CN101452201A - 检测掩膜版的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种检测掩膜版的方法，步骤为：1，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；2，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；3，做成检测文件；4，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；5，根据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；6，综合第四步和第五步的结果判断待检测掩膜版的性能。本发明减少了工作量，提高工作效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术的测试方法，尤其涉及一种检测掩膜版的方法。
背景技术
掩膜版半导体技术中用来提供线路图案以便执行图案转移的光罩，在半导体领域需要大量的用到。掩膜板的图案正确与否在半导体器件领域是至关重要的，同样检测掩膜版的图案和性能也相当重要。
传统的掩膜版图形和颗粒的检测是利用掩膜版专用激光检测仪器来检测，而掩膜版的焦深、能量域值等方面的性能评价是用掩膜版直接来制造产品，再通过产品的良率确认掩膜版是否正常来判断。
已有的这种方法只能确认掩膜版上是否有较大图形缺陷的问题，而且不仅存在时间周期长的缺点，一般需要1-2个月的周期。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种检测掩膜版的方法，能够在较短的时间内检测掩膜板的性能，并且节约成本。
为解决上述技术问题，本发明检测掩膜版的方法的技术方案是，包括以下步骤：第一步，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；第二步，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；第三步，做成检测文件；第四步，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第五步，根据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第六步，综合第四步和第五步的结果判断待检测掩膜版的性能。
作为本发明的进一步改进是，在第四步中，当不同的焦距下缺陷按一个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷；当同一个焦距在待测掩膜版上测出大面积缺陷而已知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围没有已知为良品掩膜版的大；反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围比已知为良品的掩膜版的大；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的焦深可允许变化范围是一致的，同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。
作为本发明另一种进一步改进是，在第五步中，当不同的能量下缺陷按一个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷；当同一个能量在待测掩膜版上测出大面积缺陷而已知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜版的线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的大；反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的小；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的线宽受能量的影响的敏感程度是一致的，同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。
本发明利用缺陷检测设备对新旧掩膜版间焦深和能量域值方面进行比较，同时兼顾图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等掩膜版综合性能的检测。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明：
图1为本发明流程图；
图2至图5为本发明实施例示意图。
图中附图标记分别是30为能量一定焦距变化时一个曝光单元，20为能量一定焦距变化时缺陷检测设备查处的受焦深变化影响导致的细微的线宽差异，10为能量一定焦距变化时待测掩膜版的缺陷，300为焦距一定能量变化时一个曝光单元，200为焦距一定能量变化时缺陷检测设备查处的受焦深变化影响导致的细微的线宽差异，100为焦距一定能量变化时待测掩膜版的缺陷。
具体实施方式
如图1所示，本发明检测掩膜版的包括的步骤为：1，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；2，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；3，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；4，根据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；5，综合第三步和第四步的结果判断待检测掩膜版的性能。
如图2至图5所示，本发明的另一实施例包括以下的步骤：
首先，如图2所示，待测的掩膜版和已知为良品的掩膜板从左向右依次为已知为良品的掩膜版、待检测掩膜版、已知为良品的掩膜版。曝光的能量一定，从焦距的中心值为0开始在焦距轴方向按照正负不同的焦距量来曝光掩膜板，曝光的列数为3列。待测的掩膜版和已知为良品的掩膜板的排列方式也可以是已知为良品的掩膜版、待检测掩膜版、已知为良品的掩膜版。同样按照能量一定，从焦距的中心值为0开始在焦距轴方向按照正负不同的焦距量来曝光掩膜板。
然后，如图3所示，曝光的焦距一定，焦距一定、以能量中心值为300ms开始按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形，曝光的列数为3列。
在根据缺陷检测设备做成检测文件之后，根据图1的曝光方式得到检测结果的图形如图3所示，曝光的焦距在Y方向以0.2um为最小单位变化，在不同的焦距下的一个曝光单元30中，按一个曝光单元重复在同一个位置出现的缺陷为待检测掩膜版的缺陷10。而当同一个焦距在待测掩膜版上测出大面积缺陷，即受焦深变化影响导致的细微的线宽差异20，而已知为良品的掩膜没有出现这种大面积的线宽差异的缺陷时，则判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围没有已知为良品掩膜版的大。反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围比已知为良品的掩膜版的大；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的焦深可允许变化范围是一致的。同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。
根据图2的曝光方式得到的检测结果的图形如图4所示，能量变化在Y方向以50ms为最小单位变化，当不同的能量下缺陷按一个曝光单元300重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷100；当同一个能量在待测掩膜版上测出大面积缺陷，即缺陷检测设备查处的受能量变化影响而产生的系为的线宽差异200，而已知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜版的线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的大；反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的小；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的线宽受能量的影响的敏感程度是一致的。最后，综合以上的判断判断待检测掩膜版的性能。同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。
本发明的检测掩膜版的方法通过利用缺陷检测设备比较待测掩膜版和已知为良品的掩膜板达到检测待测掩膜版的目的，减少了工作量，提高工作效率。
Claims (10)
1.一种检测掩膜版的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；第二步，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；第三步，做成检测文件；第四步，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第五步，根据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第六步，综合第四步和第五步的结果判断待检测掩膜版的性能。
2.根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，在第四步中，当不同的焦距下缺陷按一个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷；当同一个焦距在待测掩膜版上测出大面积缺陷而已知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围没有已知为良品掩膜版的大；反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围比已知为良品的掩膜版的大；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的焦深可允许变化范围是一致的，同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。
3.根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，在第五步中，当不同的能量下缺陷按一个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷；当同一个能量在待测掩膜版上测出大面积缺陷而已知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜版的线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的大；反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的小；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的线宽受能量的影响的敏感程度是一致的，同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。
4.根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，两个待检测的掩膜版和一个已知为良品的掩膜版的在光片上的依次排序为：待检测掩膜版、已知为良品的掩膜版、待检测掩膜版。
5.根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，两个待检测的掩膜版和一个已知为良品的掩膜版的在光片上的依次排序为：已知为良品的掩膜版、待检测掩膜版、已知为良品的掩膜版。
6.根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，第一步能量一定、以焦距中心值为0um开始按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形。
7.根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，第二步，焦距一定、以能量中心值为300ms开始按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形。
8.根据权利要求6或7所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，第一步和第二步在两个光片上同时进行。
9.根据权利要求6所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，焦距变化以0.2um为最小单位。
10.根据权利要求7所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，能量变化以50ms为最小单位。
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|---|---|
| CN (1) | CN101452201B (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102468199A (zh) * | 2010-11-05 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种检测掩膜版雾状缺陷的方法 |
| CN102472961A (zh) * | 2009-09-24 | 2012-05-23 | Asml控股股份有限公司 | 时间差分掩模版检查 |
| CN101989047B (zh) * | 2009-07-30 | 2012-08-01 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法 |
| CN103630816A (zh) * | 2012-08-20 | 2014-03-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 掺杂失效分析方法 |
| CN103837808A (zh) * | 2012-11-23 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 掺杂失效的分析方法 |
| CN104198509A (zh) * | 2014-09-01 | 2014-12-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光罩图形缺陷检测系统及方法 |
| CN105093814A (zh) * | 2014-05-21 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜版雾化控制方法及装置 |
| CN105116683A (zh) * | 2015-09-17 | 2015-12-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法 |
| CN106169431A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-11-30 | 江苏维普光电科技有限公司 | 基于gpu的掩膜版和晶圆缺陷检测方法 |
| CN110824851A (zh) * | 2018-08-13 | 2020-02-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光刻设备的洁净度的检测方法以及反射式光掩模 |
| CN112074937A (zh) * | 2018-05-09 | 2020-12-11 | 科磊股份有限公司 | 半导体晶片上的重复缺陷的捕捉 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69231715D1 (de) * | 1991-03-04 | 2001-04-12 | At & T Corp | Herstellungsverfahren von integrierten Halbleiterschaltungen unter Anwendung von latenten Bildern |
| CN1208692C (zh) * | 2002-05-23 | 2005-06-29 | 联华电子股份有限公司 | 微影制程的焦距检测方法 |
| CN1328760C (zh) * | 2003-12-24 | 2007-07-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 辨别不良图形节距以增进微影制程的方法 |
-
2007
- 2007-11-30 CN CN2007100943674A patent/CN101452201B/zh active Active
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101989047B (zh) * | 2009-07-30 | 2012-08-01 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法 |
| CN102472961A (zh) * | 2009-09-24 | 2012-05-23 | Asml控股股份有限公司 | 时间差分掩模版检查 |
| US8623576B2 (en) | 2009-09-24 | 2014-01-07 | Asml Holding N.V. | Time differential reticle inspection |
| CN102472961B (zh) * | 2009-09-24 | 2015-04-22 | Asml控股股份有限公司 | 时间差分掩模版检查 |
| CN102468199A (zh) * | 2010-11-05 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种检测掩膜版雾状缺陷的方法 |
| CN102468199B (zh) * | 2010-11-05 | 2015-04-29 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种检测掩膜版雾状缺陷的方法 |
| CN103630816B (zh) * | 2012-08-20 | 2016-12-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 掺杂失效分析方法 |
| CN103630816A (zh) * | 2012-08-20 | 2014-03-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 掺杂失效分析方法 |
| CN103837808A (zh) * | 2012-11-23 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 掺杂失效的分析方法 |
| CN103837808B (zh) * | 2012-11-23 | 2016-12-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 掺杂失效的分析方法 |
| CN105093814B (zh) * | 2014-05-21 | 2019-08-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜版雾化控制方法及装置 |
| CN105093814A (zh) * | 2014-05-21 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜版雾化控制方法及装置 |
| CN104198509A (zh) * | 2014-09-01 | 2014-12-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光罩图形缺陷检测系统及方法 |
| CN105116683A (zh) * | 2015-09-17 | 2015-12-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法 |
| CN105116683B (zh) * | 2015-09-17 | 2019-08-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法 |
| CN106169431A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-11-30 | 江苏维普光电科技有限公司 | 基于gpu的掩膜版和晶圆缺陷检测方法 |
| CN106169431B (zh) * | 2016-07-06 | 2019-03-26 | 江苏维普光电科技有限公司 | 基于gpu的掩膜版和晶圆缺陷检测方法 |
| CN112074937A (zh) * | 2018-05-09 | 2020-12-11 | 科磊股份有限公司 | 半导体晶片上的重复缺陷的捕捉 |
| CN112074937B (zh) * | 2018-05-09 | 2021-06-29 | 科磊股份有限公司 | 用于重复缺陷检测的方法、计算机可读媒体及系统 |
| CN110824851A (zh) * | 2018-08-13 | 2020-02-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光刻设备的洁净度的检测方法以及反射式光掩模 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101452201B (zh) | 2011-05-04 |
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