CN101436609B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101436609B
CN101436609B CN2008101775100A CN200810177510A CN101436609B CN 101436609 B CN101436609 B CN 101436609B CN 2008101775100 A CN2008101775100 A CN 2008101775100A CN 200810177510 A CN200810177510 A CN 200810177510A CN 101436609 B CN101436609 B CN 101436609B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
light emitting
emitting component
display unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101775100A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101436609A (zh
Inventor
浅木玲生
山田二郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN101436609A publication Critical patent/CN101436609A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101436609B publication Critical patent/CN101436609B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示装置,其包括设于基板上的对应于各自颜色的发光元件。所述的对应于各自颜色的每个发光元件具有谐振腔结构,在该结构中包括发光层的发光功能层保持在反射电极和半透射电极之间。在所述的对应于各自颜色光的发光元件中,至少适配于使具有最短波长的光产生谐振的发光元件的谐振腔次数为1,其它各发光元件的谐振腔次数为0。除了所述的发光层之外的发光功能层对于所述的对应于各自颜色的发光元件是公共的。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本发明包含与2007年11月13日向日本专利局提交的日本专利申请JP2007-293814相关的主题,将该申请的全部内容通过引用并入此处。
技术领域
本发明涉及其中设置有诸如有机电致发光(EL,electroluminesence)元件等自发光型元件的显示装置,更具体地涉及其中设置有发出各颜色光且分别具有谐振腔结构的元件的显示装置。
背景技术
近年来,使用有机EL元件的有机EL显示装置作为替代液晶显示装置的显示装置已经投入实际应用。因为有机EL显示装置是自发光型的,所以它比液晶显示装置具有更宽的视角。此外,有机EL显示装置有望对高清晰度的高速视频信号具有足够的响应。
直至今日,对于有机EL元件,通过引入谐振腔结构,所发出的颜色的色纯度已得到提高并且发光效率得到提高等等。通过这种方式,曾经试图分别控制从各发光层发出的光。但是,当谐振器结构引入有机EL元件时,因为谐振光的光谱峰值高且宽度窄,所以对于所显示的画面在正面方向的光提取效率得到提高。另一方面,在这种情况下存在一个问题,即当从斜向观看画面时,发光波长大大偏移且发光强度降低。
为了解决上述问题,提出了这样一种结构,即谐振部分的光距设置为最小值以落入满足谐振腔结构的条件范围内,这样的结果是,即便在视角偏移时,通过基于空腔效应保持峰值宽度且同时提高所提取出的光的光谱的峰值强度,波长的偏移量减小并且色纯度提高,从而落入宽视角内。例如在PCT专利申请公开公报No.WO01/39554(小册子)(以下称为专利文献1)和日本专利申请公开公报No.2006-147598(以下称为专利文献2)中描述了该结构。
此外,曾经进行了这样的尝试,即有机EL元件的具有谐振器结构的发光部以凹面结构形成,并且光散射部和光偏转部设于有机EL元件的光提取侧的透明基板上,这样的结果是光的发射方向被散射以平衡光的指向性,从而增大了视角。例如在日本专利申请公开公报No.9-190883(以下称为专利文献3)中公开了这样一种尝试。
但是,在专利文献1和专利文献2所述的结构中,其中谐振腔部的光距设为最小值,则有机EL元件中有机层的厚度降低。有机层的变薄会带来一个问题,即因电极间短路所产生的诸如灭点的像素缺陷。
此外,在专利文献3所述的结构中,必须以新的方式形成凹面结构、光散射层和光偏转层,这导致了成本的增加。此外,存在的新问题是,外光也被形成于透明基板上的凹面结构、光散射层和光偏转层散射,从而外光对比度明显恶化。
这里,在彩色有机EL显示装置中,分别发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)光的各有机EL元件设于基板上,当发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)光的各有机EL元件的视角特性存在差异时,白光的视角特性通常变坏。换言之,只要各颜色的有机EL元件的视角特性间存在差异,即便有机EL元件的每种颜色的视角特性得到改善,也不可能提高白光的视角特性。
发明内容
鉴于上述情况,期望提供一种显示装置,该显示装置可以减少有机EL元件的像素缺陷并且提高就人的视觉特征而言易于观察到的白光的视角特性,而不增加结构上的成本,在该结构中设有用于发射各自颜色光且分别具有谐振器结构的有机EL元件。
为了实现上述愿望,根据本发明的实施例,提供一种设置于基板上的对应于各自颜色的发光元件的显示装置。对应于各自颜色的每个所述发光元件具有谐振腔结构,在该谐振腔结构中,包括发光层的发光功能层夹在反射电极和半透射电极之间,由构成所述发光功能层的任一层所构成的用于调节光学谐振腔厚度的调整层设于部分所述发光元件中。在所述的对应于各自颜色的发光元件中,至少适配于使具有最短波长的光产生谐振的发光元件的谐振腔次数为1,而其它各发光元件中的谐振腔次数为0。除了所述发光层之外的发光功能层对于所述对应于各自颜色的发光元件是公共的。
在具有上述结构的显示装置中,在所述的对应于各自颜色且各自具有谐振腔结构的发光元件中,至少适配于使具有最短波长的光发生谐振的发光元件(即,当谐振腔次数彼此相同时在谐振腔部(发光功能层)中具有最短光距L的发光元件)的谐振腔次数为1,而其它各发光元件的谐振腔次数为0。因此,至少在具有最薄薄膜厚度的谐振腔部的发光元件中的发光功能层可以被加厚以防止灭点的产生,同时防止了分别从各发光元件提取出的光的视角特性的恶化。此外,在所述发光元件中,除发光层之外具有相同结构且构成发光功能层的各层被制成公共层。因此,可以使得各发光功能层的总的薄膜厚度的差异相近似。因此,可以提高通过合成所发射的对应于各颜色的光所得到的白光的视角特性。
如上文所述,根据本发明实施例的显示装置,可以减少有机EL元件的像素缺陷并且可以提高就人的视觉特征而言易于观察到的白光的视角特性而不增加彩色显示装置的成本,在该彩色显示装置中设有对应于各自颜色且分别具有谐振器结构的有机EL元件。
附图说明
图1是表示根据本发明第一实施方式的显示装置的主要部分的截面图;
图2是表示根据本发明第二实施方式的显示装置的主要部分的截面图;
图3是表示根据本发明第三实施方式的显示装置的主要部分的截面图;
图4是本发明的第一、第二或第三实施方式的显示装置的电路配置的示例的电路图,其中部分为模块形式;
图5是表示应用本发明实施方式的具有密封结构的模块形式的显示装置的结构性视图;
图6是应用本发明实施方式的电视机的立体图;
图7A和图7B是应用本发明实施方式的数码相机分别从前侧和后侧所视的立体图;
图8是表示应用本发明实施方式的笔记本电脑的立体图;
图9是表示应用本发明实施方式的摄像机的立体图;并且
图10A至图10G分别是应用本发明实施方式的例如移动电话等移动终端设备在打开状态下的前视图及其侧视图,在闭合状态下的前视图、左视图、右视图、俯视图和仰视图。
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的各实施方式。在以下说明中,存在多个将本发明应用于显示装置的实施方式,所述显示装置的结构为在基板上设置分别发出红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)光的有机EL元件,目的是实现全色彩显示。
第一实施方式
图1是表示根据本发明第一实施方式的显示装置的主要部分的截面图。在图中所示的显示装置1a中,分别用于发出红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)光的有机EL元件5r、5g和5b,即红光发射元件5r、绿光发射元件5g和蓝光发射元件5b以矩阵形式设于基板3上。并且,显示装置1a构造为上表面发光型显示装置,其中,分别从发光元件5r、5g和5b发出的光从与基板3相对的一侧提取出。
基板3是通过在玻璃基板、硅基板、塑料基板等的表面层上布置并形成TFT(薄膜晶体管,未示出)所得到的所谓TFT基板。并且,基板3的表面覆盖有平坦化绝缘膜。
并且,各发光元件5r、5g和5b这样构造,即阳极7、发光功能层9、电子注入层和阴极11依次层叠在基板3上。并且,各发光元件5r、5g和5b以微谐振器结构的形式构造,其中阳极7形成为由反射电极构成的反射镜,阴极11形成为由半透射-半反射电极构成的半反射镜,并且从各发光元件5r、5g和5b发出的特定波长的光被谐振以从阴极(半反射镜)11一侧提取出。
即,在红光发射元件5r中,调节谐振腔部的光距Lr以使得落在红色波形区域内的各个具有红色的光在相应的一个阳极(反射镜)7和阴极(半反射镜)11之间的谐振腔部中谐振,从而得到处于局部最大值的提取效率。此外,在绿光发射元件5g中,调节谐振腔部的光距Lg以使得落入绿色波形区域内的各个具有绿色的光在相应的一个阳极(反射镜)7和阴极(半反射镜)11之间的谐振腔部中产生谐振,从而得到处于局部最大值的提取效率。而且,在蓝光发射元件5b中,调节谐振腔部的光距Lb以使得落入蓝色波形区域内的各蓝色光在相应的一个阳极(反射镜)7和阴极(半反射镜)11之间的谐振腔部中谐振,从而得到处于局部最大值的提取效率。因此,发出R、G和B颜色的光各自以足够的强度从发光元件5r、5g和5b提取出。
这里,发光元件5r、5g和5b的光距L(Lr、Lg或Lb)设置在满足表达式(1)的范围内:
2L/λ+Φ/2π=m          ···(1)
其中Φ(弧度)是在谐振腔部的两端所产生的反射光的相移Φ1和Φ2的和,λ是期望提取出的光谱的峰值波长,m是使光距L为正时的整数谐振腔次数。
但是,在表达式(1)中,L和λ最好具有共同的单位,例如用nm作为共同的单位。
并且,具体地,第一实施方式的显示装置1a的特征在于,在各发光元件5r、5g和5b中,使最短波长谐振的蓝光发射元件5b具有m为1的谐振腔次数,并且红光发射元件5r和绿光发射元件5g各自具有m为0的谐振腔次数。
如后文所述,在谐振腔次数分别设置为0、0和1的发光元件5r、5g和5b中的光距Lr、Lg和Lb分别根据发光功能层9的薄膜厚度来调节。
以下,将从基板3的一侧依次描述构成具有如上所述的微谐振器结构的发光元件5r、5g和5b的各层。
首先,每个阳极7构造为由反射电极构成的反射镜的形式。每个阳极7在层叠方向上的厚度值(以下称为“薄膜厚度”)例如在100至1000nm之间。因此,就发光效率的提高而言,优选地是形成每个阳极7以具有尽可能高的反射率。诸如铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钨(W)或银(Ag)的金属元素的单质或其合金例如作为制造这种阳极7的材料。
例如,为了使显示装置1a进行有源矩阵驱动,阳极7对应于各像素形成图形。并且,阳极7通过形成于覆盖基板3的表面的层间绝缘膜中的接触孔(未示出)分别与TFT电连接。
对应于各像素形成图形的每个阳极(反射镜)7在其外围由绝缘膜15覆盖,而只有其中间部分被露出。该绝缘膜15例如由诸如聚酰亚胺或光致抗蚀剂的有机绝缘材料或者诸如氧化硅的无机绝缘材料制成。
并且,设置在每个阳极(反射镜)7上的发光功能层9例如由在相应的一个阳极7上依次层叠的空穴注入层9-1、空穴传输层9-2、发光层9-3和电子传输层9-4构成。此外,用于调节谐振腔次数m的薄膜厚度调整层9-2’以图形形成于部分发光元件5r、5g和5b(在本实施方式中为蓝光发射元件5b)上。优选采用与构成发光功能层9的任一层相同的材料制成该薄膜厚度调整层9-2’。在本实施例中,在空穴传输层9-2和蓝光发射层9-3b之间,薄膜厚度调整层9-2’例如形成为由与空穴传输层9-2相同的材料制成的第二空穴传输层。
构成发光功能层9的各层中的分别用于发出R、G和B颜色光的各发光层9-3形成图形以各自对应于发光元件5r、5g和5b。此外,薄膜厚度调整层9-2’只在蓝光发射元件5b中形成图案。另一方面,除发光层9-3和薄膜厚度调整层9-2’之外的其它层,即空穴注入层9-1、空穴传输层9-2和电子传输层9-4在结构上对于发光元件5r、5g和5b是公共的,并且因此以公共层的形式设置。这是本实施方式的显示装置的特征。
并且,在第一实施方式中,根据在发光元件5r、5g和5b中分别发红光、绿光和蓝光的各发光层9-3的薄膜厚度以及蓝光发射元件5b中的薄膜厚度调整层9-2’的薄膜厚度来调节分别按上述方式设置谐振腔次数m的发光元件5r、5g和5b中的光距Lr、Lg和Lb。
以下,将从阳极(反射镜)7一侧描述构成发光功能层9的各层。
首先,空穴注入层9-1是用于提高向发光功能层9注入空穴的效率并且防止漏电流的产生的缓冲层。空穴注入层9-1设置为对各像素是公共的以覆盖阳极7和绝缘膜15。该空穴注入层9-1由一般的空穴注入材料制成。例如,空穴注入层9-1由4,4',4″-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、或者4,4',4″-三(2-萘基苯氨基)三苯基胺(2-TNATA)制成。该空穴注入层9-1的薄膜厚度例如设在5至300nm的范围内。
然后,空穴传输层9-2被设置用于提高向发光层9-3传输空穴的效率。空穴传输层9-2在空穴注入层9-1上设置为对各像素是公共的。该空穴传输层9-2由一般的空穴传输材料制成。例如,空穴传输层9-2由双[(N-萘基)-N-苯基]联苯氨(α-NPD)制成。该空穴传输层9-2的薄膜厚度例如设在5至300nm的范围内。
应当指出,上述的空穴注入层9-1和空穴传输层9-2可各自具有由多层构成的叠层结构。
此外,只设置于蓝光发射元件5b中的薄膜厚度调整层9-2’最好由与空穴传输层9-2相同的材料制成。通过设置薄膜厚度调整层9-2’的薄膜厚度以使得蓝光发射元件5b具有m为1的谐振腔次数。应当指出,由所述空穴传输材料制成的薄膜厚度调整层9-2’也可设置在空穴传输层9-2和空穴注入层9-1之间。
发光层9-3是从阳极7一侧所注入的空穴和从阴极11一侧所注入的电子彼此重新结合而发光的一层。在本实施方式中,用于发出红光的红光发射层9-3r设在红光发射元件5r中,用于发出绿光的绿光发射层9-3g设在绿光发射元件5g中,并且用于发出蓝光的蓝光发射层9-3b设在蓝光发射元件5b中。
发光层9-3r、9-3g和9-3b对应于各像素形成图形,它们处于恰好填充在绝缘膜15中所形成的开口中的状态。这里,在发光元件5r、5g和5b中,通过调节其光距Lr、Lg和Lb,各具有特定波长的红光在相应的一个阳极(反射镜)7和阴极(半反射镜)11之间谐振,各具有特定波长的绿光在相应的一个阳极(反射镜)7和阴极(半反射镜)11之间谐振,并且各具有特定波长的蓝光在相应的一个阳极(反射镜)7和阴极(半反射镜)11之间谐振。因此,在本实施方式中,借助于发光层9-3r、9-3g和9-3b之间的薄膜厚度的差异以及薄膜厚度调整层9-2’的薄膜厚度来调节光距Lr、Lg和Lb。
红光发射元件5r的红光发射层9-3r例如由通过混合8-喹啉铝复合物(Alq3)与40体积%的2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]-1,5-二羰基甲苯基-萘(BSN-BCN)所得的材料制成。并且,红光发射层9-3r的薄膜厚度设在10至100nm的范围内。
绿光发射元件5g的绿光发射层9-3g例如通过将Alq3与3体积%的香豆素6混合而形成。并且,绿光发射层9-3g的薄膜厚度设在10至100nm的范围内。
蓝光发射元件5b的蓝光发射层9-3b例如由spiro6Φ制成。并且,蓝光发射层9-3b的薄膜厚度设在10至100nm的范围内。
如此,在具有上述结构的各红光发射层9-3r、绿光发射层9-3g和蓝光发射层9-3b上所形成的电子传输层9-4被设置用于提高分别向发光层9-3r、9-3g和9-3b传输电子的效率。并且,电子传输层9-4设置为对各像素是公共的。该电子传输层9-4由一般的电子传输材料制成。例如,电子传输层9-4由8-羟基喹啉铝(Alq3)制成,并且其薄膜厚度设在5至300nm的范围内。
发光功能层9由空穴注入层9-1、空穴传输层9-2、薄膜厚度调整层9-2’、各发光层9-3r、9-3g或9-3b以及电子传输层9-4构成。
应当指出,在发光功能层9中,除发光层9-3之外的各层最好在需要时设置。而且,电子注入层也可按需要设在电子传输层9-4上。电子注入层例如由LiF、Li2O等的膜制成。
设在发光功能层9上的阴极11构造为由半透射-半反射电极构成的半反射镜的形式。阴极11的薄膜厚度设在5至50nm的范围内。诸如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或钠(Na)的金属元素的单质或其合金用作制造该阴极11的材料。在这些材料中,镁(Mg)和银(Ag)的合金(MgAg合金)或铝(Al)和锂(Li)的合金(AlLi合金)优选地作为制造该阴极11的材料。
包括发光功能层9的发光元件5r、5g和5b被由氮化硅(SiNx)制成的保护膜(未示出)覆盖,该发光功能层9具有发光层9-3并夹在相应的一个阳极(反射镜)7和阴极(半反射镜)11之间。并且,由玻璃等制成的密封基板通过粘合层粘在保护膜的整个表面,从而密封发光元件5r、5g和5b。
在以上述方式构造的显示装置1a中,从发光元件5r、5g和5b的发光层9-3r、9-3g和9-3b发出的具有各自波长的红色、绿色和蓝色光在相应的一个阳极(反射镜)7和阴极(半反射镜)11之间谐振,以从阴极(半反射镜)11提取出。该谐振器结构的引入使从发光元件5r、5g和5b提取出的红色、绿色和蓝色光的光谱的半带宽减小,从而可以增大各自的峰值强度。也即,色纯度可以得到提高以提高发光效率。此外,从阴极(半反射镜)11一侧入射的外光可以通过多重干涉被衰减。通过结合滤色片(未示出),在各个有机EL元件中的外光的反射率可以变得很小。
具体地,在第一实施方式的显示装置1a中,红光发射元件5r、绿光发射元件5g和蓝光发射元件5b的谐振腔结构的谐振腔次数m分别设为0、0和1。因此,在蓝光发射元件5b中的发光功能层9的总的薄膜厚度(对应于光距Lb)可以增加至与红光发射元件5r和绿光发射元件5g相同的程度,同时维持从红光发射元件5r发出的红光和从绿光发射元件5g发出的绿光的视角特性。因此,所有发光元件5r、5g和5b中都可以避免出现灭点。
而且,在发光元件5r、5g和5b中,除了红光发射层9-3r、绿光发射层9-3g和蓝光发射层9-3b以及薄膜厚度调整层9-2’之外,构成发光功能层9的其它层在发光元件5r、5g和5b中被制成公共层。因此,可以使得发光元件5r、5g和5b中各发光功能层9的总的薄膜厚度的差异相近似。因此,可以改善通过合成对应于各颜色的发出光所得到的并且就人的视觉特征而言特别易于观察到的白光的视角特性。
第二实施方式
图2是表示根据本发明第二实施方式的显示装置的主要部分的截面图。图2所示的第二实施方式的显示装置1b与第一实施方式的显示装置1a的不同之处在于:蓝光发射元件5b和绿光发射元件5g的谐振腔次数m都设为1,红光发射元件5r的谐振腔次数设为0,而且获得了可以实现上述设置的层结构。第二实施方式的显示装置1b的其它结构与第一实施方式的显示装置1a的相同。
类似于第一实施方式的情形,在谐振腔次数m按上述方式分别设为0、1和1的发光元件5r、5g和5b中的光距Lr、Lg和Lb根据对应于各自颜色的发光层9-3r、9-3g和9-3b的薄膜厚度以及薄膜厚度调整层9-2’的薄膜厚度来调节。此外,在第二实施方式中,为了实现谐振腔次数m的这种组合,例如,薄膜厚度调整层9-2’以图案形成为绿光发射元件5g和蓝光发射元件5b的公共层。
即使在具有这种结构的显示装置1b中,谐振器结构的引入可以提高从发光元件5r、5g和5b提取出的红色、绿色和蓝色光的色纯度,从而提高各自的发光效率。
具体地,在第二实施方式的显示装置1b中,发光元件5r、5g和5b的谐振腔结构的谐振腔次数m分别设为0、1和1。因此,在蓝光发射元件5b和绿光发射元件5g中的各发光功能层9的总的薄膜厚度(相当于光距Lb、Lg)可以增加至与红光发射元件5r的总的薄膜厚度相同或更高的程度,同时维持从红光发射元件5r提取出的红光的视角特性。因此,可以在所有发光元件5r、5g和5b中抑制灭点的出现。
而且,类似于第一实施方式的情形,除了红光发射层9-3r、绿光发射层9-3g和蓝光发射层9-3b以及薄膜厚度调整层9-2’之外,构成发光功能层9的其它层在发光元件5r、5g和5b中被制成公共层。因此,可以改善通过合成对应于各颜色所发出的光所得到的并且就人的视觉特征而言特别易于观察到的白光的视角特性。
第三实施方式
图3是表示根据本发明第三实施方式的显示装置的主要部分的截面图。图3所示的第三实施方式的显示装置1c与第一实施方式的显示装置1a的不同之处在于:包括蓝光发射元件5b在内的对应于各自颜色的发光元件5r、5g和5b的谐振腔次数m都设为1,而且获得了可以实现上述设置的层结构。第三实施方式的显示装置1c的其它结构与第一实施方式的显示装置1a的相同。
在谐振腔次数m按上述方式分别设为1、1和1的发光元件5r、5g和5b中的光距Lr、Lg和Lb根据对应于各自颜色的发光层9-3r、9-3g和9-3b的薄膜厚度来调节。此外,在第三实施方式中,为了实现谐振腔次数m的这种组合,例如,薄膜厚度调整层9-2’以图案形成为红光发射元件5r和绿光发射元件5g的公共层。
即使在具有这种结构的显示装置1c中,谐振器结构的引入可以提高从发光元件5r、5g和5b提取出的红色、绿色和蓝色光的色纯度,从而提高各自的发光效率。
具体地,在第三实施方式的显示装置1c中,发光元件5r、5g和5b的谐振腔结构的谐振腔次数m分别设为1、1和1。因此,发光功能层9的总的薄膜厚度(相当于光距)可以增加,同时分别从发光元件5r、5g和5b提取出的红色、绿色和蓝色光的视角特性的降低保持为最小。因此,可以更可靠地在所有发光元件5r、5g和5b中抑制灭点的出现。
而且,类似于第一实施方式的情形,除了红光发射层9-3r、绿光发射层9-3g和蓝光发射层9-3b以及薄膜厚度调整层9-2’之外,构成发光功能层9的其它层在发光元件5r、5g和5b中被制成为公共层。因此,可以改善通过合成对应于各颜色所发出的光所得到的并且就人的视觉特征而言特别易于观察到的白光的视角特性。
应当指出,在上述第一至第三实施方式的每个中,已经针对由空穴传输材料制成的薄膜厚度调整层9-2’设置在部分发光元件中的结构进行了描述。但是,薄膜厚度调整层绝不限于由空穴传输材料制成。因此,薄膜厚度调整层可以形式于构成发光功能层9的各层的任一层中。在此情况下,薄膜厚度调整层最好设置为靠近于与先前用作薄膜厚度调整层具有相同材料的层。此外,当成为谐振腔部的发光功能层9的薄膜厚度只根据发光层9-3r、9-3g和9-3b来调节时,不必设置薄膜厚度调整层。
此外,在第一至第三实施方式的每个中,已经描述了关于每个阳极7用作反射电极(反射镜)且阴极11用作半透射-半反射电极(半反射镜)的结构。然而,本发明可广泛用于具有这种结构的发光元件中,即在该结构中成为谐振腔部的发光功能层夹在反射电极(反射镜)和半透射-半反射电极(半反射镜)之间。因此,只要在每个阳极和阴极之间构成发光功能层的各层的层叠次序与第一至第三实施方式的每个相同即可,例如可以采用每个阳极7用作半透射-半反射电极(半反射镜)且阴极11用作反射电极(反射镜)的结构。
显示装置的电路配置
图4是本发明的第一、第二或第三实施方式的显示装置的电路配置的示例的电路图,其中部分为模块形式。如图所示,其中的显示区域3a和外围区域3b设置在构成显示装置1a、1b或1c的基板3中。多条扫描线41和多条信号线43分别水平地和垂直地布线。并且,像素设置为分别对应于在多条扫描线41和多条信号线43之间的交叉部,从而构成像素阵列部。此外,扫描线驱动电路45和信号线驱动电路47设置在外围区域3b中。这样,扫描线驱动电路45扫描并驱动扫描线41,信号线驱动电路47向信号线43提供对应于亮度信息的视频信号(即输入信号)。
设在扫描线41和信号线43之间的每个交叉部中的像素电路例如由用于开关的薄膜晶体管Tr1、用于驱动的薄膜晶体管Tr2、保持电容器Cs和有机EL元件EL构成。在此情况下,上述的发光元件5r、5g或5b用作有机EL元件EL。
在具有这种电路结构的显示装置1a、1b或1c中,根据扫描线驱动电路45的驱动操作,从相应的一条信号线43写入像素的视频信号通过用于开关的薄膜晶体管Tr1被保持在保持电容器Cs中。与保持电容器Cs中所保持的视频信号的量相对应的电流从用于驱动的薄膜晶体管Tr2提供至有机EL元件EL。并且,有机EL元件EL发出对应于该电流值的亮度的光。应当指出,用于驱动的薄膜晶体管Tr2和保持电容器Cs与公共电源线(Vcc)49相连。
应当指出,上述的像素电路的结构只是一个示例,因此该像素电路可配置为根据需要而在像素电路中设置电容器并且可以设置多个晶体管。此外,根据像素电路的变化可向外围区域1b增加必要的驱动电路。
应当指出,根据本发明实施方式的显示装置包括具有如图5所示的密封结构的模块形式。例如,显示模块包括密封部51,该密封部51设置为包围作为像素阵列部的显示区域3a,并且利用密封部51作为粘合剂,以将该显示模块粘在由透明玻璃等制成的相对部分(密封基板52)上。滤色片、保护膜、遮光膜等可形成于该透明密封基板52上。应当指出,其中形成有显示区域3a的作为显示模块的基板3可设有柔性印制电路板53,信号等通过该柔性印制电路板53从外部输入至显示区域(像素阵列部)3a或从显示区域(像素阵列部)3a输出至外部。
应用实例
上述的根据本发明实施方式的显示装置可以应用于各种领域的电子设备的显示装置,在各电子设备中,输入到电子设备中的视频信号或在电子设备中生成的视频信号以图片或视频图像的形式显示。这些电子设备通常为图6至图10G所示的各种电子设备,例如数码相机、笔记本电脑、诸如移动电话等的移动终端设备以及摄像机。以下将描述应用本发明实施方式的电子设备的示例。
图6是表示应用本发明实施方式的电视机的立体图。根据该应用实例的电视机包括由前板102、滤色玻璃103等构成的图像显示屏101。并且,该电视机通过使用根据本发明实施方式的显示装置作为图像显示屏101而制成。
图7A和图7B分别是表示应用本发明实施方式的数码相机的立体图。图7A是数码相机从前侧所视的立体图,图7B是数码相机从后侧所视的立体图。根据该应用实例的数码相机包括用于闪光的发光部111、显示部112、菜单开关113、快门114等。该数码相机通过使用根据本发明实施方式的显示装置作为显示部112而制成。
图8是表示应用本发明实施方式的笔记本电脑的立体图。根据该应用实例的笔记本电脑包括主体121、在输入字符等时而操纵的键盘122、用于在其上显示图像的显示部123等。该笔记本电脑通过使用根据本发明实施方式的显示装置作为显示部123而制成。
图9是表示应用本发明实施方式的摄像机的立体图。根据该应用实例的摄像机包括主体部分131、拍摄目标图像且设于向前的侧面上的镜头132、拍摄对象图像时所操纵的开始/停止开关133、显示部134等。该摄像机通过使用根据本发明实施方式的显示装置作为显示部134而制成。
图10A至图10G是分别表示应用本发明实施方式的例如移动电话的移动终端设备的各个视图。图10A是该移动电话在打开状态下的前视图,图10B该移动电话在打开状态下的侧视图,图10C是该移动电话在闭合状态下的前视图,图10D是该移动电话的左视图,图10E是该移动电话的右视图,图10F是该移动电话的俯视图,图10G是该移动电话的仰视图。根据该应用实例的移动电话包括上壳体141、下壳体142、连接部(在本例中为铰链部)143、显示部144、子显示部145、图片灯146、照相机147等。该移动电话通过使用根据本发明实施方式的显示装置作为显示部144和或子显示部145而制成。
实施例
以下将描述本发明的具体实施例和对比例的结构及其评价结果。
实施例1
制成参照图1说明的上述第一实施方式的显示装置1a。通过利用第一实施方式中所列举的材料,如表1所示,通过设置构成发光功能层9的各层的薄膜厚度,从而使发光元件5r、5g和5b的谐振腔次数m分别为0、0和1。
表1
实施例1
Figure GDA00002972616500141
表1中所示的空穴注入层9-1、空穴传输层9-2、薄膜厚度调整层9-2’、发光层9-3和电子传输层9-4通过利用真空蒸镀的方法被沉积。蓝光发射元件5b的薄膜厚度调整层9-2’以及各发光层9-3r、9-3g和9-3b通过利用蒸镀掩膜以图形形式沉积。空穴注入层9-1、空穴传输层9-2和电子传输层9-4一起沉积为公共层。
对比例1
类似于实施例1的情形,如表2所示,通过设置构成发光功能层9的各层的薄膜厚度,从而使发光元件5r、5g和5b的谐振腔次数m分别为0、0和1。
表2
对比例1
Figure GDA00002972616500151
每个发光元件的构成发光功能层9的所有层利用通过使用蒸镀掩膜的真空蒸镀法单独沉积。应当指出,在实施例1中只有设置于蓝光发射元件5b中的薄膜厚度调整层9-2’与空穴传输层一起以图形形式沉积。
实施例2
制成参照图2说明的上述第二实施方式的显示装置1b。通过利用第二实施方式中所列举的材料,如表3所示,通过设置构成发光功能层9的各层的薄膜厚度,从而使发光元件5r、5g和5b的谐振腔次数m分别为0、1和1。
表3
实施例2
Figure GDA00002972616500152
表3中所示的各层通过利用真空蒸镀法被沉积。并且,绿光发射元件5g和蓝光发射元件5b的薄膜厚度调整层9-2’通过利用蒸镀掩膜以图形形式沉积为公共层。而且,发光层9-3r、9-3g和9-3b通过利用蒸镀掩膜以图形形式沉积。并且,其它各层一起沉积为公共层。
对比例2
类似于实施例2的情形,如表4所示,通过设置构成发光功能层9的各层的薄膜厚度,从而使发光元件5r、5g和5b的谐振腔次数m分别为0、1和1。
表4
对比例2
Figure GDA00002972616500161
每个发光元件的构成发光功能层9的所有层利用通过使用蒸镀掩模的真空蒸镀法被单独沉积。应当指出,在实施例2中只有设置于绿光发射元件5g和蓝光发射元件5b中的薄膜厚度调整层在相应的发光元件中与空穴传输层一起以图形形式沉积。
实施例3
制成参照图3说明的上述第三实施方式的显示装置1c。通过利用第三实施方式中所列举的材料,如表3所示,通过设置构成发光功能层9的各层的薄膜厚度,从而使发光元件5r、5g和5b的谐振腔次数m分别为1、1和1。
表5
实施例3
Figure GDA00002972616500162
表5中所示的各层通过利用真空蒸镀法被沉积。并且,红光发射元件5r和绿光发射元件5g的薄膜厚度调整层9-2’通过利用蒸镀掩膜以图形形式沉积为公共层。而且,发光层9-3r、9-3g和9-3b通过利用蒸镀掩膜以图形形式沉积。并且,其它各层一起沉积为公共层。
对比例3
类似于实施例3的情形,如表6所示,通过设置构成发光功能层9的各层的薄膜厚度,从而使发光元件5r、5g和5b的谐振腔次数m分别为1、1和1。
表6
对比例3
每个发光元件的构成发光功能层9的所有层利用通过使用蒸镀掩膜的真空蒸镀法被单独沉积。应当指出,在实施例3中只有设置于红光发射元件5r和绿光发射元件5g中的薄膜厚度调整层在相应的发光元件中与空穴传输层一起以图形形式沉积。
评价结果
在以上述方式制造的实施例1至3和对比例1至3的显示装置中,在构成这些显示装置的任一发光元件中都没有出现灭点。
此外,针对每个显示装置测量了在0°视角和45°视角之间的白光视角的色度偏移Δu’v’。表7示出了测量结果。当发光元件5r、5g和5b的发光功能层9的总的薄膜厚度的薄膜厚度偏差为±4%时,色度偏移Δu’v’为最大值。
表7
Figure GDA00002972616500172
如表7所示,从关于实施例1和对比例1、实施例2和对比例2以及实施例3和对比例3的各组(其中在每组中形成为具有谐振腔结构的各发光功能层在光学设置上彼此相同)的测量结果中可以看出:如果各发光功能层在光学设置上彼此相同,当在实施例1至3中通过应用本发明的实施例而将尽可能多的公共层设置在发光功能层中,而在对比例1至3的每个中所有层被单独图形化而在发光功能层中不设公共层时,则在实施例1至3中白光视角的色度偏移各自降低为对比例1至3中白光视角的色度偏移的大约1/2。
根据上文可以确信的是,在其中设置有各自具有谐振腔结构的有机EL元件的彩色显示装置中,可以减少发光元件的像素缺陷并提高就人的视觉特征而言易于观察到的白光的视角特性。
本领域技术人员应当理解,在所附权利要求或其等同物的范围内,可根据设计需要和其它因素进行各种修改、组合、子组合和改变。

Claims (2)

1.一种显示装置,其包括对应于各颜色而设置于基板上的发光元件,其中,
每个对应于各颜色的所述发光元件具有谐振腔结构,在该谐振腔结构中,包含发光层的发光功能层夹在反射电极和半透射电极之间,
由构成所述发光功能层的任一层所构成的用于调节光学谐振腔厚度的调整层设于部分所述发光元件中,
在对应于各颜色的所述发光元件中,至少适配于使具有最短波长的光产生谐振的所述发光元件的谐振腔次数为1,而其它各发光元件的谐振腔次数为0,并且,
除所述发光层之外的所述发光功能层对于对应于各颜色的所述发光元件是公共的。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,对应于各颜色的所述发光元件是红光发射元件、绿光发射元件和蓝光发射元件。
CN2008101775100A 2007-11-13 2008-11-13 显示装置 Expired - Fee Related CN101436609B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-293814 2007-11-13
JP2007293814A JP4450051B2 (ja) 2007-11-13 2007-11-13 表示装置
JP2007293814 2007-11-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101436609A CN101436609A (zh) 2009-05-20
CN101436609B true CN101436609B (zh) 2013-08-14

Family

ID=40622882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101775100A Expired - Fee Related CN101436609B (zh) 2007-11-13 2008-11-13 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US8227796B2 (zh)
JP (1) JP4450051B2 (zh)
KR (1) KR20090049538A (zh)
CN (1) CN101436609B (zh)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100071539A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5312145B2 (ja) * 2009-03-30 2013-10-09 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド エレクトロルミネッセンス素子
US20100327304A1 (en) * 2009-06-30 2010-12-30 Shinichiro Sonoda Organic el device and design method thereof
US20120161172A1 (en) * 2009-07-06 2012-06-28 Pioneer Corporation Display device and method for manufacturing the same
JP5764289B2 (ja) * 2009-10-27 2015-08-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
JP5676949B2 (ja) * 2010-07-21 2015-02-25 キヤノン株式会社 有機el表示装置
JP2012109213A (ja) * 2010-10-27 2012-06-07 Canon Inc 表示装置
KR101960759B1 (ko) * 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US8922113B2 (en) * 2012-02-03 2014-12-30 The Regents Of The University Of Michigan OLED device with integrated reflector
KR102113034B1 (ko) * 2013-05-29 2020-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102139577B1 (ko) * 2013-10-24 2020-07-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102085153B1 (ko) * 2013-11-29 2020-03-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
CN104851980B (zh) * 2014-02-13 2017-02-08 上海和辉光电有限公司 全彩有机发光二极管结构
KR102320578B1 (ko) * 2014-04-25 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102305143B1 (ko) 2014-08-20 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102268135B1 (ko) * 2014-11-07 2021-06-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102333934B1 (ko) * 2015-07-29 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
WO2017045136A1 (en) * 2015-09-15 2017-03-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting pixel, display panel and display apparatus containing the same, and method for forming the same
US10170521B2 (en) * 2015-12-30 2019-01-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
KR102524805B1 (ko) * 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
CN108269821A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 显示设备
US10529780B2 (en) * 2017-02-28 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
CN109031649A (zh) * 2017-06-09 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种反射器件及显示装置
US10854680B2 (en) * 2017-07-04 2020-12-01 Joled Inc. Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, organic electroluminescent unit, and electronic apparatus
KR20200094791A (ko) * 2017-12-20 2020-08-07 선전 로욜 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 Oled 표시 패널 및 oled 표시 패널의 픽셀의 공진 공동 구조
CN110491899B (zh) 2018-05-09 2022-07-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108511628B (zh) * 2018-05-16 2021-03-02 云谷(固安)科技有限公司 有机电致发光装置
US11678550B2 (en) * 2018-06-25 2023-06-13 Sony Semiconductor Solutions Corporation Organic EL device and method for manufacturing organic EL devices
US20220231095A1 (en) * 2019-05-13 2022-07-21 3M Innovative Properties Company Organic light emitting diode display
KR20210005364A (ko) * 2019-07-03 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치
FR3112243A1 (fr) 2020-07-02 2022-01-07 Microoled Dispositif optoelectronique matriciel en couches minces

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2692671B2 (ja) * 1995-12-29 1997-12-17 日本電気株式会社 共振器型有機薄膜el素子
JP4655959B2 (ja) * 1999-11-22 2011-03-23 ソニー株式会社 表示素子
US7102282B1 (en) * 1999-11-22 2006-09-05 Sony Corporation Display device with a cavity structure for resonating light
KR100875097B1 (ko) * 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
JP4731211B2 (ja) * 2004-06-18 2011-07-20 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンスパネル
KR100721554B1 (ko) * 2004-07-22 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
WO2006035956A1 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Display
JP2008527631A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ミラースタックを有する電子デバイス
JP2006253015A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスカラー発光装置
JP4378366B2 (ja) * 2005-08-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 発光素子アレイ
JP4645587B2 (ja) * 2006-02-03 2011-03-09 ソニー株式会社 表示素子および表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101436609A (zh) 2009-05-20
US20120261685A1 (en) 2012-10-18
US20120241782A1 (en) 2012-09-27
US8227796B2 (en) 2012-07-24
JP4450051B2 (ja) 2010-04-14
JP2009123404A (ja) 2009-06-04
KR20090049538A (ko) 2009-05-18
US20090121239A1 (en) 2009-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101436609B (zh) 显示装置
CN101997024B (zh) 显示设备
CN102931212B (zh) 显示装置和电子设备
CN102097449B (zh) 显示单元
US8471275B2 (en) Organic light emitting device display and method of manufacturing the same
US8410683B2 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
CN101013745B (zh) 显示器件和显示单元
US8358060B2 (en) Organic light emitting device and method for manufacturing the same
EP3144996B1 (en) Organic light emitting display apparatus
US9117977B2 (en) Light emitting device, display apparatus, and illuminating apparatus
US8441416B2 (en) Active matrix electroluminescent display apparatus
CN103165645A (zh) 显示单元及其制造方法,电子装置,照明单元,和发光器件及其制造方法
CN104508853A (zh) 显示单元和电子装置
CN102738406A (zh) 有机发光器件和包括有机发光器件的显示单元
CN101267699A (zh) 显示装置和电子设备
CN102456714A (zh) 显示器件、显示器件制造方法和电子装置
US8536782B2 (en) Blue light-emitting device and organic light emitting display including the same
CN101785130A (zh) 显示装置
CN104466022A (zh) 一种有机发光二极管显示器件及其制备方法
CN108029177A (zh) 显示装置和发光装置
CN105609527B (zh) 有机发光显示装置
WO2012046599A1 (ja) 発光デバイス、表示装置、及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130814

Termination date: 20151113

EXPY Termination of patent right or utility model