CN101273526B - 具有放大器输出级和过电流检测装置的电子器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了具有放大器输出级(OS)和用于检测该输出级(OS)的输出过电流(IHS，ILS)的过电流检测装置(OCDM)的电子器件。该过电流检测装置(OCDM)包括用于检测超出第一输出电流水平(IDET)的输出电流(IO)的水平检测装置(LDM)和用于检测所述输出电流(IO)超出作为最大电流水平的第一电流水平(IDET)的持续时间的定时检测装置(TDM)。
Description
技术领域
本发明涉及具有放大器输出级和用于检测该输出级的输出过电流的过电流检测装置的电子器件。本发明进一步涉及用于检测电子器件的放大器输出级的过电流的方法。
背景技术
在绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)技术中的功率晶体管对传送晶片(handler wafer)的热阻显著地大于在体效应技术中的功率晶体管。因此，对于在放大器的输出器件中同样数量的耗散功率，SOI工艺的器件更容易遭受自加热。由于例如在所述放大器输出端短路导致的过度的自加热会损害该输出器件。增加该输出器件的物理尺寸可以减少热阻，但是通常最大输出电流和由此带来的功率耗散会同步增加。
平均起来，对于标称信号，输出器件上跨接的电压将会是供电电压一半左右的某个值。此外，对于电容性负载，信号电流在时间上在两个输出器件之间被分流。该最大值并非全时被达到。因此，在任意给定输出器件中，信号功率通常会大大低于短路时的最大功率，在短路时最大电流和电压被施加到其中一个输出器件上。
普通的用于检测给定器件是否处于过热状态的方法仅涉及监视它的温度。对某种技术(例如SOI)这种方法还包括在所述输出器件中增加温度传感器件。该器件外的传感器是无用的，因为绝缘氧化物阻止热量传播到所述温度传感器上。为了避免发生在所述输出器件一侧的高电压，该传感器必须被并入到高压MOS或双极晶体管的另一侧。因此，热量必须从耗散区传播到该传感器，耗散区通常靠近漏极或集电极，传感器则位于其中某一侧。特别在高压SOI技术中，这个过程需要一个相当长的时间，因为热量必须穿过一层非常薄的硅。结果，所述的检测过热的方法太慢且不足以保护器件。
另一种检测过热的方法是监视电流和电压以通过计算它们的乘积得到耗散功率的等价值。根据最坏情况下的管芯温度(dietemperature)，功率和热阻抗可被用于计算所述输出器件是否可能太热。在放大器中检测输出电压是个复杂的任务，因为输出电压可能高于可施加于晶体管栅极或基极的电压。该方法要求电路使用高压器件来经受住高压，这进而也消耗了许多芯片面积。
一种用于检测可能过热的较简单的方法是仅测量电流。根据这种方法，可能在最坏情况信号条件下发生的最大电流将被确定，任何超出该水平的电流被评估为故障状况。输出器件的尺寸必须被设计以使得它们能在最坏条件周围温度条件下经受住这一电流，进而在最坏情况信号条件下经受住过热。
这个概念可通过在该电流测量单元上增加一种低通滤波器来改良，该低通滤波器的时间常数与输出器件的热时间常数相匹配。通过这种方法，预测的输出器件的温度的准确性提高了。因此，该电流检测机制不会响应瞬间峰值电流水平而触发，而是响应平均值。
美国专利No.6,014,059公开了一种具有过电流检测机制的功率放大器。该放大器包括用于放大输入信号以提供放大后的输出信号的晶体管，和用于控制在输入端接收到的输入信号的模块。该模块生成控制信号，该控制信号基本上跟随在选定温度范围内的晶体管的温度。该用于控制该输入信号的模块控制该输入信号，以使得该控制信号免于超出通过平均水平检测器预设定的水平。该平均水平检测器的时间常数可以等于器件的“热时间常数”。
发明内容
本发明的目的是提供具有输出级和改进的过电流检测电路的电子器件，以及用于改进过电流检测的方法。
该目的是通过根据权利要求1的电子器件和根据权利要求8的方法实现的。
因此，向电子器件提供放大器输出级和用于检测该输出级的输出过电流的过电流检测装置。该过电流检测装置包括水平检测装置，用于检测超出第一输出电流水平的输出电流水平，和定时检测装置，用于检测输出电流超出第一电流水平的持续时间，其中第一电流水平是最大电流水平。因此，输出电流在幅度方面受到控制，即，控制该幅度是否超出第一水平，和各个幅度超出预定的第一水平的持续时间。现有技术解决方案通过使用均值低通滤波器得到该输出电流的平均值，以实现对应输出器件的热时间常数的时间常数，而本发明在过电流持续无法接受的时间长度时，检测超出预定水平的过电流和故障状况。
根据本发明的一个方面，输出级包括高侧输出器件和低侧输出器件。根据这种配置，过电流检测装置包括电流差检测装置，用于检测流经低侧输出器件的低侧输出电流和流经高侧输出器件的高侧输出电流之间的差，其中过电流检测装置通过该电流差检测装置检测该电流差是否超出预定的第一电流水平。因此，该电流差检测装置允许检测高侧和低侧输出器件的过电流的差。已知的过电流控制机制只检测输出端电流的混合总量，而不区分高侧和低侧电流。然而，对于许多应用来说，放大器输出级的高侧和低侧输出电流在正常操作中几乎相等。因此，该电流差检测装置通过测量关于高侧和低侧电流之差的故障状况建立了附加的安全措施。
根据本发明的另一个方面，过电流检测装置包括第一比较装置，以确定低侧输出电流和高侧输出电流的差是否超出预定的正的第一电流水平，和第二比较装置，以确定低侧输出电流和高侧输出电流的差是否超出预定的负的第二电流水平。因此，流经该输出级的高侧和低侧器件的这两个过电流被独立地，例如通过两个不同的比较器而被检测。
在本发明另一优选实施例中，第一和第二比较装置被操作性地耦合到定时检测装置上，且该定时检测装置包括一个单独的定时器。该定时器被操作性地耦合到的第一和第二比较装置上，例如耦合到两个比较器上，以建立过电流定时控制。通常地，此时过电流仅在该输出级的输出器件之一中发生。因此，可以仅使用一个定时器作为定时检测装置，以在同一时间段内检测在第一比较装置或第二比较装置之一上的过电流。这种方式可以减少电路的复杂度。
优选地，该电子器件进一步包括阴极射线管(CRT)，在其中输出级被耦合到该CRT的阴极。该CRT和该放大器输出级可被布置在显示装置，例如电视机，计算机显示器或类似的东西中。根据本发明的具有如上的特点的输出级特别适用于控制CRT的电流，因为CRT对于放大器输出级主要表现为电容性负载。
尽管本发明对所有技术，如双极，或MOS(金属氧化物硅)，都是有用的，但本发明对于绝缘体上硅(SOI)技术特别有用。因此，具有如上特点的电子器件特别是放大器输出级，被规定为至少部分是用绝缘体上硅技术实现的。由于在绝缘体上硅(SOI)技术中的功率晶体管对传送晶片(handler wafer)的热阻显著地大于在体效应技术中的功率晶体管，本发明特别适合防止在绝缘体上硅技术中的器件的过热。
本发明还提供了下述方法，该方法用于检测电子器件的放大器输出级的过电流。该方法包括：检测超出第一输出电流水平的输出电流水平的步骤，和检测输出电流超出该第一输出电流水平的持续时间的步骤。因此，针对波幅和超出预定电流水平的时间来测量该输出级的输出电流，而非如现有技术中已知的那样，针对输出电流平均值来进行测量。
根据本发明的另一个方面，该输出级包括高侧输出器件和低侧输出器件。目前，用于检测输出电流水平超出第一输出电流水平的步骤包括确定流经低侧输出器件的低侧输出电流和流经高侧输出器件的高侧电流之差的步骤。此外，该方法包括检测所确定的电流之差是否超出预定的第一电流水平的步骤。优选地，将低侧输出电流和高侧输出电流之差与正的第一电流水平相比较，和将低侧输出电流和高侧输出电流之差与负的第二电流水平相比较。
因此，本发明提供了过电流检测装置和相应的方法，允许对于特定信号输出功率而非在故障状况下的功率优化输出器件。根据本发明的过电流检测装置和方法区分了故障状况如短路，和正常信号。这是通过监视在输出器件中的电流和测量电流脉冲的持续时间达到的。检测故障状况后，该输出器件必须被保护或被切断。
根据本发明，定时信息被用来区别正常信号和故障状况。与已知解决方案比，不只是通过输出器件之一的电流的平均水平被测量，而且该过电流检测机制还确定了该电流脉冲持续了多久。从该事实中引出的附加的好处是对于某些应用来说如此保护的放大器的负载主要是电容性的。因此，在正常信号条件下的输出电流连续向一个方向流动，直到该负载电容被完全充电或放电为止。此外，这种电流只在一段有限时间发生。该电流水平探测器被设定在下述水平，该水平被这样选定：在这个水平上即使电流无限长，输出器件也不会被损坏。定时检测装置被设置到一个时间，使得如果最坏故障状况发生，该定时器会在输出器件被过热损坏之前被触发。该最坏故障状况可以包括在输出器件上的最大电压，流经输出器件的最大电流，和周围温度条件。为了设置该过电流检测装置，可能会执行检查，以检查正常信号是否会导致两种检测机制-即定时和电流水平-都被触发。因此，该电流被这样确定：如果该最大负载电容在检测时间中通过最大可能电压波动被充电，则该电流可能发生。如果这样建立的电流水平超出了相应的最大水平，则最大输出电流的值或最大持续时间的值必须增加。通常地，增加最大电流水平是适当的第一选择。
本发明的这些和其它方面将参照下文的实施例以及如下附图而清晰显明，并且将由这些实施例和附图所阐述。
附图说明
图1示出了具有峰值电流检测电路的放大器的简化示意图，
图2示出了具有低通电流检测电路的放大器的简化示意图，
图3示出了根据本发明第一实施例的具有过电流检测装置的放大器的简化示意图，
图4示出了根据本发明第二实施例的具有过电流检测装置的放大器的简化示意图，
图5示出了根据本发明第三实施例的具有过电流检测装置的放大器的简化示意图，
图6示出了根据本发明的一个方面的用于电流检测机制的电路的简化示意图，
图7示出了根据本发明的一个方面的电流检测装置的简化示意图，
图8示出了根据本发明的一个方面的比较器级的简化示意图，和
图9示出了根据本发明的一个方面的定时检测装置的简化示意图。
具体实施方式
图1示出了根据现有技术的具有峰值电流检测电路PCDC的放大器的简化示意图。该放大器包括输出级OS，该输出级具有两个金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)THS和TLS。输出晶体管THS和TLS被布置为本领域公知的共漏极配置，在这里第一(高侧)晶体管THS通过第一电阻RHS被耦合到供电电压，第二(低侧)晶体管TLS通过第二电阻RLS被耦合到地。流经输出级OS的输出电流IO基于分别跨越电阻RHS和RLS的电压降而被连续测量。在最坏情况信号条件下，最大允许输出电流IO被确定。输出器件THS和TLS的尺寸被设计为使得它们可以在最坏情况周围温度条件下经受住这个电流，而不至于过热。在输出晶体管THS和TLS上的功率消耗对应于流经该器件的电流和跨越该器件的电压的乘积。因此，不止是电流，而且跨越器件THS，TLS的电压也需要被确定。在正常操作条件下，在任意输出晶体管THS，TLS上的平均电压通常都小于供电电压；典型地处于供电电压一半附近。基于这一假设，可以算出使得输出晶体管THS，TLS可以经受住特定输出电流的面积，此处该计算考虑到了适当的电压。超过最大允许电流水平的输出电流IO被峰值电流检测电路PCDC登记为故障状况。
图2示出了根据现有技术的包括低通过电流检测机制OCDM的放大器的简化示意图。与根据图1解释的方式相同，输出级OS包括高侧和低侧晶体管THS，TLS和两个相应的电阻RHS，RLS。该低通滤波器是通过两个被各自耦合到输出级OS的高侧和低侧的附加电容C建立的。该低通滤波器保证了对于高频信号只有流经输出晶体管THS，TLS的电流IO的平均值被测量。对于正弦波信号，输出电流以因子p低于峰值电流。因此，输出晶体管的面积也以因子p小于图1所示电路。即使在故障状况下，常量(DC)电流IO流过，该电流仍会正确地被低通电流检测电路检测到。只要其频率保持在低通滤波器的带宽中，瞬间电流值就会被检测到。然而，对于放大器(未示出)的电容性负载和低频电流，相应的功率耗散通常较小。短暂的具有高出低通滤波器带宽的频率的电流尖峰被减少或抑制，使得那些电流不会被过电流检测电路OCDM作为故障状况登记。
图3示出了根据本发明第一实施例的具有过电流检测装置OCDM的放大器的简化示意图。与图1和图2示出的电路类似，该放大器包括具有高侧晶体管THS和低侧晶体管TLS和相应的电阻RHS，RLS的输出级OS，两个晶体管以共漏极布置。根据本发明的这一实施例，过电流检测装置OCDM通过使用定时信息区分正常信号和故障状况。从而，不但流经输出器件THS，TLS之一的输出电流IO的平均水平被检测到(如图2所解释的)，而且过电流脉冲的持续时间也被检测到。根据本发明的这一实施例，过电流检测机制OCDM包括电流水平检测机制LDM和定时检测机制TDM。该电流水平检测器LDM被设置到电流水平IDET。该电流水平IDET是这样被选择的：在该确定水平上即使输出电流IO无限长，输出器件THS，TLS也不会被损坏。
另外，定时检测器TDM被设置到一个时间界限TDET。这个时间界限TDET被这样选定的：在输出器件THS，TLS之一被过热损坏之前该定时器会指示故障状况。该最大时间界限TDET参考最坏情况故障状况而被选择，所述最坏情况是在输出器件THS，TLS上的最大的电压降和通过输出器件THS，TLS的最大允许电流IO。在确定时间界限TDET时也考虑了最坏情况周围温度条件。因此，在这些情况中的任意一个下，定时检测机制TDM在该输出级OS的晶体管THS，TLS过热之前触发。当过电流的允许持续时间被建立时，确定正常信号是否能使得两个检测机制TDM和LDM触发是有用的。对于被耦合到输出级OS的电容性负载(未示出)，输出电流IO向一个方向持续流动，直到负载电容(未在图3中示出)被完全充电或放电。这样的电流永远只在一段有限的时间内发生。因此，当最大负载电容在全检测时间TDET和最大可能电压波动上被充电时，输出晶体管THS，TLS所经受的电流将被确定。如果此电流水平超过IDET，则IDET或TDET的值必须被提高。优选地，IDET在第一步提高。与现有技术(例如图2中所示的检测机制)相比，使用的不是低通滤波器，而是定时器。
图4示出了根据本发明第二实施例的被过电流检测装置OCDM补充的放大器的简化示意图。为了进一步增加正常信号和故障状况之间的区别，流经晶体管THS的高侧电流IHS和流经晶体管TLS的低侧电流ILS的差被求值。两个电流IHS和ILS之差通过电流差检测装置CDDM被确定，该电流差检测装置被耦合在输出级OS和过电流检测装置OCDM之间。因此，仅有流经输出器件THS，TLS之一的电流会被检测到。特别地，对于电容性负载，这是合理的选择，因为对于高侧和低侧电流IHS，ILS，正常信号至少会在平均值上显得完全相同。然而，故障状况通常仅在输出器件THS，TLS之一导致过电流。晶体管THS，TLS的面积可以根据应用中可能发生的最坏情况信号求出所需尺寸。如果对于之前的解决方案，输出器件THS，TLS所占用的面积是以因子p小于现有技术解决方案，那么如果最大峰值对峰值电压低于供电电压，则本发明这一实施例可以获得比p更大的因子。当在正常信号条件下较小DC电流流经输出级OS时，这一原理也可被使用，只要这些DC电流保持在低于故障状况的检测水平。
图5示出了根据本发明第三实施例的具有过电流检测机制OCDM的放大器的简化示意图。明显地，如图4所解释的使用高侧和低侧之间的电流差的思想可以与如图3所示的实施例结合使用。图5示出了所得到的示意图。因此，流经输出器件THS，TLS之一的电流脉冲将被检测到。根据图5的实施例，过电流检测机制OCDM只是基于电流水平检测机制LDM，定时检测机制TDM，和电流差检测装置CDDM。
尽管图3到图5示出的输出器件THS，TLS是以共漏极配置的MOS晶体管，电流检测方案也可以被用于双极晶体管或者任意其它晶体管，所述双极晶体管或其他晶体管被布置为共漏极电路之外的任意配置，例如共源极，共栅极，共射极，共集电极，或共基极。
图6示出了根据本发明一个方面的用于电流检测的电路的简化示意图。图6的电路可被用于图4和图5示出的实施例。图6示出的电流检测电路适用于检测高侧电流IHS和低侧电流ILS之差的绝对值是否超过预定义水平+/-IDET。
至于本发明的其它实施例，输出级OS包括传感电阻RLS，与输出晶体管TLS的漏极串联。差分对T1a，T1b将跨越传感电阻RLS的电压转换成差分输出电流，该电流是输出电流ILS的一个成比例副本。差分对由PMOS晶体管T1a，T1b组成。然而，在NMOS中的实现也是可能的。相同的电路被用于测量高侧电流IHS。因此，需要两个差分对以得到ILS和IHS的成比例副本。需要有第三个对来生成电流检测水平+/-IDET的成比例副本。为了测量IHS减去ILS的电流差，被测低侧电流ILS被从高侧电流IHS中减去。该结果被与第一正的电流水平IDET和第二负的电流水平-IDET比较。因此，所有电流IHS，ILS必须被测量两次。
图7示出了根据本发明一个方面的电流检测电路的简化示意图。在此处，完全电流检测电路被示出。在这个电路中，晶体管T1a-T1d组成两个测量低侧电流ILS的差分对。晶体管T2e和T2f组成一个测量高侧电流IHS的差分对，输出电流被T2a到T2d分流成两路。晶体管T3a到T3d组成两个测量参考电流IDET的差分对。所有电流被求和，使得在R1，R2和R3，R4上的电压差建立预期的电流测量。如果电阻RHS和RLS被假定为具有相同的值，并且电阻R1到R4也基本上相等，且所有差分对都具有1/2gm的跨导，则跨越R1，R2和R3，R4的电压是：
v(R1，R2)＝RLS·gm·R1·(iHs-iLS-IDET)[V]
v(R3，R4)＝RLS·gm·R1·(iLS-iHS-IDET)[V]
如果电阻RHS和RLS的值较小，则MOS差分对的跨导gm也较小，以节省电流，于是，电压v(R1，R2)和v(R3，R4)也较小。因此，需要具有大增益的比较器。图8示出了适当的比较器的例子。
图8示出了根据本发明一个方面的比较器的简化示意图。该比较器包括5个类似的级，每级都是由两个晶体管：T5a，T5b到T9a，T9b，两个相应的电阻：R5a，R5b到R9a，R9b，和一个电流源：I5到I9，组成。第一级的晶体管T5a，T5b被耦合到图7所示电阻R3，R4。每一级被以同样的方式耦合到各自的下一级，以增加电路的增益。这五级的最后一级被耦合到包括晶体管T10a，T10b和电流镜的电路，该电路的输出被耦合到提供比较器的输出信号HCLSD(高电流低侧检测)晶体管T11。
需要图8所示的两个完整的比较器级：一个用于图7所示跨越电阻R1，R2的电压降，一个用于图7所示跨越电阻R3，R4的电压降。该比较器级后跟随定时检测装置TDM，该装置用来测量比较器生成的信号的脉冲持续时间。由于该放大器的输出级OS中的电流不能同时高于IDET和低于-IDET，因此只有两个比较器之一能触发。因此，仅需要一个定时器作为定时检测装置。电路在图9中示出。
图9示出了根据本发明一个方面的包括定时器级的定时检测装置TDM的简化示意图。信号HCHSD(高电流高侧检测)和HCLSD(高电流低侧检测)是两个比较器各自的输出，两个比较器基本上与图8所示的相同。信号HCHSD，HCLSD以反馈配置输入到一个异或门和两个与非门。与非门的输出被输入到两个倒相器。倒相器的输出OCHSD(过电流高侧检测)和OCLSD(过电流低侧检测)显示是否在如图3-5示出的输出级OS的高侧(即晶体管THS)或低侧(即晶体管TLS)检测到过电流。定时器的核心包括晶体管T11，电容C11和电流源I11以及二极管Z11和放大器。
异或门的输出是晶体管T11的输入。在正常条件下两个输入信号HCHSD和HCLSD都为低，所以异或门的输出也为低。因此，晶体管T11被打开且电容C11保持在放电状态。在这种情况下，输出信号OCHSD和OCLSD都为低。如果输入信号HCHSD和HCLSD之一为高，晶体管T11会被关闭且电流源I11开始给电容C11充电。当电容C11上的电压达到参考电压VREF时，该放大器的输出变高，且与非门之一(依赖于输入HCHSD或HCLSD中哪一个为高)将其输出降为低。因此，相应的输出信号OCHSD或OCLSD会变成高。在定时器输入端的异或门被用于消除HCHSD和HCLSD都为高的情况。三个与非门以双稳态反馈结构被安置，它们使得OCHSD和OCLSD不能同时为高。输出信号OCHSD和OCLSD现在指示通过输出级OS的输出器件THS，TLS的过电流被检测到。基于信号OCHSD，OCLSD，将会采取措施以保护输出器件THS，TLS。然而，本发明聚焦在检测过电流而非消除或者减少过电流的手段。
根据本发明的过电流检测机制可以被应用于任何需要保护短路的放大器，例如宽带视频输出放大器(或RGB放大器)，优选地在SOI技术中，该放大器将直接驱动阴极射线管(CRT)的阴极。根据这种应用，在显像管闪烁时，若干保护二极管强制该放大器输出至供电电压或地。特别地，对于SOI技术，本发明可以解决输出晶体管在闪烁期间的过度的自加热所产生的问题。另外，所提及的应用涉及高达30MHz的信号频率，该频率远高于输出器件的热时间常数且CRT的阴极基本上表现为电容性负载。
应当注意的是，上述实施例示出而非限制了本发明，且本领域技术人员可以设计出许多种可供选择的实施例而不脱离附加的权利要求的范围。权利要求中所有参考标记不应被理解为限制权利要求。“包括”这个词并不排除权利要求所列出的那些之外的其它元件或步骤的存在。在元件和步骤之前的“一个”(“a”或“an”)并不排除多个此类元件或步骤的存在。在列数出若干种装置的设备权利要求中，这些装置中的若干可通过一项或同样的硬件来实现。在相互之间有所不同的从属权利要求中述及了某些手段并不意味着这些手段的组合不能用于提供好处。
进一步地，在权利要求中的任何参考标记不应被认为是限制该权利要求的范围。
Claims (8)
1.一种电子器件，具有放大器输出级(OS)和用于检测输出级(OS)的输出过电流(HIS，ILS)的过电流检测装置(OCDM)，该过电流检测装置(OCDM)包括：
-水平检测装置(LDM)，用于检测超出第一输出电流水平(IDET)的输出电流(IO)水平，和
-定时检测装置(TDM)，用于检测输出电流(IO)超出作为最大电流水平的第一电流水平(IDET)的持续时间；
其中输出级(OS)包括高侧输出器件(THS)和低侧输出器件(TLS)，且过电流检测装置(OCDM)进一步包括：
电流差检测装置(CDDM)，用于检测流经低侧输出器件(TLS)的低侧输出电流(ILS)和流经高侧输出器件(THS)的高侧输出电流(IHS)之差，其中电流差检测装置(CDM)检测电流之差是否超出预定的第一电流水平(IDET)。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中过电流检测装置(OCDM)包括：第一比较装置，用于确定低侧输出电流(ILS)和高侧输出电流(IHS)之差是否超出预定的正的第一电流水平(IDET)；和第二比较装置，用于确定低侧输出电流(ILS)和高侧输出电流(IHS)之差是否超出预定的负的第二电流水平(-IDET)。
3.根据权利要求2所述的电子器件，在其中第一和第二比较装置被操作性地藕合到定时检测装置(TDM)，定时检测装置(TDM)包括单个定时器，该定时器被操作性地藕合到第一和第二比较装置。
4.根据权利要求1或2所述的电子器件，进一步包括阴极射线管(CRT)，其中输出级(OS)被藕合到阴极射线管(CRT)的阴极。
5.根据权利要求4所述的电子器件，至少部分用绝缘体上硅技术实现。
6.一种显示装置，包括根据权利要求1，4或5所述的电子器件。
7.一种用于检测电子器件的放大器输出级(OS)的过电流的方法，该方法包括以下步骤：
-检测超出第一输出电流水平(IDET)的输出电流(IO，IHS，ILS)水平，和
-检测输出电流(IO，IHS，ILS)超出第一输出电流水平(IDET)的持续时间；
其中输出级(OS)包括高侧输出器件(THS)和低侧输出器件(TLS)，并且检测超出第一输出电流水平(IDET)的输出电流水平的步骤包括：
-确定流经低侧输出器件(TLS)的低侧输出电流(ILS)和流经高侧输出器件(THS)的高侧输出电流(IHS)之差，和
-检测所确定的电流之差是否超出预定的第一电流水平(IDET)。
8.根据权利要求7所述的方法，其中检测所确定的电流之差是否超出预定的第一电流水平(IDET)的步骤进一步包括如下步骤：
-将低侧输出电流(ILS)和高侧输出电流(IHS)之差与正的第一电流水平(IDET)进行比较，和
-将低侧输出电流(ILS)和高侧输出电流(IHS)之差与负的第二电流水平(-IDET)进行比较。
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