CN101328606B - 多晶硅铸锭炉同步提升装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多晶硅铸锭炉同步提升装置，属机械提升装置，用于多晶硅生长铸锭炉中，包括分别固定设置在炉体(1)顶盖上的三个提升座(15)及设置有垂直直线导轨(11)的垂直提升基架(3)，在垂直直线导轨(11)上均分别活动设置有滑块(16)及L形提升角件(8)，L形提升角件(8)的下端与提升杆(13)连接在一起，在炉外驱动装置通过炉内处设置有密封圈(9)和波纹管(10)；其中的一个垂直提升基架(3)上设置有伺服电机(4)、减速机(5)和齿轮转向器(6)，伺服电机(4)带动三个提升座(15)上的提升装置同步提升炉内的坩埚。本发明整体结构简单，运行稳定，移动精度高，尤其适用密闭容器的内胆的同步移动。

Description

多晶硅铸锭炉同步提升装置
技术领域
本发明是多晶硅铸锭炉的内胆机械提升装置，该装置安装在铸锭炉顶部，用于在多晶硅凝固过程中的对内胆的升降控制，以实现对硅液凝固速度的控制。
背景技术
多晶硅铸锭炉属密闭环境下的工作设备，在一定的工作环境下炉中的硅液凝固生长出多晶硅，而多晶硅的生长工艺需要硅液有快速的温差变化使硅液凝固，目前，在硅液的凝固过程中，主要采用的方法是让装有熔化硅液的坩埚离开加热区或在坩埚底部保温块内通冷却水，使坩埚内的硅液散热形成温度差，使硅液凝固。通冷却水的凝固方法，存在密封变得复杂而且存在较大的不安全因素；而让装有熔化硅液的坩埚离开加热区的方式由于多晶硅铸锭炉密闭使得移动装置结构复杂，造价高，维护不方便，特别是炉外的驱动设备与炉内的坩埚的连接机构需通过炉体，通过处的密封处理是现有技术的难题。
发明内容
本发明提供一种多晶硅铸锭炉的同步提升装置，解决了现有设备结构复杂，造价高，维护不方便，特别是炉外的驱动设备与炉内的坩埚的连接机构需通过炉体，通过处的密封处理是现有技术的难题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是
多晶硅铸锭炉同步提升装置，包括分别固定设置在炉体1顶盖上的三个提升座15，在每个提升座15上分别固定设置有垂直提升基架3，所述的每个垂直提升基架3上均分别设置有垂直直线导轨11，在每个垂直直线导轨11上均分别活动设置有滑块16，在滑块16上均固定设置有L形提升角件8，每个L形提升角件8的下端与提升杆13的一端固定连接，提升杆13依次穿过垂直提升基架3上设置的孔、提升座15上设置的孔以及炉体1上设置的孔后与炉体1内的框架2连接在一起，在L形提升角件8的下端的提升杆的四周固定设置有提升上密封圈9，该提升上密封圈9的上端与L形提升角件8的下端固定连接在一起，该提升上密封圈9的下端与一波纹管10的上端固定连接在一起，波纹管10的下端固定连接在所述的提升座15上；在所述的其中的一个垂直提升基架3上设置有伺服电机4，该伺服电机4通过减速机5与齿轮转向器6连接在一起，该齿轮转向器6的垂直输出轴通过连轴器7与滑块16连接在一起，该齿轮转向器6的水平输出轴通过软轴12分别与安装在另外两个提升座15上的垂直提升基架3的滑块连接在一起。
所述的炉体1顶盖上的三个提升座15在炉盖上呈等边三角形排列，该三个提升座15分别位于所述的等边三角形的三个顶点上。
所述的波纹管10是不锈钢波纹管。
该发明运动部件少，且运动部件的密封经波纹管后将运动密封转为静止密封，整体结构简单，运行稳定，移动精度高，控制性能好，对硅锭的凝固有良好的控制效果。
附图说明
图1本发明的结构示意图；
图2本发明的驱动部件的结构示意图
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行说明：
多晶硅铸锭炉同步提升装置，包括分别固定设置在炉体1顶盖上的三个提升座15，在每个提升座15上分别固定设置有垂直提升基架3，所述的每个垂直提升基架3上均分别设置有垂直直线导轨11，在每个垂直直线导轨11上均分别活动设置有滑块16，在滑块16上均固定设置有L形提升角件8，每个L形提升角件8的下端与提升杆13的一端固定连接，提升杆13依次穿过垂直提升基架3上设置的孔、提升座15上设置的孔以及炉体1上设置的孔后与炉体1内的框架2连接在一起，在L形提升角件8的下端的提升杆的四周固定设置有提升上密封圈9，该提升上密封圈9的上端与L形提升角件8的下端固定连接在一起，该提升上密封圈9的下端与一波纹管10的上端固定连接在一起，波纹管10的下端固定连接在所述的提升座15上，当滑块16带动提升杆13以及框架2向上运动时，波纹管10起到很好的密封炉体的作用；在所述的其中的一个垂直提升基架3上设置有伺服电机4，该伺服电机4通过减速机5与齿轮转向器6连接在一起，该齿轮转向器6的垂直输出轴通过连轴器7与滑块16连接在一起，该齿轮转向器6的水平输出轴通过软轴12分别与安装在另外两个提升座15上的垂直提升基架3的滑块连接在一起，使三个分别设置在炉体1顶盖上的三个提升座15上的提升装置同步向上运动，达到同步提升炉内框架2及其上的坩埚的效果。
所述的炉体1顶盖上的三个提升座15在炉盖上可呈等边三角形排列，该三个提升座15分别位于所述的等边三角形的三个顶点上。
所述的波纹管10最好是不锈钢波纹管。

Claims (3)

1.一种多晶硅铸锭炉同步提升装置，包括分别固定设置在炉体(1)顶盖上的三个提升座(15)，在每个提升座(15)上分别固定设置有垂直提升基架(3)，其特征在于，所述的每个垂直提升基架(3)上均分别设置有垂直直线导轨(11)，在每个垂直直线导轨(11)上均分别活动设置有滑块(16)，在滑块(16)上均固定设置有L形提升角件(8)，每个L形提升角件(8)的下端与提升杆(13)的一端固定连接，提升杆(13)依次穿过垂直提升基架(3)上设置的孔、提升座(15)上设置的孔以及炉体(1)上设置的孔后与炉体(1)内的框架(2)连接在一起，在L形提升角件(8)的下端的提升杆的四周固定设置有提升上密封圈(9)，该提升上密封圈(9)的上端与L形提升角件(8)的下端固定连接在一起，该提升上密封圈(9)的下端与一波纹管(10)的上端固定连接在一起，波纹管(10)的下端固定连接在所述的提升座(15)上；在所述的其中的一个垂直提升基架(3)上设置有伺服电机(4)，该伺服电机(4)通过减速机(5)与齿轮转向器(6)连接在一起，该齿轮转向器(6)的垂直输出轴通过连轴器(7)与滑块(16)连接在一起，该齿轮转向器(6)的水平输出轴通过软轴(12)分别与安装在另外两个提升座(15)上的垂直提升基架(3)的滑块连接在一起。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭炉同步提升装置，其特征在于，所述的炉体(1)顶盖上的三个提升座(15)在炉盖上呈等边三角形排列，该三个提升座(15)分别位于所述的等边三角形的三个顶点上。
3.根据权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭炉同步提升装置，其特征在于，所述的波纹管(10)是不锈钢波纹管。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101949059B (zh) * 2010-08-23 2012-04-18 清华大学 光伏多晶硅铸锭炉炉底多轴同步提升装置
CN101949055A (zh) * 2010-08-23 2011-01-19 清华大学 光伏多晶硅铸锭炉保温罩多轴同步提升装置
CN101962799A (zh) * 2010-08-23 2011-02-02 清华大学 光伏多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置
CN104532347A (zh) * 2014-12-24 2015-04-22 上海汉虹精密机械有限公司 石英晶锭炉加料升降机构
CN109881245A (zh) * 2019-03-20 2019-06-14 浙江晶盛机电股份有限公司 一种单晶炉加热器提升装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5961944A (en) * 1996-10-14 1999-10-05 Kawasaki Steel Corporation Process and apparatus for manufacturing polycrystalline silicon, and process for manufacturing silicon wafer for solar cell
US6136091A (en) * 1997-06-23 2000-10-24 Sharp Kabushiki Kaisha Process and apparatus for producing polycrystalline semiconductor ingot
CN201236220Y (zh) * 2008-08-01 2009-05-13 中国电子科技集团公司第二研究所 多晶硅铸锭炉同步提升装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5961944A (en) * 1996-10-14 1999-10-05 Kawasaki Steel Corporation Process and apparatus for manufacturing polycrystalline silicon, and process for manufacturing silicon wafer for solar cell
US6136091A (en) * 1997-06-23 2000-10-24 Sharp Kabushiki Kaisha Process and apparatus for producing polycrystalline semiconductor ingot
CN201236220Y (zh) * 2008-08-01 2009-05-13 中国电子科技集团公司第二研究所 多晶硅铸锭炉同步提升装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈国红等.多晶硅铸锭炉加热室的设计.《电子工业专用设备》.2007,(第7期),36-39. *

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