CN101373734B - 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 - Google Patents
一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101373734B CN101373734B CN2007101206073A CN200710120607A CN101373734B CN 101373734 B CN101373734 B CN 101373734B CN 2007101206073 A CN2007101206073 A CN 2007101206073A CN 200710120607 A CN200710120607 A CN 200710120607A CN 101373734 B CN101373734 B CN 101373734B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- air bridge
- silicon dioxide
- electron beam
- etching
- bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 122
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 59
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 42
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 24
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 24
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 claims description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及空气桥制备技术领域，公开了一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，该方法包括：引进二氧化硅牺牲层；用电子束曝光结合电感耦合等离子体刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁；用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底；用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥。利用本发明，简化了电子束曝光环节的调校，提高了工艺的可重复性，具有电子束曝光环节调校简单，工艺重复性好等优点。
Description
技术领域
本发明涉及空气桥制备技术领域，尤其涉及一种以电子束曝光技术为核心制备纳米尺度镍金空气桥的方法。
背景技术
随着CMOS集成电路中器件尺寸的不断减小和集成密度的不断提高，电路中的布线策略已经成为了一个非常关键的问题。优良的布线策略可以提高电路的效率，减少线路上的功耗和延迟时间。相反，糟糕的布线策略将会降低电路的效率，增加整个电路的功耗。
优良的布线策略必须满足的一个标准就是要有足够的灵活性。空气桥作为一种能够连接两个或多个器件的悬空的结构，为实现这种灵活性提供了一种可选方案。目前，空气桥已经在介观输运，微机电系统(MEMS)，单片微波集成电路(MMIC)和纳米器件等领域都有着广泛的应用。
以往对纳米尺度空气桥的制备大都采用电子束曝光技术直接在电子束曝光胶上定义出纳米尺度的空气桥，并通过金属淀积和金属剥离完成空气桥图形的转移[T.Borzenko，V.Hock，D.Supp，C.Gould，G.Schmidt，L.W.Molenkamp，Microelect.Eng.78(2005)37]。这种方法的主要缺点是电子束曝光环节的调校复杂，空气桥几何形状的可重复性较差。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，以简化电子束曝光环节的调校，提高工艺的可重复性。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，该方法包括以下步骤：
引进二氧化硅牺牲层；
用电子束曝光结合电感耦合等离子体(ICP)刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；
再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁；
用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底；
用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥。
上述方案中，所述引进二氧化硅牺牲层的步骤包括：用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在晶向为(100)的Si衬底上淀积一层厚度为250nm的二氧化硅牺牲层。
上述方案中，所述刻蚀二氧化硅牺牲层，定义空气桥桥墩的步骤包括：在所述二氧化硅牺牲层上用甩胶机旋涂一层厚度为400nm的PMMA胶；接着用电子束曝光技术在所述PMMA胶上定义出用于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的方孔，使得PMMA胶下的二氧化硅裸露出来；然后以所述PMMA胶为掩膜，采用电感耦合等离子体技术刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩。
上述方案中，所述用电子束曝光技术定义方孔时，对方孔的曝光剂量设置为150μC/cm2，显影时用体积比为MIBK∶IPA＝1∶3的显影液显影30s，再用IPA定影30s；在刻蚀二氧化硅时，等离子体的启辉功率设置为1000W，射频功率设置为200W，刻蚀气体的组分为：C4F8∶He∶H2＝12sccm∶174sccm∶12sccm，刻蚀时间为1min。
上述方案中，所述定义空气桥桥墩与再次用电子束曝光的步骤之间进一步包括：用氧等离子体刻蚀技术清除刻蚀所述二氧化硅牺牲层时的残胶，再用甩胶机在二氧化硅层上依次甩上总厚度为400nm的双层胶PMMA-MAA和PMMA，作为图形转移的媒介。
上述方案中，所述再次用电子束曝光，定义空气桥桥梁的步骤包括：进行第二次电子束曝光，对用于定义桥墩的方孔将曝光剂量设置为150μC/cm2，而对用于定义桥梁的矩形长条曝光剂量设置为100μC/cm2，显影所用的显影液配比和第一次曝光相同，显影时间为30s，但与第一次曝光不同的是要在定影时对样品进行超声，总共的定影时间为30s，其中加超声的定影时间为5s，其余的定影时间为25s。
上述方案中，所述用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底的步骤包括：用金属电子束蒸发在样品上依次淀积50nm的Ni和200nm的Au，然后将淀积完Ni/Au的样品从蒸发炉中取出，浸入丙酮中进行金属剥离，将金属空气桥结构转移至衬底。
上述方案中，所述用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥的步骤包括：将完成金属剥离的样品小心地浸入体积比为HF∶NH4F∶H2O＝1∶2∶3的腐蚀液中，腐蚀60s，去除二氧化硅牺牲层，得到最终的镍金空气桥，其中，腐蚀液配制时所采用的NH4F溶液的摩尔浓度为40％。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的这种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，通过引进二氧化硅牺牲层，用电子束曝光结合电感耦合等离子体(ICP)刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩，再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁，用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底，用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥，大大简化了电子束曝光环节的调校，提高了工艺的可重复性，具有电子束曝光环节调校简单，工艺重复性好等优点。
附图说明
图1为本发明提供的制备纳米尺度镍金空气桥的方法流程图；
图2为本发明提供的在第一次电子束曝光前样品的结构示意图；
图3为本发明提供的在第一次电子束曝光和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀二氧化硅后样品的俯视图；
图4为本发明提供的在第一次电子束曝光和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀二氧化硅后样品的侧视图；
图5为本发明提供的在第二次电子束曝光的曝光版图设计；
图6为本发明提供的在第二次电子束曝光后样品的侧视图；
图7为本发明提供的用湿法腐蚀去除二氧化硅后样品的侧视图。
其中，
11：约400nm厚的PMMA胶；
12：约250nm厚的二氧化硅牺牲层；
13：衬底材料；
21：在二氧化硅牺牲层上刻蚀出的方孔，用来定义空气桥的桥墩；
22：用来做刻蚀掩模的PMMA残胶；
31：用来做刻蚀掩模的PMMA残胶；
32：约250nm厚的有图形的二氧化硅牺牲层；
33：衬底材料；
41：用于定义桥墩的曝光图形；
42：用于定义桥梁的曝光图形；
51：顶层PMMA胶；
52：底层PMMA-MAA胶；
53：约250nm厚的二氧化硅牺牲层；
54：衬底材料；
61：镍金空气桥的桥梁；
62：镍金空气桥的桥墩；
63：衬底材料。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，图1为本发明提供的制备纳米尺度镍金空气桥的方法流程图，该方法包括以下步骤：
步骤101：引进二氧化硅牺牲层；
步骤102：用电子束曝光结合电感耦合等离子体(ICP)刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；
步骤103：再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁；
步骤104：用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底；
步骤105：用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥。
上述步骤101包括：用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在晶向为(100)的Si衬底上淀积一层厚度约为250nm的二氧化硅牺牲层。
上述步骤102包括：在所述二氧化硅牺牲层上用甩胶机旋涂一层厚度为400nm的PMMA胶；接着用电子束曝光技术在所述PMMA胶上定义出用于电感耦合等离子体ICP刻蚀的方孔，使得PMMA胶下的二氧化硅裸露出来；然后以所述PMMA胶为掩膜，采用电感耦合等离子体技术刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩。
上述用电子束曝光技术定义方孔时，对方孔的曝光剂量设置为150μC/cm2，显影时用体积比为MIBK∶IPA＝1∶3的显影液显影30s，再用IPA定影30s；在刻蚀二氧化硅时，等离子体的启辉功率设置为1000W，射频功率设置为200W，刻蚀气体的组分为：C4F8∶He∶H2＝12sccm∶174sccm∶12sccm，刻蚀时间为1min。
上述步骤102与步骤103之间进一步包括：用氧等离子体刻蚀技术清除刻蚀所述二氧化硅牺牲层时的残胶，再用甩胶机在二氧化硅层上依次甩上总厚度为400nm的双层胶PMMA-MAA和PMMA，作为图形转移的媒介。
上述步骤103包括：进行第二次电子束曝光，对用于定义桥墩的方孔将曝光剂量设置为150μC/cm2，而对用于定义桥梁的矩形长条曝光剂量设置为100μC/cm2，显影所用的显影液配比和第一次曝光相同，显影时间为30s，但与第一次曝光不同的是要在定影时对样品进行超声，总共的定影时间为30s，其中加超声的定影时间为5s，其余的定影时间为25s。
上述步骤104包括：用金属电子束蒸发在样品上依次淀积50nm的Ni和200nm的Au，然后将淀积完Ni/Au的样品从蒸发炉中取出，浸入丙酮中进行金属剥离，将金属空气桥结构转移至衬底。
上述步骤105包括：将完成金属剥离的样品小心地浸入体积比为HF∶NH4F∶H2O＝1∶2∶3的腐蚀液中，腐蚀60s，去除二氧化硅牺牲层，得到最终的镍金空气桥，其中，腐蚀液配制时所采用的NH4F溶液的摩尔浓度为40％。
基于图1所述的制备纳米尺度镍金空气桥的方法流程图，以下结合具体的实施例对本发明制备纳米尺度镍金空气桥的方法进一步详细说明。
实施例
如图2所示，首先用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在衬底材料(13)上淀积一层厚度约250nm的二氧化硅牺牲层(12)。其中，衬底材料(13)为晶向为100的Si衬底。再在其上用甩胶机旋涂一层厚度约400nm的PMMA胶(11)。
如图3所示，用电子束曝光技术在PMMA胶(22)上定义出用于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的方孔(21)，使得PMMA胶(22)下的二氧化硅(12)裸露出来。刻蚀二氧化硅(12)时，等离子体的启辉功率设置为1000W，射频功率设置为200W，刻蚀气体的组分为：C4F8∶He∶H2＝12sccm∶174sccm∶12sccm，刻蚀时间为1min。
如图4所示为第一次电子束曝光和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀二氧化硅(12)后样品的侧视图。接着用氧等离子体(O2 Plasma)刻蚀清除刻蚀二氧化硅(12)后的残胶(31)，再用甩胶机在有图形的二氧化硅层(32)上依次甩上PMMA-MAA胶和PMMA胶，总厚度约为400nm。其中PMMA-MAA胶的灵敏度较高，PMMA胶的灵敏度较低，因此曝光后胶的剖面将会形成所谓的倒台(undercut)结构，这种结构的形成将有利于后续金属剥离工艺的进行。
接着进行第二次电子束曝光，如图5所示，对用于定义桥墩的方孔(41)，将曝光剂量设置为150μC/cm2，而用于定义桥梁的矩形长条(42)曝光剂量设置为100μC/cm2，显影所用的显影液配比和第一次曝光相同，显影时间为30s，但与第一次曝光不同的是要在定影时对样品进行超声。总共的定影时间为30s，加超声的定影时间为5s，其余的定影时间为25s。加超声的主要目的是为了清除显影后在硅衬底(13)上留下的残胶，使得淀积在其上的Ni/Au在硅衬底(13)上附着得更加牢固。如图6所示为第二次电子束曝光后样品的侧视图。
接着用金属电子束蒸发在样品上依次淀积50nm的Ni，200nm的Au。将淀积完Ni/Au的样品从蒸发炉中取出，浸入丙酮中进行金属剥离。
最后用配比为：HF∶NH4F(40％)∶H2O＝1∶2∶3(体积比)的腐蚀液，腐蚀时间为60s，去除二氧化硅牺牲层(12)，便在衬底材料(1 3)上得到了最终的宽度为200纳米左右的镍金空气桥结构(61)(62)，如图7所示。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
引进二氧化硅牺牲层；
用电子束曝光结合电感耦合等离子体ICP刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；
再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁；
用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底；
用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥。
2.根据权利要求1所述的纳米尺度镍金空气桥的制备方法，其特征在于，所述引进二氧化硅牺牲层的步骤包括：
用等离子体增强化学气相淀积PECVD方法在晶向为100的Si衬底上淀积一层厚度为250nm的二氧化硅牺牲层。
3.根据权利要求1所述的纳米尺度镍金空气桥的制备方法，其特征在于，所述刻蚀二氧化硅牺牲层，定义空气桥桥墩的步骤包括：
在所述二氧化硅牺牲层上用甩胶机旋涂一层厚度为400nm的PMMA胶；接着用电子束曝光技术在所述PMMA胶上定义出用于电感耦合等离子体ICP刻蚀的方孔，使得PMMA胶下的二氧化硅裸露出来；
然后以所述PMMA胶为掩膜，采用电感耦合等离子体技术刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩。
4.根据权利要求3所述的纳米尺度镍金空气桥的制备方法，其特征在于，所述用电子束曝光技术定义方孔时，对方孔的曝光剂量设置为150μC/cm2，显影时用体积比为MIBK∶IPA＝1∶3的显影液显影30s，再用IPA定影30s；
在刻蚀二氧化硅时，等离子体的启辉功率设置为1000W，射频功率设置为200W，刻蚀气体的组分为：C4F8∶He∶H2＝12sccm∶174sccm∶12sccm，刻蚀时间为1min。
5.根据权利要求1所述的纳米尺度镍金空气桥的制备方法，其特征在于，所述定义空气桥桥墩与再次用电子束曝光的步骤之间进一步包括：
用氧等离子体刻蚀技术清除刻蚀所述二氧化硅牺牲层时的残胶，再用甩胶机在二氧化硅层上依次甩上总厚度为400nm的双层胶PMMA-MAA和PMMA，作为图形转移的媒介。
6.根据权利要求1所述的纳米尺度镍金空气桥的制备方法，其特征在于，所述再次用电子束曝光，定义空气桥桥梁的步骤包括：
进行第二次电子束曝光，对用于定义桥墩的方孔将曝光剂量设置为150μC/cm2，而对用于定义桥梁的矩形长条曝光剂量设置为100μC/cm2，显影所用的显影液配比和第一次曝光相同，显影时间为30s，但与第一次曝光不同的是要在定影时对样品进行超声，总共的定影时间为30s，其中加超声的定影时间为5s，其余的定影时间为25s。
7.根据权利要求1所述的纳米尺度镍金空气桥的制备方法，其特征在于，所述用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底的步骤包括：
用金属电子束蒸发在样品上依次淀积50nm的Ni和200nm的Au，然后将淀积完Ni和Au的样品从蒸发炉中取出，浸入丙酮中进行金属剥离，将金属空气桥结构转移至衬底。
8.根据权利要求1所述的纳米尺度镍金空气桥的制备方法，其特征在于，所述用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥的步骤包括：
将完成金属剥离的样品小心地浸入体积比为HF∶NH4F∶H2O＝1∶2∶3的腐蚀液中，腐蚀60s，去除二氧化硅牺牲层，得到最终的镍金空气桥，其中，腐蚀液配制时所采用的NH4F溶液的摩尔浓度为40％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007101206073A CN101373734B (zh) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007101206073A CN101373734B (zh) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101373734A CN101373734A (zh) | 2009-02-25 |
| CN101373734B true CN101373734B (zh) | 2011-03-16 |
Family
ID=40447807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007101206073A Expired - Fee Related CN101373734B (zh) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101373734B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102001622B (zh) * | 2010-11-08 | 2013-03-20 | 中国科学技术大学 | 空气桥式纳米器件的制备方法 |
| CN102915957B (zh) * | 2012-09-17 | 2014-08-06 | 北京大学 | 一种制作空气桥及电感的方法 |
| CN110277376B (zh) * | 2019-05-07 | 2020-12-11 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种空气桥集成电感及其制作方法 |
| CN110323128A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-11 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 一种空气桥的制作方法以及空气桥 |
| CN113707601A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-11-26 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1167340A (zh) * | 1996-06-04 | 1997-12-10 | 哈里公司 | 集成电路空气桥结构及其制造方法 |
| CN1466189A (zh) * | 2002-07-05 | 2004-01-07 | 中国科学院微电子中心 | 在衬底上制备空气桥的方法 |
-
2007
- 2007-08-22 CN CN2007101206073A patent/CN101373734B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1167340A (zh) * | 1996-06-04 | 1997-12-10 | 哈里公司 | 集成电路空气桥结构及其制造方法 |
| CN1466189A (zh) * | 2002-07-05 | 2004-01-07 | 中国科学院微电子中心 | 在衬底上制备空气桥的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| CN 1466189 A,全文. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101373734A (zh) | 2009-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5249196B2 (ja) | 基板上への金属、金属酸化物および／または半導体材料のパターンの形成方法 | |
| CN103943513B (zh) | 一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法 | |
| CN101373734B (zh) | 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 | |
| US20120107562A1 (en) | Methods for graphene-assisted fabrication of micro-and nanoscale structures and devices featuring the same | |
| US20050079650A1 (en) | Device including an amorphous carbon layer for improved adhesion of organic layers and method of fabrication | |
| TW201324586A (zh) | 大面積薄型單晶矽之製作技術 | |
| JP2004513515A (ja) | ホトレジストの改良形接着用アモルファス炭素層 | |
| CN109795975A (zh) | 一种金属微/纳米线阵列及其制备方法 | |
| CN113421825B (zh) | 一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法 | |
| Vazquez-Mena et al. | Reliable and improved nanoscale stencil lithography by membrane stabilization, blurring, and clogging corrections | |
| Hallam et al. | Large area suspended graphene for nano‐mechanical devices | |
| CN108528078B (zh) | 纳米结构转印方法及利用堆栈方法制备多层纳米结构的方法 | |
| Du et al. | Fabrication of hierarchical nanostructures using free-standing trilayer membrane | |
| CN101845618B (zh) | 一种x射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法 | |
| KR100918850B1 (ko) | 나노 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한나노 패턴 형성 방법 | |
| KR20120059269A (ko) | ＺｎＯ 템플릿을 이용한 ＴｉＯ2 어레이 형성 방법 | |
| CN109799676A (zh) | 柔性光刻胶软模板及其制备方法 | |
| CN103303860B (zh) | 一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法 | |
| KR100815081B1 (ko) | 스탬퍼 이형처리 방법 | |
| ITVA20090049A1 (it) | Trattamento superficiale di un substrato organico o inorganico per migliorare la stabilità di uno strato metallico depositato e definito litograficamente | |
| US11156914B2 (en) | Damascene template for nanoelement printing fabricated without chemomechanical planarization | |
| KR101029995B1 (ko) | 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법 및 그에 의한 전도성 집적 나노선 | |
| US20140178598A1 (en) | Method for forming graphene pattern | |
| KR20080023487A (ko) | 전사 인쇄를 이용한 금속 패터닝 방법 | |
| KR101081717B1 (ko) | 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법, 이를 이용한 나노선 형성 방법 및 그 방법으로 형성된 나노선을 이용한 나노선 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110316 Termination date: 20110822 |