CN101456023A

CN101456023A - 避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法

Info

Publication number: CN101456023A
Application number: CNA2007100945326A
Authority: CN
Inventors: 徐旻; 张建; 孙长勇
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp; Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date: 2007-12-13
Filing date: 2007-12-13
Publication date: 2009-06-17
Anticipated expiration: 2027-12-13
Also published as: CN100589889C

Abstract

一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，包括：在刻蚀腔内通入第一含氧气体，第一含氧气体的压强小于腔室工艺压力计满量程的30％；向刻蚀腔内通入第二含氧气体，第二含氧气体的压强为腔室工艺压力计满量程的50％～90％。所述方法可以在刻蚀腔室不用打开的情况下将绝大部分刻蚀反应产生的反应副产物去除，避免了在刻蚀腔室打开后产生污染物，对操作间以及环境产生污染。

Description

避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法。

背景技术

在集成电路的制造中，沉积在半导体衬底上的材料，比如二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金属、金属硅化物和单晶硅以预定好的图形刻蚀形成栅、通路、接触孔、沟道或者互连线。

在刻蚀工艺中，刻蚀残余物(经常指聚合物)会淀积在刻蚀腔内的腔壁和其它部件的表面上，刻蚀残余物的组成依赖于蒸发的刻蚀气体的类型，被刻蚀的材料，以及衬底上掩模层的化学组成。例如，当被刻的是金属层，例如铝等，对金属层的刻蚀会导致金属物质的蒸发。另外，衬底上的掩模层也会部分的被刻蚀气体蒸发出来形成气态的烃、氟代烃、氯代烃或者含氧物质。这些蒸发的气态物质冷凝下来，形成包括聚合副产物的刻蚀剂的残余物。所述聚合副产物包括硅氟化物、金属氯化物或者氧气以及高度氟代和/或氯代的烃。本发明中，所述的刻蚀残余物指的是在刻蚀工艺中刻蚀腔内产生的剩余物。

所述的刻蚀残余物中的某些物质，例如含氯，含氟的聚合物以及氟代烃、氯代烃等，在刻蚀腔打开之后，以及刻蚀腔打开进行清洗的过程中，会与空气中的水汽以及用来清洗刻蚀腔的刻蚀剂反应，形成含有氟离子，氯离子等的有害气体，造成操作间氟离子，氯离子等有害气体的含量超标。这些有害气体不仅对操作间产生很大的污染，而且，严重危害操作间工作人员的身体健康。因此需要在刻蚀腔打开之前去除刻蚀腔内含有的容易产生氟离子，氯离子等有害气体的残余物，然后再进行清洗。

申请号为200410012071.X的中国专利申请文件中描述一种清洗刻蚀腔侧壁产生的污染物的方法，包括：将其上具有金属材料层的衬底放入刻蚀腔室中；将包括Cl₂，BCl₃或者CHF₃或者它们的混和物的气体引入到刻蚀腔室中；由所述的气体在刻蚀腔室中产生等离子体，从而生成从衬底上刻蚀金属材料层的刻蚀气体；以及通过向刻蚀腔室中引入含氧气体来进行分离步骤，其中，所述含氧气体与刻蚀腔室内壁上由刻蚀工艺生成的聚合物反应，形成排出产物。所述含氧气体可以是O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物。所述方法通过通入含氧气体去除刻蚀腔室内的聚合物，以达到清除腔室内由于采用Cl₂，BCl₃或者CHF₃刻蚀金属材料层产生的聚合物的作用。

但是，所述方法并没有针对刻蚀腔的不同位置进行清洗，清洗效果不够好。

发明内容

有鉴于此，本发明解决的技术问题是提供一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，在刻蚀腔打开之前去除刻蚀腔内含有的容易产生氟离子，氯离子等有害气体的残余物，避免刻蚀腔打开后产生污染环境的有害粒子例如氟离子、氯离子等。

一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，包括：

在刻蚀腔内通入第一含氧气体，第一含氧气体的压强小于腔室工艺压力计满量程的30％；

向刻蚀腔内通入第二含氧气体，第二含氧气体的压强为腔室工艺压力计满量程的50％～90％。

其中，第一含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物，第一含氧气体的压强为工艺压力计满量程的8％～20％，工艺压力计满量程为100mT时，第一含氧气体的压强为8～20mT。

其中，所述第一含氧气体的流量为200sccm～500sccm，第一含氧气体通入刻蚀腔的时间一般为10到30分钟。

其中，所述的第二含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物，所述第二含氧气体的压强为工艺压力计满量程的50％～70％，工艺压力计满量程为100mT时，第二含氧气体的压强为50～70mT。

其中，所述第二含氧气体的流量为300sccm～600sccm，第二含氧气体通入刻蚀腔的时间一般为10到30分钟。

一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，包括：

向刻蚀腔内通入第二含氧气体，第二含氧气体的压强为腔室工艺压力计满量程的50％～90％；

打开刻蚀腔，使刻蚀腔成为第一腔体和第二腔体，在第一腔体和第二腔体上设置连接装置，所述连接装置连接第一腔体和第二腔体，构成封闭的空间，所述连接装置上还设置有连接孔，通过连接孔连接外设的抽气设备，从连接装置和第一腔体、第二腔体构成的封闭空间内向外抽气。

其中，第一含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物，第一含氧气体的压强为工艺压力计满量程的8％～20％。

其中，所述的第二含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物，所述第二含氧气体的压强为工艺压力计满量程的50％～70％。

其中，所述内表面形状尺寸与刻蚀腔外表面的形状和尺寸相同，通过抽气设备从设置了连接装置的刻蚀腔内向外抽气的时间为60～120min。

一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，包括：

向刻蚀腔内通入第二含氧气体，第二含氧气体的压强为腔室工艺压力计满量程的50％～70％；

打开刻蚀腔，使刻蚀腔成为第一腔体和第二腔体，在第一腔体和第二腔体上设置连接装置，所述连接装置连接第一腔体和第二腔体，构成封闭的空间，所述连接装置上还设置有连接孔，通过连接孔连接外设的抽气设备，从连接装置和第一腔体、第二腔体构成的封闭空间内向外抽气；

打开刻蚀腔，拆卸刻蚀腔内需要进行清洗的零件，使用密封装置将拆卸的零件密封，转移至专门的刻蚀腔清洗间。

与现有技术相比，上述方案具有以下优点：

1)本发明实施例1所述的避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，可以在刻蚀腔室不用打开的情况下将绝大部分刻蚀反应产生的反应副产物去除，避免了在刻蚀腔室打开后产生污染物，对操作间以及环境产生污染。在半导体制作工艺中，对于产生的反应副产物主要是有机聚合物的刻蚀反应，由于所述有机聚合物可以通过含氧等离子体完全清除，可以利用本实施例所述的方法在同一个预防保养周期内对刻蚀腔室做一个短时间的处理，从而延长打开刻蚀腔室做保养的周期。

通过限制通入的第一含氧气体和第二含氧气体的压强，可以控制刻蚀腔内生成的含氧等离子体在刻蚀腔内的分布位置，分别对刻蚀腔的不同部位进行处理，从而达到更好的处理效果。

2)本发明实施例2所述的避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，在兼顾实施例1所具有的所有工艺优点的同时，利用连接装置使刻蚀腔室打开后与连接装置一起形成一个相对隔绝的空间，同时利用抽气设备造成隔绝空间的相对负压，让亲水的污染物与空气中的水蒸气充分反应并通过抽气设备排走，可以避免在刻蚀腔室打开后，反应副产物直接扩散到整个工作环境中。

3)本发明实施例3所述的避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，在兼顾实施例1和实施例2所具有的所有工艺优点的同时，对换下的刻蚀腔零件进行及时的密封隔绝处理，在转移至特殊的清洗区域，从而最大程度地减少了刻蚀腔完全打开后可能产生的污染物对环境的影响。

附图说明

图1为刻蚀腔内等离子体在低压情况下的的分布状况示意图；

图2为刻蚀腔内等离子体在高压情况下的的分布状况示意图；

图3为本发明实施例2所述连接装置与第一腔体和第二腔体的连接方式示意图；

图4为本发明实施例1的工艺流程图；

图5为本发明实施例2的工艺流程图；

图6为本发明实施例3的工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

本发明的目的在于提供避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，以在刻蚀腔打开之前去除刻蚀腔内含有的容易产生氟离子，氯离子等有害气体的残余物。

本发明的目的还在于提供避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，以在刻蚀腔打开之前去除刻蚀腔内含有的容易产生氟离子，氯离子等有害气体的残余物，并在刻蚀腔打开之后进一步清除刻蚀腔内容易产生氟离子，氯离子等有害气体的残余物。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

实施例1

本实施例提供一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，参考附图4所示，包括：

S100，在刻蚀腔内通入第一含氧气体，第一含氧气体的压强小于腔室工艺压力计满量程的30％；

S110，向刻蚀腔内通入第二含氧气体，第二含氧气体的压强为腔室工艺压力计满量程的50％～90％。

本实施例中，刻蚀腔内通入第一含氧气体以及第二含氧气体的顺序没有限制，可以先通入第一含氧气体，也可以先通入第二含氧气体。

所述的第一含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物，优选的，所述第一含氧气体为O₂。

所述第一含氧气体通入刻蚀腔之后，在800-1200W源功率的作用下形成含氧的等离子体，与刻蚀腔内的聚合物发生反应，由于刻蚀腔内的聚合物大多为有机物，因此，比较容易与含氧的等离子体发生反应，形成容易挥发的含氯或者含氟的气体。所述容易挥发的含氯或者含氟的气体可以通过刻蚀腔室本身的排气泵抽走，通过机台本身的废气处理系统到厂务端，进行无害处理。所述工艺可以避免产生的容易挥发的含氯或者含氟的气体进入操作间(fab)，产生空气污染。

所述第一含氧气体的压强小于腔室工艺压力计满量程的30％，比较优选的范围为工艺压力计满量程的8％～20％。例如，以刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT为例，所述第一含氧气体的压强为8～20mT。

采用所述压强范围的原因是如果第一含氧气体的压强小于工艺压力计满量程的8％，则等离子体不容易被激发，而且，第一含氧气体的压强在工艺压力计满量程的8％～20％时，等离子体可以被控制在整个腔室的下半部分，能够针对刻蚀腔室的下半部分进行有针对性的处理，使第一含氧气体产生的等离子体尽可能完全的将刻蚀腔下半部分的残余物转变成为可以挥发的气体，并通过刻蚀设备自身的抽气泵抽出刻蚀室，避免刻蚀室打开后污染操作间。

所述第一含氧气体的流量为200sccm～500sccm，比较优选的第一含氧气体的流量为200sccm～300sccm。采用上述流量范围，第一含氧气体解离成等离子体的程度可以相对更高。

本实施例中，第一含氧气体通入刻蚀腔的时间一般为10到30分钟。

在本实施例的一个具体实施方式中，所选用的刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT，选择O₂为第一含氧气体，在1000瓦的源功率下，在15mtorr的压强下，流量为200sccm，通15分钟即可。

在本实施例的另一个具体实施方式中，所选用的刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT，选择O₃为第一含氧气体，在1100瓦的源功率下，在10mtorr的压强下，流量为300sccm，通10分钟即可。

在本实施例的又一个具体实施方式中，所选用的刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT，选择NO₂为第一含氧气体，在900瓦的源功率下，在20mtorr的压强下，流量为350sccm，通12分钟即可。

在本实施例的又一个具体实施方式中，所选用的刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT，选择NO为第一含氧气体，在800瓦的源功率下，在25mtorr的压强下，流量为250sccm，通25分钟即可。

所述的第二含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物，优选的，所述第二含氧气体为O₂。

所述第二含氧气体通入刻蚀腔之后，在800-1200W源功率的作用下形成含氧的等离子体，与刻蚀腔内通入第一含氧气体之后仍然附着在刻蚀腔内的聚合物发生反应，形成容易挥发的含氯或者含氟的气体。所述容易挥发的含氯或者含氟的气体可以通过刻蚀腔室本身的排气泵抽走，通过机台本身的废气处理系统到厂务端，进行无害处理。所述工艺可以避免产生的容易挥发的含氯或者含氟的气体进入操作间(fab)，产生空气污染。

所述第二含氧气体的压强为工艺压力计满量程的50％～90％，比较优选的范围为工艺压力计满量程的50％～70％。例如，以刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT为例，所述第二含氧气体的压强为50～70mT。

采用所述压强范围，等离子体可以被控制在整个刻蚀腔室的上半部分，能够针对刻蚀腔室的上半部分进行有针对性的处理，使第一含氧气体产生的等离子体尽可能完全的将刻蚀腔上半部分的残余物转变成为可以挥发的气体，并通过刻蚀设备自身的抽气泵抽出刻蚀室，避免刻蚀室打开后污染操作间，同时，刻蚀腔室的压强也不能过高，过高可能会损坏压力计，也不容易激发等离子体。

所述第二含氧气体的流量为300sccm～600sccm，比较优选的第二含氧气体的流量为300sccm～450sccm。采用上述流量范围，可以在刻蚀室内提供更多的含氧气体，使刻蚀室的压强升高。

本实施例中，第二含氧气体通入刻蚀腔的时间一般为10到30分钟。

在本实施例的一个具体实施方式中，所选用的刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT，选择O₂为第二含氧气体，在1000瓦的源功率下，在50mtorr的压强下，流量为300sccm，通15分钟即可。

在本实施例的另一个具体实施方式中，所选用的刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT，选择O₃为第二含氧气体，在1100瓦的源功率下，在60mtorr的压强下，流量为400sccm，通10分钟即可。

在本实施例的又一个具体实施方式中，所选用的刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT，选择NO₂为第二含氧气体，在900瓦的源功率下，在70mtorr的压强下，流量为450sccm，通14分钟即可。

在本实施例的又一个具体实施方式中，所选用的刻蚀腔室工艺压力计满量程为100mT，选择NO为第二含氧气体，在800瓦的源功率下，在85mtorr的压强下，流量为550sccm，通26分钟即可。

参考附图1所示，为低压情况下(本实施例中，所述压强小于工艺压力计满量程的30％)，等离子体在刻蚀腔室的分布状况示意图，10为刻蚀腔，20为等离子体，30为产生等离子体的气体入口，40为刻蚀腔自带的排气泵连接口，从图中可以看出，等离子体20主要分布在刻蚀腔室10的下半部，如附图2所示，为高压情况下(本实施例中，所述压强为工艺压力计满量程的50％～90％，)，等离子体20在刻蚀腔室10的分布状况示意图，从图中可以看出，等离子体20主要分布在刻蚀腔室10的上半部，因此，上述的实施例通过调整刻蚀腔室内的压强情况，调整等离子体在刻蚀腔室内的分布情况，从而有针对性的分别使刻蚀腔室内壁的聚合物在含氧等离子体的作用下转变成为可以挥发的离子，然后即可通过刻蚀腔室的净化设备例如抽气泵将腔室内的挥发离子抽出刻蚀腔室，从而避免刻蚀腔室打开后，腔室内的有机物与环境中的水汽等物质反应，形成污染环境的有害离子例如氟离子、氯离子等。

通过本实施例所述的技术方案，在刻蚀腔内通入第一含氧气体、第二含氧气体，可以减少甚至完全消除刻蚀腔打开后从刻蚀腔进入操作间的氟、氯等有害离子的含量。

根据本实施例的描述，通过调整通入刻蚀腔的含氧气体的压强以及流量用于控制产生的含氧等离子在刻蚀腔内的位置，因此，本领域的技术人员在本技术方案的启示之下，还可以产生多种变通，例如，进行二次以上通入含氧气体产生等离子体的工艺，不断的调节含氧气体的压强，在刻蚀腔的若干不同部位产生等离子体，分别针对刻蚀腔的各个不同部位进行处理。所述各种变通的方法都应该认为是在本实施例所描述的方法的保护范围之内。

以半导体器件制作过程中对于铝衬垫(Al pad)上头层金属(top metal)的刻蚀为例，刻蚀所述金属层时所采用的刻蚀剂一般为Cl₂，BCl₃，CHF₃等，刻蚀之后刻蚀腔内的聚合物大多为有机物，采用本实施例所述的方法，首先通入第一含氧气体为氧气，在1000瓦的源功率下，在15mtorr的压强下，流量为200sccm，通15分钟，然后，通入第二含氧气体为氧气，在1000瓦的源功率下，在65mtorr的压强下，流量为300sccm，通15分钟，可以将操作间内环境中氯离子的流量从实施本实施例之前的111ng/L减少到1ng/L。

实施例2

本实施例还提供一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，参考附图5所示，包括：

步骤S200，在刻蚀腔内通入第一含氧气体，第一含氧气体的压强小于腔室工艺压力计满量程的30％；

步骤S210，向刻蚀腔内通入第二含氧气体，第二含氧气体的压强为腔室工艺压力计满量程的50％～90％，

步骤S220，打开刻蚀腔，使刻蚀腔成为第一腔体和第二腔体，在第一腔体和第二腔体上设置连接装置，所述连接装置连接第一腔体和第二腔体，构成封闭的空间，所述连接装置上还设置有连接孔，通过连接孔连接外设的抽气设备，从连接装置和第一腔体、第二腔体构成的封闭空间内向外抽气。

其中，步骤S200和步骤S210分别参考实施例1中步骤S100和步骤S110的描写。

本实施例在实施例1的基础上，在刻蚀腔通入第一含氧气体、第二含氧气体之后，再次对刻蚀腔内仍然可能存在的其他聚合物进行处理，而且，刻蚀腔内除了能被含氧等离子体去除的聚合物之外，还可能存在其它不能被含氧等离子体去除的聚合物以及其它会产生污染环境的有害气体的物质，因此，需要进一步对刻蚀腔进行处理，以彻底避免刻蚀腔室打开后污染操作间。

进行第一步在刻蚀腔内通入第一含氧气体、第二含氧气体的工艺之后，在本实施例中，暂时将进行刻蚀工艺时密封的刻蚀腔看成一个整体，刻蚀腔打开后，刻蚀腔被分为两个部分，将刻蚀腔的两个部分标记为第一腔体和第二腔体。

由于不同刻蚀腔的结构不同，因此刻蚀腔打开之后第一腔体和第二腔体的位置关系也不相同，比如，某些刻蚀设备的刻蚀腔是沿垂直地面的方向打开的，则刻蚀腔打开后分为上下两个部分，第一腔体和第二腔体是上下对应的关系；还有些刻蚀腔是沿轴向打开的，则刻蚀腔打开后，第一腔体和第二腔体轴向连接并构成扇贝形状。

本实施例中，对于刻蚀腔打开的程度没有过多的限制，以本领域的技术人员能够在刻蚀腔打开后顺利将所述连接装置连接在第一腔体和第二腔体上并且成为封闭的空间为准，同时，应该考虑到连接装置的设计以及制作方便为准。

所述连接装置的大小和形状根据刻蚀腔的形状、尺寸以及刻蚀腔打开的程度来进行设计，以将第一腔体和第二腔体连接成为封闭的空间为准，通常，连接装置的内表面的形状与尺寸与刻蚀腔的外表面的形状和尺寸完全相同。对连接装置的材料也没有过多限制，可以是金属材料或者玻璃材料等。

所述连接装置上设置的连接孔的大小和形状是根据外接的抽气设备的管路的大小和形状来进行确定的，可以位于连接装置上的任何位置。

参考附图3所示，为本实施例的一种具体的实施方式，所采用刻蚀设备的刻蚀腔是沿垂直地面的方向打开的，则刻蚀腔打开后分为上下两个部分，如图2所示，第一腔体1和第二腔体2是上下对应的关系，刻蚀腔打开时，腔体1和腔体2分开，在腔体1和腔体2之间产生空间，用所述的连接装置3连接第一腔体1和第二腔体2，通过所述连接装置3的连接，所述第一腔体1、第二腔体2和连接装置3仍然构成为一个封闭的整体。

所述连接装置3的大小和形状根据第一腔体1和第二腔体2的大小和形状进行设计，以正好连接第一腔体1和第二腔体2，并且连接之后第一腔体1与连接装置3、以及第二腔体2和连接装置3之间不产生缝隙即可，在刻蚀腔内的压强与刻蚀腔外的压强相等的情况下，不发生腔体内外的气体渗透为最佳状态。

其中，所述连接装置3上设置有用于连接抽气设备的连接孔4。所述连接孔4的大小与抽气设备的抽气管道的大小相关，以连接之后连接孔和抽气设备的接口处密封，不产生气体流动为最佳。连接孔4的位置可以位于连接装置3上的任意位置。

由于第一腔体和连接装置，第二腔体和连接装置之间是简单的封闭连接，在第一腔体1、第二腔体2和连接装置3构成的封闭空间内的压强与环境压强相同时，环境中的气体例如水汽等不会或者只有非常少量通过第一腔体和连接装置的连接处、第二腔体和连接装置的连接处进入第一腔体1、第二腔体2和连接装置3构成的封闭空间，但是，开启抽气设备后，第一腔体1、第二腔体2和连接装置3构成的封闭空间内的压强小于大气压的情况下，环境中的气体例如水汽等就可以通过第一腔体和连接装置的连接处、第二腔体和连接装置的连接处进入第一腔体1、第二腔体2和连接装置3构成的封闭空间，即气体可以从环境中进入第一腔体1、第二腔体2和连接装置3构成的封闭空间，随着抽气泵的不断运行，环境中的水汽等气体不断的从第一腔体和连接装置的连接处、第二腔体和连接装置的连接处进入第一腔体1、第二腔体2和连接装置3构成的封闭空间，与刻蚀腔内壁的存留物发生反应，产生氟离子、氯离子等可能污染环境的离子，这些离子又通过连接装置的连接孔进入抽气设备，并直接排出操作间，进入专门的无害处理环境中，而刻蚀腔内产生的污染气体不可能进入操作间，保持了操作间的清洁。

由于刻蚀腔打开后进入环境中的污染物离子是刻蚀腔内壁的残余物与环境中的各种气体例如水汽、氧气等反应产生的，因此，采用本实施例所述的方法，使刻蚀腔打开后不直接暴露在环境中，而通过连接装置和抽气设备将环境中的气体例如水汽、氧气等通入刻蚀腔，与刻蚀腔内壁的残余物反应，避免了现有技术刻蚀腔打开后产生污染环境的离子如氟离子、氯离子等，。

所述抽气设备可以是本领域技术人员熟知的各种常规的排气泵或排风系统等。

通过抽气设备从设置了连接装置的刻蚀腔内向外抽气的时间为60～120分钟，较好的，为60分钟。

在本发明的一个具体实施例中，首先，采用实施例1中的任意一种方法，将刻蚀腔内残留的可能产生氟、氯等有害离子的聚合物之后，打开刻蚀腔，本实施方式中，所述刻蚀腔是向上打开的，则在刻蚀腔打开的同时，用事先制作好的连接装置连接在刻蚀腔的上下两部分腔体之间，连接装置的形状依据刻蚀腔的形状而定，以刻蚀腔是圆形为例，连接装置的内径形状也为圆形，而且，连接装置的内径等于或者微微大于刻蚀腔的外径，然后，将抽气设备例如排气泵连接在所述连接装置的连接孔上，保证连接孔与排气泵的连接处为密封状态，开启排气泵，60分钟后，关闭排气泵。采用所述的方法，对刻蚀腔内进行处理之后，打开刻蚀腔，测试环境中的氟离子或者氯离子的浓度，小于1ng/L。

实施例3

本发明还提供一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，参考附图6所示，包括：

步骤S300，在刻蚀腔内通入第一含氧气体，第一含氧气体的压强小于腔室工艺压力计满量程的30％；

步骤S310，向刻蚀腔内通入第二含氧气体，第二含氧气体的压强为腔室工艺压力计满量程的50％～70％，

步骤S320，打开刻蚀腔，使刻蚀腔成为第一腔体和第二腔体，在第一腔体和第二腔体上设置连接装置，所述连接装置连接第一腔体和第二腔体，构成封闭的空间，所述连接装置上还设置有连接孔，通过连接孔连接外设的抽气设备，从连接装置和第一腔体、第二腔体构成的封闭空间内向外抽气；

步骤S330，打开刻蚀腔，拆卸刻蚀腔内需要进行清洗的零件，使用密封装置将拆卸的零件密封，转移至专门的刻蚀腔清洗间。

其中，步骤S300和步骤S310分别参考实施例1中步骤S100和步骤S110的描写。步骤S320的工艺方法完全参考实施例2步骤S220的描写。

去除连接装置，完全刻蚀腔打开之后，根据设备保养以及维护的需要，有时需要将刻蚀腔内的零件拆卸掉，并进行清洗，由于采用步骤S300、S310以及步骤S320所述的方法之后，刻蚀腔内还可能存在会产生氟离子、氯离子等有害离子的聚合物或者其它粒子，因此，为了尽可能避免对操作间产生污染，尽可能快的将刻蚀腔内需要清洗的零件拆卸之后，立即装入密封装置，并尽快转移至专门的清洗间，可以有效的减少零件操作间的曝露时间，而且还可以减少拆卸掉的零件转移过程中在环境中的暴露时间，减少对环境的污染。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

1.一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，包括：

2.根据权力要求1所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第一含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物。

3.根据权利要求1所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第一含氧气体的压强为工艺压力计满量程的8％～20％。

4.根据权利要求3所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第一含氧气体的压强为8～20mT。

5.根据权利要求1所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述第一含氧气体的流量为200sccm～500sccm。

6.根据权利要求1所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第一含氧气体通入刻蚀腔的时间一般为10到30分钟。

7.根据权利要求1所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述的第二含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物。

8.根据权利要求1所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述第二含氧气体的压强为工艺压力计满量程的50％～70％。

9.根据权利要求8所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第二含氧气体的压强为50～70mT。

10.根据权利要求1所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述第二含氧气体的流量为300sccm～600sccm。

11.根据权利要求1所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第二含氧气体通入刻蚀腔的时间一般为10到30分钟。

12.一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，包括：

向刻蚀腔内通入第二含氧气体，第二含氧气体的压强为腔室工艺压力计满量程的50％～90％，

13.根据权利要求12所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第一含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物。

14.根据权利要求12所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第一含氧气体的压强为工艺压力计满量程的8％～20％。

15.根据权利要求12所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述的第二含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物。

16.根据权利要求12所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述第二含氧气体的压强为工艺压力计满量程的50％～70％。

17.根据权利要求12所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述内表面形状尺寸与刻蚀腔外表面的形状和尺寸相同。

18.根据权利要求12所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，通过抽气设备从设置了连接装置的刻蚀腔内向外抽气的时间为60～120分钟。

19.一种避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，包括：

20.根据权利要求19所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第一含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物。

21.根据权利要求19所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，第一含氧气体的压强为工艺压力计满量程的8％～20％。

22.根据权利要求19所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述的第二含氧气体为O₂，O₃，NO或者NO₂或者它们的混和物。

23.根据权利要求19所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述第二含氧气体的压强为工艺压力计满量程的50％～70％。

24.根据权利要求19所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，所述内表面形状尺寸与刻蚀腔外表面的形状和尺寸相同。

25.根据权利要求19所述避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法，其特征在于，通过抽气设备从设置了连接装置的刻蚀腔内向外抽气的时间为60～120分钟。