CN101436004A - 硅片预对准的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种硅片预对准的方法，主要从优化控制和误差补偿等几个方面提高硅片预对准的精度与效率。采用步进落差法来对缺口进行初步的定位，确定其大概位置，采用基准法计算缺口最低点位置；补偿缺口采集点数据，应用矩阵拟合的方式计算硅片形心，在很大程度上提高了形心计算的精度，且只需CCD线性传感器的一次采样数据便可精确定位，大大提高预对准的精度和效率。另外，修正预对准的误差来纠正硅片形心计算误差，以进一步提高预对准的精确度。

Description

硅片预对准的方法

技术领域

本发明涉及一种硅片预对准的方法，特别涉及一种应用在光刻机中的硅片预对准的方法。

背景技术

光刻机是微电子器件制造业中不可或缺的工具，而由于光刻机视野很小，因此在将硅片传送到光刻机进行曝光之前，必须将硅片进行预对准，使得传送到曝光台上的硅片在光刻机的视野之内，所以，硅片预对准是光刻机进行硅片曝光的重要组成部分。具体的，预对准是将硅片运送到工件台进行曝光的一次精确定位，预对准直接影响硅片的曝光精度和整个系统的工作效率。

硅片预对准主要包括两个过程：硅片几何中心(以下简称形心)的定位和硅片缺口检测及定位。通常预对准主要有机械预对准和光学预对准。光学预对准比机械预对准方式精度高，但价格成本高，它是采用光学精密仪器元件对硅片的边缘和缺口进行检测，通过算法来实现硅片定心，利用线性电荷耦合器件(CCD)作为传感器对硅片进行检测。

在硅片形心计算的一般方法中，回转半径法计算量小，但是对于测量的要求很苛刻，必须是等角度，双偶数全圆周测量，给数据采集带来很大困难；轨迹拟合法计算量小，但精度受到测量噪声的影响，此外对缺口的判断存在一定的困难，本身误差较大。采用微积分质心法来进行形心的计算，其优点是适合任意形状的图形几何中心计算，缺点是需要采集足够多的边缘采集点。

另外，在硅片形心的计算中，对于缺口的采集数据通常是将其摒弃掉，直接采用缺口的起始点及终点来计算硅片形心；或者将缺口数据进行补偿，但是无论是摒弃或是通常补偿的方法，缺口的数据都不够实际和精准。

在硅片缺口定位前，对缺口的粗定位常采用的方法有：互相关检测法，拟合余弦曲线法，边缘变化率法，但是都不够理想，例如采用边缘变化率法来对缺口进行粗定位有极大的局限性，如中国专利：CN1787200A中，对相邻的3个采样点计算夹角，并且要求设定合适的阀值，这种阀值是靠采用经验的方法确定，对不同情况有很大的不稳定性，这种方法要求CCD采集的硅片边缘数据必须均匀分布，并且采集到的相邻数据振幅不能变化太大，如果对不是很圆形的硅片进行预对准，实验证明，由于旋转台转速不均匀，采用这种思路的算法所编写出来的控制程序很容易发生崩溃，找不到或者找错硅片缺口的中心最低点位置，对硅片方向定位产生不好的影响，最终导致光刻机制造装备流水线的整体性能和生产的成品率大大降低。

有鉴于此，如何提供一种硅片预对准的方法，来减少上述弊端已成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明所解决的技术问题在于提供一种硅片预对准的方法，以提高硅片预对准的精度和效率。

本发明所解决的另一技术问题在于提供一种硅片预对准的方法，能够对误差进行综合分析及修正。

本发明所解决的又一技术问题在于提供一种硅片预对准的方法，其不受硅片尺寸以及缺口形状的限制。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种硅片预对准的方法，应用于硅片预对准装置中，该硅片预对准装置具有旋转台、CCD传感器及定心台，所述硅片预对准的方法包括对硅片形心的定位步骤及对硅片缺口的定位步骤。

所述对硅片形心的定位步骤包括以下子步骤：通过旋转台带动硅片旋转，并利用CCD传感器对硅片边缘的数据进行采样，获得采样数据；对所述采样数据采用等差法来补偿缺口数据，并由矩阵拟合算法算出硅片形心；透过定心台与旋转台对硅片的操作，将上述硅片形心与旋转台的旋转中心重合，从而完成硅片形心的定位。

所述硅片缺口的定位步骤包括以下子步骤：根据所述采样数据，采用步进落差法求出硅片缺口最低点位置坐标；将硅片缺口旋转至CCD传感器附近，对所述硅片缺口进行边缘细采样，获得细采样数据；根据细采样数据，以缺口最低点位置坐标作为初始估计值，然后在缺口内以该初始估计值为中心，前后各取若干个采样点，采用矩阵拟合法求出缺口对应圆弧的圆心坐标，该圆弧的圆心和旋转中心连线与硅片边缘的交点即为缺口中心；将缺口中心旋转指定的角度，完成硅片的缺口定位。

所述硅片预对准的方法，还包括误差分析及修正的步骤。

可选的，所述误差分析及修正步骤包括对所述预对准装置的设备安装造成的表面不平度误差进行分析及修正：用精密光学仪器测量出定心台相对旋转台存在的夹角θ，应用矩阵拟合算法算得形心偏差S，并在已有定心位移的基础上，向定心台移动方向上继续移动

毫米，其中，所述精密光学仪器为光学测角仪。

可选的，所述误差分析及修正步骤包括对旋转台和定心台在交换硅片的过程中造成的气动交换误差进行分析及修正：在硬件方面，采用斜坡增减负压的方法来控制真空度缓慢上升或下降使得真空吸附交换的平稳，要求真空压力变化由原来阶跃变化变为斜坡变化，以减小硅片在交换吸附过程中的精度损失，采用电气比例阀，通过控制真空发生器入口压力来控制出口真空度，通过控制电信号来控制入口压力；在软件方面，对已定位好形心的硅片重新采集硅片边缘数据，应用矩阵拟合算法再次求硅片偏心，如此多次计算(例如10次)取平均值，据此来修正在硅片气动交换过程中需要补偿的误差。

可选的，所述误差分析及修正步骤包括对CCD传感器测量误差进行分析及修正：对CCD与旋转台水平面的倾角误差的分析及计算。

另外，计算硅片形心步骤中，对所述采样数据进行处理是采用等差法来补偿缺口数据，所述等差法是对从缺口的起始点到终点的采样点依次增加或减少一计算所得的极坐标差分，该极坐标差分是透过缺口起始点和终点的坐标及之间的采样点数计算所得；在确定缺口中心的步骤中，以初始估计值为中心，前后各取的采样点数为缺口内采集点数的一半，具体的，可以初始估计值为中心，前后各选取细采样的100个采样点。

而所述步进落差法是，先根据总的采集点数求出在缺口内的采集点数，再每相隔一定步长求最大落差数组，通过最大落差数组推出缺口最低点位置，其中，所述步长为所述缺口内采样点数的一半；较佳的，可采用向前落差和向后落差分别计算，然后取平均值来确定最终的缺口最低点位置。

本发明的硅片预对准的方法，主要从优化控制和误差补偿等几个方面提高硅片预对准的精度与效率。采用步进落差法来对缺口进行初步的定位，确定其大概位置，采用基准法计算缺口最低点位置；补偿缺口采集点数据，应用矩阵拟合的方式计算硅片形心，在很大程度上提高了形心计算的精度，且只需CCD线性传感器的一次采样数据便可精确定位，大大提高预对准的精确和效率。另外，主要从以下几个方面分析修正预对准的误差：机械设备安装造成旋转台、定心台的表面不平度误差；旋转台与定心台气动交换硅片的误差；CCD安装误差。对这些误差产生根源进行分析和补偿，来纠正硅片形心计算误差，以进一步提高硅片预对准的精确度。

附图说明

图1是光刻机硅片预对准装置的机械设备结构图。

图2是本发明硅片预对准的方法实施例步骤图。

图3是定心台与旋转台具有夹角的示意图。

图4是CCD传感器与旋转台水平面的倾角示意图。

图5是本发明进行硅片边缘采样的数据示意图。

图6是采用矩阵拟合算法与其他方法计算硅片形心时采集点数与误差的关系对比示意图。

具体实施方式

以下通过具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明也可通过其他不同的具体实施例加以实施或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。

本发明中所述硅片预对准的方法，可应用于微电子器件制造业中光刻机的硅片曝光工序中。

图1是光刻机硅片预对准装置的机械设备结构图，如图所示，该硅片预对准装置具有旋转台2，定心台3，导轨4，线性CCD传感器5，以及带缺口的硅片1；X、Y、Z分别标示三维立体的三个方向。

旋转台2是通过真空来吸附硅片1，能够十分精确的旋转，及小距离上下运动。为了后续说明方便，此处定义从上往下看，顺时针为负方向，逆时针为正方向；向上运动为正方向，向下运动为负方向。逻辑高位是机械手(图中未示)在旋转台2的硅片1以下运动；逻辑低位是机械手带着硅片1在旋转台2上面运动。

定心台3根据CCD传感器5提供的信息来纠正硅片1的偏心，包括一个位于旋转台2一边的真空吸盘。定心台3可以在水平方向移动硅片1一定的位移，且有一个逻辑PARK位。

水平导轨4，定心台3可以沿着水平导轨4在X方向上移动。

CCD传感器5安装位置距离旋转台2的中心约一个硅片1半径的距离，且光束线阵方向通过旋转中心，使得硅片1边缘尽可能在CCD探测器的测量范围之内。其功能是为了确定硅片1边缘的相对位置，硅片1在光源和CCD传感器5之间进行旋转，CCD传感器5的一部分暴露于红外光源之下，剩余部分处于硅片1的阴影之下。硅片1边缘的位置的明暗的转变通过CCD传感器5输出的电压的变换来显示。

本发明是利用上述硅片预对准装置进行硅片预对准的，而硅片预对准的方法是面向集成电路制造业，在硅片加工过程中，能够自动检测并精确定位硅片几何中心以及缺口位置的，集机械、电子、光学、计算机等多学科于一体的高精度对准方法。

下面就参照图2详细介绍应用上述硅片预对准装置的硅片预对准的方法，图2是本发明硅片预对准的方法实施例步骤图，如图所示，该硅片预对准的方法包括对硅片形心的定位步骤S1、对硅片缺口的定位步骤S2、及误差分析及修正的步骤S3。

其中，硅片形心的定位步骤S1包括以下子步骤：

步骤S11，硅片边缘的数据采样：旋转台带动硅片旋转，CCD传感器采集硅片旋转过程中的边缘数据。其中，需要根据精度要求、CCD传感器的采样速率以及预对准的时间要求设置合理的采样频率和采样点数，本实施例中，设定采样点数为3600。旋转时保持匀速，使采样的点数尽可能分布均匀，CCD采集到的数据最终转化为极坐标系下的坐标值。请参阅图5，是本发明进行硅片边缘采样的数据示意图，如图所示，在采样点3600个中，在接近第1000个采样点时出现异常，其他采样点都是有规律的，需要注意的是，图中采样数值是未经补偿的原始采样数值。

步骤S12，采集数据处理，并求硅片形心：通过对硅片边缘采样数据处理，将极坐标点转化为直角坐标点，得到硅片边缘采样点的二维直角坐标，由矩阵拟合算法，算出硅片形心。其中，对所述采样数据进行处理是采用等差法来补偿缺口数据，具体是对从缺口的起始点到终点的采样点依次增加或减少一计算所得的极坐标差分，该极坐标差分是透过缺口起始点和终点的坐标及之间的采样点数计算所得。例如：缺口起始点坐标为(ρ₁，θ₁)、终点坐标为(ρ₂，θ₂)，为了使得补偿后的缺口边缘成圆滑曲线，我们不采用传统简单的直接利用起始点或者终点采样数据代替缺口采样点数据，而采用等差法来补偿缺口。由于硅片存在偏心，使得ρ₁≠ρ₂，设缺口内共有采样点数为n，则补偿后每两个相邻采样点极坐标差分为：

$\mathrm{\Δx}=\frac{|{\mathrm{\ρ}}_1-{\mathrm{\ρ}}_2|}{n+1}$

由此可以近似从起始点增加或减少极坐标差分到终点，得到缺口补偿后的缺口采样点数据，作为补偿。

而为了求硅片形心，在进行上述数据处理后采用矩阵拟合算法，例如：设硅片形心坐标(x₀，y₀)，硅片半径为r。拟合圆曲线使：

(x-x₀)²+(y-y₀)²＝r²

(r²-x₀ ²-y₀ ²)+2xx₀+2yy₀＝x²+y²

令 $r^2-x_0^2-y_0^2=k,$

n个采集点数据分别代入则有：

$\left[\begin{array}{c}\mathrm{1,2}{x}_1...2y_1\\ \·\·\·\·\·\·\\ \mathrm{1,2}{x}_1...2y_1\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}k\\ x_0\\ y_0\end{array}\right]=\left[\begin{array}{c}{x_1}^2+{y_1}^2\\ \·\·\·\\ {x_n}^2+{y_n}^2\end{array}\right]$

令

$A=\left[\begin{array}{c}\mathrm{1,2}{x}_1...2y_1\\ \·\·\·\·\·\·\\ \mathrm{1,2}{x}_1...2y_1\end{array}\right]$

$X=\left[\begin{array}{c}k\\ x_0\\ y_0\end{array}\right]$

$B=\left[\begin{array}{c}{x_1}^2+{y_1}^2\\ \·\·\·\\ {x_n}^2+{y_n}^2\end{array}\right]$

有

AX＝B

A^TAX＝A^TB

(A^TA)^-1(A^TAX)＝(A^TA)^-1A^TB

因为

(A^TA)^-1(A^TA)＝1

所以有X＝(A^TA)^-1A^TB

在硅片预对准装置中应用此方法，由硅片边缘采集点数据，通过算法编程最终可求得硅片形心坐标(x₀，y₀)。

请参阅图6，是采用矩阵拟合算法与其他方法计算硅片形心时采集点数与误差的关系对比示意图，如图所示，采用矩阵拟合算法而产生的误差较小，特别是相对于微积分质心法在前续的采样点产生的误差。

步骤S13，硅片形心定位：将硅片形心旋转到X轴正向处，利用真空吸附将硅片从旋转台切换到定心台上后，旋转台下降；定心台移动硅片，将硅片形心与旋转中心重合；最后旋转台上升，硅片从定心台切换到旋转台上面，此时完成硅片形心的定位。

所述缺口定位步骤S2包括以下子步骤：

步骤S21：缺口粗定位：根据上述采样数据，本实施例采用步进落差法求出缺口最低点位置坐标。这里简要说明下硅片缺口的检测，硅片缺口检测是通过硅片的边缘采样数据的处理，判断哪些采样点属于缺口上的采样点；而缺口检测的目的，一方面是在形心算法中剔除或补偿缺口上的采样数据，另一方面是寻找缺口的粗略位置，便于缺口定位。一般对缺口粗定位常采用的方法有：互相关检测法，拟合余弦曲线法，边缘变化率法。

而本实施例中是采用步进落差法，其实现思想简单，无论对平口还是“U”类型缺口都适用，是先根据总的采集点数求出在缺口内的采集点数，再每相隔一定步长求最大落差数组，通过最大落差数组推出缺口最低点位置。例如：由于同一类型硅片，缺口形状度数一定，设硅片总的采集点数为N，则可以算出在缺口内采集到的点数m，因此取步长为m/2，对每相隔步长m/2求最大落差数组，通过最大落差可以推出缺口最低点位置，从而确定缺口的大致位置。当然，为了更准确计算，可以采用向前落差和向后落差两种方法然后取平均值。

步骤S22，缺口细采样：将硅片缺口转至CCD传感器附近，对缺口进行小范围的细采样，为了确保硅片方向定位精确些，缺口采样密度尽可能高一些，本实施例中缺口采样为200个点左右。

步骤S23，求缺口中心：缺口定位是保证硅片缺口停留在指定角度，并满足精度要求，本实施例中采用硅片缺口定位算法求得缺口中心角度(其缺口中心位置也同时确定)，具体实施办法是根据细采样的数据，先通过缺口粗定位，即采用步进落差法找到缺口基准点的初始估计值，然后以估计值为中心，前后各取若干个采样点，采用矩阵拟合法求出缺口小圆弧的圆心坐标，而此拟合的小圆弧圆心极坐标的角度就是硅片需要调整的方向，在本实施例中，所述若干采样点是以所述初始估计值为中心，前后各选取细采样的100个采样点。

步骤S24，硅片方向定位：将缺口中心旋转指定的角度，完成硅片的定位。

误差分析及修正的步骤S3：

由于各种原因，不可避免的会造成预对准的其他误差，而预对准精度要求高，因此必须对误差进行分析其产生的原因和解决的办法。通过分析，本实施例把整个预对准的误差主要由以下几部分构成：机械设备安装造成旋转台、定心台的表面不平度误差，旋转台与定心台以及机械手气动交换硅片的误差，检测元件CCD安装误差以及检测算法误差。

考虑到最坏的情况，预对准总误差如下公式所示λ＝|λ₁|+|λ₂|+|λ₃|+|λ₄|，其中：λ为总误差，λ₁为机构不平误差，λ₂为气动交换误差，λ₃为CCD测量误差，λ₄为检测算法误差。

步骤S31，请参阅图3，是定心台与旋转台具有夹角的示意图。考虑到机械加工和装配的因素，可以用精密光学仪器测量出表面不平度，然后由此数据来修正由此原因造成的定心误差，如果测得定心台相对旋转台存在夹角θ，根据采集数据应用矩阵拟合算法算得形心偏差为S，一般情况下S不超过2毫米，由于表面不平度的存在，在定心台移动位移S后，需要进行误差修正，即在已有定心位移的基础上，向相同方向继续移动

毫米。其中，所述精密光学仪器为光学测角仪，精确单位至秒。

步骤S32，气动交换误差是在旋转台和定心台以及机械手交换硅片的过程中，硅片由于真空的建立与破坏产生的冲击而造成的位置变化。在气路交换过程中，为减少气路交换带来的损失，在系统内采用斜坡增减负压的方法来控制真空度缓慢上升或下降使得真空吸附交换的平稳，在吸附和释放硅片过程中不能产生冲击，要求真空压力变化由原来阶跃变化变为斜坡变化，最大限度减小硅片在交换吸附过程中的精度损失，常用控制方法是在气路中加入节流阀，本实施例采用电气比例阀，通过控制真空发生器入口压力来控制出口真空度，通过控制电信号来控制入口压力。在软件控制误差补偿上，对已定心好的硅片重新采集硅片边缘数据，应用矩阵拟合算法再次求硅片偏心，如此多次计算取平均值，据此来修正在硅片气动交换过程中需要补偿的误差。

步骤S33，CCD传感器测量误差。由于CCD的安装测量存在误差，因此对利用矩阵拟合算法计算硅片参数的精度也有影响。选用高精度的传感器，以及增大采集点个数，可以提高预对准精确度，从理论上看，对硅片边缘数据采集越多，检测引起的误差就越小，但是考虑到线性CCD与计算机的传输速度，过多的增加采样点会对采集数据的准确性产生影响，因此采样点个数与检测误差要综合考虑，若没有其它误差，硅片形心计算偏差将和CCD的分辨率相等，本实施例所用的CCD的分辨率为0.1微米。

一般情况下，CCD的安装误差分为：CCD的内外平移误差和CCD与旋转台水平面的倾角误差。

请参阅图4，所示为CCD传感器与旋转台水平面的倾角示意图。设硅片厚度为h1，旋转台上表面到CCD高度为h₂，CCD安装与旋转台水平面的倾角为ω，则可以算出CCD发生倾角ω与理想情况下的读数变化为：

Δx＝(h₁+h₂)sinω+l(cosω-1)

其中l为理想情况的CCD读数，因为安装误差无法避免，因此可以通过精密仪器测出倾角为ω，通过算法修正CCD的读数来补偿CCD的安装带来的误差。CCD的内外平移误差会尽管会带来硅片边缘数据的变化，通过实验证明，这种水平方向的安装误差对最终的形心计算产生的负作用相对预对准的技术指标要求来说很小，因此实际应用中可以不加考虑。

步骤S34，检测算法误差，主要由对算法所用数据的有效位数决定，可通过增加小数点后有效位数来补偿，检测算法误差相对预对准工艺要求来说可以忽略不计。

需要说明的是，上述误差分析及修正的步骤S3中，子步骤S31——子步骤S34仅为分别说明，并非一定要按照次序进行。

综上所述，本发明的硅片预对准的方法，主要从优化控制和误差补偿等几个方面提高硅片预对准的精确度与效率。其中，采用步进落差法来对缺口进行初步的定位，确定其大概位置，采用基准法计算缺口最低点位置；补偿缺口采集点数据，应用矩阵拟合的方式计算硅片形心，在很大程度上提高了形心计算的精度，且只需CCD线性传感器的一次采样数据便可精确定位，大大提高预对准的精确和效率。另外，主要从以下几个方面分析修正预对准的误差：机械设备安装造成旋转台、定心台的表面不平度误差；旋转台与定心台气动交换硅片的误差；CCD安装误差。对这些误差产生根源分析补偿，来纠正硅片形心计算误差，以进一步提高预对准的精确度。而且本发明不受硅片尺寸以及缺口形状的限制，试验结果表明：预对准定位精度为2μm，时间为10s，满足预对准系统技术指标的要求，具有很好的实用性。

上述实施例仅为例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与变化。因此，本发明的权利保护范围，应以权利要求书的范围为依据。

Claims (17)

1、一种硅片预对准的方法，应用于硅片预对准装置中，该硅片预对准装置具有旋转台、CCD传感器及定心台，所述硅片预对准的方法包括对硅片形心的定位步骤及对硅片缺口的定位步骤，

其特征在于，所述对硅片形心的定位步骤包括以下子步骤：

通过旋转台带动硅片旋转，并利用CCD传感器对硅片边缘的数据进行采样，获得采样数据；

对所述采样数据采用等差法来补偿缺口数据，并由矩阵拟合算法算出硅片形心；以及

透过定心台与旋转台对硅片的操作，将上述硅片形心与旋转台的旋转中心重合，从而完成硅片形心的定位，

所述硅片缺口的定位步骤包括以下子步骤：

根据所述采样数据，采用步进落差法求出硅片缺口最低点位置坐标；

将硅片缺口旋转至CCD传感器附近，对所述硅片缺口进行边缘细采样，获得细采样数据；

根据细采样数据，以缺口最低点位置坐标作为初始估计值，然后在缺口内以该初始估计值为中心，前后各取若干个采样点，采用矩阵拟合法求出缺口对应圆弧的圆心坐标，该圆弧的圆心和旋转中心连线与硅片边缘的交点即为缺口中心；以及

将缺口中心旋转指定的角度，完成硅片的缺口定位。

2、如权利要求1所述的硅片预对准的方法，其特征在于，还包括误差分析及修正的步骤。

3、如权利要求2所述的硅片预对准的方法，其特征在于，所述误差分析及修正步骤包括对所述预对准装置的设备安装造成的表面不平度误差进行分析及修正。

4、如权利要求3所述的硅片预对准的方法，其特征在于，对所述预对准装置的设备安装造成的表面不平度误差进行分析及修正，是用精密光学仪器测量出定心台相对旋转台存在的夹角θ，应用矩阵拟合算法算得形心偏差S，并在已有定心位移的基础上，向定心台移动方向上继续移动毫米。

5、如权利要求4所述的硅片预对准的方法，其特征在于，所述精密光学仪器为光学测角仪。

6、如权利要求2所述的硅片预对准的方法，其特征在于，所述误差分析及修正步骤包括对旋转台和定心台在交换硅片的过程中造成的气动交换误差进行分析及修正。

7、如权利要求6所述的硅片预对准的方法，其特征在于，所述气动交换误差的分析及修正是，在硬件方面，采用斜坡增减负压的方法来控制真空度缓慢上升或下降使得真空吸附交换的平稳，要求真空压力变化由原来阶跃变化变为斜坡变化，以减小硅片在交换吸附过程中的精度损失，采用电气比例阀，通过控制真空发生器入口压力来控制出口真空度，通过控制电信号来控制入口压力；在软件方面，对已定位好形心的硅片重新采集硅片边缘数据，应用矩阵拟合算法再次求硅片偏心，如此多次计算取平均值，据此来修正在硅片气动交换过程中需要补偿的误差。

8、如权利要求7所述的硅片预对准的方法，其特征在于，根据10次计算的平均值来修正在硅片气动交换过程中需要补偿的误差。

9、如权利要求2所述的硅片预对准的方法，其特征在于，所述误差分析及修正步骤包括对CCD传感器测量误差进行分析及修正。

10、如权利要求9所述的硅片预对准的方法，其特征在于，所述对CCD传感器测量误差的分析及修正，是对CCD与旋转台水平面的倾角误差的分析及计算。

11、如权利要求1所述的硅片预对准的方法，其特征在于，在计算硅片形心的步骤中，对所述采样数据进行处理是采用等差法来补偿缺口数据。

12、如权利要求11所述的硅片预对准的方法，其特征在于，所述等差法是对从缺口的起始点到终点的采样点依次增加或减少一计算所得的极坐标差分，该极坐标差分是透过缺口起始点和终点的坐标及之间的采样点数计算所得。

13、如权利要求1所述的硅片预对准的方法，其特征在于，所述步进落差法是，先根据总的采集点数求出在缺口内的采集点数，再每相隔一定步长求最大落差数组，通过最大落差数组推出缺口最低点位置。

14、如权利要求13所述的硅片预对准的方法，其特征在于，所述步长为所述缺口内采样点个数的一半。

15、如权利要求13所述的硅片预对准的方法，其特征在于，采用向前落差和向后落差分别计算，然后取平均值来确定最终的缺口最低点位置。

16、如权利要求1所述的硅片预对准的方法，其特征在于，确定缺口中心的步骤中，以初始估计值为中心，前后各取的采样点数为缺口内采集点数的一半。

17、如权利要求16所述的硅片预对准的方法，其特征在于，确定缺口中心的步骤中，以所述初始估计值为中心，前后各选取细采样的100个采样点。

Images