CN101417803B - 空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法 - Google Patents

空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101417803B
CN101417803B CN2008101476433A CN200810147643A CN101417803B CN 101417803 B CN101417803 B CN 101417803B CN 2008101476433 A CN2008101476433 A CN 2008101476433A CN 200810147643 A CN200810147643 A CN 200810147643A CN 101417803 B CN101417803 B CN 101417803B
Authority
CN
China
Prior art keywords
air
temperature
escape pipe
cooling
polycrystalline silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101476433A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101417803A (zh
Inventor
戴自忠
涂大勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SICHUAN YONGXIANG SILICON CO Ltd
Original Assignee
SICHUAN YONGXIANG SILICON CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SICHUAN YONGXIANG SILICON CO Ltd filed Critical SICHUAN YONGXIANG SILICON CO Ltd
Priority to CN2008101476433A priority Critical patent/CN101417803B/zh
Publication of CN101417803A publication Critical patent/CN101417803A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101417803B publication Critical patent/CN101417803B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Furnace Details (AREA)

Abstract

本发明公开了空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法，其特征在于：多晶硅氢还原炉的出气管外部设置有温度大大低于出气管温度的空气，通过空气流动与出气管换热，空气带走出气管的热量，降低出气管温度；所述空气的温度为常温，压力为0.5～0.8Mpa；经过空气冷却后的多晶硅氢还原炉出气管温度范围为380～420℃；该方法可以达到良好的冷却效果，可以使多晶硅氢还原炉运行十分稳定正常，安全高效；空气流量调节自动稳定。

Description

空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法
技术领域
本发明涉及多晶硅生产领域，特别是空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法。
背景技术
生产多晶硅的整个系统中，心脏设备是多晶硅氢多晶硅氢还原炉。在多晶硅氢多晶硅氢还原炉中还原生成多晶硅是在一个较高的温度条件(1080℃)下反应进行，进炉气体在进炉之前通过高效板式换热器与尾气换热，进入多晶硅氢多晶硅氢还原炉后又被硅棒加热，其尾气温度很高(550℃—650℃)，导致尾气管道温度相应增高(550—650℃)，因此需要对尾气管进行冷却。
现在的工艺过程，一般是采用冷水对尾气进行冷却。冷却水套中存在有焊缝，一旦有水通过焊缝泄漏侵入到整个生产系统中，则会给系统带来极大危害，堵塞管道、影响水质、产量及质量降低，导致停产。
发明内容
本发明为解决上述问题，提供了空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法，可以在安全的前提下达到良好的冷却效果，并且可以使多晶硅氢还原炉运行稳定高效。
本发明的技术方案如下：
空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法，其特征在于：多晶硅氢还原炉的出气管外部设置有温度大大低于出气管温度的空气，通过空气流动与出气管换热，空气带走出气管的热量，降低出气管温度；所述空气的温度为常温，具体是指从空气压缩机出来的温度，压缩空气站一般只控制空气露点，对温度不作控制，空气经压缩后会比常温高1~2℃，但总温度是随常温变化的，压力为0.5～0.8Mpa，这个压力主要是在压缩机提供的压力范围内通过调节阀来控制；经过空气冷却后的多晶硅氢还原炉出气管温度范围为380～420℃。
所述空气是通过出气管外部的空气管道输出的，所述空气管道可以为空气盘管，也可以为与出气管平行的直管。
所述空气管道上设置有出气孔，便于空气输出。
所述空气为压缩空气，每小时在75～150立方米，即使尾气有轻微的泄漏也可被空气稀释带走，进行置换，从而避免尾气管道在水冷却情况下泄漏渗入系统中，避免物料水解堵塞管道等。
所述空气采用压缩空气站或者高压风机的空气。
所述压缩空气站的出口设置有自动调节阀门，通过自动调节阀门调节空气的流量，根据出气管温度进行自动调节控制空气流量。
冷却的具体过程为：
当多晶硅氢还原炉的出气管被加热后需要被冷却时，首先打开压缩空气站的自动调节阀门，压力为0.8Mpa的空气通过空气盘管或直管送气，然后与出气管换热带走热量，使出气管的温度冷却到40℃，从而达到了降温冷却目的。
本发明的有益效果如下：
该方法可以达到良好的冷却效果，可以使多晶硅氢还原炉运行十分稳定正常，安全高效；空气流量调节自动稳定。
附图说明
图1为本方法所使用设备的结构示意图
具体实施方式
空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法，多晶硅氢还原炉的出气管外部设置有温度大大低于出气管温度的空气，通过空气流动与出气管换热，空气带走出气管的热量，降低出气管温度；所述空气的温度为常温，大概20℃左右，压力为0.5～0.8Mpa，这个压力主要是在压缩机提供的压力范围内通过调节阀来控制；经过空气冷却后的多晶硅氢还原炉出气管温度范围为380～420℃。
所述空气是通过出气管外部的空气管道输出的，所述空气管道可以为空气盘管，也可以为与出气管平行的直管。
所述空气管道上设置有出气孔，便于空气输出。
所述空气为压缩空气，每小时在75～150立方米，即使尾气有轻微的泄漏也可被空气稀释带走，进行置换，从而避免尾气管道在水冷却情况下泄漏渗入系统中，避免物料水解堵塞管道等。
所述空气采用压缩空气站或者高压风机的空气。所以，对于空气的温度，具体是指从空气压缩机出来的温度，而压缩空气站一般只控制空气露点，对温度不作控制，空气经压缩后会比常温高1～2℃，但总温度是随常温变化的，
所述压缩空气站的出口设置有自动调节阀门，通过自动调节阀门调节空气的流量，根据出气管温度进行自动调节控制空气流量。
当没有压缩空气对其进行吹扫冷却时，多晶硅氢还原炉尾气管温度(此温度是一个变量，其大小主要取决于尾气管内物料气体的流量和温度，而物料气体的流量和温度是随着硅棒生长不断变化的。)会随着管内物料气体的流量和温度的升高而升高，具体范围大概在100～700℃。现在的需要将其控制在400℃以内，经实践证明，当尾气管温度为600℃时，此时通入压力为0.5MPa，流量为100m3/h的压缩空气，可将其表面温度降到400℃左右。因此，若尾气管温度升高，则增大流量；若尾气管温度降低，则可适当减少流量，增大和减少的具体数值理论上是由尾气管温度决定的。
如图1所示，冷却的具体过程为：
当多晶硅氢还原炉的出气管被加热后需要被冷却时，首先打开压缩空气站的自动调节阀门，压力为0.8Mpa的空气通过空气盘管或直管送气，然后与出气管换热带走热量，使出气管的温度冷却到40℃，从而达到了降温冷却目的。

Claims (3)

1.空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法，其特征在于：多晶硅氢还原炉的出气管外部设置有温度大大低于出气管温度的空气，通过空气流动与出气管换热，空气带走出气管的热量，降低出气管温度；所述空气的温度为常温，压力为0.5～0.8MPa；经过空气冷却后的多晶硅氢还原炉出气管温度范围为380～420℃；
所述空气为压缩空气，每小时在75～150立方米；压缩空气采用压缩空气站或者高压风机的空气；所述压缩空气站的出口设置有自动调节阀门，通过自动调节阀门调节空气的流量和压力，根据出气管温度进行自动调节控制空气流量。
2.根据权利要求1所述空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法，其特征在于：所述空气是通过出气管外部的空气管道输出的，所述空气管道为空气盘管或与出气管平行的直管。
3.根据权利要求2所述空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法，其特征在于：所述空气管道上设置有出气孔，便于空气输出。
CN2008101476433A 2008-11-24 2008-11-24 空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法 Active CN101417803B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101476433A CN101417803B (zh) 2008-11-24 2008-11-24 空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101476433A CN101417803B (zh) 2008-11-24 2008-11-24 空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101417803A CN101417803A (zh) 2009-04-29
CN101417803B true CN101417803B (zh) 2010-11-17

Family

ID=40628832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101476433A Active CN101417803B (zh) 2008-11-24 2008-11-24 空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101417803B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101717088B (zh) * 2009-11-25 2011-08-31 江苏中能硅业科技发展有限公司 一种高效的多晶硅生产方法
CN114349008B (zh) * 2022-03-18 2022-11-04 中国恩菲工程技术有限公司 用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5800792A (en) * 1994-11-29 1998-09-01 Teisan Kabushiki Kaisha Exhaust gas treatment unit and method
CN1876856A (zh) * 2005-06-06 2006-12-13 刘伟杰 一种金属提炼用立式还原罐和还原炉装置
CN201050940Y (zh) * 2007-05-31 2008-04-23 无锡中彩科技有限公司 高温还原炉的进、出气管装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5800792A (en) * 1994-11-29 1998-09-01 Teisan Kabushiki Kaisha Exhaust gas treatment unit and method
CN1876856A (zh) * 2005-06-06 2006-12-13 刘伟杰 一种金属提炼用立式还原罐和还原炉装置
CN201050940Y (zh) * 2007-05-31 2008-04-23 无锡中彩科技有限公司 高温还原炉的进、出气管装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2002-137996A 2002.05.14
戴照兵.多晶硅还原炉导热油循环冷却试验.稀有金属.1996,20(5),357-360. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101417803A (zh) 2009-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109425107A (zh) 一种高压运行的热风炉
CN103122398A (zh) 烟气自循环预热煤粉喷吹工艺及装置
CN101417803B (zh) 空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法
CN211170733U (zh) 一种用于高炉热风炉检修的负压装置
CN101382388A (zh) 中频感应烧结炉的快冷方法
CN104949534A (zh) 水泥窑头余热发电方法及系统
CN107228572A (zh) 一种可调控的全循环风烧结机冷却机余热发电系统
CN101381785B (zh) 高炉冷却壁破损后的控水方法
CN207797861U (zh) 一种热风换热器冷凝水过冷排放系统
CN201305656Y (zh) 多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置
CN105888845A (zh) 一种天然气差压冷能利用装置
CN103053991A (zh) 好氧微生物发酵系统压缩空气节能降温的方法及装置
CN207066151U (zh) 可调控的全循环风烧结机冷却机余热发电系统
CN103908848A (zh) 气体除尘净化方法及系统
CN109162672A (zh) 一种天然气井口压力能发电的节流系统
CN205090834U (zh) 多晶硅生产氢化炉尾气冷却装置
CN204532443U (zh) 机械密封构件的阻隔液的循环系统
CN201285212Y (zh) 低温烟气余热再利用装置
CN106755940A (zh) 一种全氢罩式退火炉余热回收综合利用方法及装置
CN209416034U (zh) 一种钟罩炉的炉压控制装置
CN207608627U (zh) 一种气相沉积炉的循环冷却装置
CN207245769U (zh) 一种基于给水泵汽轮机排汽的低压缸长叶片冷却系统
CN203878195U (zh) 推盘式铝合金固溶时效热处理用高压气淬室
CN206801621U (zh) 一种基于抽汽口的低压缸长叶片冷却系统
CN203177670U (zh) 烧结冷却机尾部低温烟气余热利用装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant