CN101288113A - 板内切换显示设备 - Google Patents

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Abstract

为利用带电微粒在像素区域之中的移动的显示设备提供了驱动方法,其中每个像素具有第一和第二驱动电极(20,23;22)和像素电极(26)。该方法包括:重置阶段,用于将每个像素中的微粒朝向第一驱动电极(20,23)移动;像素数据加载阶段,用于使所选微粒停留在第一驱动电极(20,23)附近或者使其朝向像素电极(26)移动;以及驱动阶段,用于使已朝向像素电极移动的微粒分布在像素电极上。寻址逐线进行但是可使寻址很短,并且对于所有像素而言可并行地执行其他阶段,这节省了时间。

Description

板内切换显示设备
本发明涉及显示设备,尤其是板内切换电泳显示设备。
电泳显示设备是利用微粒在电场内的移动以提供选择性光散射或光吸收功能的双稳态显示技术的一个示例。
在一个示例中,白色微粒悬浮在吸收性液体中,并且电场可用于将微粒带到设备的表面。在该位置中,它们可执行光散射功能,因此显示器呈现白色。远离顶面移动使得能够看见如黑色这样的液体颜色。在另一示例中,存在悬浮在透明液体中的两种微粒,例如黑色带负电荷微粒和白色带正电荷微粒。存在许多不同的可能配置。
已认识到,作为电泳显示设备双稳态的结果(保持图像而不用施加电压),它们能允许低电耗,并且它们可使得能够形成很薄的显示设备,这是因为不需要背光或起偏振器。它们还可以由塑料材料形成,并且还在制造这种显示器的过程中存在低成本的卷绕式处理(roll-to-roll)的可能性。
例如,已提议了将电泳显示设备并入到智能卡之中,这利用了塑料衬底薄且固有可弯曲的特性以及低功耗。
如果要尽可能低地保持成本,那么采用无源寻址方案。显示设备的最简单配置是分段反射式显示器,并且存在这类显示器是足够的许多应用。分段反射式电泳显示器低功耗、高亮度并且在操作中还是双稳态的,并且因此即使当断开显示器时也能够显示信息。
然而,利用矩阵寻址方案提供了改善的性能和多用性。利用无源矩阵寻址的电泳显示器典型地包括下部电极层、显示介质层、以及上部电极层。有选择地将偏压施加到上部和/或下部电极层中的电极上,以控制与所偏置的电极相关的部分显示介质(多部分)的状态。
图1示出了用于在顶列电极10与底行电极12之间生成垂直电场的已知无源矩阵显示器布局。电极通常位于两个分离的衬底上。
无源矩阵电泳显示器包括排列成行和列、且夹在顶部与底部电极层之间的电泳单元的阵列。列电极10是透明的。
例如,在2002年的the Proceeding of 9th International DisplayWorkhop(IDW′02)第1337-1340页,R.C.Liang等的文章中已公开了图1的设计。
交叉偏置是无源矩阵显示设计中的问题。交叉偏置是指施加到与不在扫描行(正用显示数据更新的行)中的显示单元相关的电极上的偏压。例如,为了改变典型显示器的扫描行中的单元的状态,可以将偏压施加到顶部电极层中用于要改变的那些单元的列电极上或者使单元保持其初始状态。这种列电极与它们列中的所有显示单元相关,所述所有显示单元包括不位于扫描行中的许多单元。
另一种电泳显示设备使用所谓的″板内切换″。这种设备使用微粒在显示材料层中有选择的横向移动。当微粒朝着侧电极移动时,在微粒之间出现了开口,通过该开口可看得见基面。当微粒随机散布时,它们阻挡了光通向基面的通道并且可看得见微粒颜色。当微粒随机散开时,它们阻挡了光通向基面的通路并且可看得见微粒颜色。微粒可以是有颜色的并且基面可以是黑色或白色,或者相反微粒可以是黑色或白色,并且基面是有颜色的。
板内切换的优点在于该设备适用于透射操作或者透反射操作。尤其是,微粒的移动为光创建了通路,因此可通过材料实现反射和透射操作二者。这些显示器还可提供明亮的全色操作。
板内电极可以都位于一个衬底上,或者相反两个衬底都可具有电极。必须避免该结构之内不必要的交叉是设计限制,其已经影响了这类显示设备之内的像素设计。
在最简单的实现中,每个像素与两个电极相关,但是还存在利用每个像素三个电极的设计,这三个电极即就是像素电极、行(选择)电极以及列(数据)电极。在US 6639580中公开了这种三个电极像素设计的示例。这还公开了使用不同高度以向微粒移动提供物理壁垒。
无源矩阵板内切换排列的问题是低响应速度。这起因于这样的事实,即利用无源矩阵、每次仅可对一行进行寻址,以及微粒必须游历(travel)大的板内距离(与使用微粒在与衬底相垂直的方向移动的电泳显示器的较小的自顶向下距离相比)。对于具有许多行和列像素的大显示器而言,图像更新时间可延长到数小时。
本发明具体地说涉及一种板内无源矩阵切换显示设备,并且目的在于提供一种可降低更新图像所需的时间的像素设计和驱动方法。
根据本发明,提供了一种显示设备的驱动方法,该显示设备包括布置在公共衬底之上的像素的行和列的阵列,其中每个像素至少包括第一驱动电极、第二驱动电极、以及像素电极,并且其中通过在施加到第一和第二驱动电极以及像素电极上的控制信号的影响下对带电微粒在像素区域内的移动进行控制来改变每个像素的显示特性,其中该方法包括:
在重置阶段中,将控制信号施加到所有像素上以便每个像素中的微粒朝向第一驱动电极移动;
在像素数据加载阶段中,依次将控制信号施加到像素行或列上,以便选择每个像素中的微粒以使其停留在第一驱动电极附近或者使其朝着像素电极移动;
在驱动阶段中,将控制信号施加到所有像素上以使已朝向像素电极移动的微粒分布在像素电极上。
该驱动方案具有三个阶段,但是仅这些中的一个需要逐线寻址,而可并行地对所有像素执行其他阶段。通过最小化逐线阶段所需的时间,可降低整个寻址时间。
在像素数据加载阶段中,可以选择每个像素中的微粒以使其停留在第一驱动电极附近或者使其朝向像素电极移动,并且在驱动阶段中,可提高使位于像素电极附近的微粒的分布均匀性。按照这种方式,可实现微粒到像素电极的高速转移,并且仅在最终阶段中获得了微粒在像素电极上的期望分布。
在另一示例中,每个像素还包括临时存储电极,其中第一和第二驱动电极位于一侧上并且像素电极位于相对侧上,并且在像素数据加载阶段中,可以选择每个像素中的微粒以使其停留在第一驱动电极附近或者使其移动到距像素电极更近的临时存储电极。在驱动阶段中,此后使位于临时存储电极附近的像素移动到像素电极。
该排列使用逐线寻址以有选择地使微粒移动到临时存储电极。这可以是短距离的,因此可最小化所需时间。在驱动阶段中,微粒可与像素电极相平行地移动。
在驱动阶段中,可将信号施加到第二驱动电极上以基本防止微粒从临时存储电极到第一驱动电极的移动。
当没有使用临时存储电极时,在驱动阶段中,可将信号施加到第二驱动电极上,这基本上可防止微粒从第一驱动电极到像素电极的移动。
因此不同驱动方案可使微粒移动到期望位置,并且利用起壁垒作用的电势而保持在那里。
在所有示例中,像素数据加载阶段可包括用于实现微粒的部分移动的多个子阶段以提供灰度操作。
本发明还提供了一种显示设备,该显示设备包括布置在公共衬底之上的像素的行和列的阵列,其中每个像素包括:
第一驱动电极;
临时存储电极;以及
像素电极,
其中临时存储电极在一个方向上与第一驱动电极相面对并且在另一方向上与像素电极相面对,并且
其中通过在施加到第一驱动电极、像素电极、以及临时存储电极上的控制信号的影响下对带电微粒在像素区域之内的移动进行控制来改变每个像素的显示特性,其中在最终驱动阶段中允许微粒移动到像素电极之前,该临时存储电极可进行操作来在寻址阶段期间使微粒保持在其附近。
如上所概要的,临时存储电极的使用可使逐线寻址阶段变短。临时存储电极有效地在第一驱动电极与像素电极之间并且用作从第一驱动电极至像素电极的微粒路径中的中间存储位置。
每个像素还可包括第二驱动电极,其中第一和第二驱动电极位于临时存储电极的一侧上并且像素电极位于临时存储电极的相对侧上,并且第一和第二驱动电极与数据和选择电极相关。经常地,选择电极与像素行相关并且数据电极与像素列相关。这个配置用在以下本发明的实施例中。还可使第一和第二驱动电极分别与列和行相关,或者使第一电极成为公共电极,并且与作为数据电极的临时存储电极相连。
因此,第二驱动电极可用作从第一驱动电极至临时存储电极的微粒通路的壁垒。
每个像素还可包括显示介质,而该显示介质包括带电微粒,并且这样选择电极和显示介质以便带电微粒仅响应于电极之间超过了阈值电压的电压差而移动。
这避免了对第二驱动电极的需要,这是因为阈值布置可用于在给定状况下防止微粒移动。
该显示介质可以夹在第一驱动电极与临时存储电极之间。
该设备可包括电泳无源矩阵显示设备。
现在参考附图对本发明的示例进行详细描述,在附图中:
图1示出了已知的无源矩阵显示布局;
图2示出了该申请人所提议的、且可利用本发明的方法进行控制的板内切换像素布局;
图3至8用于顺序地示出如何根据本发明的方法来如何控制图2的像素布局;
图9示出了用于本发明的第二操作方法的本发明的像素布局;
图10用于阐述图9的像素布局的操作;
图11用于阐述图9的像素布局的替代操作方法;
图12示出了该申请人所提议的不同类型的像素设计;
图13示出了对根据本发明的图12的布局的修改,并且用于说明根据本发明的对像素进行操作的方法;以及
图14示出了对按照相似方式进行操作的图13的布局的修改。
在不同附图中使用相同参考以表示相同层或部件,并且不重复描述。
图2示出了该申请人所提议的、且可根据本发明的方法进行操作的像素布局的第一示例。
在图2中,第一列电极20与公共储存(reservoir)电极22相连。列电极20包括突起(spurs)23。第二列电极(数据电极)24与像素电极26相连,并且栅/选择电极28在行方向上运行。
因此每个电极包括三个电极。像素电极用于将微粒移动到像素的可见部分中,并且为此像素电极26占据了大部分像素区域。每个像素区域在图2中被示为区域30,并且可使不同像素区域物理上彼此相分离。储存电极20、22、23用于将微粒横向移动到像素的隐藏部分。栅电极28用于在除了所选线之外的所有线中防止微粒从像素的储存部份移动到可见部分中,并因此使得能够进行像素的逐行操作。
如下所述的那样,栅电极28进行操作以中断在储存电极与像素电极之间的电场,以便像素电极上的驱动电压仅导致其中电场未被中断的选定行的微粒发生移动。
作为无源寻址方案的结果,需要栅电极28,并且必须向选定行而不是非选定行提供不同的条件。
在两个衬底的任何一个上无需任何交叉结构即可创建图2的像素布局。这提高了该结构的可制造性,尤其是如果该设备是按照卷绕式制造方法制造的话更是如此。
第一衬底包括储存器、数据、以及像素电极20,23,24,26,并且相对衬底具有栅电极28。像素电极26全部都是由数据驱动器分别驱动地。选择性地,可以建立像素墙来围绕每个像素以使像素彼此隔离,并且使衬底之间的间隔充满电泳液体。
本发明的第一方面提供了用于图2的像素布局的驱动方案,并且参考图3至8对其进行说明。
图3至8示出了施加到图2的像素设计中的三个电极上的电压,并且示出了带电微粒如何移动。为了进行阐述,左列的像素要被″写入″,这意味着微粒要移动到像素电极,而要″不写入″右列的像素,这意味着微粒要停留在电极23附近的储存器中。
为了进行阐述,假定微粒具有负电荷,并且公共储存器电极具有用于正常寻址的参考电压0V。
图3的第一步骤执行全局重置阶段。这可以通过在储存器电极23上提供如所示高压(+V)同时使其他电极处于0V而实现。
此后将所有栅电极设置为负电压(-V),并且使储存器电极返回参考电压(在该示例中为0V)。这可防止微粒从储存器23移动到像素电极并且设立微粒移动到储存器之外的壁垒。
为了执行对像素的逐线寻址,将所选线的栅电极28的电压设置为例如0V这样的更小负电压。图4示出了对顶行的寻址,并且图5示出了对底行的寻址。从图4中可看出,当选择了线时,具有正电压的那些像素电极使微粒移动到像素中,同时具有0V像素电极电压的那些像素不被填充。因此,将要写入的像素的数据线(与像素电极26相连)具有正电压(V)。
从图4中还可看出,非选定行的栅电极28防止微粒的任何移动,甚至对于具有正写入电压的数据列而是如此。换句话说,图4的左底部像素仍未被写入,这是因为未选择该行,并且栅电极28起防止微粒远离电极23移动的壁垒的作用。
在像素填充完成之后,栅电极回到负电压,并且如果需要的话,选择其随后的线并且填充下一线的像素。这如图5所示。
然而此时,当先前线的栅电极28返回到其未选电压-V时出现了问题。该电压会引起移动到像素中的微粒进一步朝着像素边缘位移。因而,像素使其颜色局部变松。施加非选电压(-V)越长,将会出现不期望的微粒运动越多,并且其结果是,之前很久就被寻址的像素甚至具有更多变化的颜色-这会导致像素颜色的横向变化。这些效果是极其不希望的。
该效果如图5所示,其中所寻址的左上部像素中的微粒已经成串远离顶部栅电极(-V)而朝向下部储存器电极(0V)。
图6示出了在已经对下一行进行寻址之后出现了相同效果。
不可能在这个简单像素布局之内防止这个不期望的运动,但是本发明提供了对驱动方案的修改以可使微粒均匀地分布。
如图7所示,将″后脉冲″添加到显示驱动方案中,并且这仅涉及将新电压施加到所有像素电极上一次。
在已对显示器中的所有像素进行寻址之后施加该后脉冲,同时将所有栅电极的电压设置为非选电压(-V)并且使其保持于该值足够长以足以让所有像素中的所有微粒积聚在最远离栅电极的像素电极的边缘处。这是图6所示的状况。
此时,将所有像素电极带到比非选电压(<-V)更低的电压,这会使微粒返过来朝向栅电极移动,这如图7所示。
在固定的时段(对于所有像素都一样)之后,微粒均匀地填充像素,在该点处除去所有电极电压并且图像保持可见(由于微粒的双稳定性)。图8示出了该稳定的最终状态。
因此寻址方法包括:
重置阶段,其中将控制信号施加到所有像素上以便每个像素中的微粒朝向储存器电极23(这些被认为是第一驱动电极)移动;
像素数据加载(即寻址)阶段,其中依次将控制信号施加到像素行上,以便将每个像素中的微粒选择为以使其停留在第一驱动电极(存储器电极23)附近或者使其移动到像素电极26;
驱动阶段,其中将控制信号施加到所有像素上,以使已移动到像素电极的微粒更均匀地分布在像素电极上。该驱动阶段是通过″后脉冲″来实现。
已经结合简单像素布局对该方法了进行描述。利用更复杂的像素布局可获得改善的性能,并且本发明的第二方面使用图9所示的改进的像素设计。该改进的像素设计形成了本发明的一方面。
如图9所示,每个像素具有四个电极。这些中的两个用于按照行选择线电极40和写入列电极42的形式唯一地标识每个像素。另外,存在临时存储电极44和像素电极46。
在该设计中,像素再次被设计成提供使微粒在控制电极40,42的附近与像素电极46之间移动,但是提供了用作临时存储存储器的中间电极44。这允许降低在逐线寻址期间的转移距离,并且可并行地执行从临时电极44至像素电极46的较大转移距离。图9再次将像素区域30示为30。
图10用于对利用本发明方法的第二版本来对图9的像素布局的操作进行说明。然而,该方法再次包括如上所说明的重置、寻址、以及驱动这三个步骤。
图10示出了施加到每个像素的四个电极上的电压。列数据电极42可以被认为是第一驱动电极,行选择电极40可以被认为是第二驱动电极,并且临时存储电极44在位于一侧的第一和第二驱动电极与位于相对侧上的像素46之间。
图10假定使用正微粒。
临时存储电极44在寻址阶段期间处于固定电压(在该示例中为-10V),并且因而在寻址期间不必利用控制电压来驱动。然而,它用于如下所说明的最终驱动阶段。类似地,像素电极46可保持固定在0V(对于该方案的所有阶段而言)。
重置阶段如上所述进行,并且将所有微粒带到即就是列数据电极42的、以第一驱动电极形式的存储器。这可以是通过将数据电极带到低电压(在该示例中为-100V)、且低于选择线电压,以便所有像素都迁移到数据电极42而实现的,这如顶图所示。图像48示出了在重置阶段中的微粒分布。
对于图像50,52,54,56(每一个如下讨论)中的行而言,左列表示对要写入的像素的影响并且右列给出了对不写入的像素的影响。
图像50中的行表示选定行并且给出了在像素选定行中的微粒分布。对像素行的选择是通过50V的选择电极电压40来反映的,然而非选电压是150V。
如果要写入像素,那么列数据线42上的电压是100V,并且如果不写入像素,那么列数据线上的电压是0V。
如所示,对于要写入的像素而言,微粒移动到具有最低电压的临时存储电极44,并且不存在对从电极42至临时存储电极的移动的势垒。对于不写入的像素而言,列数据线电压保持0V,并且50V的选择线电压用作对从电极42至临时存储电极44的移动的壁垒。
图像52的行表示已冲销(written off)的其他行,并且再次给出了已经通过寻址阶段到达且被驱动为断开的那些像素行上的微粒分布。150V的高行选择线电压再次用作防止微粒移动到储存器之外的壁垒。
类似地,(虽然未示出)仍未被寻址的像素行不受到对先前行的寻址的影响,并且微粒保持在储存器中。
图像54中的行表示已写入的其他行,并且再次给出了已通过寻址阶段到达且被驱动为接通状态的那些行中的微粒分布。它给出了对其他行的随后寻址不会干扰已被驱动为写入条件的其他行(具有微粒在临时存储电极44上)。临时电极处于最低电压,并且一旦微粒已移动到临时电极,它们则保持在那里。
″寻址″时段可更快地进行,这是因为游历的距离减小了并且由于增大的电场(这也是在给定相同施加电压下电极距离较短的结果)而使微粒速度提高了。
在″寻址″时段中已经选择了所有线之后,最终结果是像素中的微粒或者位于第一驱动电极上,也就是说位于列数据电极42(未写入像素)上或者位于临时存储电极44(写入像素)上。因此,寻址使所写入的像素朝向像素电极移动,但是仅仅远到临时存储电极。
此后,在最终驱动阶段56(底部图像集)中,仅仅已经位于临时存储电极上的微粒将进一步移动到像素电极。该最终驱动阶段示出了写入(左列)或非写入情况(右列)这两者之一的微粒分布。
临时存储电极上的电势用于这个驱动阶段并且升高到+100V,以便微粒移动到0V像素电极。150V的选择线电极40再次用作壁垒以防止储存器电极42(其现在在任何情况下处于0V)处的微粒的移动。
附加的临时存储电极不会显著增大驱动器电子设备的成本,这是因为该电极对于所有像素是公共的。因此,需要与驱动电子设备的单个附加连接。
电极可全部处于相同物理高度,因为当需要时电势提供了对微粒移动的适当壁垒。
在图10中的驱动阶段之后,在该电极上保持该电压(如所示),并且由于所施加的电势而使所有微粒将保持固定。写入的微粒将保持在像素电极上,并且未写入的像素在第一驱动电极(列数据电极)上。第二驱动电极(行选择电极)和临时存储电极形成了电壁垒以使微粒固定在其位置处。这是假定微粒具有高度扩散特性(例如微粒具有小于100nm的半径)的状况。通常,有可能的是像素电极上分布不是很好均匀的(如参考图6所讨论的问题)。在该情况下,驱动阶段包括附加后脉冲(如图7所示)以建立均匀微粒分布。
或者,可将寻址阶段布置成在线选择时间期间移动到第三(临时存储)电极44之后、微粒在剩余寻址时间期间被进一步移动到第四(像素)电极46。这如图11中所示。此后,驱动阶段可用于使微粒均匀地分布在第三和第四电极这两者上(由于更大的可切换区域而使对比度和亮度更好)。
图像48、50、52、以及54中的行与图10相对应。这些条件的差别仅在于像素电极处于-20V而不是0V。这暗示着对于已写入的行而言,微粒已开始移动到如图像54中的行所示的像素电极。因此,在寻址时间期间微粒不保持在临时存储电极44上。
如图像60中的行所示,在寻址阶段结束时,微粒已移动到像素电极。
如上所概述的,如图像62所示的驱动阶段使微粒在临时存储电极44和像素电极46二者上散布以提高对比度和亮度。选择四个电极上的电压以提供所需的均匀分布,并且如所示,将临时存储电极带到比像素电极稍低的电压,并且通过选择线电极40所创建的壁垒也降低了。
还可实现灰度。例如对于4(=2比特)灰度级而言,驱动方案可以包含4个时段:一个″重置″时段、两个″寻址″时段(一个具有2/3的转移时间并且另一个具有1/3)、以及一个驱动时段。
将两个寻址时段中的线时间设置为短于微粒的转移时间。这意味着不是所有微粒都转移到临时存储电极,而是仅仅与转移时间的部分大致成比例的部分转移到临时存储电极。在第一寻址时段期间将具有66%和100%期望输出设置的像素驱动为″写入″模式,并且在第二寻址时段期间将具有33%和100%的期望输出设置的像素驱动为″写入″模式。
像素可被第二次写入,这是因为在第二寻址阶段中(未在图10或图11中示出),在第一寻址时段期间已写入到临时存储电极的微粒不会受到第二″写入″或″不写入″寻址阶段的干扰。
通常,还可以通过在单个寻址时段期间改变各个像素的写入电压的持续时间或者振幅来写入灰度,也就是说通过改变电极42上的电压振幅或持续时间来写入灰度。
在驱动阶段中,将临时存储电极上的微粒转移到像素电极。对于不同像素而言,微粒的数量不同(取决于它们是在第一还是第二地址时段期间还是这两者期间写入)。此后像素电极上的不同量的微粒会导致不同光学外观(例如通过吸收或散射)。
因此寻址方法包括:
重置阶段,其中将控制信号施加到所有像素上,以便每个像素中的微粒朝向储存器电极42(这些被再次认为是第一驱动电极并且是列数据电极)移动;
像素数据加载(即寻址)阶段,其中依次将控制信号施加到像素行上,以便将每个像素中的微粒选择为使其停留在第一驱动电极42附近或者使其朝向像素电极46移动,但是仅仅远到临时存储电极44;
驱动阶段,其中将控制信号施加到所有像素上,以使已移动到临时存储电极的微粒移动到像素电极。
在本发明的第三方面中,无需利用栅电极而是通过利用电泳液体的电光响应中的阈值(非线性)即可执行无源矩阵寻址。
已提议了利用对电泳显示器的所谓阈值寻址,并且可使驱动方案和/或硬件简化。在US 6 693 620中可找到阈值寻址方案的示例。如在该文档中所详细描述的,通过适当地选择电泳微粒的材料和/或它们悬浮其中的介质可获得阈值电压响应。
图12中给出了该申请人所提议的、使用阈值的无源矩阵驱动方案的示例。为了简单地与上述附图区分开来,该阈值被示意性地示为不同的电极设计。
在该示例中,假定实现了40V的阈值,在此阈值之下,液体中的微粒根本不会经历电场。微粒被显示为带正电荷。
在所提议的驱动方案中,使用″重置″阶段,其中在显示器的所有像素中同时在即就是列数据电极的第一驱动电极70上收集微粒。
此后在″寻址″时段中,对于期望″写入″的像素,逐线地将微粒转移到像素电极72。通过在与像素电极相连的线上使其电压从0V降至-30V可出现对线的选择。通过在列数据电极70上使其电压从0V增大至+30V可出现写入列。仅在处于被选线与被写入的列的交叉点的那些像素中,微粒因为这两个电极之间的电压差此后超过了40V阈值而发生转移。在所有其他像素中,微粒保持未受干扰,这是因为电势不足以超过阈值。
如参考用于对本发明的第三方面进行说明的图13所说明的那样,还可利用本发明的教导来修改所提议的像素排列和驱动方案。对像素设计的修改再次引入了附加电极,并且对驱动方案的修改引入了附加驱动阶段。
如图13所示,在第一驱动电极70与像素电极72之间添加了附加公共电极74,并且该附加公共电极74用作临时存储电极(这被认为是第二驱动电极,以便像素排列包括第一和第二驱动电极和像素电极)。
该″重置″阶段按照与上述相同的方式进行,其中微粒被偏置到列数据电极52。然而,这分两个步骤进行。第一步骤是通过在三个电极52,56,54上分别置-30V、-30V、+30V而将所有微粒(先前在像素电极54或者临时存储电极56上)收集到临时存储电极56上。第二步骤是通过向三个电极52,56,54分别置-30V、+30V、+30V而将所有微粒收集到第一数据电极52上。
″寻址″时段还按照与上述说明相同的方式进行。像素电极72保持0V并且在寻址时段期间的驱动过程中不被涉及。通过与驱动电子设备(由所有像素共享)的单个连接可实现该电极。
图13示出了与图10中的那些相似的标图,并且实际上临时存储电极的使用是类似的,但是该阈值配置避免了对图9和10的栅电极的需要。
在驱动阶段中,同时对于所有像素而言,第一驱动电极70(列数据电极)上的微粒保持在那里,同时在临时存储电极74上收集的微粒转移到像素电极。在该区域中像素电极是所有三个电极当中最大的。这确保了用于定义可对强度进行实际调制的显示器的有效区域的孔径比是最大的。还可确保速度增益也是最大的,因为此后在驱动阶段时段中覆盖了板内距离的最大部分。
在″寻址″时段期间,期望的是微粒的扩散尽可能地小。尤其是,使微粒从临时存储电极74扩散回到第一电极70所花费的时间应当大于″寻址″时段的总时间。这从图13可清楚地得知,图13给出了一旦已经写入了行,那么每次将列设置为0V的非写入电压时,被施加了相同电压的第一电极和临时存储电极彼此相邻。实现该扩散壁垒的一个方式是通过利用每个微粒具有高电荷的微粒。
尤其是,使微粒电学上地转移所花费的时间与微粒的移动性成反比。使微粒扩散回来所花费的时间与微粒的扩散常数成反比。因此两个时标之间的比率等于移动性与扩散常数之间的比率。后者比率与微粒大小无关,而是仅取决于微粒的电荷(爱因斯坦定律)。
在驱动阶段之后,通过保持施加到电极上的电压(如上所述)可保持微粒处于它们的位置上。例如可以将第一驱动电极和像素电极上的电压设置为0V,而同时临时存储电极利用超过+40V阈值的电压而提供了壁垒。
或者,对于″寻址″和″驱动″之后这两者都有益的益处在于,电泳液体是双稳态的。此后,可以从电极上除去掉所有电压并且在写入图像之后的功耗将为零。
寻址时段将更快,因为微粒在该时段必须游历的距离降低了。如果在自顶向下的方向上发生了寻址,那么可实现最大的速度增益。图14给出了使用该方法的本发明的第四方面。
该驱动方法与参考图13所说明的驱动方法相对应。然而,该像素布置有作为第一驱动电极和列数据线的顶部电极80、作为临时存储电极的底部电极82、以及作为像素电极的较大底部电极84。
如上所说明的那样,分两个步骤进行″重置″时段,首先在临时存储电极82上汇集,此后在第一驱动电极80上。临时存储电极再次有效地在其他两个电极之间,因为临时存储电极在一个方向(向上)上与第一驱动电极相对,并且在另一方向(侧向)上与像素电极相对。
″寻址″时段也如上所说明的那样进行。再次,不涉及像素电极。寻址速度的增益显著地增大了,这是因为游历每条线的距离等于像素容积的高度,其在实际示例中与500微米横向像素大小相比,该像素容积的高度可小至4-10微米。
在驱动阶段中,仅在临时存储电极82上的微粒应当转移到像素电极。然而,在这种情况下,临时存储电极无法用作第一驱动电极80与像素电极84之间的有效电壁垒,因为它不再直接在第一驱动电极80与像素电极84之间。
代之以,实现该壁垒的一个优选方法是通过在像素容积的上侧上插入结构化(机械)壁垒86,该结构状壁垒86可防止汇集在第一电极80上的微粒在板内转移。包括电壁垒在内的其他壁垒类型是可能的。例如永久电壁垒可以由附加电极所创建。
上面的第三和第四方面通常适用于电光响应表现为非线性(或者甚至更好为阈值)的电泳显示器。对于本领域普通技术人员来说,显而易见的是存在不同的方式以实现阈值。
在这个方面中可极其显著地降低图像更新时间,例如降低至数百秒的量级。在所有方面中,对于微粒而言有利的是示出了双稳定性。
电泳显示器系统可以形成其中可显示例如信息符号、公共运输信号、广告海报、价格标签、广告牌等等形式的信息的各种应用的基础。另外,可以在诸如具有变化图案或颜色的壁纸之类的、需要改变非信息外观的情况下,尤其是如果表面需要类似于纸张的外观的情况下使用。
没有对像素的物理设计进行详细地描述,因为这为普通技术人员所熟知。
在上面的示例中,电极全部在相同衬底上。然而,不同电极可在不同衬底上。例如,在像素数据加载阶段中,可将移动到临时存储电极的微粒布置为以使其与显示面的平面相垂直地移动,并且在驱动阶段中,可使移动到像素电极的像素与显示面的平面相平行地移动。这可使逐线寻址尽可能短地进行,因为移动的距离受限于电光材料层的厚度。
因此,应该在上下文中理解术语″面对″。尤其是,术语″面对″表示电极并排排列,以便一个电极在侧向方向上与另一个相面对,或者它可表示与衬底平面相垂直的顶部-底部排列,以便一个电极在向上/向下方向上与另一个相面对。因此在一个方向上与第一驱动电极相面对、并且在另一方向上与像素电极相面对的临时存储电极可提供三个电极的线或者可提供″L″配置。
从上述可以得知,存在可使用的、带正电荷和带负电荷的多种微粒。所给出的电压仅仅是在特定示例中所使用的特定微粒的示例,并且许多变化当然也是可能的。
对于本领域普通技术人员来说可显而易见地得知各种其他修改。
最后,上述讨论不仅仅是对本发明进行说明并且不应将其看作是将随后权利要求限定为任何特定实施例或实施例组。所使用的每个系统还可结合进一步的系统一起使用。因此,虽然已经参考其特定示意性实施例是对本发明进行了特定描述,但是还应该理解的是,在不脱离随后权利要求所阐述的本发明的较宽及意指的精神和范围的情况下,可对其做出多种修改和改变。因此认为说明书和附图是说明性方式并且不对随后权利要求的范围做出限制。
在对随后权利要求进行解释的过程中,应该明白的是:
a)词″包括″不排除存在除了给定权利要求所列出的那些之外的其他元件或者作用;
b)元件之前的词″一″或者″一个″不排除存在多个这种元件;
c)权利要求中的任何参考数字仅仅是为了说明目的并不对其保护范围做出限制;
d)若干″装置″可以由相同项或者硬件或软件实现的结构或功能来表示;以及
e)每个公开的元件可以由硬件部份(例如分离的电子线路)、软件部份(例如计算机编程)、或者其任何组合组成。

Claims (11)

1、一种显示设备的驱动方法,该显示设备包括布置在公共衬底之上的像素的行和列的阵列,其中每个像素至少包括第一驱动电极(20,23)、第二驱动电极(22)、以及像素电极(26),并且其中通过在施加到第一和第二驱动电极(20,23;22)以及像素电极(26)上的控制信号的影响下、对带电微粒在像素区域之内的移动进行控制来改变每个像素的显示特性,其中该方法包括:
在重置阶段中,将控制信号施加到所有像素上以便每个像素中的微粒朝向第一驱动电极(20,23)移动;
在像素数据加载阶段中,依次将控制信号施加到像素行或列上,以便将每个像素中的微粒选择为使其停留在第一驱动电极(20,23)附近或者使其朝向像素电极(26)移动;
在驱动阶段中,将控制信号施加到所有像素上以使已朝向像素电极移动的微粒分布在像素电极上。
2、如权利要求1所述的方法,其中在像素数据加载阶段中,将每个像素中的微粒选择为使其停留在第一驱动电极(20,23)附近或者使其移动到像素电极(26),并且其中在驱动阶段中提高了位于像素电极(26)附近的微粒的分布均匀性。
3、如权利要求1所述的方法,其中每个像素还包括临时存储电极(44),其中第一和第二驱动电极(42,40)位于一侧上并且像素电极(46)位于相对侧上,并且其中在像素数据加载阶段中,将每个像素中的微粒选择为使其停留在第一驱动电极(42)附近或者使其移动到距像素电极(46)更近的临时存储电极(44),并且其中在驱动阶段中,将位于临时存储电极(44)附近的像素移动到像素电极。
4、如权利要求1所述的方法,其中在驱动阶段中,将信号施加到第二驱动电极(40)上,以基本上防止微粒从临时存储电极(44)到第一驱动电极(42)的移动。
5、如权利要求1所述的方法,其中在驱动阶段中,将信号施加到第二驱动电极(40)上,其基本上防止了微粒从第一驱动电极(42)到像素电极(46)的移动。
6、如先前任何权利要求所述的方法,其中像素数据加载阶段包括用于实现微粒的部分移动以提供灰度操作的多个子阶段。
7、如先前任何权利要求所述的方法,其中像素数据加载阶段包括用于实现微粒的部分移动以提供灰度操作的振幅或持续时间可变的数据信号。
8、一种显示设备,该显示设备包括布置在公共衬底之上的像素的行和列的阵列,其中每个像素包括:
第一驱动电极(42);
临时存储电极(44);以及
像素电极(46),
其中临时存储电极(44)在一个方向上与第一驱动电极(42)相面对并且在另一方向上与像素电极(46)相面对,并且
其中通过在施加到第一驱动电极(42)、像素电极(46)、以及临时存储电极(44)上的控制信号的影响下,对带电微粒在像素区域之内的移动进行控制来改变每个像素的显示特性,其中在最终驱动阶段中允许微粒移动到像素电极(46)之前,该临时存储电极(44)可进行操作以在寻址阶段期间使微粒保持在其附近。
9、如权利要求8所述的设备,其中每个像素还包括第二驱动电极(40),其中第一和第二驱动电极(42,40)位于临时存储电极(44)的一侧上并且像素电极(46)位于临时存储电极(44)的相对侧上。
10、如权利要求8所述的显示设备,其中每个像素还包括显示介质,且该显示介质包括带电微粒,并且其中这样选择电极和显示介质以便带电微粒仅响应于电极之间、超过了阈值电压的电压差而进行移动。
11、如权利要求7至10任何一个所述的设备,包括电泳无源矩阵显示设备。
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