CN101420198A - 一种五相直流无刷电机控制器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种五相直流无刷电机控制器，包括驱动回路、速度输入检测回路、电压检测回路、过流检测回路和单片机、五相全桥开关回路和五相霍尔信号检测回路；单片机根据速度输入信号、霍尔信号、过流信号、电源电压信号控制驱动回路，进而对五相全桥开关回路进行控制，驱动五相直流无刷电机中的绕组，使电机运转。与现有的三相直流无刷电机控制器相比，本发明可以使电机的绕组利用率由66.7％提高到80％，电机的功率密度大大提高，低速运转时的转矩提高了20％以上，换相时的最大转矩脉动减少为额定转矩的25％，噪音大大降低。同时，在输出同样功率的情况下，每相绕组的电流减少了一半，产品的可靠性得到进一步提高。

Description

一种五相直流无刷电机控制器

技术领域

本发明涉及一种无刷电机控制器。

背景技术

直流无刷电机因其可靠性高的特点，被广泛应用在电动自行车、电动三轮车、电动四轮车等电动车上。为了提高电动车的起动性能，三相直流无刷电机体积越来越大，增大了电动车的重量和成本。现有三相直流无刷电机在换相时会产生高达50％额定转矩的脉动转矩，用户的骑行感觉是振动和噪音都比较大。在不改变电机的情况下，采用重叠换相的方法解决换相引起的转矩脉动，虽然可以一定程度上进行改善，用户仍然感觉较大，特别是在低速启动的过程中仍然比较严重，这是三相直流无刷电机自身的技术方案确定的，因此，进一步改进的效果有限。另外，随着电机功率的提高，每相绕组的电流也大大提高，提高了电缆和功率器件发热的要求。目前的解决方法是加粗电缆和并联MOS管的方法，一方面成本上升，另一方面发热还是比较严重。

发明内容

本发明针对现有现有技术的不足，提供一种五相直流无刷电机控制器。

一种五相直流无刷电机控制器，其特征在于：包括驱动回路、速度输入检测回路、电压检测回路、过流检测回路和单片机、五相全桥开关回路和五相霍尔信号检测回路；所述速度输入检测回路将速度输入信号传送到单片机；五相霍尔信号检测回路将检测到的确定五相直流无刷电机中绕组位置的霍尔信号反馈给单片机；过流检测回路将检测到的五相直流无刷电机的过流信号反馈给单片机，电压检测回路将电源电压信号传送到单片机；单片机根据速度输入信号、霍尔信号、过流信号、电源电压信号控制驱动回路，进而对五相全桥开关回路进行控制，驱动五相直流无刷电机中的绕组，使电机运转。

所述五相全桥开关回路的导通和关断受电机霍尔信号的控制，霍尔信号共有十种状态，对应连接电机各相绕组的开关回路的上下桥臂的导通和关断也有十种状态；在同一时刻，有两相上桥臂和另外两相下桥臂的开关开通，剩下一相的上、下桥臂的开关都关断，这样，电机的四相绕组通电，一相绕组断电；当霍尔状态发生变化时，导通的四相桥臂的一个上桥或下桥开关关断，先前未导通桥臂的上桥或下桥开关开通，这样，导通的绕组关断一相，非导通的那一相绕组开通，完成绕组切换；在360°周期内，每相绕组的上桥臂在180°内导通144°、关断36°，下桥臂在另外180°内导通144°、关断36°，合计每相绕组导通288°、关断72°。

进一步地，所述五相全桥开关回路包括A上MOS管、A下MOS管、B上MOS管、B下MOS管、C上MOS管、C下MOS管、D上MOS管、D下MOS管、E上MOS管、E下MOS管；A上MOS管的源极的与A下MOS管的漏极相连，并连接到A相绕组，B上MOS管的源极的与B下MOS管的漏极相连，并连接到B相绕组，C上MOS管的源极与C下MOS管的漏极相连，并连接到C相绕组，D上MOS管的源极与D下MOS管的漏极相连，并连接到D相绕组，E上MOS管的源极与E下MOS管的漏极相连，并连接到E相绕组，A上MOS管、B上MOS管、C上MOS管、D上MOS管、E上MOS管的漏极均与VCC相连，A下MOS管、B下MOS管、C下MOS管、D下MOS管、E下MOS管的源极连接在一起后与电流采样电阻R0的一端相连，电流采样电阻R0的另一端与GND相连，所有MOS管的栅极与驱动回路相连。

所述驱动回路由五个单相驱动回路组成，每个单相驱动回路包括第零三极管Q0、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4以及第五三极管Q5；第一三极管Q1的基极通过第一电阻R1与单片机相连接，其集电极与第零三极管Q0的基极相连接，其发射极通过第二电阻R2接于GND；第零三极管Q0的基极通过第零电阻R0与其发射极相联后通过第零二极管D0接于第二直流电源，其集电极接于第一二极管D1并通过第四电阻R4接于该相上MOS管的栅极(G)；第零二极管D0的阳极通过第零电容C0接于GND，其阴极还与第一电容C1的正极相连，第一电容C1的负极接于电机相线；第二三极管Q2的基极接于第一二极管D1的阳极，其集电极接于第一电容C1的负极，其发射极接于该相上MOS管栅级G；第三电阻R3接于第二三极管Q2的基极与集电极之间，第二电容C2接于第二三极管Q2的射极与集电极之间；第四三极管Q4的基极与单片机的下桥驱动信号输出脚相连接，其集电极接于第三三极管Q3的基极，其发射极通过第七电阻R7接于GND；第八电阻R8接于单片机下桥驱动信号输出脚与单片机PWM输出脚之间；第三三极管Q3的基极通过第六电阻R6与其射极共接于第二直流电源，其集电极通过第二二极管D2、第九电阻R9接于第五三级管Q5的射极；第五三极管Q5的基极接于第三三极管Q3的集电极，第十电阻R10接于第五三极管Q5的基极与集电极之间，第三电容C3接于第五三极管Q5的射极与集电极之间；第五三极管Q5的集电极与电流采样电阻R0相连，其发射极与该相下MOS管的栅极(G)相连；第五电阻R5接于第二三极管的集电极Q2与第五三极管的集电极Q5之间。

所述五相霍尔信号检测回路包括五个信号支路，每一支路包括依次串连的第一霍尔检测电阻、第二霍尔检测电阻、霍尔检测电容，霍尔检测电容接地，第一霍尔检测电阻接于第一直流电源上，第一霍尔检测电阻与第二霍尔检测电阻的连接点与电机霍尔接口相连，第二霍尔检测电阻与霍尔检测电容的连接点与单片机相连。

所述速度输入检测回路包括三端接口PA1；其中第一端子通过第五电容C5接GND，第四二极管D4的阳极接于第一直流电源，阴极接于第一端子；第二端子通过第九十电阻R90接GND，通过第八十电阻R80接于单片机和第八电容C8，第八电容C8的另一端接GND；第三端子接于GND。

所述过流检测回路包括双路运算放大器；第一路放大器U3A的输出端接于单片机，其正输入端通过第四十一电阻R41接于第一直流电源，通过第四十二电阻R42接于GND；第十九电容C19接于第一直流电源和GND之间，第十八电容C18并接于第一路放大器U3A的正、负输入端，第四十三电阻R43的一端连接到第一路放大器U3A的负输入端，另一端连接到过流采样电阻R0；第二路放大器U3B的输出端接于单片机，其正输入端分别通过第四十五电阻R45、第四十四电阻R44接于第一直流电源和过流采样电阻R0，其负输入端分别通过第四十电阻R40和第四十六电阻R46接于其输出端和GND。

所述电压检测回路包括第十一电阻R11、第十二电阻R12和第九电容C9，所述第十一电阻R11和第十二电阻R12串联接于VCC和GND之间，第十一电阻R11和第十二电阻R12的连接点接到单片机，第九电容C9并联接于第十二电阻R12。

五相直流无刷电机是指在现有三相直流无刷电机的基础上，增加两相绕组，每相绕组在空间上的电角度相差72°，在现有三个霍尔的基础上，增加2个霍尔，即用5个霍尔来确定绕组的位置。五相直流无刷电机的绕组利用率由66.7％提高到80％，电机的功率密度大大提高，低速运转时的转矩提高了20％以上；五相直流无刷电机在运行过程中，每36°换相一次，一个运行周期(360°电角度)换相次数是10次，比3相直流无刷电机的六次多了4次。当一相绕组换相时，另外三相绕组正常运行，因此换相时的最大转矩脉动减少为额定转矩的25％，减少了电机的震动和噪音。同时，由于采用五相绕组，同时在产生同样力矩的情况下，每相绕组电流减少了一半，减小了开关器件的负荷，提高了控制器的可靠性。

与现有技术相比较，本发明具有以下优点：本发明的五相直流无刷电机控制器可以使电机的绕组利用率由66.7％提高到80％，电机的功率密度大大提高，低速运转时的转矩提高了20％以上，换相时的最大转矩脉动减少为额定转矩的25％，噪音大大降低，改善了用户骑行的舒适感。同时，在输出同样功率的情况下，每相绕组的电流减少了一半，降低了对功率器件的要求，产品的可靠性得到进一步提高。

附图说明

图1是本发明的五相直流无刷电机控制器的线路连接图。

图2是本发明的五相直流无刷电机控制器的开关回路的线路图。

图3是本发明的五相直流无刷电机控制器的驱动回路的单相电路图。

图4是本发明的五相直流无刷电机控制器的五相霍尔信号检测回路的电路图。

图5是本发明的五相直流无刷电机控制器的速度输入检测回路的电路图。

图6是本发明的五相直流无刷电机控制器的过流检测回路的电路图。

图7是本发明的五相直流无刷电机控制器的电压检测回路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步地说明。

如图1所示，本发明的一种五相直流无刷电机控制器，包括驱动回路、速度输入检测回路、电压检测回路、过流检测回路和单片机、五相全桥开关回路和五相霍尔信号检测回路；所述速度输入检测回路将速度输入信号传送到单片机处理后传送到驱动回路，驱动回路对五相全桥开关回路进行控制，驱动五相直流无刷电机中的绕组，使电机运转；五相霍尔信号检测回路将检测到的确定五相直流无刷电机中绕组位置的霍尔信号反馈回单片机；过流检测回路和电压检测回路分别将检测到五相直流无刷电机的过流信号和电源电压信号反馈到单片机。单片机根据速度输入信号、霍尔信号、过流信号、电源电压信号控制驱动回路，进而对五相全桥开关回路进行控制，驱动五相直流无刷电机中的绕组，使电机运转。

所述控制器全桥开关回路的导通和关断受电机霍尔信号的控制，霍尔信号共有十种状态，对应连接电机各相绕组的开关回路的上下桥臂的导通和关断也有十种状态(如表一)。在同一时刻，有两个上桥臂和另外两个下桥臂的开关开通，剩下一个桥臂的开关都关断，这样，电机的四相绕组通电，一相绕组断电；当霍尔状态发生变化时，导通的四个桥臂的一个上桥或下桥开关关断，先前未导通桥臂上桥或下桥开关导通，这样，导通的绕组关断一相，非导通一相绕组开通，完成绕组切换；在360°周期内，每相绕组的上桥臂在180°内导通144°、关断36°，下桥臂在另外180°内导通144°、关断36°，合计每相绕组导通288°、关断72°。表一中的霍尔信号可以是其他信号形式，十种状态的位置信号真值可以有不同，但一定是十种状态，开通和关断各个桥臂顺序可以不同，但一定是十种开通和关断状态。

表1

如图2所示，五相全桥开关回路包括由十只MOS管组成，包括A上、A下、B上、B下、C上、C下、D上、D下、E上、E下，A上MOS管的源极S与A下MOS管的漏极D相连，并连接到A相绕组，B上MOS管的源极S与B下MOS管的漏极D相连，并连接到B绕组，C上MOS管的源极S与C下MOS管的漏极D相连，并连接到C绕组，D上MOS管的源极S与D下MOS管的漏极D相连，并连接到D绕组，E上MOS管的源极S与E下MOS管的漏极D相连，并连接到E绕组，MOS管A上、B上、C上、D上、E上的漏极D连接在一起后与直流电源VCC相连，MOS管A下、B下、C下、D下、E下的源极S连接在一起后与电流采样电阻R0一端相连，R0的另一端与电源地GND相连，十只MOS管的栅极G与驱动回路相连。

如图3所示，驱动回路由五个单相驱动回路组成，每个单相驱动回路包括第零三极管Q0、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4以及第五三极管Q5；第一三极管Q1的基极通过第一电阻R1与单片机相连接，其集电极与第零三极管Q0的基极相连接，其发射极通过第二电阻R2接于GND；第零三极管Q0的基极通过第零电阻R0与其发射极相联后通过第零二极管D0接于第二直流电源+15V上，其集电极接于第一二极管D1并通过第四电阻R4接于该相上MOS管的栅极(G)；第零二极管D0的阳极通过第零电容C0接于GND，其阴极还与第一电容C1的正极相连，第一电容C1的负极接于电机相线；第二三极管Q2的基极接于第一二极管D1的阳极，其集电极接于第一电容C1的负极，其发射极接于该相上MOS管栅级G；第三电阻R3接于第二三极管Q2的基极与集电极之间，第二电容C2接于第二三极管Q2的射极与集电极之间；第四三极管Q4的基极与单片机的下桥驱动信号输出脚相连接，其集电极接于第三三极管Q3的基极，其发射极通过第七电阻R7接于GND；第八电阻R8接于单片机下桥驱动信号输出脚与单片机PWM输出脚之间；第三三极管Q3的基极通过第六电阻R6与其射极共接于第二直流电源，其集电极通过第二二极管D2、第九电阻R9接于第五三级管Q5的射极；第五三极管Q5的基极接于第三三极管Q3的集电极，第十电阻R10接于第五三极管Q5的基极与集电极之间，第三电容C3接于第五三极管Q5的射极与集电极之间；第五三极管Q5的集电极与电流采样电阻R0相连，其发射极与该相下MOS管的栅极(G)相连；第五电阻R5接于第二三极管的集电极Q2与第五三极管的集电极Q5之间。

如图4所示，霍尔信号检测回路包括电阻R53-R62，电容C31-C35，所述霍尔接口与电机霍尔接口相连，并通过电阻R53-R57接于单片机；电阻R58-R62的一端接于第一直流电源+5V，另一端接于霍尔接口与电阻R53-R57之间；电容C31-C35的一端接于GND，另一端接于电阻R53-R57与单片机之间。

如图5所示，所述速度输入检测回路包括三端接口PA1；其中第一端子通过第五电容C5接GND，第四二极管D4的阳极接于第一直流电源+5V，阴极接于第一端子；第二端子通过第九十电阻R90接GND，通过第八十电阻R80接于单片机和第八电容C8，第八电容C8的另一端接GND；第三端子接于GND。

如图6所示，所述过流检测回路包括双路运算放大器；第一路放大器U3A的输出端接于单片机，其正输入端通过第四十一电阻R41接于第一直流电源，通过第四十二电阻R42接于GND；第十九电容C19接于第一直流电源+5V和电源地GND之间，第十八电容C18并接于第一路放大器U3A的正、负输入端，第四十三电阻R43的一端连接到第一路放大器U3A的负输入端，另一端连接到过流采样电阻R0；第二路放大器U3B的输出端接于单片机，其正输入端分别通过第四十五电阻R45、第四十四电阻R44接于第一直流电源和过流采样电阻R0，其负输入端分别通过第四十电阻R40和第四十六电阻R46接于其输出端和GND。

如图7所示，所述电压检测回路包括第十一电阻R11、第十二电阻R12和第九电容C9，所述第十一电阻R11和第十二电阻R12串联接于VCC和GND之间，第十一电阻R11和第十二电阻R12的连接点接到单片机，第九电容C9并联接于第十二电阻R12。

本发明的工作原理如下：当速度输入信号有输入时，通过速度输入检测回路输入到单片机，同时，单片机根据五相霍尔信号检测回路检测到的确定五相电机绕组位置的霍尔信号，对应表1的真值表霍尔信号和输出控制信号的关系输出控制信号(控制上桥臂开关和下桥臂开关)到驱动回路，使五相全桥开关回路中对应的MOS管开通，电压加到相应的绕组上，电机转动。假设检测到的霍尔信号的真值是01100，对应与五相全桥开关回路A上MOS管、E上MOS管和B下MOS管、C下MOS管导通，电源电压VCC从A、E绕组，到B、C绕组，与电源地相联，上述四个绕组通电，电机转动；当检测到的霍尔信号的真值是01110时，对应与五相全桥开关回路A上MOS管、E上MOS管和C下MOS管、D桥MOS管导通，电源电压VCC从A、E绕组，到C、D绕组，与电源地相联，上述四个绕组通电，电机继续旋转；以此类推，五相直流无刷电机开关时序根据控制逻辑表1，按A上、E上、B下、C下→A上、E上、D下、C下→A上、B上、C下、D下→……→D上、E上、B下、C下→A上、E上、B下、C下的顺序，每36°换一次相，每一个周期换相10次，电机就可以周期性地旋转。

电机的调速是通过以下方式实现的，当速度调节输入检测回路检测到速度输入信号减少时，单片机通过驱动回路、五相全桥开关回路以及绕组，对五相全桥开关回路的MOS管实行脉宽调制(PWM)，减小加到绕组上的电压脉冲宽度来降低绕组上的平均电压，来降低电机的转速，反之，增加加到绕组上的电压脉冲宽度来提高绕组上的平均电压，从而提高电机的转速。

电机的过流保护和限流保护是通过以下方式实现的，电机的过流信号通过第四十三电阻R43、第四十四电阻R44分别输入到第一路放大器U3A负输入端和第二路放大器U3B正输入端，如果电流采样电阻R0上的过流信号电压超过第一路放大器U3A正输入端电压，第一路放大器U3A输出由“1”变为“0”并输入到单片机，单片机通过驱动回路，关闭开关回路MOS管，电机停止运转，此时，过流保护起作用；过流信号电压接入第二路放大器U3B正相输入端，如果过流信号电压上升，第二路放大器U3B输出电压增大并输入到单片机，与设定值相比较，如果超过了设定值，单片机减少PWM信号导通时间，减少输出电压，绕组电流下降，反之，如果过流信号电压下降，第二路放大器U3B输出电压降低并输入到单片机，与设定值相比较，如果低于设定值，单片机增加PWM信号导通时间，增加输出电压，绕组电流上升，使电机能够在限制的电流范围内，以最大的输出力矩方式运转，此时限流保护起作用。

电机的欠压保护是通过以下方式实现的，当电源电压VCC通过电压检测回路输出到单片机，与系统设定的保护值对比，如果低于欠压保护的设定值，通过单片机通过驱动回路、关闭五相全桥开关回路的所有MOS管，停止电机运转。

本发明与现有技术相比，五相直流无刷电机控制器可以使电机的绕组利用率由66.7％提高到80％，电机的功率密度大大提高，低速运转时的转矩提高了20％以上，使电机的转矩脉动降低50％，噪音大大降低，若用于电动车，能改善了用户骑行的舒适感。同时，在输出同样功率的情况下，每相绕组的电流减少了一半，降低了对功率器件的要求，产品的可靠性得到进一步提高。

Claims (8)

1、一种五相直流无刷电机控制器，其特征在于：包括驱动回路、速度输入检测回路、电压检测回路、过流检测回路和单片机、五相全桥开关回路和五相霍尔信号检测回路；所述速度输入检测回路将速度输入信号传送到单片机；五相霍尔信号检测回路将检测到的确定五相直流无刷电机中绕组位置的霍尔信号反馈给单片机；过流检测回路将检测到的五相直流无刷电机的过流信号反馈给单片机，电压检测回路将电源电压信号传送到单片机；单片机根据速度输入信号、霍尔信号、过流信号、电源电压信号控制驱动回路，进而对五相全桥开关回路进行控制，驱动五相直流无刷电机中的绕组，使电机运转。

2、根据权利要求1所述的控制器，其特征在于：所述五相全桥开关回路的导通和关断受电机霍尔信号的控制，霍尔信号共有十种状态，对应连接电机各相绕组的开关回路的上下桥臂的导通和关断也有十种状态；在同一时刻，有两相上桥臂和另外两相下桥臂的开关开通，剩下一相的上、下桥臂的开关都关断，这样，电机的四相绕组通电，一相绕组断电；当霍尔状态发生变化时，导通的四相桥臂的一个上桥或下桥开关关断，先前未导通桥臂的上桥或下桥开关开通，这样，导通的绕组关断一相，非导通的那一相绕组开通，完成绕组切换；在360°周期内，每相绕组的上桥臂在180°内导通144°、关断36°，下桥臂在另外180°内导通144°、关断36°，合计每相绕组导通288°、关断72°。

3、根据权利要求2所述的控制器，其特征在于：所述五相全桥开关回路包括A上MOS管、A下MOS管、B上MOS管、B下MOS管、C上MOS管、C下MOS管、D上MOS管、D下MOS管、E上MOS管、E下MOS管；A上MOS管的源极的与A下MOS管的漏极相连，并连接到A相绕组，B上MOS管的源极的与B下MOS管的漏极相连，并连接到B相绕组，C上MOS管的源极与C下MOS管的漏极相连，并连接到C相绕组，D上MOS管的源极与D下MOS管的漏极相连，并连接到D相绕组，E上MOS管的源极与E下MOS管的漏极相连，并连接到E相绕组，A上MOS管、B上MOS管、C上MOS管、D上MOS管、E上MOS管的漏极均与VCC相连，A下MOS管、B下MOS管、C下MOS管、D下MOS管、E下MOS管的源极连接在一起后与电流采样电阻(R0)的一端相连，电流采样电阻(R0)的另一端与GND相连，所有MOS管的栅极与驱动回路相连。

4、根据权利要求3所述的控制器，所述驱动回路由五个单相驱动回路组成，每个单相驱动回路包括第零三极管(Q0)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)以及第五三极管(Q5)；第一三极管(Q1)的基极通过第一电阻(R1)与单片机相连接，其集电极与第零三极管(Q0)的基极相连接，其发射极通过第二电阻(R2)接于GND；第零三极管(Q0)的基极通过第零电阻(R0)与其发射极相联后通过第零二极管(D0)接于第二直流电源，其集电极接于第一二极管(D1)并通过第四电阻(R4)接于该相上MOS管的栅极(G)；第零二极管(D0)的阳极通过第零电容(C0)接于GND，其阴极还与第一电容(C1)的正极相连，第一电容(C1)的负极接于电机相线；第二三极管(Q2)的基极接于第一二极管(D1)的阳极，其集电极接于第一电容(C1)的负极，其发射极接于该相上MOS管栅级(G)；第三电阻(R3)接于第二三极管(Q2)的基极与集电极之间，第二电容(C2)接于第二三极管(Q2)的射极与集电极之间；第四三极管(Q4)的基极与单片机的下桥驱动信号输出脚相连接，其集电极接于第三三极管(Q3)的基极，其发射极通过第七电阻(R7)接于GND；第八电阻(R8)接于单片机下桥驱动信号输出脚与单片机PWM输出脚之间；第三三极管(Q3)的基极通过第六电阻(R6)与其射极共接于第二直流电源，其集电极通过第二二极管(D2)、第九电阻(R9)接于第五三级管(Q5)的射极；第五三极管(Q5)的基极接于第三三极管(Q3)的集电极，第十电阻(R10)接于第五三极管(Q5)的基极与集电极之间，第三电容(C3)接于第五三极管(Q5)的射极与集电极之间；第五三极管(Q5)的集电极与电流采样电阻R0相连，其发射极与该相下MOS管的栅极(G)相连；第五电阻(R5)接于第二三极管的集电极(Q2)与第五三极管的集电极(Q5)之间。

5、根据权利要求1所述的控制器，其特征在于：所述五相霍尔信号检测回路包括五个信号支路，每一支路包括依次串连的第一霍尔检测电阻、第二霍尔检测电阻、霍尔检测电容，霍尔检测电容接地，第一霍尔检测电阻接于第一直流电源上，第一霍尔检测电阻与第二霍尔检测电阻的连接点与电机霍尔接口相连，第二霍尔检测电阻与霍尔检测电容的连接点与单片机相连。

6、根据权利要求1所述的控制器，其特征在于：所述速度输入检测回路包括三端接口(PA1)；其中第一端子通过第五电容(C5)接GND，第四二极管(D4)的阳极接于第一直流电源，阴极接于第一端子；第二端子通过第九十电阻(R90)接GND，通过第八十电阻(R80)接于单片机和第八电容(C8)，第八电容(C8)的另一端接GND；第三端子接于GND。

7、根据权利要求1所述的控制器，其特征在于：所述过流检测回路包括双路运算放大器；第一路放大器(U3A)的输出端接于单片机，其正输入端通过第四十一电阻(R41)接于第一直流电源，通过第四十二电阻(R42)接于GND；第十九电容(C19)接于第一直流电源和GND之间，第十八电容(C18)并接于第一路放大器(U3A)的正、负输入端，第四十三电阻(R43)的一端连接到第一路放大器(U3A)的负输入端，另一端连接到过流采样电阻(R0)；第二路放大器(U3B)的输出端接于单片机，其正输入端分别通过第四十五电阻(R45)、第四十四电阻(R44)接于第一直流电源和过流采样电阻(R0)，其负输入端分别通过第四十电阻(R40)和第四十六电阻(R46)接于其输出端和GND。

8、根据权利要求1至7任一项所述的控制器，其特征在于：所述电压检测回路包括第十一电阻(R11)、第十二电阻(R12)和第九电容(C9)，所述第十一电阻(R11)和第十二电阻(R12)串联接于VCC和GND之间，第十一电阻(R11)和第十二电阻(R12)的连接点接到单片机，第九电容(C9)并联接于第十二电阻(R12)。

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