CN101447380B - 一种平面介质阻挡放电光源的制造方法 - Google Patents

一种平面介质阻挡放电光源的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101447380B
CN101447380B CN2008102327703A CN200810232770A CN101447380B CN 101447380 B CN101447380 B CN 101447380B CN 2008102327703 A CN2008102327703 A CN 2008102327703A CN 200810232770 A CN200810232770 A CN 200810232770A CN 101447380 B CN101447380 B CN 101447380B
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass substrate
warming
insulations
lower glass
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008102327703A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101447380A (zh
Inventor
李军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Irico Group Corp
Original Assignee
Irico Group Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Irico Group Corp filed Critical Irico Group Corp
Priority to CN2008102327703A priority Critical patent/CN101447380B/zh
Publication of CN101447380A publication Critical patent/CN101447380A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101447380B publication Critical patent/CN101447380B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

本发明属于电真空领域,涉及一种平面介质阻挡放电光源的制造方法。本发明中将电极印刷并烧结在刻蚀好的下玻璃基板玻璃凹槽里,然后在下玻璃基板上再印刷反射层和介质层a.下玻璃基板的制作:在下基板玻璃上涂覆感光胶,形成电极图形;对下玻璃基板进行刻蚀处理,在下玻璃基板上形成和电极图形一致的凹槽;经烧结处理后再多次印刷反射层和介质层。b.上基板的制作:对上玻璃基板进行超声波清洗;印刷上基板荧光粉涂层;c.整机封装,低玻烧结,除气,然后充入惰性混合气体氖气和氙气,驱动电路装配及老练。减少了介质的印刷次数以及由于对位引起的误差,使得制作工艺简单精确。

Description

一种平面介质阻挡放电光源的制造方法
技术领域
本发明属于电真空领域,涉及一种平面介质阻挡放电光源的制造方法。
背景技术
(1)近年来,液晶显示LCD技术取得了飞速发展。液晶显示器一般为透射型,需要在液晶板后配置光源来实现发光显示。LCD的亮度、对比度、亮度均匀性和功耗等重要性能指标与其背光源的性能有很大关系。目前平板液晶显示器普遍采用的背光源是冷阴极荧光灯CCFL,其优点是光效和亮度高,但其缺点是点亮后达到饱和亮度时间长,点火受环境温度影响大和寿命较短,为使显示器亮度均匀还需配置导光板、扩散板和棱镜板等部件,使灯管的亮度损失较大,并且冷阴极荧光灯CCFL需要汞蒸气作为工作气体,因此荧光灯的生产和废弃都会造成对环境的污染。随着世界各国环境保护意识的增强,各国政府纷纷制订法律逐步减小工业生产中的用汞量,并积极鼓励采用一些无汞的新技术。在此背景下,开发新型光源以取代冷阴极荧光灯CCFL受到世界上许多光源制造厂家和研究机构的重视。平面介质阻挡放电光源由于具有可实现大面积均匀发光、寿命长、制作成本低等优点,因此特别适合用作大屏幕液晶显示LCD的背光源。此外,它还可用作照明光源,如吸顶灯、吊灯、壁灯、光墙等,具有较强的装饰性效果,可广泛应用于家庭、商场、宾馆、会议室、展览馆、机场、车站等场所。
(2)现在普遍采用的平面介质阻挡放电光源的制作方法,是分别制作上下基板,然后用封接框将其封接,经过除气、充气、老练等工艺制作而成。其中下基板是用丝网印刷技术直接在玻璃基板上印刷电极并烧结,然后再印刷介质和荧光粉层并分别烧结。其中介质的印刷需要上百微米厚度以保证制作好的光源不易被击穿,因此需要多次印刷、多次干燥才能达到预期厚度,工艺较繁琐,且厚度越厚越不均匀;而且在多次印刷过程中要求精确对位来保证图形不偏离,这使得制作工艺繁琐复杂,不利于大批量的生产。
发明内容
针对现有技术在平面介质阻挡放电光源上下基板的加工中存在的需要多次印刷、干燥,工艺繁琐且厚度不均匀的技术问题,本发明提出如下技术方案:
一种平面介质阻挡放电光源的制造方法,包括如下步骤:
a.下基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进行超声波清洗。
2)在下基板玻璃上涂覆一层20-30微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感光胶,通过掩膜版进行曝光、显影,形成电极图形;
3)用浓度为40%氢氟酸和纯水的重量比为4∶1的混合液对玻璃基板进行刻蚀处理,再用脱胶液剥离剩余的感光胶,在玻璃基板上形成和电极图形一致的凹槽;
4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的玻璃基板采用“十字”对位码对位后,将电极印刷在刻蚀好的玻璃基板的凹槽里,将印刷好电极的玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温10-20分钟,再升温至570℃保温15-20分钟,经烧结处理后电极厚度为5-10μm;
5)接着,在玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层,反射层厚度为25-30μm,介质层厚度为320-340μm,并进行烧结处理,升温至370℃保温10-20分钟,再升温至540℃保温15-20分钟,烧结后反射层和介质层总厚度约为240-260μm。
6)接着在玻璃基板上印刷荧光粉层,荧光粉层覆盖整个放电区域,厚度为120-140μm;
7)对印刷荧光粉层的玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温10-20分钟,再升温至450℃保温15-20分钟,烧结后厚度为100-110μm;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子,在柱状隔离子的一端涂上低玻粉浆料,用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空白处;
b.上基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进行超声波清洗;
2)印刷上基板荧光粉涂层,上基板荧光粉涂层要求粉体颗粒≤8μm,并进行烧结,升温至370摄氏度保温10-20分钟,再升温至450摄氏度保温15-20分钟,烧结后荧光粉厚度约为7-9μmc.整机封装
1)封接,将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上,将玻其粘在上下两个基板之间,同时在两块基板之间的封接框处放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管;
2)低玻烧结,升温至370℃保温10-20分钟,再升温至450℃保温15-20分钟,完成封装。
3)除气,将排气管接到等离子显示器PDP封排充气台上,用真空泵进行除气约5-7小时,然后充入惰性混合气体氖气和氙气,氙气的体积百分比为5%~30%,充气气压控制在80~90kPa;
4)驱动电路装配及老练,采用额定功率为50W、220V交流输入的电源,接通阴阳两极进行老练5-10小时。
本发明中将电极印刷并烧结在刻蚀好的下基板玻璃凹槽里,然后在玻璃基板上再印刷反射层和介质层,这样,电极槽侧面的玻璃就充当了厚度为d的介质,因而上面的介质层可以适当薄一些,减少了介质的印刷次数以及由于对位引起的误差,使得制作工艺简单精确。
附图说明
图1为刻蚀后下基板的剖面示意图,
图2为印刷电极后下基板的剖面示意图,
图3为图2中下基板刻蚀槽的局部放大示意图
图4为印刷电极后下基板的俯视图,
图中,1为下基板玻璃,2为刻蚀后的凹槽,3为电极(涂黑部分)
具体实施方式
下面结合附图对本发明的平面介质阻挡放电光源的制造方法做进一步说明,包括如下步骤:
实施例一
a.下玻璃基板1的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进行超声波清洗,酒精和去离子水没有严格的比例要求,经过清洗后的玻璃表面不留油渍、污渍,表面光滑,水膜要求完好。
2)在下玻璃基板1玻璃上涂覆一层20微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感光胶,通过掩膜版进行曝光、显影,形成电极图形,如附图3所示;
3)用浓度为40%的氢氟酸和纯水的重量配比为4∶1的混合液对下基板玻璃进行刻蚀,再用脱胶液剥离剩余的感光胶,在下玻璃基板上形成了和电极图形一致的凹槽2,如附图1所示;
4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用“十字”对位码对位后,将电极印刷在刻蚀好下玻璃基板的凹槽2里,如图2,图4所示,将印刷好电极的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温20分钟,再升温至570℃保温15分钟,经烧结处理后电极厚度为5μm;
5)接着在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层,反射层厚度为25-30μm,介质层厚度为320-340μm。并进行烧结升温至370℃保温20分钟,再升温至540℃保温15分钟,烧结后反射层和介质层总厚度为260μm;
6)接着在下玻璃基板上印刷荧光粉层,荧光粉层覆盖整个放电区域,厚度约为140μm;
7)对印刷有荧光粉层的下玻璃基板进行烧结,升温至370℃保温10分钟,再升温至450℃保温20分钟,烧结后厚度为100μm;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子,在柱状隔离子的一端涂上低玻粉浆料,用隔离子散布装置将其粘在下基板1预留的空白处;
b.上基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对上玻璃基板进行超声波清洗;
2)印刷上基板荧光粉层,上基板荧光粉层要求粉体颗粒≤8μm,并进行烧结,升温至370摄氏度保温20分钟,再升温至450摄氏度保温15分钟,烧结后荧光粉厚度为7μm;
c.整机封装
1)封接,将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面,将其粘在上下两个基板之间,同时在两块基板之间的封接框处放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管;
2)低玻烧结升温至370℃保温20分钟,再升温至450℃保温15分钟,完成封装。
3)除气,将排气管接到PDP封排充气台上,用机械泵和分子泵进行除气7小时,然后充入惰性混合气体氖气和氙气,氙气Xe的体积百分比为30%,充气气压控制在90kPa;
4)驱动电路装配及老练,采用额定功率为50W、220V交流输入的电源,接通阴阳两极进行老练5小时。
实施例二
a.下玻璃基板1的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板进行超声波清洗。
2)在下玻璃基板1玻璃上涂覆一层30微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感光胶,通过掩膜版进行曝光、显影,形成电极图形;
3)用浓度为40%的氢氟酸和纯水的重量配比为4∶1的混合液对下玻璃基板1玻璃进行刻蚀,再用脱胶液剥离剩余的感光胶,在下玻璃基板上形成了和电极图形一致的凹槽2;
4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用“十字”对位码对位后,将电极印刷在刻蚀好下玻璃基板的凹槽2里,将印刷好电极的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温10分钟,再升温至570℃保温20分钟,经烧结处理后电极厚度为10μm;
5)接着在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层,反射层厚度为25-30μm,介质层厚度为320-340μm。并进行烧结升温至370℃保温10分钟,再升温至540℃保温20分钟,烧结后反射层和介质层总厚度为240μm;
6)接着在下玻璃基板上印刷荧光粉层,荧光粉层覆盖整个放电区域,厚度约为120μm;
7)对印刷有荧光粉层的下玻璃基板进行烧结,升温至370℃保温20分钟,再升温至450℃保温15分钟,烧结后厚度为110μm;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子,在柱状隔离子的一端涂上低玻粉浆料,用隔离子散布装置将其粘在下玻璃基板1预留的空白处;
b.上基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进行超声波清洗;
2)印刷上基板荧光粉层,上基板荧光粉层要求粉体颗粒≤8μm,并进行烧结,升温至370摄氏度保温10分钟,再升温至450摄氏度保温20分钟,烧结后荧光粉厚度为9μm
c.整机封装
1)封接,将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上,将其粘在上下两个基板之间,同时在两块基板之间的封接框处放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管;
2)低玻烧结升温至370℃保温10分钟,再升温至450℃保温20分钟,完成封装。
3)除气,将排气管接到PDP封排充气台上,用机械泵和分子泵进行除气5小时,然后充入惰性混合气体氖气和氙气,氙气Xe的体积百分比为5%,充气气压控制在80kPa;
4)驱动电路装配及老练,采用额定功率为50W、220V交流输入的电源,接通阴阳两极进行老练10小时。
实施例三
a.下玻璃基板1的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板进行超声波清洗。
2)在下玻璃基板1玻璃上涂覆一层25微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感光胶,通过掩膜版进行曝光、显影,形成电极图形。
3)用浓度为40%的氢氟酸和纯水的重量配比为4∶1的混合液对下玻璃基板1玻璃进行刻蚀处理,再用脱胶液剥离剩余的感光胶,在下玻璃基板上形成了和电极图形一致的凹槽2;
4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用“十字”对位码对位后,将电极印刷在刻蚀好玻璃基板的凹槽2里,将印刷好电极的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温15分钟,再升温至570℃保温18分钟,经烧结处理后电极厚度为8μm;
5)接着在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层,反射层厚度为25-30μm,介质层厚度为320-340μm。并进行烧结升温至370℃保温15分钟,再升温至540℃保温17分钟,烧结后反射层和介质层总厚度为250μm;
6)接着在下玻璃基板上印刷荧光粉层,荧光粉层覆盖整个放电区域,厚度约为130μm;
7)对印刷有荧光粉层的下玻璃基板进行烧结,升温至370℃保温15分钟,再升温至450℃保温18分钟,烧结后厚度为115μm;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子,在柱状隔离子的一端涂上低玻粉浆料,用隔离子散布装置将其粘在下玻璃基板1预留的空白处;
b.上基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进行超声波清洗;
2)印刷上基板荧光粉层,上基板荧光粉层要求粉体颗粒≤8μm,并进行烧结,升温至370摄氏度保温18分钟,再升温至450摄氏度保温17分钟,烧结后荧光粉厚度为8μm
c.整机封装
1)封接,将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面,将其粘在上下两个基板之间,同时在两块基板之间的封接框处放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管;
2)低玻烧结升温至370℃保温17分钟,再升温至450℃保温18分钟,完成封装。
3)除气,将排气管接到PDP封排充气台上,用机械泵和分子泵进行除气6小时,然后充入惰性混合气体氖气和氙气,氙气Xe的体积百分比为30%,充气气压控制在85kPa;
4)驱动电路装配及老练,采用额定功率为50W、220V交流输入的电源,接通阴阳两极进行老练8小时。
为达到减少下玻璃基板1介质印刷次数及对位引起的误差,降低制作工艺难度的目的,本发明在下玻璃基板1制作之前对玻璃做了预处理,即:将清洗好的下玻璃基板1玻璃上贴附一层玻璃刻蚀用的感光胶,通过掩膜版进行曝光、显影,形成电极图形,然后用重量比为4∶1的玻璃刻蚀液,浓度为40%的氢氟酸和纯水的混合液进行刻蚀,之后剥离剩余的感光胶,在玻璃上形成与电极图形一致的凹槽。之后用电极图形丝网版在下玻璃基板上印刷电极,电极则印刷在之前刻蚀好的凹槽里,再对电极进行烧结。接着在印有电极的下玻璃基板上印刷反射层、介质层及荧光粉层,并分别进行烧结,最后在下玻璃基板上布置隔离子,完成整个下玻璃基板1的制备。

Claims (4)

1.一种平面介质阻挡放电光源的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
a.下基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板进行超声波清洗;
2)在下基板玻璃上涂覆一层20-30微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感光胶,通过掩膜版进行曝光、显影,形成电极图形;
3)用浓度为40%氢氟酸和纯水的重量比为4∶1的混合液对玻璃基板进行刻蚀处理,再用脱胶液剥离剩余的感光胶,在下玻璃基板上形成和电极图形相一致的凹槽;
4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用对位码对位后,将电极印刷在刻蚀好的下玻璃基板的凹槽里,将印刷好电极的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温10-20分钟,再升温至570℃保温15-20分钟,经烧结处理后电极厚度为5-10μm;
5)在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层,反射层厚度为25-30μm,介质层厚度为320-340μm,并进行烧结处理,升温至370℃保温10-20分钟,再升温至540℃保温15-20分钟,烧结后反射层和介质层总厚度为240-260μm;
6)在下玻璃基板上印刷荧光粉层,荧光粉层覆盖整个放电区域,厚度为120-140μm;
7)对印刷有荧光粉层的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温10-20分钟,再升温至450℃保温15-20分钟,烧结后荧光粉层的厚度为100-110μm;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子,在柱状隔离子的一端涂上低玻粉浆料,用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空白处;
b.上基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对上玻璃基板进行超声波清洗;
2)印刷上基板荧光粉涂层,上基板荧光粉涂层要求粉体颗粒≤8μm,并进行烧结,升温至370摄氏度保温10-20分钟,再升温至450摄氏度保温15-20分钟,烧结后荧光粉厚度为7-9μm;
c.整机封装
1)封接,将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上,将其粘在上下两个基板之间,同时在两块基板之间的封接框处放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管;
2)低玻烧结,升温至370℃保温10-20分钟,再升温至450℃保温15-20分钟,完成封装;
3)除气,将排气管接到等离子显示器PDP封排充气台上,用真空泵进行除气5-7小时,然后充入惰性混合气体氖气和氙气,氙气的体积百分比为5%~30%,充气气压控制在80~90kPa;
4)驱动电路装配及老练,采用额定功率为50W、220V交流输入的电源,接通阴阳两极进行老练5-10小时。
2.根据权利要求1所述的平面介质阻挡放电光源的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
a.下基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板进行超声波清洗;
2)在下基板玻璃上涂覆一层20微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感光胶,通过掩膜版进行曝光、显影,形成电极图形;
3)用浓度为40%氢氟酸和纯水的重量比为4∶1的混合液对玻璃基板进行刻蚀处理,再用脱胶液剥离剩余的感光胶,在下玻璃基板上形成和电极图形相一致的凹槽;
4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用对位码对位后,将电极印刷在刻蚀好的下玻璃基板的凹槽里,将印刷好电极的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温20分钟,再升温至570℃保温15分钟,经烧结处理后电极厚度为5μm;
5)在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层,反射层厚度为25μm,介质层厚度为340μm,并进行烧结处理,升温至370℃保温20分钟,再升温至540℃保温15分钟,烧结后反射层和介质层总厚度为260μm;
6)在下玻璃基板上印刷荧光粉层,荧光粉层覆盖整个放电区域,厚度为140μm;
7)对印刷荧光粉层的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温10分钟,再升温至450℃保温20分钟,烧结后荧光粉层的厚度为100μm;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子,在柱状隔离子的一端涂上低玻粉浆料,用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空白处;
b.上基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对上玻璃基板进行超声波清洗;
2)印刷上基板荧光粉涂层,上基板荧光粉涂层要求粉体颗粒≤8μm,并进行烧结,升温至370摄氏度保温20分钟,再升温至450摄氏度保温15分钟,烧结后荧光粉厚度为7μm;
c.整机封装
1)封接,将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上,将其粘在上下两个基板之间,同时在两块基板之间的封接框处放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管;
2)低玻烧结,升温至370℃保温20分钟,再升温至450℃保温15分钟,完成封装;
3)除气,将排气管接到等离子显示器PDP封排充气台上,用真空泵进行除气7小时,然后充入惰性混合气体氖气和氙气,氙气的体积百分比为30%,充气气压控制在90kPa;
4)驱动电路装配及老练,采用额定功率为50W、220V交流输入的电源,接通阴阳两极进行老练5小时。
3.根据权利要求1所述的平面介质阻挡放电光源的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
a.下基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板进行超声波清洗;
2)在下基板玻璃上涂覆一层30微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感光胶,通过掩膜版进行曝光、显影,形成电极图形;
3)用浓度为40%氢氟酸和纯水的重量比为4∶1的混合液对下玻璃基板进行刻蚀处理,再用脱胶液剥离剩余的感光胶,在下玻璃基板上形成和电极图形一致的凹槽;
4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用“十字”对位码对位后,将电极印刷在刻蚀好的下玻璃基板的凹槽里,将印刷好电极的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温10分钟,再升温至570℃保温20分钟,经烧结处理后电极厚度为10μm;
5)在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层,反射层厚度为30μm,介质层厚度为320μm,并进行烧结处理,升温至370℃保温10分钟,再升温至540℃保温20分钟,烧结后反射层和介质层总厚度为240μm;
6)在下玻璃基板上印刷荧光粉层,荧光粉层覆盖整个放电区域,厚度为120μm;
7)对印刷荧光粉层的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温20分钟,再升温至450℃保温15分钟,烧结后荧光粉层的厚度为110μm;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子,在柱状隔离子的一端涂上低玻粉浆料,用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空白处;
b.上基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对上玻璃基板进行超声波清洗;
2)印刷上基板荧光粉涂层,上基板荧光粉涂层要求粉体颗粒≤8μm,并进行烧结,升温至370摄氏度保温10分钟,再升温至450摄氏度保温20分钟,烧结后荧光粉厚度为9μm;
c.整机封装
1)封接,将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上,将其粘在上下两个基板之间,同时在两块基板之间的封接框处放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管;
2)低玻烧结,升温至370℃保温10分钟,再升温至450℃保温20分钟,完成封装;
3)除气,将排气管接到等离子显示器PDP封排充气台上,用真空泵进行除气5小时,然后充入惰性混合气体氖气和氙气,氙气的体积百分比为5%,充气气压控制在80kPa;
4)驱动电路装配及老练,采用额定功率为50W、220V交流输入的电源,接通阴阳两极进行老练10小时。
4.根据权利要求1所述的平面介质阻挡放电光源的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
a.下基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板进行超声波清洗;
2)在下基板玻璃上涂覆一层25微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感光胶,通过掩膜版进行曝光、显影,形成电极图形;
3)用浓度为40%氢氟酸和纯水的重量比为4∶1的混合液对下玻璃基板进行刻蚀处理,再用脱胶液剥离剩余的感光胶,在下玻璃基板上形成和电极图形一致的凹槽;
4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用“十字”对位码对位后,将电极印刷在刻蚀好的下玻璃基板的凹槽里,将印刷好电极的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温15分钟,再升温至570℃保温18分钟,经烧结处理后电极厚度为8μm;
5)在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层,反射层厚度为27μm,介质层厚度为330μm,并进行烧结处理,升温至370℃保温15分钟,再升温至540℃保温17分钟,烧结后反射层和介质层总厚度为250μm;
6)在下玻璃基板上印刷荧光粉层,荧光粉层覆盖整个放电区域,厚度为130μm;
7)对印刷荧光粉层的下玻璃基板进行烧结处理,升温至370℃保温15分钟,再升温至450℃保温18分钟,烧结后荧光粉层的厚度为115μm;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子,在柱状隔离子的一端涂上低玻粉浆料,用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空白处;
b.上基板的制作:
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对上玻璃基板进行超声波清洗;
2)印刷上基板荧光粉涂层,上基板荧光粉涂层要求粉体颗粒≤8μm,并进行烧结,升温至370摄氏度保温18分钟,再升温至450 摄氏度保温17分钟,烧结后荧光粉厚度为8μm;
c.整机封装
1)封接,将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上,将低玻粉浆料粘在上下两个基板之间,同时在两块基板之间的封接框处放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管;
2)低玻烧结,升温至370℃保温17分钟,再升温至450℃保温18分钟,完成封装;
3)除气,将排气管接到等离子显示器PDP封排充气台上,用真空泵进行除气约6小时,然后充入惰性混合气体氖气和氙气,氙气的体积百分比为15%,充气气压控制在85kPa;
4)驱动电路装配及老练,采用额定功率为50W、220V交流输入的电源,接通阴阳两极进行老练8小时。
CN2008102327703A 2008-12-11 2008-12-11 一种平面介质阻挡放电光源的制造方法 Expired - Fee Related CN101447380B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008102327703A CN101447380B (zh) 2008-12-11 2008-12-11 一种平面介质阻挡放电光源的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008102327703A CN101447380B (zh) 2008-12-11 2008-12-11 一种平面介质阻挡放电光源的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101447380A CN101447380A (zh) 2009-06-03
CN101447380B true CN101447380B (zh) 2010-06-02

Family

ID=40742975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008102327703A Expired - Fee Related CN101447380B (zh) 2008-12-11 2008-12-11 一种平面介质阻挡放电光源的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101447380B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962435A (zh) * 2018-06-22 2018-12-07 无锡众创未来科技应用有限公司 图案化透明电极制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5461279A (en) * 1992-09-10 1995-10-24 Sanyo Electric Co. Ltd. Flat fluorescent lamp having a luminescent surface with a diffusion groove
CN1220767A (zh) * 1997-03-21 1999-06-23 电灯专利信托有限公司 带有介电阻碍电极的气体放电灯
CN1432852A (zh) * 2002-01-16 2003-07-30 三星电子株式会社 平板型灯及具有该平板型灯的液晶显示装置
CN1697118A (zh) * 2005-05-26 2005-11-16 西安交通大学 平面介质阻挡放电荧光灯
CN101106057A (zh) * 2007-07-03 2008-01-16 西安工业大学 无电极型平面介质阻挡放电荧光灯及其制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5461279A (en) * 1992-09-10 1995-10-24 Sanyo Electric Co. Ltd. Flat fluorescent lamp having a luminescent surface with a diffusion groove
CN1220767A (zh) * 1997-03-21 1999-06-23 电灯专利信托有限公司 带有介电阻碍电极的气体放电灯
CN1432852A (zh) * 2002-01-16 2003-07-30 三星电子株式会社 平板型灯及具有该平板型灯的液晶显示装置
CN1697118A (zh) * 2005-05-26 2005-11-16 西安交通大学 平面介质阻挡放电荧光灯
CN101106057A (zh) * 2007-07-03 2008-01-16 西安工业大学 无电极型平面介质阻挡放电荧光灯及其制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开平6-50624B2 1994.06.29

Also Published As

Publication number Publication date
CN101447380A (zh) 2009-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6242859B1 (en) Plasma display panel and method of manufacturing same
CN1877371B (zh) 光学构件、具有其的背光组件和具有其的液晶显示装置
US7585198B2 (en) Flat luminescent lamp and method for manufacturing the same
CN1773666A (zh) 平荧光灯及具有其的液晶显示设备
CN100590781C (zh) 无电极型平面介质阻挡放电荧光灯及其制作方法
CN101447380B (zh) 一种平面介质阻挡放电光源的制造方法
CN110085618B (zh) 显示面板制备方法
TW574721B (en) Flat lamp structure
US6410214B1 (en) Method for manufacturing black matrix of plasma display panel
KR100674100B1 (ko) 평면 램프용 교류 구동형 플라즈마 소자 및 그 제조 방법
US20060063463A1 (en) Method of manufacturing flat lamp
TW200527469A (en) Housing and cold cathode fluorescent flat lamp using the same
CN1330990C (zh) 光干涉式反射面板及其制造方法
CN101101852A (zh) 冷阴极荧光平面灯
US7319291B2 (en) Plasma display panel having dielectric layer with curved corner
CN100363818C (zh) 腔体结构及应用此腔体结构的冷阴极平面灯
TW463521B (en) Facial light source
CN101000857B (zh) 平面灯源及其制造方法
US20110006672A1 (en) Flat light source and manufacturing method thereof
KR100363800B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 배면판 제조방법
CN100590783C (zh) 平面灯源及其制作方法
KR100710360B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
CN100538972C (zh) 等离子体发光面板
TW432422B (en) Rear plate of plasma display panel and the manufacturing method of the same
CN201054344Y (zh) 反射式冷阴极灯管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100602

Termination date: 20141211

EXPY Termination of patent right or utility model