CN101441597A - 可调式混合密度内存储存装置及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭示一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将一档案数据配置在一储存装置中。此储存装置具有一高密度内存以及一低密度内存。此控制方法的主要特征是以数据的长度来判断其性质，随后依照该数据的性质、储存装置的磨损程度和处理数据量的情况来决定将数据配置于高密度内存或低密度内存。

Description

可调式混合密度内存储存装置及其控制方法

技术领域

本发明涉及一种储存装置，尤指一种混合密度内存(Hybrid densitymemory)储存装置及其控制方法。

背景技术

非挥发性内存(Non-volatile memory，或称为非依电性内存)用以储存数据，常应用于储存装置，例如：记忆卡、USB接口随身碟、固态磁盘驱动器等。闪存(Flash memory)具有高储存密度、低耗电特性、有效的存取效率与合理价格成本等优点，而成为目前非挥发性内存主流。

一般非挥发性内存通常全采用多级单元型内存(Multi-level-cell，MLC)或单级单元型内存(Single-level-cell，SLC)，其中以多级单元制成的内存为高密度内存(High density memory)，而以单级单元制成的内存为低密度内存(Low density memory)。相较于低密度内存，高密度内存单位面积的数据储存容量可成倍数增加，因而具有大幅提高储存容量与降低成本的优势，然其读写数据、执行烧录与抹除(Erase)动作所需的时间却较长；此外，多级单元制程技术也致使高密度内存所能承受的抹写次数(Erase cycle)较少，如此便连带影响了采用高密度内存的储存装置的数据存取速度与使用寿命。

鉴于高密度内存的特点在于储存容量大与成本低，但数据存取速率慢及抹除耐用次数少；而低密度内存的特点在于数据存取速率快与抹除耐用次数多，但储存容量小及成本高，进而发展出在单一储存装置内同时具备上述两种不同密度的内存，即为混合密度内存(Hybriddensity memory)。

目前，业界所提出的混合密度内存储存装置通常采用低密度内存记录使用频率较高的数据，用高密度内存记录数据量大的数据，因此要如何简单、迅速地辨识由主机端所传来的写入数据的性质以指定数据存取于适当的内存中，为一大研究课题；再者，由于低密度内存成本高且储存容量小，要如何规划一种有效的数据处理方式，使低密度内存上尽可能存放出现频率较高的数据，并淘汰较旧且出现频率较低的数据，也为目前急欲解决的问题；最后，因为不同密度的内存所能承受的抹除次数不一样，而且当内存存放的数据被更新或存取时，会抹除存放该数据的区块，进而导致两种密度的内存的抹除次数不平均，如此一来，会面临其中一种密度的内存先到抹除耐用次数限制，但另一种密度的内存尚可继续使用的情况，而提早结束储存装置的使用寿命。

发明内容

在混合密度内存储存装置中，常被存取与更新的数据又称热门数据，会配置于低密度内存中以能快速存取；而不常使用的非热门数据，又称冷门数据，会配置于高密度内存中。计算器系统在存取数据时，提供数据的起始地址及其数据长度，且重复出现的起始地址的数据其伴随的数据长度通常较短，本发明因而提出利用数据长度来判断每一写入数据的性质，以决定将写入数据纪录于适当的内存；而后又分析高密度内存和低密度内存的抹除次数来调节写入数据应存放的位置，期达到内存抹除平均化的功效。

因此，本发明的目的在于提供一种可调式混合密度内存储存装置及其控制方法，能简单、迅速地辨识写入数据的性质。

本发明的再一目的提供一种可调式混合密度内存储存装置及其控制方法，能在配置写入数据到内存时，达到抹除平均化的目的，进而提高混合密度内存装置的寿命，并防止储存资源的浪费。

本发明的又一目的提供一种可调式混合密度内存储存装置及其控制方法，俾能在配置写入数据到内存时，能有效率地处理内存数据，进而提高混合密度内存装置的数据储存效能。

本发明揭示一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将由主机传来的一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中。此储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元。所述的控制方法的步骤如下：首先进行一热门数据过滤程序，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质；之后根据比较结果来决定该写入数据的配置位置，若该写入数据的数据长度比该门限值小，则将该写入数据配置于该低密度内存单元，否则将该写入数据配置于该高密度内存单元。

本发明再揭示另一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将由主机传来的一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中。此储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元。所述的控制方法的步骤如下：首先进行一热门数据过滤程序，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质；之后根据比较结果来决定该写入数据的配置位置，若该写入数据的数据长度大于或等于该门限值，则将该写入数据配置于该高密度内存单元，若该写入数据的数据长度比该门限值小，则将该写入数据传到一调节单元；随后进行一调节程序，分析低密度内存单元和高密度内存单元的磨损程度和其处理数据量的情况来决定存取该写入数据的位置。

本发明又揭示另一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将由主机传来的一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中。此储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元。所述的控制方法的步骤如下：首先将该写入数据传到一调节单元以进行一调节程序，用以分析低密度内存单元和高密度内存单元的磨损程度和其处理数据量的情况来决定存取该写入数据的位置。

本发明再揭示一种可调式混合密度内存储存装置，适用于存取一由一主机传来的写入数据。所述的可调式混合密度内存储存装置特别包括有一非挥发性内存单元、一热门数据过滤单元以及一调节单元。其中非挥发性内存单元包括一由高密度内存所构成的高密度内存单元，及一由低密度内存所构成的低密度内存单元；热门数据过滤单元接收该写入数据，并将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以辨别该写入数据的性质；调节单元耦接于该热门数据过滤单元及该非挥发性内存单元之间，以接收该写入数据，并比较该低密度内存单元与该高密度内存单元的磨耗率及其处理数据量的情况来决定将该写入数据传送至该低密度内存单元或该高密度内存单元。借此，根据该写入数据的传送走向来选择通过一第一地址转换单元将该写入数据的逻辑地址映像成该低密度内存单元中的一第一实体地址或通过一第二地址转换单元将该写入数据的逻辑地址映像成该高密度内存单元中的一第二实体地址，并将该写入数据配置于所映像的实体地址。

换句话说，本发明提供一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中，该混合密度内存储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元，该控制方法包括下列步骤：进行一热门数据过滤程序，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质；以及根据该写入数据的性质，将该写入数据配置于该混合密度内存储存装置的该高密度内存单元或该低密度内存单元。

本发明还提供一种混合密度内存储存装置，适用于配合一主机存取一写入数据，该混合密度内存储存装置具有一低密度内存单元、一高密度内存单元和一控制单元，该控制单元包括有：一热门数据过滤单元，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以辨别该写入数据的性质；一调节单元，耦接于该热门数据过滤单元及该混合密度内存模块之间，以接收该写入数据，并比较该低密度内存单元与该高密度内存单元的磨耗率及其处理数据量的情况来决定将该写入数据传送至该低密度内存单元或该高密度内存单元；一系统接口，耦接于该主机，作为该主机及该混合密度内存储存装置间指令与数据的传输接口；一微处理器，耦接于该系统接口及该热门数据过滤单元，将该写入数据传送到该热门数据过滤单元；一数据传输缓冲区，耦接于该系统接口，以暂存该写入数据；以及一内存接口，耦接于该数据传输缓冲区及该非挥发性内存单元之间，受该微处理器的控制以传输该写入数据。

综上所述，当可知悉本发明的可调式混合密度内存储存装置及其控制方法，通过数据长度的分析以及持续侦测写入数据的性质来调整门限值以辨识热门数据，进而将热门数据记录于低密度内存单元，非热门数据记录于高密度内存单元，借此充分利用两种内存的特性来做数据的处理，有效提高混合密度内存装置的效能。同时本发明也提供了非挥发性内存的数据处理方法以及分析两种密度内存的磨损程度来控制内存的使用寿命，以达到内存抹除平均化的目的，有效的提高混合密度内存装置的寿命。

以上的概述与接下来的详细说明及附图，皆是为了能进一步说明本发明为达到预定目的所采取的方式、手段及功效。而有关本发明的其它目的及优点，将在后续的说明及附图中加以阐述。

附图说明

图1为本发明所揭示的可调式混合密度内存储存装置的一具体实施例的系统架构示意图；

图2为本发明所揭示热门数据控管模块的一具体实施例的系统架构示意图；

图3为本发明所揭示可调式混合密度内存储存装置的控制方法的步骤流程图；

图4为本发明所揭示的热门数据过滤程序的一具体实施例的步骤流程图；

图5为本发明所揭示可调式混合密度内存储存装置的控制方法的另一具体实施例的处理内存数据示意图；以及

图6为本发明所揭示的调节程序的一具体实施例的步骤流程图。

【附图标记说明】

1：数字系统

10：可调式混合密度内存储存装置

11：非挥发性内存单元

111：低密度内存单元

113：高密度内存单元

13：控制单元

131：系统接口

133：热门数据控管模块

1331：热门数据过滤单元

1333：调节单元

1335：第一地址转换单元

1337：第二地址转换单元

135：微处理器

137：数据传输缓冲区

139：内存接口

15：电源管理单元

17：主机

19：电源

501：头端指针缓存器

502：尾端指针缓存器

具体实施方式

本发明所提出的可调式混合密度内存储存装置(Adaptive hybriddensity memory storage device)及其控制方法，能辨识由一主机传来的一写入数据的性质，并提出一种处理内存数据的方法和内存抹除平均化的机制，以提高混合密度内存装置的使用效能及寿命。

首先，请参阅图1，该图为本发明所揭示的可调式混合密度内存储存装置的系统架构示意图。如图1所示，一可调式混合密度内存储存装置10(以下简称储存装置)应用于一数字系统1中，配合执行写入与读取数据。数字系统1中，储存装置10耦接于主机17，接受主机17所下达的指令运作。具体来说，主机17可为一计算器系统，而储存装置10则为计算器系统的固态硬盘。

储存装置10包括有一非挥发性内存单元11、一控制单元13以及一电源管理单元15。非挥发性内存单元11是由闪存(Flash memory)所构成，包括有一低密度内存单元111以及一高密度内存单元113。低密度内存单元111是由低密度内存所构成；高密度内存单元113则是由高密度内存所构成。其中该低密度内存为单级单元内存(SLC)、相变化内存(PCM)、自由铁电式随机存取内存(FeRAM)或磁性随机存取内存(MRAM)；而高密度内存为多级单元内存(MLC)。低密度内存具有单位储存容量低、抹除耐用次数高与数据存取速率快等特点；而高密度内存具有储存容量高、抹除耐用次数少与数据存取速率低等特点。

电源管理单元15耦接于一电源19，用以耦接于电源19，以接收电源19所输出的电力，并将电力转换为控制单元13与非挥发性内存单元11所需电源。

本发明是根据FAT12、FAT16、FAT32或NTFS的档案系统所规范的系统架构来管理储存装置10所储存的档案数据。经过微处理器135韧体预先规划的寻址转换表将档案数据在档案系统中的逻辑区块地址映像到非挥发性内存单元11的实体地址。

控制单元13耦接于主机17与非挥发性内存单元11之间，控制单元13接收主机17所下达的一指令，所述的指令可为一写入指令或一读取指令，写入指令是将对应一逻辑区块地址的数据写入非挥发性内存单元11中，而读取指令则是将一逻辑区块地址的数据从非挥发性内存单元11中读取出来。控制单元13包括有一系统接口131、一热门数据控管模块133、一微处理器135、一数据传输缓冲区137以及一内存接口139。系统接口131耦接于主机17，用以接收主机17所下达的指令，与传输该指令所对应的数据。热门数据控管模块133耦接于系统接口131，以识别该指令所指向的数据的性质，并依据非挥发性内存单元11的抹除程度及处理数据量来指定该数据配置于适当的内存中。微处理器135耦接于系统接口131以及热门数据控管模块133，用以控制储存装置10中各个单元处理该指令的运作情形，即当微处理器135接收指令后，将指令所指向的数据传至热门数据控管模块133以判别数据的性质，之后再根据判断结果对该数据作适当的处理。数据传输缓冲区137耦接于系统接口131，用以暂存主机17传送到储存装置10的数据，或主机17预备从储存装置10读取的数据。内存接口139耦接于数据传输缓冲区137与非挥发性内存单元11之间，作为控制单元13与非挥发性内存单元11之间的数据传输接口。

接着，请同时参阅图1和图2。图2为本发明所揭示热门数据控管模块的一具体实施例的系统架构示意图。如图2所示，热门数据控管模块133耦接于非挥发性内存单元11，非挥发性内存单元11有一低密度内存单元111以及一高密度内存单元113。主机17将所下达的指令的所对应的数据(以下统称写入数据)传到热门数据控管模块133，热门数据控管模块133会根据该写入数据的性质及内存处理数据的情况来指定该写入数据配置于低密度内存单元111或高密度内存单元113。

热门数据控管模块133包括有一热门数据过滤单元1331、一调节单元1333、一第一地址转换单元1335以及一第二地址转换单元1337。热门数据过滤单元1331接收写入数据，借助写入数据的长度来辨别其数据性质。调节单元1333耦接于热门数据过滤单元1331及非挥发性内存单元11之间，以接收写入数据，并比较低密度内存单元111与高密度内存单元113的磨耗率及其处理数据量的情况来决定将该写入数据传送至低密度内存单元111或高密度内存单元113。借此，根据写入数据的传送走向来选择通过一第一地址转换单元1335将该写入数据的逻辑地址映像成该低密度内存单元111中的一第一实体地址或通过一第二地址转换单元1337将写入数据的逻辑地址映像成高密度内存单元113中的一第二实体地址，并将写入数据配置于所映像的实体地址。

接着，请参阅图3，该图为本发明所揭示可调式混合密度内存储存装置的控制方法的步骤流程图。其中相关的系统架构请同时参阅图2。如图3所示，所述的控制方法包括有下列步骤：

首先，热门数据过滤单元1331接收一写入数据，为步骤S301；

其次，进行一热门数据过滤程序，为步骤S303，将该写入数据的长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质，若判断该写入数据为热门数据，则将该写入数据传送到调节单元1333；

随后，执行一调节程序，分析非挥发性内存单元11的磨耗率及其处理数据量的情况来决定将该写入数据传送至低密度内存单元111或高密度内存单元113，为步骤S305；以及

最后，根据该写入数据的传送走向来选择将其写入低密度内存单元111或高密度内存单元113，为步骤S307。

请参阅图4，该图为本发明所揭示混合密度内存储存装置的控制方法的一具体实施例的步骤流程图，其显示于写入模式下，热门数据过滤单元1331执行热门数据过滤程序的动作流程。其中相关的统架构请同时参阅图2。

本发明将写入数据的长度和一门限值比较来决定该写入数据的性质。门限值可为一系统设定值或一使用者设定值，也可由写入数据的性质来调整其值。例如，由热门数据过滤单元1331统计过去N笔写入数据的地址及长度，接着分析这N笔写入数据其地址重复性较高的数据落入哪个数据长度范围中，假设分析出重复性较高的写入数据其数据长度落入2KB以下，则将门限值设定为2KB。而接下来的写入数据其长度若低于2KB，则判断为热门数据，反之则判断为非热门数据。另外，门限值的设定方法可每接收N笔写入数据变更新一次门限值；亦可在接收N笔写入数据并分析出门限值后，接下来每接收M笔写入数据就更新一次门限值(N≠M，N，M≧1)，如此通过写入数据的统计分析可动态调整热门数据的定义。若储存装置10刚开始运作，尚未产生门限值，可预设一初始门限值于热门数据过滤单元1331中或加载前次使用时所记录的门限值以供判断初始的几笔写入资料的性质。

如图4所示，于写入模式下，此控制方法包括下列步骤：

首先，热门数据过滤单元1331加载一门限值，为步骤S401，随后接收写入数据，为步骤S403，并纪录写入数据的地址及长度，为步骤S405，之后判断是否已记录N笔写入数据，为步骤S407。倘若步骤S407的判断为否，则判断写入资料的长度是否低于该门限值，为步骤S413；倘若步骤S407的判断为是，就分析目前累积的N笔写入数据，以统计地址重复性高的写入资料的长度，为步骤S409，将统计出的资料长度设定为门限值，为步骤S411。倘若步骤S413的判断为是，即表示该写入数据为热门数据，便将其传送到调节单元1333，为步骤S415；倘若步骤S413的判断为否，即表示该写入数据为非热门数据，于是将其通过第二地址转换单元1337记录于高密度内存单元113中，为步骤S417。

请参阅图5，该图为本发明所揭示可调式混合密度内存储存装置的控制方法的另一具体实施例的处理内存数据示意图。其中相关的系统架构请同时参阅图2。

低密度内存单元111定义连续多个区块，并从中界定一有效区块的范围，有效区块的范围内存放着有效的热门数据，且数据依序写入至有效区块，其中由一头端指针缓存器501内存放的内容指向最新写入的热门数据存放的区块地址，由一尾端指针缓存器502内存放的内容指向最旧写入的热门数据存放的区块地址。低密度内存单元111可视为一循环纪录的空间，新的热门数据依序写入至头端指针缓存器501指向的区块，并同时依序抹除尾端指针缓存器502指向的区块，当写至区块的一头，会在设定缓存器的内容使其指向区块的另一头，借此充分达到抹除平均的目的。

举例说明低密度内存单元111采用循环纪录数据的模式的数据处理方法，如图5所示，假设低密度内存单元111包含了10个区块B0～B9，而其中9个区块定义为用来纪录热门数据A～I的区块，即区块B0～B9为上述有效区块的范围，其中A～I依序写入区块B0～B8，其中区块B0中的资料A为最旧的资料，而区块B8中的数据为最新的数据；此时由尾端指针缓存器502指向区块B0，而头端指针缓存器501指向区块B8。若此时有一笔数据J要写入，则将头端指针缓存器501指向区块B9，随后记录数据J于其中，同时抹除尾端指针缓存器502指向的区块B0，并将尾端指针缓存器502指向区块B1。其中在抹除区块B0步骤中，要判断原本存放于其中的数据A是否有存放在其它有效区块的范围中，若有，则可直接抹除数据A；若否，则必须先将数据A搬移至高密度内存单元113。上述新数据J写入前，有效区块的范围为区块B0～B8，而新数据J写入后，有效区块的范围为区块B1～B9，有效区块的范围会往前移动，但其界定的范围大小为固定值。

请参阅图6，该图为本发明所揭示可调式混合密度内存储存装置的控制方法的另一具体实施例的步骤流程图，其显示于写入模式下，调节单元1333执行调节程序的动作流程。其中相关的统架构请同时参阅图2、图4和图5。如图6所示，于写入模式下，此控制方法包括下列步骤：

执行图4流程后，调节单元1333会接收到被判定为热门数据的写入数据，为步骤S601，随即判断低密度内存单元111的磨损率是否高于高密度内存单元113的磨损率，为步骤S603。倘若步骤S603的判断为是，该写入数据又判断没有纪录于有效区块中，为步骤S605，表示至少有一段时间都没有存取或更新过该写入数据，因而判定该写入数据属非热门数据的可能性较大，则调节单元1333会将写入数据通过第二地址转换单元1337记录到高密度内存单元113，为步骤S607；倘若在步骤S605中判断该写入数据已经纪录于有效区块中，就表示最近还有存取或更新过该写入数据，因而判定该写入数据属热门数据的可能性较大，则调节单元1333会将写入数据通过第一地址转换单元1335记录到低密度内存单元111，为步骤S617。

于步骤S607之后若判断出低密度内存单元111的磨损率比高密度内存单元113的磨损率的现象持续一段时间，为步骤S609，则缩减有效区块的范围，为步骤S611，如此能减少写进低密度内存单元111的数据，让数据传送到高密度内存单元113的机率变高，以平衡两种密度内存的使用率。其中提及持续的时间可为一系统设定值或一使用者设定值。倘若步骤S603的判断为否，则表示写入数据应纪录于低密度内存单元111，且于记录前会先判断有效区块是否曾经缩减范围过，为步骤S613，若没有缩减过，则直接由调节单元1333将写入数据通过第一地址转换单元1337记录到低密度内存单元111，为步骤S617；若有缩减过，则先逐渐递增有效区块的范围，为步骤S615，以记录更多的写入数据，之后才由调节单元1333将写入数据通过第一地址转换单元1337记录到低密度内存单元111，为步骤S617。

于步骤S611中，被缩减的有效区块范围中的数据应予以抹除，若应被抹除的数据没有记录在其它未被缩减范围的有效区块中，则将这些数据搬移至高密度内存单元113记录起来；且变动有效区块范围时，头端指针缓存器501与尾端指针缓存器502所存的地址也要予以调整，以正确界定目前有效区块的范围。

图6中描述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，也可不先经过热门数据过滤单元1331判定该写入数据的性质，直接由调节单元1333接收写入数据，为步骤S601，随即判断非挥发性内存单元11的磨损率，为步骤S603，之后步骤就如同图6所述，相关处理数据事宜即不再赘述。

借助以上实例详述，当可知悉本发明的可调式混合密度内存储存装置及其控制方法，通过数据长度的分析以及持续侦测写入数据的性质来调整门限值以辨识热门数据，进而将热门数据记录于低密度内存单元，非热门数据记录于高密度内存单元，借此充分利用两种内存的特性来做数据的处理，有效提高混合密度内存装置的效能。同时本发明也提供了非挥发性内存的数据处理方法以及分析两种密度内存的磨损程度来控制内存的使用寿命，以达到内存抹除平均化的目的，有效的提高混合密度内存装置的寿命。

但，以上所述，仅为本发明的具体实施例的详细说明及附图而已，并非用以限制本发明，本发明的保护范围应以权利要求书的范围为准，任何本领域技术人员在本发明的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在本案所界定的保护范围之内。

Claims (10)

1、一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中，该混合密度内存储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元，其特征在于，该控制方法包括下列步骤：

进行一热门数据过滤程序，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质；以及

根据该写入数据的性质，将该写入数据配置于该混合密度内存储存装置的该高密度内存单元或该低密度内存单元。

2、如权利要求1所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，若该写入数据的数据长度比该门限值小，则判断该写入数据为一热门数据，将该写入数据配置于该低密度内存单元；否则判断该写入数据为一冷门数据，将该写入数据配置于该高密度内存单元。

3、如权利要求2所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，将该写入数据配置于该混合密度内存储存装置步骤中，更包括执行一调节程序和一数据处理程序。

4、如权利要求3所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，该低密度内存单元定义连续多个区块，由一头端指针缓存器和一尾端指针缓存器从该些区块中界定出一有效区块的范围，该有效区块存放了至少一有效数据，该头端指针缓存器内存放的地址指向最新的该有效数据存放的该区块，该尾端指针缓存器内存放的地址指向最旧的该有效数据存放的该区块。

5、如权利要求4所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，该调节程序用以平均该混合密度内存储存装置的磨损程度，若该低密度内存单元的磨损率高于该高密度内存单元的磨损率，则将该写入数据配置于该高密度内存单元，反之则将该写入数据配置于该低密度内存单元。

6、如权利要求5所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，该调节程序更包括下列步骤：

若该低密度内存单元的磨损率高于该高密度内存单元的磨损率的现象维持一存续时间，则缩减该有效区块的范围；以及

抹除该有效区块被缩减范围中的该有效数据。

7、如权利要求6所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，被抹除的该有效数据若没有另外配置于该有效区块中，则将该有效数据记录至该高密度内存单元。

8、如权利要求6所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，该调节程序步骤中，将该写入数据配置于该低密度内存单元之前更包括以下步骤：

判断该有效区块的范围是否有缩减过，若有缩减过，则增加该有效区块的范围。

9、如权利要求4所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，该数据处理程序包括下列步骤：

该头端指针缓存器指向目前所指的下一个该区块；

该写入数据配置于该头端指针缓存器指向的该区块；

抹除该尾端指针缓存器指向的该区块中的该有效数据；以及

该尾端指针缓存器指向目前所指的下一个该区块；

其中该头端指针缓存器和该尾端指针缓存器界定出的该有效区块的范围为一固定值。

10、一种混合密度内存储存装置，适用于配合一主机存取一写入数据，该混合密度内存储存装置具有一低密度内存单元、一高密度内存单元和一控制单元，其特征在于，该控制单元包括有：

一热门数据过滤单元，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以辨别该写入数据的性质；

一调节单元，耦接于该热门数据过滤单元及该混合密度内存模块之间，以接收该写入数据，并比较该低密度内存单元与该高密度内存单元的磨耗率及其处理数据量的情况来决定将该写入数据传送至该低密度内存单元或该高密度内存单元；

一系统接口，耦接于该主机，作为该主机及该混合密度内存储存装置间指令与数据的传输接口；

一微处理器，耦接于该系统接口及该热门数据过滤单元，将该写入数据传送到该热门数据过滤单元

一数据传输缓冲区，耦接于该系统接口，以暂存该写入数据；以及

一内存接口，耦接于该数据传输缓冲区及该非挥发性内存单元之间，受该微处理器的控制以传输该写入数据。

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