CN101447538A - 发光元件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光元件及其制作方法，该发光元件包含有：基板、发光芯片、管状结构和荧光转化层。管状结构形成于基板表面；发光芯片设置于基板表面并被管状结构所环绕；荧光转化层设置于管状结构内并覆盖发光芯片。该荧光转化层在该发光芯片处的最大垂直厚度与最大水平厚度的比值为0.1至10。本发明通过管状结构，控制光线自发光芯片出光后，所需穿透荧光转化层的距离，可解决现有技术的荧光粉涂布封装技术造成的出光色温不均问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光元件及其制作方法，尤其涉及一种以环设的管状结构来解决具有出光色温不均问题的发光元件及其制作方法。
背景技术
白光光谱为连续光谱，需至少两种颜色(波长)以上的光混合后，才能形成肉眼所见的白光，如三原色(红光+绿光+蓝光)混合后即为白光，或是利用互补色，如[“蓝光(Blue)+黄光(Yellow)]或[青光(Cyan)+红光(Red)]也可形成白光。根据白光形成的原理，目前白光发光二极管(Light Emitting Diode，LED)约可区分为两种，第一种为三原色型白光LED，利用分别发出红光、绿光、蓝光的三种半导体芯片组合而成，也称为多芯片型(Multi-chip)白光LED或称为三波长型(Triple wavelength)白光LED。另一种为互补色型白光LED，利用发出单一颜色光线的单一LED芯片，加上可被该颜色光线激发而发出与该颜色光线互补的互补色光线颜色的荧光粉，故又称为单芯片型白光LED。但是因为使用多芯片型的白光LED，因半导体材质的差异，造成驱动电路上设计的困难。
参照第图1。图1为现有技术的单芯片型白光LED示意图，单芯片型白光LED是将荧光粉与胶体依特定比例调配而成荧光转化层10，并将荧光转化层10直接覆盖于LED芯片13上并填满于碗杯14内。因此当LED芯片13发光时，其产生的光线即会穿过荧光转化层10，且LED芯片13所发出的蓝色光线与该荧光转化层10被该光线所激发出的黄色光线经由混光后，得到白光。因为LED芯片13不同角度出射的光线，所行经荧光转化层10的路径也不同，穿透荧光转化层10所需的距离也不同，角度大的光线111因为会经由两侧反射壁15反射并穿透出荧光转化层10，穿过荧光转化层10所行经的路径距离较长，能量较多转换为荧光转化层10被激发出的黄光，形成偏黄的白光于碗杯14外围，造成单芯片型白光LED在其所发出的白光外围呈现环状的黄光区域，也就是黄晕现象。而角度小的光线112则因为直接出射，因此穿过荧光转化层10所行经路径较短，能量较多在LED芯片13所发出的蓝光。因此量测此单芯片型白光LED时，会发现不同位置，其色温不同，且色温差距最多可达到700K，造成所发出光线色温不均的问题。
参照第图2。图2为现有技术的多芯片的白光LED示意图，多芯片的白光LED是将荧光粉与胶体依特定比例调配而成荧光转化层20，并将荧光转化层20直接覆盖于LED芯片18a、18b、18c上，并填满碗杯19。在多芯片的白光LED中，除了有单芯片型白光LED的黄晕问题，在多芯片的白光LED芯片18a、18b、18c之间，因为芯片表面出光经过荧光粉多为一次，而在芯片与芯片之间则因为受到两边芯片所发出光线同时经过该处荧光粉，造成芯片与芯片之间的出光色温相较芯片表面出光色温低的现象，使得从多芯片的白光LED出光面上看，容易看到明显色温不均的现象。
这种色温不均的现象，理论上让蓝光经过相同距离的荧光转化层即可得到同样色温的光线。在美国专利US5959316“Multiple en-capsulation ofphosphor-LED devices”中，以半球壳状的荧光转化层覆盖LED芯片，但是这种设计会导致工艺上制作的困难，而不容易实现。在美国专利US7129638“Light emitting devices with a phosphor coating having evenlydispersed phosphor particles and constant thickness”中，以沉降方式将荧光粉点胶后，在胶体硬化前，让荧光粉均匀沉降于LED芯片上形成一固定荧光转化层，但是在实际应用上，材料选择及工艺也不容易。在美国专利US6650044“Stenciling phosphor layers on light emitting diodes”中，以conformal封装方式将荧光转化层以均匀的厚度贴覆于芯片表面，有效改善色温不均的问题，但因工艺影响所及，只有覆晶芯片适用conformal封装技术，以避免金线断裂的问题。在日本专利JP2004179644“PHOSPHORLAMINATION AND LIGHT SOURCE USING THE SAME”中，以网板印刷方式将荧光转化层以均匀的厚度贴覆于芯片表面，有效改善色温不均的问题，但因工艺的设计，同样只有覆晶芯片适用网板印刷方式。在US20060003477及WO2004040661“METHOD FOR PRODUCING A LIGHT SOURCE PROVIDED WITHELECTROLUMINESCENT DIODES AND COMPRISING A LUMINESCENCE CONVERSIONELEMENT”中，以工艺方式将材料需直接在LED芯片上进行制作，相较于网版印刷工艺，此专利的机台与工艺都需要精确控制，以达到预期效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种发光元件及其制作方法，是一种环设的管状结构的发光元件及其制作方法，以解决白光LED所发出的光线色温不均的问题，。
为实现上述目的，本发明的发光元件，其包含有：基板、至少一管状结构和、至少一发光芯片和至少一荧光转化层。其中该基板，具有一表面；至少一管状结构，形成于该表面，且管状结构的两端各具有开口，管状结构以二端的一端设置于该表面；至少一发光芯片，具有多数个发光面，且发光芯片设置于该表面并被该管状结构所环绕；至少一荧光转化层，设置于管状结构内并覆盖发光芯片，该荧光转化层在该发光芯片处的最大垂直厚度与最大水平厚度的比值为0.1至10。管状结构的材质供该发光芯片所发出的光线与该荧光转化层被激发的光线穿透。
而且，为实现上述目的，本发明还提供一种发光元件，包含有：一基板，具有一表面；至少一管状结构，形成于该表面，且该管状结构的两端各具有一开口，该管状结构以该二端的一端设置于该表面；至少一发光芯片，且该发光芯片设置于该表面并被该管状结构所环绕；至少一荧光转化层，设置于该管状结构内并覆盖该发光芯片，该荧光转化层在该发光芯片处的最大垂直厚度与最大水平厚度的比值为0.1至10；至少一微透镜，设置于该表面并覆盖该管状结构；以及一封装载具，用以承载该基板。
为实现上述目的，本发明发光元件的制作方法，其包含有：设置至少一发光芯片于基板表面；形成至少一管状结构于基板表面并环绕该发光芯片；设置荧光转化层于管状结构内并覆盖该发光芯片。
本发明通过管状结构，来限缩荧光转化层的分布范围，同时控制光线自发光芯片出光后，所需穿透荧光转化层的距离，由于管状结构的材质供该发光芯片所发出的光线与该荧光转化层被激发的光线穿透，因此在不考虑反射的情形下，能使自发光芯片出光的光线经由穿透荧光转化层的路径距离的控制，克服了现有技术的荧光粉涂布封装技术造成的出光色温不均问题。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为现有技术的单芯片型白光LED示意图；
图2为现有技术的多芯片型白光LED示意图；
图3为本发明的第一实施例的轴向截面示意图；
图4A为本发明第一实施例的管状结构径向截面的形状示意图；
图4B为本发明第一实施例的管状结构径向截面的形状另一示意图；
图4C为本发明第一实施例的管状结构径向截面的另二示意图；
图5A为本发明第一实施例的发光芯片在管状结构内的位置示意图；
图5B为本发明第一实施例的发光芯片在管状结构内的位置示意图；
图6A为本发明第一实施例的荧光转化层液面形状示意图；
图6B为本发明第一实施例的荧光转化层液面形状另一示意图；
图6C为本发明第一实施例的荧光转化层液面形状另二示意图；
图6D为少胶量发光元件示意图；
图6E为中胶量发光元件示意图；
图6F为多胶量发光元件示意图；
图6G为少胶量发光元件示意图；
图6H为中胶量发光元件示意图；
图6I为多胶量发光元件示意图；
图6J为少胶量发光元件示意图；
图6K为中胶量发光元件示意图；
图6L为多胶量发光元件示意图；
图7控制荧光转化层在发光芯片处的最大垂直厚度与最大水平厚度的比值来量测发光元件的表面色温表；
图8为本发明的第二实施例的轴向截面示意图；
图9为本发明的第三实施例的轴向截面示意图；
图10为本发明的第四实施例的轴向截面示意图；
图11为本发明的第五实施例的轴向截面示意图；
图12为本发明的第六实施例的轴向截面示意图；
图13为本发明的第一实施例制作流程图；
图14为本发明的第一实施例另一制作流程图；
图15A为本发明的第六实施例制作流程第一步骤示意图；
图15B为本发明的第六实施例制作流程第二步骤示意图；
图15C为本发明的第六实施例制作流程第三步骤示意图；及
图15D为本发明的第六实施例制作流程第四步骤示意图。
其中，附图标记：
10：荧光转化层 13：LED芯片
14：碗杯 15：反射壁
18a：LED芯片 18b：LED芯片
18c：LED芯片 19：碗杯
20：荧光转化层 21：基板
21a：表面 22：发光芯片
22a：正面 22b：侧面
23：管状结构 23a：开口
23b：开口 24：荧光转化层
25：内侧管壁 26：外侧管壁
28：微透镜 29：封装载具
30：反射层 31：反射层
32：封装载具 33：反射层
80：少胶量发光元件 81：中胶量发光元件
82：多胶量发光元件 83：少胶量发光元件
84：中胶量发光元件 85：多胶量发光元件
86：少胶量发光元件 87：中胶量发光元件
88：多胶量发光元件 100：发光元件
111：角度大的光线 112：角度小的光线
231：圆形 232：四边形
233：六边形 234：中心轴位置
235：离轴位置 241：水平
242：内凹曲面 243：外凸曲面
L1：最大垂直厚度 L2：最大水平厚度
具体实施方式
请参照图3，图3为本发明的第一实施例的轴向截面示意图。一种发光元件100，其包含有：基板21、发光芯片22、管状结构23和荧光转化层24。
其中基板21具有一表面21a。基板21是一种具有导热性的材料，该基板21的材质可以是但不仅限于是陶瓷、金属、有机高分子或硅。
发光芯片22设置于基板21的表面21a上。发光芯片22可以是LED芯片，当然也可以是激光二极管(Laser Diode，LD)芯片。发光芯片具有正面22a与侧面22b。
管状结构23形成于基板21的表面21a上并环绕发光芯片22。管状结构23两端各具有一开口23a、23b。该管状结构23以靠近开口23a的一端设置于表面21a上。该管状结构23的材质为供发光芯片22所发出的光线与荧光转化层24被激发的光线穿透。该管状结构23的材质是硅胶、树脂、玻璃，也可以是硅胶和硅土混合物。形成管状结构23的方法可以是但不仅限于是黄光微影工艺、激光写入工艺、压模、蚀刻或射出成型。管状结构23的径向截面的形状是圆形231，当然也可以是四边形232或六边形233等多边形。请参照图4A，图4A为本发明第一实施例的管状结构径向截面的形状示意图，其中管状结构径向截面的形状是圆形231。请参照图4B，图4B为本发明的管状结构径向截面的形状另一示意图，其中管状结构径向截面的形状是四边形232。请参照图4C，图4C为本发明的管状结构径向截面的形状另二示意图，其中管状结构径向截面的形状是六边形233。
发光芯片22在管状结构23内的位置可以是设置在该管状结构23之中心轴位置234上，当然也可以是设置在离轴位置235上。请参照图5A，图5A为本发明第一实施例的发光芯片在管状结构内的位置示意图，其中发光芯片22在管状结构23内的位置是在中心轴位置234。请参照图5B，图5B为本发明的发光芯片在管状结构内的位置另一示意图，其中发光芯片22在管状结构23内的位置是在离轴位置235。
荧光转化层24设置于管状结构23内并覆盖发光芯片22，其中荧光转化层24设置于管状结构23内并覆盖发光芯片22后，与空气交界的液面是水平，当然也可以是曲面。荧光转化层24与空气交界的液面为曲面，会有指向性的功效，具有能够将发光芯片所发出的光线，集中在同一方向的效果。请参照图6A，图6A为本发明第一实施例的荧光转化层液面形状示意图，其中荧光转化层24液面是水平241。请参照图6B，图6B为本发明的荧光转化层液面形状另一示意图，其中荧光转化层24液面形状是内凹曲面242。请参照图6C，图6C为本发明的荧光转化层液面形状另二示意图，其中荧光转化层24液面形状是外凸曲面243。
管状结构23与发光芯片22同样形成于基板21的表面21a上，且管状结构23环绕发光芯片22。管状结构23的管壁高度可以是高于发光芯片22的高度、等于发光芯片22的高度或小于发光芯片22的高度。荧光转化层24填充于管状结构23内并覆盖发光芯片22。荧光转化层24填充于管状结构23内的高度由填充入的荧光转化层24的胶量所决定。请参照图6D、图6E与图6F，其中管状结构23的管壁高度高于发光芯片22的高度，且由于荧光转化层24填充于管状结构23内的胶量多少，可以区分为少胶量发光元件80、中胶量发光元件81或多胶量发光元件82。请参照图6D，图6D为少胶量发光元件示意图。请参照图6E，图6E为中胶量发光元件示意图。请参照图6F，图6F为多胶量发光元件示意图。请参照图6G、图6H与图6I，其中管状结构23的管壁高度等高于发光芯片22的高度，且由于荧光转化层24填充于管状结构23内的胶量多少，可以区分为少胶量发光元件83、中胶量发光元件84或多胶量发光元件85。请参照图6G，图6G为少胶量发光元件示意图。请参照图6H，图6H为中胶量发光元件示意图。请参照图6I，图6I为多胶量发光元件示意图。请参照图6J、图6K与图6L，其中管状结构23的管壁高度低于发光芯片22的高度，且由于荧光转化层24填充于管状结构23内的胶量多少，可以区分为少胶量发光元件86、中胶量发光元件87或多胶量发光元件88。请参照图6J，图6J为少胶量发光元件示意图。请参照图6K，图6K为中胶量发光元件示意图。请参照图6L，图6L为多胶量发光元件示意图。
由于管状结构23的材质供发光芯片22所发出的光线与荧光转化层24被激发的光线穿透，因此在不考虑反射的情形下，管状结构23与荧光转化层24注入该管状结构23胶量多少的设计，会影响光线自该发光芯片22表面出光后，穿透该荧光转化层24所需行经的距离。
荧光转化层24在发光芯片22处的最大垂直厚度L1与最大水平厚度L2的比值介于0.1至10之间时，能使自发光芯片22出光的光线经由穿透荧光转化层24的路径距离的控制，达到使发光元件100的出光色温均匀。
而经实验结果得知最佳的荧光转化层24在发光芯片22处的最大垂直厚度L1与最大水平厚度L2的比值会依据所使用的不同发光芯片22或不同的发光特性，而会有不同的数值范围。这是因为不同种类或不同发光特性的发光芯片22正面与侧面的出光量比例不一样，因此荧光转化层24所需涂布厚度比例也并非定值。举例而言，由于面射型发光芯片的出光比例，在垂直出光方向的出光量约为60～80％，水平出光方向的出光量约为20～40％。由此得知面射型发光芯片在垂直出光方向与水平出光方向的出光比值为1.5～4倍，因此就此一面射型发光芯片来说，最佳的最大垂直厚度L1与最大水平厚度L2的比值为1.5～4。
请参照第图7，图7为控制荧光转化层的最大垂直厚度与最大水平厚度的比值来量测薄型氮化镓的发光元件表面色温表。薄型氮化镓(Thin GaN)发光芯片在垂直出光方向的出光量约为97％，水平出光方向的出光量约为3％，以往以薄型氮化镓当作发光芯片的发光元件，其出光色温约有1000～1500K的误差，经过此荧光转化层24厚度的修正，当荧光转化层24在发光芯片22处的最大垂直厚度L1与最大水平厚度L2的比值介于0.1至10之间时，其出光色温差缩小至1000K以内；当荧光转化层24在发光芯片22处的最大垂直厚度L1与最大水平厚度L2的比值介于1.5至4之间时，其出光色温差缩小至300K以内，有助于改善色温不均的现象。
由于发光芯片22出光的角度大的光线会因为管状结构23的材质特性而直接穿透，没有现有技术会被两侧反射壁反射，而产生穿透荧光转化层24的路径距离较长，能量较多转换为荧光转化层24被激发出的黄光，造成色温不均的问题。当发光元件100内的发光芯片22发出不同角度的光线时，虽然穿透荧光转化层24的路径距离长短不同，但是通过管状结构23来限缩荧光转化层24的分布范围，用以控制最大垂直厚度L1与最大水平厚度L2的比值，由于管状结构23的材质供该发光芯片22所发出的光线与该荧光转化层24被激发的光线穿透，因此在不考虑反射的情形下，能使自发光芯片22出光的光线经由穿透荧光转化层24的路径距离的控制，避免以往出光色温不均的现象。
请参照第图8，图8为本发明的第二实施例的轴向截面示意图。本实施例的发光元件100的结构，已于第一实施例中所揭露，故相同部分请对照比较，在此不作赘述。本实施例的特征在于发光元件100更包含有一微透镜28。微透镜28设置于基板21的表面21a上并覆盖该管状结构23。微透镜28用以将第一实施例中的发光元件100所发出各种方向、角度的光线汇聚在同一方向。
请参照图9，图9为本发明的第三实施例的轴向截面示意图。本实施例的发光元件100的结构，已于第二实施例中所揭露，故相同部分请对照比较，在此不作赘述。本实施例还包括有一封装载具29。封装载具29为碗杯状载体，用以承载基板21，且该封装载具29内侧表面上形成有一反射层30，用以将发光元件100上所发出的光线反射汇聚同一方向。封装载具29的材质可以是但不仅限于是陶瓷、金属、塑料或树酯。反射层30的材质可以是但不仅限于是金属或半导体。
请参照图10，图10为本发明的第四实施例的轴向截面示意图。本实施例的发光元件100的结构，已于第一实施例中所揭露，故相同部分请对照比较，在此不作赘述。本实施例的特征在于管状结构23具有内侧管壁25与外侧管壁26。内侧管壁25垂直于表面21a，外侧管壁26与表面21a之间夹锐角A。锐角A的角度可以是介于1度至89度之间。在外侧管壁26上形成反射层31。反射层31的材质可以是但不仅限于是金属或半导体。
当发光芯片22发出各种不同角度的光线时，角度大的光线穿透管状结构23的内侧管壁25后，被形成于外侧管壁26上的反射层31反射。这种管状结构23的设计，一方面用以限缩荧光转化层24的分布范围，用以控制最大垂直厚度L1与最大水平厚度L2的比值，避免发光芯片22所发出角度大的光线，因为通过荧光转化层24的路径较长，能量较多转换为荧光转化层24被激发出的黄光，造成色温不均的问题。另一方面利用反射层31与控制锐角A的角度使发光芯片22所发出角度大的光线反射出光，达到将该发光元件100所发出的光线汇聚在同方向的功效。
请参照图11，图11为本发明的第五实施例的轴向截面示意图。本实施例的发光元件100的结构，已于第一实施例中所揭露，故相同部分请对照比较，在此不作赘述。本实施例还包括有一封装载具32。封装载具32为碗杯状载体，用以承载基板21，且该封装载具32内侧表面上形成有一反射层33，用以将发光元件100上所发出的光线反射汇聚同一方向。封装载具32的材质可以是但不仅限于是陶瓷、金属、塑料或树酯。反射层33的材质可以是但不仅限于是金属或半导体。
请参照图12，图12为本发明的第六实施例的轴向截面示意图。本实施例的发光元件100的结构，已于第一实施例中所揭露，故相同部分请对照比较，在此不作赘述。本实施例的特征在于多数个发光元件100形成于同一基板21上。
请参照图13，图13为本发明的第一实施例制作流程图。一种发光元件的制作方法包含有：首先，提供导热性基板(步骤51)。在基板的表面上形成管状结构，且管状结构两端各具有开口，管状结构以二端的一端设置于表面(步骤52)。设置发光芯片于基板的表面上，并被管状结构所环绕(步骤53)。设置荧光转化层于管状结构内并覆盖发光芯片，且荧光转化层在发光芯片处的最大垂直厚度与最大水平厚度的比值控制为0.1至10(步骤54)。
基板的材质可以是但不仅限于是陶瓷、金属、有机高分子或硅。形成该透明管状结构的方式是黄光微影工艺、激光写入工艺、压模、蚀刻或射出成型。该管状结构的材质供该发光元件所发出的光线与该荧光转化层被激发的光线穿透。管状结构的材质可以是但不仅限于是硅胶、树脂、玻璃或硅胶与硅土混合物。
请参照图14，图14为本发明的第一实施例另一制作流程图。一种发光元件的制作方法包含有：首先，提供导热性基板(步骤61)。设置发光芯片于该表面上(步骤62)。在具有发光芯片的表面上形成管状结构，且管状结构环绕该发光芯片，并且管状结构两端各具有开口，管状结构以二端的一端设置于表面(步骤63)。设置荧光转化层于管状结构内并覆盖发光芯片，荧光转化层在该发光芯片处的最大垂直厚度与最大水平厚度的比值控制为0.1至10(步骤64)。
基板的材质可以是但不仅限于是陶瓷、金属、有机高分子或硅。形成该透明管状结构的方式是黄光微影工艺、激光写入工艺、压模、蚀刻或射出成型。该管状结构的材质供该发光元件所发出的光线与该荧光转化层被激发的光线穿透。管状结构的材质可以是但不仅限于是硅胶、树脂、玻璃或硅胶与硅土混合物。
请参照图15A、图15B、图15C、图15D，图15A为本发明的第六实施例制作流程第一步骤示意图。图15B为本发明的第六实施例制作流程第二步骤示意图。图15C为本发明的第六实施例制作流程第三步骤示意图。图15D为本发明的第六实施例制作流程第四步骤示意图。首先，如图15A所示，提供具导热性的基板21。然后如图15B所示，在基板21表面上形成多数个管状结构23，且管状结构23两端各具有开口，管状结构以二端的一端设置于基板21表面。接着如图15C所示，于各管状结构23内的基板21表面设置至少一发光芯片22。最后，如图15D所示，填充荧光转化层24于管状结构23内并覆盖发光芯片22，荧光转化层24在该发光芯片22处的最大垂直厚度L1与最大水平厚度L2的比值为0.1至10。
基板的材质可以是但不仅限于是陶瓷、金属、有机高分子或硅。形成该透明管状结构的方式是黄光微影工艺、激光写入工艺、压模、蚀刻或射出成型。该管状结构的材质供该发光元件所发出的光线与该荧光转化层被激发的光线穿透。管状结构的材质可以是但不仅限于是硅胶、树脂、玻璃或硅胶与硅土混合物。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (19)
1.一种发光元件，包含有：
一基板，具有一表面；
至少一管状结构，形成于该表面，且该管状结构的两端各具有一开口，该管状结构以该二端的一端设置于该表面；
至少一发光芯片，该发光芯片设置于该表面并被该管状结构所环绕；以及
至少一荧光转化层，设置于该管状结构内并覆盖该发光芯片，该荧光转化层在该发光芯片处的一最大垂直厚度与一最大水平厚度的比值为0.1至10。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该最大垂直厚度与该最大水平厚度的比值为1.5至4。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该基板的材质为陶瓷、金属、有机高分子或硅。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该管状结构的一径向截面的形状是圆形、矩形或六边形。
5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该荧光转化层液面形状是水平、内凹曲面或外凸曲面。
6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该管状结构的材质供该发光芯片所发出的光线与该荧光转化层被激发的光线穿透。
7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该管状结构的材质为硅胶、硅胶和硅土混合物、树脂或玻璃。
8.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该管状结构包含有一内侧管壁、一外侧管壁和一反射层，该内侧管壁垂直于该表面，该外侧管壁与该表面之间夹一锐角，该反射层形成于该外侧管壁上。
9.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该荧光转化层包含有一荧光粉与一树酯。
10.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该发光元件还包括有一微透镜，该微透镜设置于该表面并覆盖该管状结构。
11.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该发光元件还包括有一封装载具，该载具用以承载该基板，且该载具用以承载该基板的一侧形成有一反射层。
12.一种发光元件，包含有：
一基板，具有一表面；
至少一管状结构，形成于该表面，且该管状结构的两端各具有一开口，该管状结构以该二端的一端设置于该表面；
至少一发光芯片，且该发光芯片设置于该表面并被该管状结构所环绕；
至少一荧光转化层，设置于该管状结构内并覆盖该发光芯片，该荧光转化层在该发光芯片处的最大垂直厚度与最大水平厚度的比值为0.1至10；
至少一微透镜，设置于该表面并覆盖该管状结构；以及
一封装载具，用以承载该基板。
13.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于，该最大垂直厚度与该最大水平厚度的比值为1.5至4。
14.一种发光元件的制作方法，其特征在于，包含有：
设置至少一发光芯片于一基板表面上；
形成至少一管状结构于该基板表面并环绕该发光芯片；以及
设置至少一荧光转化层于该管状结构内并覆盖该发光芯片。
15.根据权利要求14所述的发光元件的制作方法，其特征在于，形成该透明管状结构的方式是黄光微影工艺、激光写入工艺、压模、蚀刻或射出成型。
16.根据权利要求14所述的发光元件的制作方法，其特征在于，该管状结构的材质供该发光芯片所发出的光线与该荧光转化层被激发的光线穿透。
17.根据权利要求16所述的发光元件的制作方法，其特征在于，该管状结构的材质为硅胶、硅胶与硅土混合物、树脂或玻璃。
18.根据权利要求17所述的发光元件的制作方法，其特征在于，在填充至少一荧光转化层于该管状结构内的步骤后，还包括设置一微透镜于该表面并包围该管状结构的步骤。
19.根据权利要求18所述的发光元件的制作方法，其特征在于，填充至少一荧光转化层于该管状结构内并覆盖该发光芯片的步骤后，还包括设置一封装载具用以承载该基板。
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