CN101389972B - 磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法 - Google Patents

磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101389972B
CN101389972B CN2007800062646A CN200780006264A CN101389972B CN 101389972 B CN101389972 B CN 101389972B CN 2007800062646 A CN2007800062646 A CN 2007800062646A CN 200780006264 A CN200780006264 A CN 200780006264A CN 101389972 B CN101389972 B CN 101389972B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor device
sensing element
powder
sensor
magnetosphere
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007800062646A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101389972A (zh
Inventor
阿恩·克莱默
莱恩哈德·布赫霍德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of CN101389972A publication Critical patent/CN101389972A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101389972B publication Critical patent/CN101389972B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)

Abstract

为了进一步改进包括：至少一块晶片(10)，特别是至少一块硅晶片；以及至少一个传感元件(30)，特别是至少一个各向异性磁致电阻传感元件和/或至少一个巨磁电阻(GMR)传感元件，比如至少一个多层巨磁电阻(GMR)传感元件；其中所述传感元件(30)安置于基板和/或晶片(10)的上方和/或下方的磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)，以及制造这样的磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)的相应方法，使得无需使用用于对传感元件(10)和/或磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)进行预置的外部或额外的偏磁场，提出将至少一个磁层(20t，20b)安置在基板或晶片(10)的上方(20t)和/或下方(20b)，并至少部分安置在传感元件(30)上方(20t)和/或下方(20b)，所述磁层(20t，20b)提供至少一个偏磁场。

Description

磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法
技术领域
本发明涉及磁致电阻传感器设备，所述磁致电阻传感器设备包括：
-至少一块基板或晶片，特别是，至少一个硅晶片，以及
-至少一个传感元件，特别是
--至少一个AMR(各向异性磁致电阻)传感元件和/或
--至少一个GMR(巨磁电阻)传感元件，比如至少一个多层GMR(巨磁电阻)传感元件，
所述传感元件安置于基板或晶片的上方和/或下方。
本发明还涉及用于测量所要测量的磁场的场强，特别是用于测量所要测量的磁场的时间梯度的，梯度计、磁力计或传感器。
本发明还涉及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法。
背景技术
磁致电阻传感器特别用于电磁场的测量。通常，利用所谓的barber极将各向异性磁致电阻传感器的特性进行线性化。在这种情况下，偏磁场必须使磁致电阻传感器稳定。另一方面，对于基于(多层)GMR(巨磁电阻)效应的传感器，偏磁场必须在线性范围内移动工作点。认识这点的最简单方法就是，将外部磁体放在磁致电阻层(通常位于封装内)的附近。
这种方法隐含着某些主要缺陷：对于磁致电阻转速传感器或者(在使用标准集成电路(IC)封装的情况下)当用户确定磁体尺寸并安装磁体时，存在使用专用封装的必要。
此外，存在诸如磁体在装配期间的错放或损坏等、众所周知的质量和产量问题。另外，不能将外部磁体的体积缩小至特定最小值以下。
换言之，各向异性磁致电阻(AMR)传感器和(多层)巨磁电阻(GMR)传感器需要额外的偏磁场对传感器进行预置。通常，用外部设备，如利用永磁体或利用场发生器)提供此偏磁场。
原则上，磁体薄层的制造已经成为一种已知技术(参见例如S.tumanski，Thin Film Magnetoresistive Sensors，第45至52页，Instituteof Physics Publishing，2001，Bristol，以及其中的参考文献)。
现有技术文档JP 04-15 26 88提出使用磁浆(magnetic paste)形成置于芯片安装引线框上的永磁体。
现有技术文档US 2004/0130323 A1公开了包括自由层(free layer)和栓层(pinned layer)的(自旋阀(spin valve))巨磁电阻(GMR)传感器的制造；偏磁场层在期望方向上得到磁化。
然而，现有技术文档US 2004/0130323 A1并未提及多层巨磁电阻(GMR)传感器，也未提及所使用的材料或磁层的实际制造；此外，现有技术文档US 2004/0130323 A1仅公开了用于在晶片级提供各种磁化方向的磁化过程中的、特殊的磁配置。
最后，关于本发明的背景技术，可进一步参考：
-现有技术文档US 6 118 624，其中，将附加硬磁层安置在磁致电阻元件的巨磁电阻(GMR)层之间，以提供偏磁场；然而，所述磁层不是丝网印刷在磁致电阻传感器上的，并且不能在已被装配于磁致电阻传感器上之后得到磁化；
-现有技术文档US 6 426 620 B1，公开了一种同电路一起合并在同一载体之上的巨磁电阻(GMR)传感器。
-现有技术文档WO 99/13519 A1，公开了一种用于磁致电阻设备的蚀刻凹槽中的永磁体材料；以及
-现有技术文档WO 02/099451 A2，提出在磁致电阻传感器的制造过程中提供并确定各种磁化方向。
发明内容
从上述缺点和缺陷出发，并根据所讨论的现有技术，本发明的目的在于，进一步改进：在以上背景技术中所说明的该类磁致电阻传感器设备；在以上背景技术中所说明的该类梯度计、磁力计或传感器；以及以上背景技术中所说明的该类方法，使得无需使用用于对传感元件和/或磁致电阻传感器设备进行预置的外部或额外的偏磁场。
可以通过包括权利要求1的特征在内的磁致电阻传感器设备，通过包括权利要求5的特征在内的梯度计、磁力计以及传感器，以及通过包括权利要求7的特征在内的方法，实现本发明的目的。在各独立权利要求中公开了本发明的优势实施例和有益改进。
本发明在原理上基于这一思想，即，将至少一“固有”偏磁体集成在磁致电阻传感器的至少一半导体封装或传感器封装中；更特别地，出于小型化目的，提出通过添加至少一个具有永磁场特性的附加或额外的硬磁层的方式，将偏磁场集成在磁致电阻传感器上；从而，无需使用用于对磁致电阻磁致电阻传感器进行预置的外部或额外的磁场。
理论上，偏磁体的集成可以用利用薄膜技术置于磁致电阻传感器上方或下方的至少一各向异性硬磁层予以实现。然而，采用这样的各向异性磁层，放置后将再也不能改变磁场的方向。因此，无法对磁偏移进行补偿。此外，通常不得不在放置后通过蚀刻处理构造这样的各向异性磁层。
由于上述原因，根据本发明的优势实施例，可以使用至少一种各向同性磁浆和/或可磁化浆，后者基于，比如：
-(各向异性)铁氧体粉末，如钡六方铁氧体粉末或锶六方铁氧体粉末，或
-任何其它(各向异性)硬磁粉末，如稀土金属化合物。
可以利用玻璃晶化等技术生产钡六方铁氧体或锶六方铁氧体的这样的粉末。各向异性粉末的随机混合提供了浆的(整体上的)各向同性行为。
有利地，为了获得丝网印刷浆，随后可以将铁氧体粉末混如适当的聚合物或玻璃焊剂。
根据本发明的特定发明方案，可以将可磁化浆丝网印刷到带有传感器的硅晶片上；在此上下文中，可以将可磁化浆印刷到传感器晶片的正面和/或背面上。本领域技术人员应理解的是，不必进一步对浆加以构造。
当浆退火之后，可以进一步加工磁致电阻传感器。具体而言，可以将磁致电阻传感器进行切块、成型以及磁化。有利地，由于能够在传感器平面内任意选择磁场方向，并且能够通过交变磁化改变磁场方向，因而能够对磁偏移进行补偿。封装后，可以在传感器平面内以任意方向将可磁化浆磁化。
同现有技术文档JP 04-15 26 88相比，可以将可磁化将直接印刷在传感器晶体的正面；因此，与现有技术文档JP 04-15 26 88中的磁膜相比，该磁膜到传感器的距离要近两个数量级以上。
和现有技术文档US 2004/0130323 A1有所不同，在US2004/0130323 A1中仅公开了对用于在晶片级提供各种磁化方向的(自旋阀)巨磁电阻(GMR)传感器进行磁化的过程中的磁配置，本发明公开了一种方法或过程，其中，能够分别以任一方向在现成产品上而不是在基板级也不在晶片级而是进行磁化。
一般而言，本发明可用于，在并未配备一个或多个的外部磁体或额外磁体的标准IC(集成电路)封装中，制造“现成的”梯度计和/或磁力计和/或传感器。
此外，可以将ASIC(专用集成电路)以及带有磁体的(MR)磁致电阻传感器集成在一个标准IC(集成电路)封装中。
最后，本发明涉及，对上述至少一梯度计、磁力计或传感器，使用上述至少一种磁致电阻传感器设备和/或上述方法，特别是
-用于至少一种通用梯度计、磁力计或传感器，后者基于
--AMR(各向异性磁致电阻)技术，特别是不含栓层，或
--巨磁电阻(GMR)技术，例如多层巨磁电阻(GMR)技术，特别是不含栓层，
-用于至少一线性位移传感器，和/或
-用于至少一转速传感器。
根据将传感器布置成与所要测量的测量场的场强位置上的、测量场的场线成预先确定的直线的原则，用于对所要测量的磁场(以下称测量场)的场强进行测量的这样的传感器能够受到磁力的影响。
附图说明
如以上已讨论过的，存在以有益方式实现并改进本发明教义的若干选择。为此，参考分别从属于权利要求1、权利要求5以及权利要求7的权利要求；以下以举例的方式参考三个优选实施例并参考附图，更加详细地对本发明的进一步的改进、特征以及优点加以阐释，附图中：
图1示意性地示出了带有两个磁致电阻传感元件的基板或晶片的一部分的第一实施例的剖面图，其中在传感元件的整个正面上印刷了可磁化浆；
图2示意性地示出了带有两个磁致电阻传感元件的基板或晶片的一部分的第二实施例的剖面图，其中在传感元件正面的各部分或局部上印刷了可磁化浆；以及
图3示意性地示出了带有两个磁致电阻传感元件的基板或晶片的一部分的第三实施例的剖面图，其中在传感元件的整个正面上印刷了可磁化浆，还在基板或晶片的背面上印刷了可磁化浆。
用相同的参考数字表示图1至图3中的相应部分。
具体实施方式
为避免不必要的重复，(除非另做声明)以下关于本发明的实施例、特征以及优势的说明涉及：
-依照本发明的磁致电阻传感器100的第一实施例(参见图1)以及
-依照本发明的磁致电阻传感器100’的第二实施例(参见图2)以及
-依照本发明的磁致电阻传感器100”的第三实施例(参见图3)，
实施例100，100’，200”均是根据本发明的方法制成的。
在图1、2、3中，利用各向同性硬磁层20t(参见图1，2，3)和/或20b(参见图3)实现偏磁场的集成，其中，能够利用薄膜技术或通过丝网印刷方法将各向同性硬磁层20t(参见图1，2，3)和/或20b(参见图3)置于基板或晶片10的
-上方(参见图1，2，3)或
-下方(参见图3)
其中传感元件30(例如AMR(各向异性磁致电阻传感元件)置于基板或晶片10上。
各向同性磁浆20t、20b的原料是诸如铁氧体或稀土金属化合物等可磁化粉末。然后，将该粉末混入适当的聚合物或玻璃焊剂，以获得丝网印刷浆20t、20b。将所述丝网印刷浆20t、20b丝网印刷在带有传感器30的基板晶片10上。
各向异性磁浆20t，20b可印刷在：
-晶片10的正面(→参考数字20t)，
--覆盖整个正面(参见依照图1的第一实施例和依照图3的第三实施例)或
--部分或局部覆盖(参见根据图2的第二实施例)传感元件30结构和/或
-覆盖在与传感元件30结构相对的，晶片10的背面(→参考数字20b)(参见依照图3的第三实施例)。
不必进一步对浆20t，20b加以构造。
当浆退火形成磁层20t，20b之后，可以进一步加工传感器100，100’，100”。具体而言，可以将传感器100，100’，100”进行切块、成型以及磁化。因为能够在传感器100，100’，100”的平面内任意选择由各向同性硬磁层20t，20b提供的偏磁场方向，并且能够通过交变磁化(remagnetization)改变所述偏磁场方向，因而可以对磁偏移进行补偿。
在此上下文中，仅仅
-在传感器晶片或基板10的正面上部分或局部印刷(参见根据图2的第二实施例)各向同性磁浆20t和/或
-在传感器晶片或基板10背面上部分或局部印刷各向同性磁浆20b
能够有利于支持改变偏磁场方向的过程和/或有利于支持交变磁化的过程。
本发明使得能够
-在标准IC(集成电路)封装中，制造现成的多功能梯度计、磁力计或传感器，
-将专用集成电路(ASIC)以及带有偏磁体的MR(磁致电阻)传感器集成在标准IC(集成电路)封装中，以及
-显著缩小现有的速度传感器封装的尺寸。
参考数字列表
100磁致电阻传感器设备，特别是，作为梯度计、磁力计或者传感器的一部分的磁致电阻传感器设备，和/或作为梯度计、作为磁力计或作为传感器予以实现的磁致电阻传感器设备(＝依照图1的第一实施例)
100’磁致电阻传感器设备，特别是，作为梯度计、磁力计或者传感器的一部分的磁致电阻传感器设备，和/或作为梯度计、作为磁力计或作为传感器予以实现的磁致电阻传感器设备(＝依照图2的第二实施例)
100”磁致电阻传感器设备，特别是，作为梯度计、磁力计或者传感器的一部分的磁致电阻传感器设备，和/或作为梯度计、作为磁力计或作为传感器予以实现的磁致电阻传感器设备(＝依照图3的第三实施例)
10基板或晶片，特别是硅晶片
20b位于基板或晶片10背面的各向同性硬磁层或磁浆(＝根据图3的第三实施例)
20t位于基板或晶片正面的各向同性硬磁层或磁浆
30传感元件，特别是AMR(各向异性磁致电阻)传感元件

Claims (24)

1.一种磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)，包括：
至少一块基板(10)，以及
至少一个传感元件(30)，分别选自由各向异性磁致电阻传感元件和巨磁电阻传感元件构成的组，所述传感元件(30)安置于基板(10)的上方；以及
磁层(20t)，提供至少一个偏置磁场并且被安置于基板(10)的上方；
其特征在于：
所述磁层与所述至少一个传感元件(30)直接接触并且至少部分覆盖所述至少一个传感元件(30)，所述磁层(20t)包含退火的各向异性磁浆和/或可磁化浆。
2.根据权利要求1所述的传感器设备，其中，所述基板是硅晶片。
3.根据权利要求1所述的传感器设备，其中，所述巨磁电阻传感元件是多层巨磁电阻传感元件。
4.根据权利要求2所述的传感器设备，其中，所述巨磁电阻传感元件是多层巨磁电阻传感元件。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器设备，还包括：另一磁层(20b)，位于所述基板(10)下方，使得所述基板(10)处于所述另一磁层和所述至少一个传感元件(30)之间，所述另一磁层包含退火的各向异性磁浆和/或可磁化浆。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器设备，其特征在于，所述磁层含有永磁场特性。
7.根据权利要求5所述的传感器设备，其特征在于，所述磁层含有永磁场特性。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器设备，其中，所述的浆基于可磁化粉末，所述可磁化粉末选自由铁氧体粉末和包含至少一种稀土化合物的粉末构成的组。
9.根据权利要求5所述的传感器设备，其中，所述的浆基于可磁化粉末，所述可磁化粉末选自由铁氧体粉末和包含至少一种稀土化合物的粉末构成的组。
10.根据权利要求6所述的传感器设备，其中，所述的浆基于可磁化粉末，所述可磁化粉末选自由铁氧体粉末和包含至少一种稀土化合物的粉末构成的组。
11.根据权利要求7所述的传感器设备，其中，所述的浆基于可磁化粉末，所述可磁化粉末选自由铁氧体粉末和包含至少一种稀土化合物的粉末构成的组。
12.根据权利要求2至4中任一项所述的传感器设备，其特征在于，至少部分和/或至少局部地将所述的浆丝网印刷在基板(10)上。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器设备，其中，所述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
14.根据权利要求5所述的传感器设备，其中，所述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
15.根据权利要求6所述的传感器设备，其中，所述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
16.根据权利要求7所述的传感器设备，其中，所述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
17.根据权利要求8所述的传感器设备，其中，所述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
18.根据权利要求9所述的传感器设备，其中，所述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
19.根据权利要求10所述的传感器设备，其中，所述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
20.根据权利要求11所述的传感器设备，其中，所述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
21.根据权利要求12所述的传感器设备，其中，所述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
22.一种制造根据权利要求1所述的磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)的方法，包括：
将至少一个磁层(20t)安置在基板(10)上方，所述磁层(20t)提供至少一个偏置磁场，其特征在于：
所述至少一个磁层(20t)与所述传感元件直接接触并且至少部分覆盖所述传感元件(30)，并且
所述磁层(20t)包括各向异性磁浆和/或可磁化浆，所述方法还包括：
对所述各向异性磁浆和/或可磁化浆进行退火。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括：
将可磁化粉末混入适当的聚合物或玻璃焊剂，以形成各向异性磁浆和/或可磁化浆，所述可磁化粉末选自由铁氧体粉末和稀土化合物粉末构成的组，所述浆是可丝网印刷的；以及
为了形成传感器设备(100；100’；100”)，对带有磁层(20t)的基板(10)进行进一步加工；
其中，将所述至少一个磁层(20t)安置在基板(10)上方的步骤包括：将所形成的浆丝网印刷在基板(10)上。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述进一步加工的步骤选自由切块、成型和磁化构成的组。
CN2007800062646A 2006-02-23 2007-02-13 磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法 Active CN101389972B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06110312 2006-02-23
EP06110312.3 2006-02-23
PCT/IB2007/050466 WO2007096806A2 (en) 2006-02-23 2007-02-13 Magnetoresistive sensor device and method of fabricating such magnetoresistive sensor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101389972A CN101389972A (zh) 2009-03-18
CN101389972B true CN101389972B (zh) 2012-07-04

Family

ID=38321998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800062646A Active CN101389972B (zh) 2006-02-23 2007-02-13 磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9304175B2 (zh)
EP (1) EP1989564B1 (zh)
JP (1) JP2009527758A (zh)
KR (1) KR20080098426A (zh)
CN (1) CN101389972B (zh)
AT (1) ATE483170T1 (zh)
DE (1) DE602007009492D1 (zh)
WO (1) WO2007096806A2 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8080993B2 (en) 2008-03-27 2011-12-20 Infineon Technologies Ag Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field
US20090315551A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-24 Jingshi Hu Linear magnetoresistance sensor
US8283921B2 (en) * 2008-11-26 2012-10-09 General Electric Company Magnetoresistance sensors for position and orientation determination
US8358128B2 (en) * 2008-11-28 2013-01-22 General Electric Company Surgical navigation system with magnetoresistance sensors
US8483800B2 (en) * 2008-11-29 2013-07-09 General Electric Company Surgical navigation enabled imaging table environment
KR101165237B1 (ko) * 2009-11-09 2012-07-16 중앙대학교 산학협력단 누설자속 측정에 의한 비파괴 탐상장치
FR2955942B1 (fr) * 2010-01-29 2013-01-04 Centre Nat Rech Scient Magnetometre integre et son procede de fabrication
CN202433514U (zh) * 2011-01-17 2012-09-12 江苏多维科技有限公司 独立封装的桥式磁场传感器
US9207292B2 (en) 2011-02-02 2015-12-08 Infineon Technologies Ag Magnetoresistive device and method for manufacturing the same
TW201327956A (zh) * 2011-12-28 2013-07-01 Ind Tech Res Inst 磁感應器
CN102565727B (zh) * 2012-02-20 2016-01-20 江苏多维科技有限公司 用于测量磁场的磁电阻传感器
CN102590768B (zh) 2012-03-14 2014-04-16 江苏多维科技有限公司 一种磁电阻磁场梯度传感器
CN104425708A (zh) * 2013-09-06 2015-03-18 上海矽睿科技有限公司 两轴磁传感装置的制备工艺
KR101890561B1 (ko) 2016-02-03 2018-08-22 고려대학교 세종산학협력단 스핀홀 현상을 이용한 자기장 측정 장치 및 방법
DE102022105706A1 (de) 2022-03-10 2023-09-14 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensor mit mechanisch geschütztem Permanentmagneten
DE102022208562A1 (de) 2022-08-18 2024-02-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren zum herstellen eines magnetfeldsensorchips mit einem integrierten back-bias magneten

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0905523A2 (de) * 1997-09-24 1999-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Sensoreinrichtung zur Richtungserfassung eines äusseren Magnetfeldes mittels eines magnetoresistiven Sensorelementes
CN1598609A (zh) * 2003-07-18 2005-03-23 雅马哈株式会社 磁传感器及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3408573A (en) * 1965-06-19 1968-10-29 Philips Corp Coil core manufactured from softmagnetic and permanent-magnetic materials
DE3429708C1 (de) * 1984-08-11 1986-01-02 MTU Motoren- und Turbinen-Union München GmbH, 8000 München Buerstendichtung
JPH04152688A (ja) 1990-10-17 1992-05-26 Fujitsu Ltd 磁気抵抗素子
JP3253556B2 (ja) * 1997-05-07 2002-02-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
GB9718915D0 (en) 1997-09-05 1997-11-12 Greenbrook Electrical Plc Magneto-resistor
JP3544141B2 (ja) * 1998-05-13 2004-07-21 三菱電機株式会社 磁気検出素子および磁気検出装置
JP2002151757A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気素子及びその製造方法
US6946834B2 (en) 2001-06-01 2005-09-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of orienting an axis of magnetization of a first magnetic element with respect to a second magnetic element, semimanufacture for obtaining a sensor, sensor for measuring a magnetic field
US6790378B2 (en) * 2001-10-05 2004-09-14 R. William Graham Coating composition having magnetic properties
JP3835447B2 (ja) * 2002-10-23 2006-10-18 ヤマハ株式会社 磁気センサ、同磁気センサの製造方法及び同製造方法に適したマグネットアレイ
US6872467B2 (en) * 2002-11-12 2005-03-29 Nve Corporation Magnetic field sensor with augmented magnetoresistive sensing layer
US7229746B2 (en) * 2003-04-02 2007-06-12 Delphi Technologies, Inc. Printed high strength permanent magnet targets for magnetic sensors

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0905523A2 (de) * 1997-09-24 1999-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Sensoreinrichtung zur Richtungserfassung eines äusseren Magnetfeldes mittels eines magnetoresistiven Sensorelementes
CN1598609A (zh) * 2003-07-18 2005-03-23 雅马哈株式会社 磁传感器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9304175B2 (en) 2016-04-05
KR20080098426A (ko) 2008-11-07
CN101389972A (zh) 2009-03-18
WO2007096806A3 (en) 2007-11-01
EP1989564B1 (en) 2010-09-29
WO2007096806A2 (en) 2007-08-30
EP1989564A2 (en) 2008-11-12
ATE483170T1 (de) 2010-10-15
US20090058413A1 (en) 2009-03-05
JP2009527758A (ja) 2009-07-30
DE602007009492D1 (de) 2010-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101389972B (zh) 磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法
US10162016B2 (en) Reduction of magnetic sensor component variation due to magnetic materials through the application of magnetic field
US9606144B2 (en) Probe card and method for testing magnetic sensors
US10107871B2 (en) Monolithic three-axis magnetic field sensor and its manufacturing method
CN104635183A (zh) 磁场量測方法以及电子罗盘装置
EP3045926B1 (en) Single-chip z-axis linear magnetoresistive sensor
EP2696209B1 (en) Single-chip push-pull bridge-type magnetic field sensor
US8129988B2 (en) Method and system for adjusting the sensitivity of a magnetoresistive sensor
JP6193212B2 (ja) シングルチップ２軸ブリッジ型磁界センサ
CN102292773B (zh) 三轴磁场传感器
US9279865B2 (en) Method and structure for testing and calibrating three axis magnetic field sensing devices
US8076930B2 (en) Thin film 3 axis fluxgate and the implementation method thereof
US9752877B2 (en) Electronic device having electronic compass with demagnetizing coil and annular flux concentrating yokes
CN102047134A (zh) 用于抑制巴克豪森噪声的改进的磁传感器设计
EP3399504B1 (en) Magnetic image sensor
DE102008042800A1 (de) Vorrichtung zur Messung von Richtung und/oder Stärke eines Magnetfeldes
CN103454599A (zh) 磁场传感器
CN112578323A (zh) 磁阻传感器及其制造方法
CN103744038A (zh) 近距离磁电阻成像传感器阵列
US11921134B2 (en) Semiconductor integrated fluxgate device shielded by discrete magnetic plate
Bever et al. Monolithically integrated GMR angle sensors for automotive applications with extended magnetic stability
Belyakov et al. Development of galvanic isolators on the basis of nanostructures from spin-valve magnetoresistive effect
KR20020057333A (ko) 자기저항형 진동센서 및 이를 이용한 진동 측정 방법
KR20140137699A (ko) 자기 센서

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant