CN101433171B - 甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，包括嫩梢采剪处理，离体嫩梢容器快速生根，新苗移栽等步骤。与常规组培育苗方法相比，可以使甜樱桃矮化砧离体嫩梢的生根率由50％上升到90％以上，新苗移栽后成活率由60％上升到98％以上，新苗定植后无缓苗期，生长快，抗病害能力强，适合在国内大面积推广。
Description
技术领域
本发明涉及一种果树优良砧木品种甜樱桃矮化砧嫩梢成苗法，尤其是涉及甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法。
背景技术
甜樱桃矮化砧是一种无性系中间砧木，与大多数樱桃品种嫁接亲和性良好。具有明显的矮化、丰产、抗寒、抗病、耐涝等优点，是目前国内急需的果树矮化砧品种。但由于其为无性系砧木，不能采用种子繁殖，而采用常规压条及硬枝扦插生根又非常困难，目前国内主要采用组培方法育苗，其成本非常高，严重限制了甜樱桃矮化砧的推广应用。
发明内容
为解决甜樱桃矮化砧繁育成本高、难度大的难题，本发明提供了一种甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其所采取的技术方案为：
该成苗法包括以下步骤：
(1)嫩梢采剪处理
每年的6-10月选枝条旺盛的甜樱桃矮化砧苗，在枝条顶端用消毒后的剪梢工具采剪15-20cm长嫩梢，将嫩梢底端5-10cm处树叶摘除并浸沾生根液，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，生根液PH值在5.4-5.8之间；
(2)离体嫩梢容器快速生根
将处理后的嫩梢底部垂直插入盛有生根基质和生根液的生根穴盘内，插入生根基质中的嫩梢长度为5cm，生根基质成份为细河沙、珍珠岩和蛭石，体积比为1∶1∶1，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，嫩梢快速生根的温度在25-35℃之间，相对湿度在80％-100％之间，遮阴透光率在40％-65％之间，生根培养时间40天；
(3)新苗移栽
将生根后的嫩梢既新苗连同生根基质从生根穴盘中移栽入营养钵，营养钵内盛有适宜新苗生长的基质，基质成份为草炭和腐熟后牛粪，体积比为3∶1，每隔20天追施一次三元素符合肥，适宜新苗生长的温度为20-35℃，相对湿度为60％-70％，当新苗粗度达到0.5cm时，可嫁接上大樱桃品种芽，嫁接后15-25天后即可移栽入大田。
对步骤(1)中的剪梢工具进行局部接触式高温消毒，消毒温度300℃，每次接触消毒时间15秒。
步骤(1)中嫩梢采剪时间为早上6点-8点，摘叶处理在遮阴条件下进行。
步骤(2)中的生根穴盘选用厚度为1.1mm的黑色PVC高强度薄板，形状为上粗下细的圆柱型，由8行4列共32只生根穴盘并排紧密连接在一起，组成一个生根穴盘单元。
步骤(3)中的营养钵材质选用厚度为1.2mm的黑色PVC高强度薄板，形状为上粗下细的方柱型。
该方法将甜樱桃矮化砧嫩梢直接插入装有生根基质和生根液的专用穴盘中快速生根，比常规组培育苗不但降低了成本，还减少了嫩梢诱导生根、新苗温室锻炼两个环节，大幅度提高了甜樱桃矮化砧的繁殖速度，可以使嫩梢生根率由50％上升到90％以上，新苗成活率由60％上升到98％以上，同时新苗质量也有了显著提高，新苗定植后无缓苗期，生长快，抗病害能力强，适合在国内大面积推广。该方法的推广应用，必将会带来巨大的经济和社会效益。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明：
该成苗法包括以下步骤：
(1)嫩梢采剪处理
每年的6-10月选枝条旺盛的甜樱桃矮化砧苗，在枝条顶端用消毒后的剪梢工具采剪15-20cm长嫩梢，将嫩梢底端5-10cm处树叶摘除并浸沾生根液，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，生根液PH值在5.4-5.8之间。每天采剪嫩梢时间在早上6点-8点，摘叶在遮阴条件下进行。
剪梢工具进行局部接触式高温消毒，消毒温度300℃，每次接触消毒时间15秒。
(2)离体嫩梢容器快速生根
将处理后的嫩梢底部垂直插入盛有生根基质和生根液的生根穴盘内，插入生根基质中的嫩梢长度为5cm，生根基质成份为细河沙、珍珠岩和蛭石，体积比为1∶1∶1，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，嫩梢快速生根的温度在25-35℃之间，相对湿度在80％-100％之间，遮阴透光率在40％-65％之间，生根培养时间40天。
最适合的生根穴盘材质是透性良好的黑色PVC高强度薄板，厚度1.1mm。最适合的形状及尺寸为上粗下细的圆柱型，上口径×下口径×高＝5.7×4.1×6.2cm，底部孔径1cm。为操作方便，由8行4列共32只生根穴盘并排紧密连接在一起，组成一个生根穴盘单元。
(3)新苗移栽
将生根后的嫩梢既新苗连同生根基质从生根穴盘中移栽入营养钵，营养钵内盛有适宜新苗生长的基质，基质成份为草炭和腐熟后牛粪，体积比为3∶1。每隔20天追施一次三元素符合肥。适宜新苗生长的温度为20-35℃，相对湿度为60％-70％。新苗粗度达到0.5cm时，可嫁接上大樱桃品种芽。嫁接后15-25天后即可移栽入大田。
最适合的生长营养钵材质也是透性良好的黑色PVC高强度薄板，厚度是1.2mm，最适合的形状及尺寸为上粗下细的方柱型，上口长×宽＝10×8.5cm，下口长和宽都是6.5cm，高35cm，底部孔径3cm。
Claims (5)
1.一种甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于包括以下方法步骤：
(1)嫩梢采剪处理
每年的6-10月选枝条旺盛的甜樱桃矮化砧苗，在枝条顶端用消毒后的剪梢工具采剪15-20cm长嫩梢，将嫩梢底端5-10cm处树叶摘除并浸沾生根液，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，生根液PH值在5.4-5.8之间；
(2)离体嫩梢容器快速生根
将处理后的嫩梢底部垂直插入盛有生根基质和生根液的生根穴盘内，插入生根基质中的嫩梢长度为5cm，生根基质成份为细河沙、珍珠岩和蛭石，体积比为1∶1∶1，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，嫩梢快速生根的温度在25-35℃之间，相对湿度在80％-100％之间，遮阴透光率在40％-65％之间，生根培养时间40天；
(3)新苗移栽
将生根后的嫩梢即新苗连同生根基质从生根穴盘中移栽入营养钵，营养钵内盛有适宜新苗生长的基质，基质成份为草炭和腐熟后牛粪，体积比为3∶1，每隔20天追施一次三元素复合肥，适宜新苗生长的温度为20-35℃，相对湿度为60％-70％，当新苗粗度达到0.5cm时，嫁接上大樱桃品种芽，嫁接后15-25天后即可移栽入大田。
2.根据权利要求1所述的甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于：对步骤(1)中的剪梢工具进行局部接触式高温消毒，消毒温度300℃，每次接触消毒时间15秒。
3.根据权利要求1所述的甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于：步骤(1)中嫩梢采剪时间为早上6点-8点，摘叶处理在遮阴条件下进行。
4.根据权利要求1所述的甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于：步骤(2)中的生根穴盘选用厚度为1.1mm的黑色PVC高强度薄板，形状为上粗下细的圆柱型，由8行4列共32只生根穴盘并排紧密连接在一起，组成一个生根穴盘单元。
5.根据权利要求1所述的甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于：步骤(3)中的营养钵材质选用厚度为1.2mm的黑色PVC高强度薄板，形状为上粗下细的方柱型。
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