CN101464186A - 发光体的测光装置 - Google Patents

Abstract

本发明的发光体的测光装置具备：输出与接收光的接收强度对应的检测数据(Ii)的n个受光部件；输出接收光的光谱分布数据(P(λ))的分光分析部件；与n个受光部件对应地，分别存储确定受光部件的灵敏度的分光灵敏度数据(PDi(λ))的存储部件；执行运算动作的控制部件。控制部件具有：根据n个检测数据(Ii)、n个分光灵敏度数据(PDi(λ))、光谱分布数据(P(λ))，计算出发光元件的发射功率的光谱分布(EGi(λ))的第一处理；根据光谱分布(EGi(λ))，计算出辐射通量(EGi)的第二处理；根据光谱分布(EGi(λ))、分光可见效率(V(λ))，计算出光通量(Φi)的第三处理。本发明的测光装置对于具有不均匀的配光特性的发光元件，也能够迅速并高精度地测定其光量。

Description

发光体的测光装置

技术领域

本发明涉及针对构成LED(Light Emitting Diode)、LD(LaserDiode)等的发光元件芯片，与每个芯片都不同的配光特性无关地，能够迅速并且高精度地确定其发光特性的测光装置。

背景技术

在LED等的制造厂商中，作为最终检查的一环，必须测量各发光元件芯片的光量(quantity of light)。作为光量值，例如要求发光强度(Luminous intensity)。在此，发光强度Iγ的坎德拉(candela)值是相对于光通量(Luminous flux)Φγ的流明(lumen)值的每单位立体角dΩ的比例，由Iγ＝dΦγ/dΩ给出。

另一方面，光通量Φγ是用由CIE(International Commission onIllumination)所规定的标准分光可见效率(Spectral Luminousefficiency)V(λ)对辐射通量Φe(radiant flux)进行加权积分的值，还利用最大可见效果度(Maximun luminous efficacy)Km，如下式这样被定义。另外，辐射通量Φe是指光源辐射到空间中的能量(W)，即每单位时间的辐射能量(J/s)。

公式1

$\mathrm{\Φ\γ}=\mathrm{Km}{\∫}_0^{\∞}\mathrm{\Φe}\left(\mathrm{\λ}\right)\·V\left(\mathrm{\λ}\right)\mathrm{d\λ}$

为了测量这样的光量，在接收发光元件芯片的发射光的位置，配置光电二极管。光电二极管经由可见度滤波器接收接收光。根据来自光电二极管的感应电流值，求出光通量(Luminous flux)值、发光强度值。在此，可见度滤波器是与人的可见度对应地再现CIE标准分光可见效率的特性V(λ)的滤波器。

由于光电二极管接收这样的通过了可见度滤波器的光，所以可以根据该光电二极管的感应电流值，求出光通量Φγ的流明值、发光强度Iγ的坎德拉值。即，可以用光量已知的其他主光源对光电二极管的输出进行校正、或者使用其他标准测量器测量同一发光光源，根据该测量值对光电二极管的输出进行修正。

但是，通过上述方法得到的检测值很大程度地依存于可见度滤波器的特性。特别地可见度滤波器的特性大多还在青绿色波长区域有偏差，因此有检测值的精度缺乏可靠性的缺点。另外，从光电二极管产生的感应电流与接收光的波长对应地变化，但在上述方法中，还有完全没有考虑到对该接收光的波长的灵敏度变化的缺点。

进而，对于具有相对于发射方向其发射强度不均匀的配光特性的发光元件芯片，有无法正确地确定其光量的致命问题。这是因为：即使是从同一半导体晶片切割出的芯片，其发光元件芯片的配光特性对于每个芯片也不同，因此即使怎样精密地对测量对象的芯片进行定位，也无法得到正确的测量值。

在此，可以增大光电二极管的受光面积，但在大面积的受光面上，无法最优地接收来自点光源的发射光(入射光不与受光面正交)，因此会增加该量的测量误差。

另外，在现有的装置中，还有以下的问题：即使能够检查朝向上方的光，但对于朝向下方的发射光，完全无法检测出其强度。例如，在现有的装置中，完全无法对应预定了倒装晶片封装(flip chippackage)的发光元件。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于：提供一种不需要使用可见度滤波器，对于具有不均匀配光特性的发光元件，也能够迅速并且高精度地测量其光量的测光装置。另外，其目的还在于：提供一种还能够检测出全部方向的配光特性的测光装置。

为了达到上述目的，本发明是一种自动地测量具有其发射强度相对于发射方向不均匀的配光特性的发光元件的光量的测光装置，具有：接收上述发光元件的发光，输出与接收到的接收光的接收强度对应的检测数据I1～In的多个的n个受光部件；接收上述发光元件的发光，对于接收到的接收光，输出以规定的波长间隔确定接收强度的相对值的光谱分布数据P(λ)的1个或多个分光分析部件；与n个受光部件对应地，分别存储以上述规定的波长间隔确定上述受光部件对接收光的波长的灵敏度的分光灵敏度数据PD1(λ)～PDn(λ)的存储部件；从上述受光部件、上述分光分析部件、上述存储部件接收必要的数据，执行运算动作的控制部件，其中上述控制部件具有：针对n个受光部件的每个，根据n个受光部件输出的检测数据I1～In、上述存储部件所存储的n个分光灵敏度数据PD1(λ)～PDn(λ)、上述分光分析部件输出的光谱分布数据P(λ)，计算出上述发光元件的发射能量的光谱分布EG1(λ)～EGn(λ)的第一处理；根据通过第一处理计算出的光谱分布EG1(λ)～EGn(λ)，计算出n个受光部件的辐射通量EG1～EGn的第二处理；根据通过第一处理计算出的光谱分布EG1(λ)～EGn(λ)、表示人对光的波长λ的可见度的分光可见效率V(λ)，计算出n个受光部件的光通量Φi的第三处理。

在本发明中，与发光元件的配光特性的不均匀程度对应地决定受光部件的个数n，但在任意的情况下都是多个。因此，可以将受光部件的受光面积设定为最优的大小，由于受光面与入射光正交，所以提高了测量精度。另外，理想的是将n个受光部件规则地配置在离发光元件同一距离的位置上。最优的是将n个受光部件配置得以球面或半球面覆盖发光元件。

在本发明的第一处理中，理想的是作为第i个受光部件的光谱分布EGi(λ)，执行公式(A)的计算。

EGi(λ)＝Ii×P(λ)/[∑(P(λ)×PDi(λ))]  ......公式(A)

在此，最优的是接近n个受光部件地设置多个输出光谱分布数据P(λ)的分光分析部件。但是，即使在发光元件具有不均匀的配光特性的情况下，光谱分布数据P(λ)的分布形状没有变化的情况也很多，因此在这样的情况下，也可以是单一一个分光分析部件。

在本发明的第三处理中，理想的是作为第i个受光部件的光通量Φi，执行公式(B)的运算。

Φi＝Km×[∑(V(λ)×EGi(λ))]     ......公式(B)

这样，如果对计算出的n个光通量值Φ1～Φn进行综合评价，则对于具有非均匀的配光特性的发光元件，也能够更正确地确定发光强度。典型的是采用积分处理或总和处理。

另外，检查对象的发光元件也可以原样地配置在传输线上进行检查，但理想的是应该配置在专用的检查台上进行检查。在该情况下，最优的是配置n个受光部件使得半球面或球面状地围住检查对象的发光元件。另外，如果用透光性的材料构成检查台，则能够对全部方向(360度)检查光量。另外，如果用半透光性的材料构成检查台，则在通过检查台的过程中将来自点光源的发射光变换为散射光，因此即使在大面积的受光面上也能够正确地掌握光量。

根据以上说明的发明，不需要使用可见度滤波器，另外对具有不均匀的配光特性的发光元件，也能够迅速并且高精度地测定其光量。另外，只使用透光性的检查台就能够检测出全部方向的配光特性。

附图说明

图1是表示实施例的测光装置的概要结构的框图。

图2是示例光电二极管的配置位置的图。

图3是表示待机状态的发光元件芯片的平面图。

图4是表示发光元件芯片的配光特性的图。

图5是示例光电二极管的分光灵敏度特性的特性图。

图6是表示人的可见度效率的特性图。

图7是示例来自发光元件芯片的发射光的光谱分布的特性图。

图8是表示图1的测光装置的动作的流程图(a)、表示计算部件的内部结构的图(b)。

图9是说明图1的测光装置的计算处理的流程图。

具体实施方式

以下，根据实施例，更详细地说明本发明。图1(a)是表示实施例的测光装置EQU的概要结构的电路框图。在该测光装置EQU中，将检查对象的发光元件芯片CH承载在半透明玻璃制的检查台EX上进行点亮驱动。然后，通过测光装置EQU，自动地计算其发光特性并输出。

发光元件芯片CH例如是构成发光二极管的半导体芯片。另外，将切断半导体晶片而切出的多个发光元件芯片CH......CH保持在粘接片SE上而待机(图3)。另外，自动手(robothand)逐一地取出待机状态的发光元件芯片CH，载置到检查台EX上。

发光元件芯片具有发射光的发射强度相对于发射方向不均匀的配光特性(参考图4)，并且其配光特性对于每个发光元件芯片都不同。但是，在该测光装置EQU中，设置多个的n个测量点，对n个测量值进行综合评价，由此对于配光特性不同的各个发光元件芯片CH，正确地确定其发光特性。具体地说，该测光装置EQU针对各个发光元件芯片CH，自动地计算辐射通量(Radiant flux)[W：瓦特]、进行了可见度修正后的光通量[lm：流明]、发光强度(Luminous intensity)[Cd：坎德拉]并输出。

图2图示了测光装置EQU的测量点。如图2(a)的斜视图和图2(b)的平面图所示那样，在本实施例中，在检查台EX的上方，配置8个光电二极管PD1～PD8，使得半球面状地覆盖发光元件芯片CH。具体地说，将8个光电二极管PD1～PD8配置在从发光元件芯片CH离开等距离R的位置上。4个光电二极管PD1～PD4与通过发光元件芯片CH的铅垂线(Z轴)接近地以90度间隔被配置为同心圆状。在该光电二极管PD1～PD4的外侧，将4个光电二极管PD5～PD8以90度间隔配置为同心圆状。

另外，在本实施例中，发光元件芯片CH的配光特性的不均匀程度比较轻微(参考图4)，因此使用了8个光电二极管，但当然与配光特性的不均匀程度对应地，增加配置个数n。

如图2(c)的正面图所示那样，在检查台EX的铅垂下方，配置受光面大的光电二极管PD9。在本实施例中，由半透明玻璃(毛玻璃)构成检查台EX，因此发光元件CH的发射光在检查台EX中变为散射光，到达光电二极管PD9。因此，光电二极管PD9接收与受光面垂直的散射光，受光面积大并不会特别成为问题。另外，由于能够预先通过试验掌握发射光因经由检查台EX而产生的衰减量，所以通过测量动作时的修正计算来进行修正。

接着，说明测光装置EQU的电路结构。如图1(a)所示那样，测光装置EQU以以下部件为中心构成：对发光元件芯片CH进行点亮控制的发光驱动部件DR；9个光电二极管PD1～PD9；输出与光电二极管PD1～PD9的感应电流成正比的电压的9个PD放大器1......1；正确地求出来自发光元件芯片CH的发射光的分光光谱的分光计2；接收来自PD放大器1和分光计2的输出，计算各种测光值的计算部件3；适当地对装置各部件的动作进行控制的设备控制部件4。

典型的是计算部件3由个人计算机构成，作为测光装置EQU的中央控制部件发挥功能。另外，由计算部件3计算出的测光值逐次地被存储在内置或连接于计算部件4的存储部件中，同时输出到显示输出部件DISP。

在本实施例的情况下，光电二极管PD1～PD8的全部具有直径10mm左右的受光面。其中，由于外壳等的制约，作为实效面积，为半径r＝4的圆，S＝r²×π＝50.27[mm²]。另一方面，发光元件芯片CH和光电二极管PD的距离R被设定为42mm左右。因此，光电二极管PD1～PD8所成的立体角大致为r²×π＝(R×R)＝0.028。另外，光电二极管PD9的受光面积被设定为其他光电二极管PD1～PD8的受光面积的10倍～20倍左右。

如图1(b)的原理图所示那样，9个PD放大器1分别包括OP放大器6、n个反馈电阻Ri(R1～Rn)、负载电阻RL、n个开关元件Si(S1～Sn)。在此，开关元件Si的任意一个通过设备控制部件4而成为ON状态，剩余的成为OFF状态。

OP放大器6的反转输入端子和非反转输入端子是虚短路(imaginary short)状态，OP放大器6的输入阻抗大致为无穷大。因此，光电二极管PD的感应电流I流过全部反馈电阻Ri。PD放大器1的输出电压Vo与光电二极管PD的感应电流I成正比，为Vo＝-Ri×I。另外，与PD放大器1所要求的增益对应地设定反馈电阻Ri(R1～Rn)的电阻值，因此例如如果要求10⁵、10⁶、10⁷、10⁸的4种增益，则4个反馈电阻R1～R4的电阻值为10⁵～10⁸[Ω]。

9个PD放大器1......1的输出电压Vo分别被供给到对应的A/D变换器7......7。另外，A/D变换器7的分辨率例如是12比特或6比特。通过设备控制部件4，与PD放大器1的增益对应地对供给到A/D变换器7的基准电压等A/D变换器7的动作状态进行适当的变更。

A/D变换器7......7所输出的各数字数据(测量数据)全部被供给到第一通信部件8。然后，第一通信部件8顺序地将9个测量数据发送到计算部件3。在本实施例中，通过并行通信传送测量数据，因此计算部件3能够在短时间内取得多个测量数据。

作为分光计2，在本实施例中，只使用1个利用衍射光栅(grating)对发射光进行分光的光栅分光计(grating spectrometer)。如图2(c)所示那样，在本实施例中，分光计2的光纤光缆Fi被配置在发光元件芯片CH的正上方。另外，在发光元件芯片CH的分光特性有方向性的情况下，离开地配置多个分光计2(参考图2(c)的虚线部分)。

在任意情况下，分光计2将发射光的光谱(分光分布数据)作为表示光能量强度的相对值的计数值输出。该计数值通过第二通信部件9，被发送到计算部件3。在本实施例中，第二通信部件9为了以8比特宽度或16比特宽度高速地传送数据，而采用基于SCSI(SmallComputer System Interface)规格的并行通信方式。

在计算部件3中，针对9个光电二极管PD1～PD9，设置存储如图5所示那样的分光灵敏度数据PD1(λ)～PD9(λ)的分光灵敏度表TBL1(参考图8(b))。如图5所示那样，一般光电二极管与波长λ对应地其灵敏度提高，但在本实施例中，对于可视区域的波长范围(λ＝300～800[nm])存储1[nm]间隔的分光灵敏度数据[A/W]。

因此，如果参考分光灵敏度表TBL1，则能够以单位波长(1[nm])的间隔确定与单位能量/单位时间照射(1[μJ/s]＝1[μW])对应的各光电二极管PD1～PD9的感应电流值[μA]。另外，为了构筑分光灵敏度表TBL1，也可以对每个光电二极管测量分光灵敏度数据，但简单的是使用从元件制造商提供的数据。在任意情况下，在分光灵敏度表TBL1中都对每个光电二极管存储分光灵敏度数据，因此与光电二极管的特性的离散无关地能够进行正确的测量。

另外，在计算部件3中还设置有以单位波长(1[nm])的间隔存储人的可见度特性V(λ)的可见度表TBL2(参考图6、图8(b))。作为可见度特性，使用了基于CIE的标准分光可见度效率(Spectralluminous efficiency)。该可见度特性将对波长λ＝555[nm]的单色辐射所感觉到的亮度标准化为1，表示出在其他波长下感觉到的同一辐射强度的亮度的比。如图6所示那样，例如波长λ＝470[nm]的光在物理上即使是同一辐射强度，也只感觉到波长λ＝555[nm]的光的约10分之1的亮度。

接着，根据图8(a)的流程图，说明图1的测光装置EQU的动作内容(测光算法)。如图所示，最初设备控制部件4根据来自计算部件(中央控制部件3)的指示进行动作，设定装置各部件的动作条件(ST1)。例如，与所需要的测量条件对应地设定测光时间间隔、发光元件芯片CH的点亮时间、PD放大器1......1的增益、分光计2的曝光时间等。

如果这样的初始化处理结束，则根据来自计算部件3的指示，由设备控制部件4控制发光驱动部件DR，将驱动信号供给发光元件芯片CH(ST2)。另外，与发光元件芯片CH的点亮对应地开始分光计2的动作(ST3)。

接着，计算部件3通过第一通信部件8，取得与光电二极管PD1～PD9的感应电流成正比的电压值(测量数据)(ST4)。然后，计算部件3根据A/D变换器7的分辨率或PD放大器1......1的增益，求出光电二极管PD1～PD9的感应电流值[μA]并存储。另外，在此，光电二极管PD1～PD9的感应电流值是I1～I9[μA]。

接着，计算部件3通过第二通信部件9取得来自发光元件芯片CH的发射光的分光分布数据P(λ)，并存储在存储表TBL3中(ST6)。分光分布数据P(λ)用相对值表示发射光的光谱分布，以1[nm]的间隔将光能量的相对强度表示为测量计数值(参考图7、图8(b))。

如果如上所述那样取得测量结果，则计算部件3根据所取得的测量数据，执行适当的计算处理，计算出受光面的辐射通量Φe[μW]、受光面的光通量Φγ[μlm]、发光强度Iγ[μcd]，并且存储和显示(ST7)。以下，同样地针对下一个检查对象(发光元件芯片)，也循环执行步骤ST2～ST7的处理。

图9是表示数据计算处理(ST6)的具体内容的流程图。最初，根据第一光电二极管的输出I1、分光计的输出P(λ)，确定发光元件芯片CH的辐射能量的光谱分布EG1(λ)和光通量Φ1(ST61)。具体地说，是以下的计算，

EG1(λ)＝I1×P(λ)/∑[P(λ)×PD1(λ)]    ......公式(1)

Φ1＝Km×[∑(V(λ)×EG1(λ))]           ......公式(2)

以下顺序地说明公式(1)的意义。

首先，通过公式(1)的分母所示的P(λ)×PD1(λ)的计算，与第一光电二极管的灵敏度特性PD1(λ)一致地修正作为从分光计2所得到的计数值的分光分布数据P(λ)。因此，作为照射到具有平坦的灵敏度特性的光电二极管PD1上的结果，能够将具有修正后的分光分布数据P(λ)×PD1(λ)的发射光模拟为得到感应电流I1。

接着，通过公式(1)的分母所示的∑[P(λ)×PD1(λ)]的计算，对全部波长λ积分修正后的分光分布数据P(λ)×PD1(λ)，计算出总计数值SUM＝∑[P(λ)×PD1(λ)]。因此，P(λ)×PD1(λ)/SUM的值对于各波长λ表示与总值(＝SUM)的比例比。

因此，通过I1×P(λ)×PD1(λ)/SUM的计算，将第一光电二极管PD1的感应电流值I1分解为每个波长λ成分。换一种说法，模拟出从第一光电二极管PD1检测出的总物理量的感应电流值I1被分解为每个其构成要素(波长成分)。

因此，接着，如果用感应电流值I1的构成要素I1×P(λ)×PD1(λ)/SUM除以第一光电二极管PD1的分光灵敏度数据PD1(λ)，则将来自发光元件芯片CH的发射光的功率分解为每个单位波长λ[＝1nm]。

如果总结以上说明了的全部计算，则为I1×P(λ)/SUM＝I1×P(λ)/∑[P(λ)×PD1(λ)]，结果与计算公式(1)一样。该公式(1)的计算结果是通过与发射光的绝对值成正比的物理量的感应电流值I1，对(虽然能够正确地确定发射光的光谱分布，但)只不过是相对值的分光分布数据P(λ)进行校正。换一种说法，就是将只不过是相对值的分光分布数据P(λ)变换为发射能量的光谱分布EG1(λ)。另外，如果针对全部波长，求出频谱分布EG1(λ)的总和，则求出光电二极管PD1的受光面上的可见功率量(μW)，即辐射通量EG1。

但是，光通量Φ[Lm]是根据分光可见效率(Spectral luminousefficiency)V(λ)和最大可见效果度(Maximum luminous efficacy)Km对辐射通量进行了变换的结果，由公式(2)给出。另外，预先将分光可见效率V(λ)存储在可见度表TBL2中。

Φ1＝Km×[∑(V(λ)×EG1(λ))]     ......公式(2)

以上，说明了步骤ST61的处理，但步骤ST62～ST68的处理也大致一样。即，根据第二光电二极管PD2～第8光电二极管PD8的感应电流值I2～I8、分光计2的输出P(λ)，确定发光元件芯片CH的发射功率的光谱分布EG2(λ)～EG8(λ)和光通量Φ2～Φ8(ST62～ST68)。

例如，对于第i个光电二极管PDi，使用公式(A)和公式(B)。

EGi(λ)＝Ii×P(λ)/∑[P(λ)×PDi(λ)]    ...公式(A)

Φi＝Km×[∑(V(λ)×EGi(λ))]            ...公式(B)

另一方面，第9光电二极管PD9经由半透明玻璃制的检查台EX接受发射光，因此考虑到在检查台EX上的衰减量，使用下述的公式(3)和公式(4)。另外，预先通过试验决定修正参数X(λ)。

EG9(λ)＝X(λ)×I9×P(λ)/∑[P(λ)×PD9(λ)]

                               ......公式(3)

Φ9＝Km×[∑(V(λ)×EG9(λ))]    ......公式(4)

通过以上处理，确定9个位置的测量点的发射功率的光谱分布EG1(λ)～EG9(λ)、光通量Φ1～Φ9。另外，通过针对全部波长对各测量点的发射功率的光谱分布EGi(λ)进行总和计算∑EGi(λ)，也确定了辐射通量EG1～EG9。

因此，对9个位置的测量点的辐射通量EG1～EG9进行综合评价，决定辐射通量Φe(ST70)。综合评价的方法并没有特别限定，但可以是附加与各光电二极管PDi的配置位置、受光面积对应的加权的总和计算。最简单的是如果对各光电二极管PDi的辐射通量EGi进行相加，则确定了各光电二极管的受光面积的总和面积的辐射通量∑E Gi。该计算值∑EGi为与发光元件芯片的全部辐射通量Φe对应的相关性高的值。

另外，如图2(b)所示那样，接近光电二极管PD3的浓网格部分(表面积S1)可以模拟为与光电二极管PD3的辐射通量ER3一样的值。另外，接近光电二极管PD7的淡网格部分(表面积S2)可以模拟为与光电二极管PD7的辐射通量ER7一样的值。

在这样进行了模拟的情况下，通过[S1×(EG1+EG2+EG3+EG4)+S2×(EG5+EG6+EG7+EG8)]/S的计算，能够确定向上方发射的发射光的辐射通量的全部量。在本实施例中，测量点是8个，因此可以说正确性还稍微欠缺，如果与如现有技术那样根据1个位置的测量值评价发光元件芯片的发光特性的情况相比，则精度有特别提高。并且，根据本发明，有以下的优点：如果增加测量点，则有几个都能够提高精度。

另外，在本实施例中，将受光面积大的光电二极管PD9配置在发光元件芯片CH的背面侧，因此例如以还可以测量预定了倒装晶片封装的发光元件芯片CH。另外，倒装晶片封装是指冲模(die)与连接端子的连接不使用电线(wire)，而通过直接形成在冲模表面上的导电性的突起(bump)来进行连接。

以上，说明了辐射通量，但对于光通量值Φγ，也可以对9个测量点的光通量值Φ1～Φ9进行综合评价来决定(ST71)。综合评价的方法并没有特别限定，例如对光通量值Φ1～Φ8进行平均化而作为光通量值Φγ。如最初所说明的那样，在本实施例中，在光电二极管上不安装可见度滤波器，因此具有能够同时取得辐射通量和光通量的优点。

但是，发光强度Iγ[坎德拉]是单位立体角(1立体角弧度)的光通量值Φγ[流明]。在本实施例中，发光元件芯片CH和光电二极管PD1～PD8的间距是R，由于各光电二极管PD1～PD8的受光面积S是一样的，所以通过Iγ＝Φγ×R×R/S的计算，计算出发光强度Iγ(ST72)。另外，在本实施例中，R

42mm，S

r²×π＝50.27[mm²]。

如以上说明的那样，在本实施例中，根据从分光计2得到的光谱数据P(λ)、各光电二极管的分光灵敏度数据PD1(λ)～PD9(λ)，将光电二极管的检测值I1～I9变换为每个波长的辐射通量的实际值。在此，由于比较容易提高表示相对值的光谱数据P(λ)的精度，所以计算的每个波长的辐射通量实际值的精度也高。因此，根据辐射通量实际值计算并显示输出的各测光值也是高精度的。另外，作为本实施例的测光值，计算受光总量的辐射通量[μW]、对各波长辐射通量进行可见度修正而换算出的光通量值[μLm]、作为每1立体角弧度的光通量的发光强度值[μCd]，但当然也可以适当地选择所显示输出的测光值。

以上，具体说明了本发明，但作为实施例示例了的记载内容并不限定本发明。例如，对可见区域的测量并没有限定，也可以对紫外线区域和红外线区域等任意的区域进行测量。

Claims (6)

1.一种测光装置，自动地测量具有相对于发射方向而发射强度不均匀的配光特性的发光元件的光量，其特征在于包括：

接收上述发光元件的发光，输出与接收到的接收光的接收强度对应的检测数据I1～In的多个的n个受光部件；

接收上述发光元件的发光，对于接收到的接收光，输出以规定的波长间隔确定接收强度的相对值的光谱分布数据P(λ)的1个或多个分光分析部件；

与n个受光部件对应地，分别存储以上述规定的波长间隔确定对上述受光部件中的接收光的波长的灵敏度的分光灵敏度数据PD1(λ)～PDn(λ)的存储部件；

从上述受光部件、上述分光分析部件、上述存储部件接收必要的数据，执行运算动作的控制部件，其中

上述控制部件具有：

针对n个受光部件的每个，根据n个受光部件输出的检测数据I1～In、上述存储部件所存储的n个分光灵敏度数据PD1(λ)～PDn(λ)、上述分光分析部件输出的光谱分布数据P(λ)，计算出上述发光元件的发射功率的光谱分布EG1(λ)～EGn(λ)的第一处理；

根据通过第一处理计算出的光谱分布EG1(λ)～EGn(λ)，计算出n个受光部件的辐射通量EG1～EGn的第二处理；

根据通过第一处理计算出的光谱分布EG1(λ)～EGn(λ)、表示人对光的波长λ的可见度的分光可见效率V(λ)，计算出n个受光部件的光通量Φi的第三处理。

2.根据权利要求1所述的测光装置，其特征在于：

在上述第一处理中，作为第i个受光部件的光谱分布EGi(λ)，执行公式(A)的计算，

EGi(λ)＝Ii×P(λ)/[∑(P(λ)×PDi(λ))]......公式(A)

其中Ii是第i个受光部件的检测数据；PDi(λ)是第i个受光部件的分光灵敏度数据；∑：全部波长区域中的总和计算。

3.根据权利要求1所述的测光装置，其特征在于：

在上述第三处理中，作为第i个受光部件的光通量Φi，执行公式(B)的运算，

Φi＝Km×[∑(V(λ)×EGi(λ))]......公式(B)

Km：最大可见效率度。

4.根据权利要求1所述的测光装置，其特征在于：

上述控制部件还具有：根据上述n个光通量Φi，确定检查对象的发光元件的发光强度的第四处理。

5.根据权利要求1所述的测光装置，其特征在于：

将上述发光元件配置在透光性或半透光性的检查台上进行发光驱动。

6.根据权利要求1所述的测光装置，其特征在于：

与上述发光元件的配光特性的不均匀程度对应地决定上述受光部件的个数n，规则地将n个受光部件配置在从上述发光元件离开同一距离的位置上。

Images