethenyl acetate Chemical compound C=C.CC(=O)OC=C HDERJYVLTPVNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 103
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 4
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
一种CMOS图像传感器可以包括形成于半导体衬底上的介电层，顺序形成于介电层的整个表面上的第一钝化层和第二钝化层，以及顺序形成于第二钝化层上的平坦层、滤色器层、保护涂层和微透镜。该CMOS图像传感器可以进一步包括布置在介电层上以围绕微透镜的多个金属衬垫，在微透镜和金属衬垫之间的介电层上形成的防水层，以及暴露金属衬垫和防水层的第一开口部分和第二开口部分。
Description
本申请要求第10-2007-0140310号(于2007年12月28日递交)韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明实施例涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，更具体地，涉及一种能够防止水渗透的CMOS图像传感器及其制造方法。
背景技术
通常，图像传感器指的是利用半导体的感光性将光学信号转换为电信号的器件。可以将图像传感器广泛地分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器或互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
在CCD中，将光学信号转换为电信号的多个光电二极管被布置成矩形。CCD还包括多个垂直CCD(VCCD)、多个水平CCD(HCCD)和传感放大器(sense amplifier)，其中该多个垂直CCD置于以矩阵形式布置的各个光电二极管之间以垂直传输从光电二极管中产生的电荷，该多个水平CCD用以水平传输被VCCD传输的电荷，而该传感放大器用以检测水平传输的电荷并且从而输出电信号。
上述的CCD具有复杂的操作系统，消耗大量的功率，并且需要多级光处理。因此，CCD的制造过程也很复杂。
此外，因为很难将控制电路、信号处理电路、A/D转换电路等集成在CCD芯片中，所以很难以紧凑尺寸来制造CCD。
近来，为此目的，CMOS图像传感器已经被认为是能够克服(address)CCD缺点的下一代图像传感器。
根据使用控制电路和信号处理电路作为外围电路的CMOS技术，CMOS图像传感器包括在半导体衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管的数量与单位像素的数量相对应。CMOS图像传感器以开关方式(switching manner)来使用MOS晶体管顺序检测各个单位像素的输出。
例如，CMOS图像传感器在每个单位像素中形成有光电二极管和MOS晶体管。通过由每个单位像素以开关方式顺序检测的电信号来显示图像。
因此通过应用CMOS制造技术，可以形成CMOS图像传感器，相比于CCD图像传感器，该CMOS图像传感器消耗较少的功率，并且具有减少的光处理数量，以及从而具有更简化的制造过程。
下文中，将参照附图来说明传统CMOS图像传感器的制造方法。
图1A到图1D是示出了传统CMOS图像传感器的制造过程的截面图。
首先，如图1A所示，在半导体衬底100上形成诸如栅极介电层或层间电介质的介电层101。此外，在介电层101上形成用于每个信号线的金属衬垫102。在包括金属衬垫102的介电层101的整个表面上形成包括氧化层或氮化层的第一钝化层103。
接下来，参照图1B，在第一钝化层103上施加光导层(photoconductive layer)104，并且通过曝光和显影来图样化该光导层104以暴露金属衬垫102的上部。例如，通过使用图样化的光导层104选择性地刻蚀第一钝化层103来在金属衬垫102处形成开口部分105。
如图1C所示，接下来，去除光导层104，并且在半导体衬底100的整个表面上形成第二钝化层110。为了保护在后续过程中形成的微透镜109，可以通过气相沉积热树脂(thermal resin)(TR)或正硅酸乙酯(TEOS)的薄层来形成第二钝化层110。这里，可以使用低温氧化物(LTO)来形成第二钝化层110。
如图1D所示，通过在第二钝化层110的整个表面上气相沉积氮化硅层或氮氧化硅层(silicon oxide nitride layer)来形成平坦层106。平坦层106通过光处理被选择性地刻蚀以仅在与金属衬垫102不对应的部分上保留。此外，在与各个光电二极管区(未示出)相对应的平坦层106上形成滤色器层107。这里，可以通过施加相应的彩色抗蚀剂(color resist)并且使用专用的掩膜实施光刻来形成滤色器层107。
在这之后，在包括滤色器层107的衬底100的整个表面上形成保护涂层(overcoating layer)108，并且然后通过光处理来选择性地刻蚀保护涂层108以使其仅保留在与金属衬垫102不对应的部分。
接下来，将聚合物(polymer)联结至保护涂层108作为用于微透镜109的材料。通过曝光和显影图样化光导层来限定微透镜区。然后，选择性地图样化作为微透镜材料层的聚合物以便相应于滤色器层107形成微透镜图样。通过回流工艺(reflow process)来热处理微透镜图样，从而形成具有预定曲率的半球状的微透镜109。
然而，在传统CMOS图像传感器中，因为在低温下气相沉积LTO，所以LTO层的密度不够。同样，由于LTO层是多孔渗水(porous)且亲水的，所以水可以轻易地渗透微透镜，从而引起裂缝且使微透镜的寿命降低。在半导体的布线联结期间，裂缝可能引起应力(stress)，且因此由于应力甚至可能损坏微透镜。
发明内容
大体上，本发明的示例性实施例涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器及其制造方法基本上避免了由于相关技术的局限性和缺点引起的一个或多个问题。
例如，本发明的实施例涉及提供一种能够防止水渗透的CMOS图像传感器及其制造方法。
根据第一个实施例，一种CMOS图像传感器包括：形成于半导体衬底上的介电层，顺序形成于介电层的整个表面上的第一钝化层和第二钝化层，以及顺序形成于第二钝化层上的平坦层、滤色器层、保护涂层和微透镜。该CMOS图像传感器进一步包括：布置在介电层上以围绕微透镜的多个金属衬垫，在微透镜和金属衬垫之间的介电层上形成的防水层(water barrier)，以及暴露金属衬垫和防水层的第一开口部分和第二开口部分。
根据第二个实施例，一种用于制造CMOS图像传感器的方法包括：在半导体衬底的整个表面上顺序形成介电层、金属衬垫和第一钝化层，并且通过选择性刻蚀第一钝化层来形成第一开口部分和第二开口部分。接下来，通过第二开口部分来在介电层上形成至少一个防水层，并且可以在第一钝化层的整个表面上形成第二钝化层。该方法还可以包括：在形成于第二钝化层上的微透镜区上顺序形成平坦层、滤色器层、保护涂层和微透镜。
提供这些概要的目的在于以简单的形式介绍一种概念的选择，这些概念将在以下的具体实施方式中作进一步描述。这些概要不是为了确定所要求的主题内容的关键特征或本质特性，也不是为了用作确定所要求的主题内容的范围的辅助。
附加特征将在下文中阐述，并且一部分特征将从描述中清楚地知道，或者可以通过本发明的实施获知。本发明的特征可以通过在所附的权利要求中特别指出的装置及其组合的方式来实现和获得。本发明的特征将通过下文或所附的权利要求变的更为显而易见，或者可以通过在下文中阐述的本发明的实施来获知。
附图说明
从结合附图所给出的本发明示例性实施例的以下描述中将清楚的知道本发明示例性实施例的多个方面，其中：
图1A到图1D是示出了根据传统技术用于制造CMOS图像传感器的方法的过程截面图；
图2是根据本发明实施例的CMOS图像传感器的平面图；
图3是沿着线A-A’截取的图2的截面图；以及
图4A到图4E是示出了根据图2的实施例制造CMOS图像传感器的方法的过程截面图。
具体实施方式
在以下的本发明示例性实施例的详细描述中，参考附图以图示的方式示出本发明的特定具体实施方式。在附图中，几个附图中以相同的标号描述基本上相同的元件。这些具体实施方式描述的足够详细以使本领域技术人员能够实施本发明。可以利用其他的具体实施方式，并在不脱离本发明的范围内可以作结构的、逻辑的和电的改变。而且，可以理解的是，本发明的各种具体实施方式，尽管不同，但不是一定互相独立的。例如，在一个具体实施方式中描述的显著特征、结构或特性也可能包含在其他的具体实施方式中。因此，以下的具体描述不应该被局限的理解，而本发明的范围仅通过所附的权利要求以及这些权利要求所享有的等同替换的全部范围来限定。
图2是根据本发明实施例的CMOS图像传感器的平面图，而图3是沿着线A-A’截取的图2的截面图。
如图2和图3中所示，CMOS图像传感器包括半导体衬底1和以栅极介电层或层间电介质的形式形成于半导体衬底1上的介电层5。可以沿着半导体衬底1的外缘在介电层5上形成多个金属衬垫3以围绕微透镜11，并可以在置于微透镜11和金属衬垫3之间的介电层5上形成多个防水层4。该CMOS图像传感器可以进一步包括在介电层5的整个表面上由例如氧化层或氮化层形成的第一钝化层6a，以及形成于第一钝化层6a上的第二钝化层6b。可以通过选择性地刻蚀第一钝化层6a和第二钝化层6b来在金属衬垫3和防水层4上形成第一开口部分7a和第二开口部分7b。可以在第二钝化层6b上的微透镜区中形成平坦层8，可以在平坦层8上形成滤色器层9，以及可以在包括滤色器层9的平坦层8的整个表面上形成保护涂层10。然后可以在保护涂层10上形成微透镜11。
可以使用低温氧化物(LTO)来形成第二钝化层6b。
可以围绕微透镜11以相同的间隔来布置防水层4。可以通过等离子增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition)(PECVD)在介电层5上由例如疏水性的(hydrophobic)有机前体(precursor)来形成防水层4。防水层4的厚度可以是大约10埃到1500埃。
防水层4可以由烃基(hydrocarbon-based)材料诸如环烷基烃(naphthene-based hydrocarbon)、芬芳烃(aromatic hydrocarbon)、聚丙烯(polypropylene)、聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯(ethylene-vinylacetate)或乙烯乙酯(ethylene ethyl)来形成。
可选地，可以通过电镀(electroplating)或溅射(sputtering)来在介电层5上由诸如Ti、Cu或Pb的金属形成防水层4。
此外，可以通过电镀或溅射来穿过第二开口部分7b在防水层4上沉积诸如Ti、Cu或Pb的金属，从而形成阻挡金属层13。
通过这样形成阻挡金属层13，可以减少或防止裂缝和水的渗透。
下文中，将参照附图来详细地说明用于制造CMOS图像传感器的方法。
图4A到图4E是示出了CMOS图像传感器制造方法的过程截面图。
首先参照图4A，在半导体衬底1上形成诸如栅极介电层或层间电介质的介电层5，以及在介电层5上形成用于每个相应的信号线的金属衬垫3。在包括金属衬垫3的介电层5的整个表面上形成第一钝化层6a。该钝化层可以由例如氮化层或氧化层制成。
接下来，如图4B所示，在第一钝化层6a上施加光导层12，并且通过曝光和显影来刻蚀该光导层12以便暴露每个金属衬垫3的上部。还可以刻蚀光导层12以便同样暴露用于形成防水层4的区域。此外，使用刻蚀的光导层12作为掩膜来选择性地刻蚀第一钝化层6a。因此，在金属衬垫3上形成第一开口部分7a。同样，形成第二开口部分7b，该第二开口部分7b暴露与防水层4相对应的区域。
接下来，如图4C所示，去除光导层12，并且可以通过PECVD穿过第二开口部分7b来形成由疏水性的有机前体制成的防水层4，且该防水层4以相同的间隔布置在微透镜11周围。该防水层4可以具有大约10埃到1500埃的厚度。
可以使用烃基材料通过PECVD来在介电层5上形成防水层4，其中烃基材料包括环烷基烃、芬芳烃、聚丙烯、聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯或乙烯乙酯。可选地，可以通过电镀或溅射在介电层5上沉积包括Ti、Cu或Pb的金属来形成防水层4。
接下来，如图4D所示，可以通过在半导体衬底1的整个表面上气相沉积热树脂(TR)或薄TEOS来形成第二钝化层6b，以便保护将在以下过程中制造的微透镜11。第二钝化层6b可以由例如LTO形成。
在形成平坦层8之前，可以通过电镀或溅射穿过第二开口部分7b在防水层4上沉积诸如Ti、Cu和Pb的金属来形成阻挡金属层13。
如图4E所示，可以通过在半导体衬底1的整个表面上气相沉积氮化硅层或氮氧化硅层(silicon oxide nitride layer)来形成平坦层8。平坦层8通过光处理和刻蚀处理被选择性地刻蚀，从而仅保留在与金属衬垫3和阻挡金属层13不对应的部分。此外，可以在相应于各个光电二极管区(未示出)的位置处的平坦层8上形成滤色器层9。可以通过应用相应的的彩色抗蚀剂并且使用专用掩膜实施光刻来形成滤色器层9。
然后，可以在衬底1的整个表面上形成保护涂层10，以及然后该保护涂层10通过光处理和刻蚀处理被选择性地刻蚀以仅保留在与金属衬垫3和阻挡金属层13不对应的部分。
接下来，可以将聚合物粘附于保护涂层10来作为用于微透镜11的材料。可以通过曝光和显影图样化光导层来限定微透镜区。可以使用光导层来选择性地图样化聚合物，从而相应于滤色器层9形成微透镜图样。此外，可以通过回流工艺来热处理该微透镜图样，从而形成具有预定曲率的半球状的微透镜11。
从以上所述可以清楚地知道，依照根据上述本发明实施例的图像传感器及其制造方法，在微透镜和金属衬垫之间制备由疏水性的材料形成的防水层。从而，不仅可以防止水渗透至微透镜，而且还在布线联结期间防止了裂缝的产生。
尽管本发明已经对示例性实施例进行了描述，在不脱离如下述权利要求所限定的本发明的范围内可以作各种改变及修改，这对于本领域的技术人员而言是显而易见的。
Claims (20)
1.一种CMOS图像传感器，包括：
介电层，形成于半导体衬底上；
第一和第二钝化层，顺序形成于所述介电层的整个表面上；
平坦层、滤色器层、保护涂层和微透镜，顺序形成于所述第二钝化层上；
多个金属衬垫，布置于所述介电层上以围绕所述微透镜；
防水层，形成于所述微透镜和所述金属衬垫之间的所述介电层上；以及
第一和第二开口部分，暴露所述金属衬垫和所述防水层。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述防水层包括烃基材料。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，其中，所述烃基材料选自包括环烷基烃、芬芳烃、聚丙烯、聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯和乙烯乙酯的组。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述防水层具有大约10埃到1500埃的厚度。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，进一步包括：
阻挡金属层，形成于所述防水层上。
6.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：
在半导体衬底的整个表面上顺序形成介电层、金属衬垫和第一钝化层；
通过选择性地刻蚀所述第一钝化层来形成第一和第二开口部分；
穿过所述第二开口部分在所述介电层上形成至少一个防水层；
在所述第一钝化层的整个表面上形成第二钝化层；以及
在形成于所述第二钝化层上的微透镜区上顺序形成平坦层、滤色器层、保护涂层和微透镜。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述第一开口部分以暴露所述金属衬垫。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第一开口部分和所述微透镜之间形成所述第二开口部分。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，使用低温氧化物(LTO)来形成所述第二钝化层。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述至少一个防水层由有机前体形成。
11.根据权利要求6所述的方法，其中，通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)来形成所述至少一个防水层。
12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述至少一个防水层由疏水性的材料形成。
13.根据权利要求6所述的方法，其中，所述至少一个防水层具有大约10埃到1500埃的厚度。
14.根据权利要求6所述的方法，其中，所述至少一个防水层包括烃基材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述烃基材料选自包括环烷基烃、芬芳烃、聚丙烯、聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯或乙烯乙酯的组。
16.根据权利要求6所述的方法，其中，通过电镀或溅射金属来形成所述至少一个防水层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述防水层金属选自包括Ti、Cu和Pb的组。
18.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：
在所述至少一个防水层上形成阻挡金属层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述第二开口部分中形成所述阻挡金属层。
20.根据权利要求6所述的方法，其中，所述至少一个防水层包括在所述微透镜的周围以相同间隔布置的多个防水层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070140310A KR20090072254A (ko) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
| KR1020070140310 | 2007-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101471356A true CN101471356A (zh) | 2009-07-01 |
Family
ID=40797043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2008101790098A Pending CN101471356A (zh) | 2007-12-28 | 2008-11-21 | Cmos图像传感器及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090166692A1 (zh) |
| KR (1) | KR20090072254A (zh) |
| CN (1) | CN101471356A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108511492A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-09-07 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 |
| CN110400813A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-01 | 深圳大学 | 一种基于钙钛矿材料的x射线数字图像探测器 |
| WO2022134940A1 (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 矽磐微电子(重庆)有限公司 | 裸片及其制作方法、芯片封装结构及其制作方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010135442A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4659355B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2011-03-30 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100504563B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2005-08-01 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
-
2007
- 2007-12-28 KR KR1020070140310A patent/KR20090072254A/ko not_active Application Discontinuation
-
2008
- 2008-10-31 US US12/262,944 patent/US20090166692A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-21 CN CNA2008101790098A patent/CN101471356A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108511492A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-09-07 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 |
| CN110400813A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-01 | 深圳大学 | 一种基于钙钛矿材料的x射线数字图像探测器 |
| WO2022134940A1 (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 矽磐微电子(重庆)有限公司 | 裸片及其制作方法、芯片封装结构及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090166692A1 (en) | 2009-07-02 |
| KR20090072254A (ko) | 2009-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7196365B2 (en) | Solid-state imaging device, solid-state imaging apparatus and methods for manufacturing the same | |
| KR100687102B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법. | |
| CN102867832B (zh) | 具有接合焊盘结构的背照式传感器及其制造方法 | |
| US8049257B2 (en) | CMOS image sensor | |
| US7705378B2 (en) | CMOS image sensor and fabricating method thereof | |
| US20060186547A1 (en) | Light shield for CMOS imager | |
| KR20130120976A (ko) | 이미지 센서 소자 및 그 제조 방법 | |
| US20080017945A1 (en) | Method for fabricating color filters | |
| CN101471356A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
| KR20070087858A (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 | |
| US7378295B2 (en) | CMOS image sensor and fabricating method thereof | |
| KR20050032438A (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| CN101299420A (zh) | 图像传感器的制造方法 | |
| US20090072285A1 (en) | Cmos image sensor and method for fabricating the same | |
| US7442975B2 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
| US7977142B2 (en) | Manufacturing method of microlens of CMOS image sensor | |
| US20070146533A1 (en) | CMOS Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
| KR100790209B1 (ko) | 시모스 이미지센서 | |
| CN101207077B (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
| US7642119B2 (en) | Method for manufacturing image sensor | |
| JP2001308299A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| KR20030042305A (ko) | 시모스 이미지센서의 제조방법 | |
| KR100729743B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100884485B1 (ko) | 광차단막을 구비한 시모스 이미지센서 및 그의 제조방법 | |
| KR20030001055A (ko) | 이미지센서 및 이미지센서 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20090701 |