CN101226232B - 梯度磁场线圈单元、mri装置用机架、以及mri装置 - Google Patents
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Abstract
梯度磁场线圈单元具备：主线圈层，具有产生梯度磁场的主线圈，并具有大致圆筒形状；屏蔽线圈层，安装在上述主线圈层的外侧，具有产生用来对来自上述主线圈的泄漏磁场进行屏蔽的磁场的屏蔽线圈；以及冷却层，安装在上述主线圈层与上述屏蔽线圈层之间，具有排列为以上述主线圈层的中心轴为中心的大致圆周状的用于冷媒的多个流路、和保持用于磁性体的补偿片托盘的多个补偿片托盘保持部。
Description
本申请基于2007年1月17日提交的日本专利申请第2007-008123号、2007年11月15日提交的第2007-296967号并要求其优先权，这里以参考方式引用其全部内容。
技术领域
本发明涉及具有用来修正磁场的均匀度的被动匀场机构的梯度磁场线圈单元、MRI装置用机架(gantry)、以及MRI装置。
背景技术
磁共振诊断装置(Magnetic Resonance Imaging：MRI装置)具有产生非常强的静磁场的大致圆筒状的静磁场磁铁。由静磁场磁铁产生的静磁场通常要求几千高斯到10千高斯(1特斯拉)左右的强度。静磁场除了强度以外还要求空间的均匀性。空间的均匀性通常需要几十ppm以下的均匀性。要求均匀的磁场的空间区域是直径50cm左右的球状区域。
磁场受到磁性体的影响而变形。作为修正用于该现象的静磁场的不均匀性的方法，有将铁片(铁补偿片(shim))等的磁性体配置在梯度磁场线圈单元的适当的位置上的方法。该方法称作被动匀场(passive shim)。此外，如被动匀场等那样提高磁场的均匀性的操作，称作匀场。
在静磁场磁铁的内侧安装有用来产生梯度磁场的梯度磁场线圈单元。梯度磁场线圈单元具有：具备产生梯度磁场的主线圈的主线圈层、和具备产生用来将来自主线圈的泄漏磁场屏蔽的磁场的屏蔽线圈的屏蔽线圈层。来自主线圈的梯度磁场与来自屏蔽线圈的磁场的耦合，使摄影区域内的磁场强度降低。因此，最好是可以尽量使主线圈与屏蔽线圈分离。所以，在主线圈层与屏蔽线圈层之间设有收容静磁场不均匀度修正用的铁补偿片的匀场层。
近年来，为了提高MR图像的画质，使梯度磁场的强度上升的要求增强。为了提高梯度磁场强度，需要对梯度磁场线圈单元供给高电流。高电流供给的结果使主线圈与屏蔽线圈的发热量增加。因而，设置在梯度磁场线圈内部中的铁补偿片的温度上升。铁补偿片的温度上升的结果，使静磁场的均匀性变动。所以，在主线圈层与匀场层之间设有具有主线圈冷却用的冷却管的主线圈冷却层，在屏蔽线圈层与匀场层之间设有具有屏蔽线圈冷却用的冷却管的屏蔽线圈冷却层。这些冷却管沿着梯度磁场线圈单元的大致圆筒形状以螺旋状安装(参照例如日本特开2006-311957号公报)。
另一方面，为了改善患者居住性，扩大孔腔直径的要求增强。为了不使静磁场磁铁的内径变化而扩大孔腔直径，需要扩大梯度磁场线圈单元的内径。因此，在处于主线圈层与屏蔽线圈层之间的主线圈冷却层、匀场层、以及屏蔽线圈冷却层中不能确保足够的空间。
发明内容
本发明的目的是提供一种实现径向的厚度降低的梯度磁场线圈单元、MRI装置用机架、以及MRI装置。
有关本发明的第1技术方案的梯度磁场线圈单元具备：主线圈层，具有产生梯度磁场的主线圈，并具有大致圆筒形状；屏蔽线圈层，安装在上述主线圈层的外侧，具有产生用来对来自上述主线圈的泄漏磁场进行屏蔽的磁场的屏蔽线圈；以及冷却层，安装在上述主线圈层与上述屏蔽线圈层之间，具有排列为以上述主线圈层的中心轴为中心的大致圆周状的用于冷媒的多个流路、和保持用于磁性体的补偿片托盘的多个补偿片托盘保持部。
有关本发明的第2技术方案的梯度磁场线圈单元具备：主线圈，产生梯度磁场，并配置为大致圆筒形状；屏蔽线圈，安装在上述主线圈的外侧，产生用来使从静磁场磁铁产生的静磁场均匀化的修正磁场；多个补偿片托盘，在上述主线圈与上述屏蔽线圈之间、排列在具有以上述主线圈的中心轴为中心的大致圆周形状的带状区域中，用于磁性体；以及多个流路，离散地排列在上述带状区域中，用于冷媒。
有关本发明的第3技术方案的梯度磁场线圈单元具备：主线圈层，具有产生梯度磁场的主线圈，并具有大致圆筒形状；第1冷却层，安装在上述主线圈层的外侧，具有沿着上述主线圈的中心轴以螺旋状埋设的用于冷媒的流路；第2冷却层，安装在上述第1冷却层的外侧，具有排列为以上述中心轴为中心的大致圆周状的用于冷媒的多个流路、和保持用于磁性体的补偿片托盘的多个补偿片托盘保持部；以及屏蔽线圈层，安装在上述第2冷却层的外侧，具有产生用来对来自上述主线圈的泄漏磁场进行屏蔽的磁场的屏蔽线圈。
有关本发明的第4技术方案的MRI装置用机架具备：静磁场磁铁，产生静磁场，并具有大致圆筒形状；主线圈层，具有产生梯度磁场的主线圈，并具有大致圆筒形状；屏蔽线圈层，安装在上述主线圈层的外侧，具有产生用来对来自上述主线圈的泄漏磁场进行屏蔽的磁场的屏蔽线圈；以及冷却层，安装在上述主线圈层与上述屏蔽线圈层之间，具有排列为以上述主线圈层的中心轴为中心的大致圆周状的用于冷媒的多个流路、和保持用于磁性体的补偿片托盘的多个补偿片托盘保持部。
有关本发明的第5技术方案的MRI装置，取得与载置在机架内的被检体有关的磁共振图像，上述机架具备：静磁场磁铁，产生静磁场，并具有大致圆筒形状；主线圈层，具有产生梯度磁场的主线圈，并具有大致圆筒形状；屏蔽线圈层，安装在上述主线圈层的外侧，具有产生用来对来自上述主线圈的泄漏磁场进行屏蔽的磁场的屏蔽线圈；以及冷却层，安装在上述主线圈层与上述屏蔽线圈层之间，具有排列为以上述主线圈层的中心轴为中心的大致圆周状的用于冷媒的多个流路、和保持用于磁性体的补偿片托盘的多个补偿片托盘保持部。
本发明的其他目标和优点还会在以下进行说明，并且通过描述会部分地变得清楚，或者可以通过实施本发明来了解。通过以下特别指出的手段和组合能够实现并获得本发明的目标和优点。
附图说明
构成说明书的一部分的附图用来说明本发明的实施方式，并且与以上给出的发明内容和以下给出的实施方式的具体描述一起解释本发明的概念。
图1是有关本发明的实施方式的MRI装置的结构图。
图2是将图1的梯度磁场线圈单元局部剖开显示的立体图。
图3A是图2的梯度磁场线圈单元的XY平面的剖视图。
图3B是与图3A不同的、图2的梯度磁场线圈单元的XY平面的剖视图。
图3C是与图3A和图3B不同的、图2的梯度磁场线圈单元的XY平面的剖视图。
图4是有关本实施方式的管模组的横剖视图。
图5是图4或图12的A-A′剖视图。
图6是与图4不同的管模组的横剖视图。
图7是图4及图6的补偿片托盘的立体图。
图8是图4或图12的B-B′的剖视图。
图9是图4及图8的铁补偿片的立体图。
图10是与图7的补偿片托盘不同的构造的补偿片托盘的立体图。
图11是与图4及图6不同的管模组的立体图。
图12是图11的管模组的横剖视图。
图13是将有关本实施方式的变形例的梯度磁场线圈单元局部剖开显示的立体图。
图14是表示有关本实施方式的变形例的沿着Z轴具有波浪形状的流路的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
图1是表示有关本发明的实施方式的MRI装置1的结构的图。如图1所示，MRI装置1具有机架10和计算机系统20。机架10具有静磁场磁铁11、ASGC(Actively Shielded Gradient Coil：主动屏蔽梯度线圈)类型的梯度磁场线圈单元12、梯度磁场电源13、治疗床14、治疗床控制部15、发送RF线圈16、发送部17、接收RF线圈18、以及接收部19。以下，对各个结构要素进行说明。
静磁场磁铁11具有中空的大致圆筒形状，在大致圆筒内部中产生静磁场。在该大致圆筒形状中，不仅包括圆筒形状，还包括椭圆筒形状。产生的磁场的均匀度良好的空间区域是摄影区域。摄影区域中的磁场具有几十ppm以下的均匀度。作为静磁场磁铁11，使用例如永久磁铁及超导磁铁等。将该静磁场磁铁11的大致圆筒的中心轴规定为Z轴、将铅直方向规定为X轴、将水平方向规定为Y轴。
梯度磁场线圈单元12安装在静磁场磁铁11的内侧。梯度磁场线圈单元12从梯度磁场电源13接受电流的供给，产生梯度磁场。梯度磁场有切片(slice)选择用梯度磁场、相位编码用梯度磁场、以及读出用梯度磁场。切片选择用梯度磁场是为了任意地确定摄像截面而使用的。相位编码用梯度磁场是为了根据空间位置对磁共振信号(以下称作MR信号)的相位进行编码而使用的。读出用梯度磁场是为了根据空间位置对MR信号的频率进行编码而使用的。
此外，梯度磁场线圈单元12具备用来将梯度磁场线圈单元12冷却的冷媒通过的流路。以下设冷媒为冷却水。但是，作为冷媒，也可以使用水以外的其他物质。流路在梯度磁场线圈单元12的机壳表面上与树脂性的软管连接。
循环装置43与树脂性的软管连接，具备热交换器和循环泵。循环泵使冷却水在梯度磁场线圈单元12与热交换器之间循环。热交换器通过将梯度磁场线圈单元12冷却而将已变暖的冷却水冷却。
在治疗床14的顶板41上载置被检体P。通常，将治疗床14设置为，使治疗床14的顶板41的长边方向与静磁场磁铁11的中心轴平行。将治疗床14的顶板41插入到梯度磁场线圈单元12的空洞(孔腔)内。治疗床14的顶板41受治疗床控制部15驱动，沿其长边方向(Z轴)及上下方向(X轴)移动。
发送RF线圈16配置在梯度磁场线圈单元12的内侧。发送RF线圈16从发送部17接受高频率脉冲的供给而产生高频率磁场。
发送部17内装有振荡部、相位选择部、频率变换部、振幅调制部、高频率功率放大部等。振荡部为了激励存在于被检体P内的对象原子核而产生以对象原子核所固有的共振频率振动的高频率信号(RF信号)。相位选择部选择RF信号的相位。频率变换部变换从相位选择部输出的RF信号的频率。振幅调制部按照例如sinc函数调制从频率变换部输出的RF信号的振幅。高频率功率放大部将从振幅调制部输出的RF信号放大。并且，作为这些各部的动作的结果，发送部17将对应于拉莫(Larmor)频率的高频率脉冲发送给发送RF线圈16。
接收RF线圈18配置在梯度磁场线圈单元12的内侧。接收RF线圈18接收由于从发送RF线圈17产生的高频率磁场的影响而从被检体P放射的MR信号。通常，接收RF线圈18兼用作发送RF线圈16。
接收部19接收来自接收RF线圈18的输出信号。接收部19对接收到的MR信号进行放大、检波、A/D变换等处理，生成作为数字信号的磁共振信号数据(MR信号数据)。
计算机系统20具有接口部21、数据收集部22、重建部23、存储部24、显示部25、输入部26及控制部27。以下对各个结构要素进行说明。
在接口部21上，连接着梯度磁场电源13、治疗床控制部15、发送部17、接收RF线圈18及接收部19等。接口部21进行在这些连接的各部与计算机系统20之间收发的信号的输入输出。
数据收集部22经由接口部22收集从接收部29输出的数字信号。
重建部23基于存储在存储部24中的MR信号数据，对磁共振图像数据进行重建。
存储部24存储MR信号数据及磁共振图像数据。
显示部25在控制部27的控制之下显示磁共振图像及各种信息。作为显示部25，可以使用液晶显示器等的显示器。
输入部26受理来自操作者的各种指令及信息输入。作为输入部26，可以适当地使用鼠标或跟踪球等的指点设备、模式切换开关等的选择设备、或者键盘等的输入设备。
控制部27控制各结构要素以实现作为MRI装置1的动作，从而取得与被检体有关的磁共振图像。
图2是将图1的梯度磁场线圈单元12局部剖开显示的立体图，图3A是图2的梯度磁场线圈单元12的XY平面的剖视图。如图2及图3A所示，机架10具有大致圆筒形状的梯度磁场线圈单元12。梯度磁场线圈单元12具有从内侧开始依次由主线圈层31、冷却层33、以及屏蔽线圈层35构成的3层构造。
主线圈层31将3个主线圈(X-主线圈、Y-主线圈、Z-主线圈)用树脂模制为大致圆筒状而构成。各主线圈接受来自梯度磁场电源13的电流的供给，产生分别沿着X、Y、Z轴磁场强度变化的梯度磁场。
屏蔽线圈层35将3个屏蔽线圈(X-屏蔽线圈、Y-屏蔽线圈、Z-屏蔽线圈)用树脂模制为大致圆筒状而构成。各屏蔽线圈接受来自梯度磁场电源13的电流的供给，产生用来将来自主线圈层31的泄漏磁场屏蔽的磁场。
冷却层33安装在主线圈层31与屏蔽线圈层35之间。冷却层33是具有以主线圈层31的中心轴为中心的大致圆周形状的带状区域。在冷却层33中构成流路53。例如，作为直管的多个冷却管51离散地配置为以Z轴为中心的大致圆周状。各冷却管51例如平行于Z轴排列。冷却管51具有大致方筒或大致圆筒形状。冷却管51的内部为冷却水流过的流路53。冷却管51由热传导率较大的坯材、例如铜形成。被冷却水冷却后的冷却管51将配置在冷却层33的内侧的作为热源的主线圈及安装在冷却层33的外侧的作为热源的屏蔽线圈冷却。
在以大致圆周状排列的多个冷却管51的多个间隔中，设置有多个补偿片托盘保持部55。多个补偿片托盘保持部55与多个冷却管51例如如图3A所示，沿着相同直径的大致圆周R1配置。多个补偿片托盘保持部55典型地是平行于Z轴而排列，并且构成为使冷却层33沿Z轴方向贯通的横孔。补偿片托盘保持部55保持搭载铁片(以下称作铁补偿片)的补偿片托盘(tray)。补偿片托盘具有能够将适当数量的铁补偿片保持在适当的位置上的构造。将使适当的数量的铁补偿片配置在适当的位置上、修正磁场的不均匀度的处理称作被动匀场。
另外，如图3A所示，各流路53与补偿片托盘59配置为相同直径的圆周状。但是并不需要限定于此。例如，如图3B所示，排列补偿片托盘保持部55的大致圆周R2与排列冷却管5 1的大致圆周R3也可以不相同。此外，如图3C所示，流路53也可以以大致同心圆状在冷却层33内排列多列、例如两列。
以下，说明用来将冷却管51和补偿片托盘保持部55安装在冷却层33中的具体的方法。
在冷却层33上形成有多个贯通孔。在该多个贯通孔的每一个中，嵌入有具有两条冷却管51和1个补偿片托盘保持部55的管模组57。冷却层33是将排列为以Z轴为中心的大致圆周状的多个管模组57用树脂模制为大致圆筒状而成的。
图4是管模组57的横剖视图，垂直于纸面的方向是Z轴。如图4所示，管模组57由两个冷却管51-1、51-2和两个固定板61、62构成。两个冷却管51-1、51-2隔开间隔L1沿着Z轴平行地排列。两根冷却管51-1、51-2的上部和下部分别通过具有细长的短条形状的固定板61、62固定。管模组57例如具有中空的方柱状的构造。管模组57的中空的部分作为补偿片托盘保持部55发挥功能，补偿片托盘保持部55中插入补偿片托盘59。固定板61与固定板62由热传导性良好的坯材、例如树脂或在树脂材料中混合了热传导性的填料的复合材料等形成。补偿片托盘保持部55可沿Z方向滑动地保持补偿片托盘59。补偿片托盘保持部55的Y方向的长度L1比补偿片托盘59的Y方向的宽度L2大一些。因此，两个冷却管51兼作为沿Z方向可滑动地导引补偿片托盘59的导引轨道。
以下，参照图5对管模组57的冷却功能进行说明。图5是图4的A-A′剖视图。如图5所示，在两个冷却管51(图5的斜线部分)的每一个的Z方向的两端部E上，结合有具有大致圆筒形状的多个连结管63。连结管53通过钎焊等结合在冷却管51的端部E上。通过多个连结管63将排列为以Z轴为中心的大致圆周状的多个冷却管51连结为1根。虽然在图5中没有图示，但连结为1根的冷却管51的两端部经由树脂制等的软管连接在循环装置43上。通过冷却管51、连结管63及循环装置43完成冷却水的循环系统。通过循环装置43使冷却水如图5的粗线的箭头所示那样在流路53中循环。通过冷却水在流路53中循环，将冷却管51冷却。被冷却后的冷却管51将通过电流的供给而发热的主线圈及屏蔽线圈冷却。此外，冷却后的冷却管51将收容在补偿片托盘59中的铁补偿片64冷却。
图6是具有用来提高冷却效果的构造的管模组57′的横剖视图。如图6所示，管模组57′具有用来提高冷却管51对主线圈等的冷却效果的两个冷却鳍(以下称作翅片(fin))65-1和65-2。两个翅片65-1和65-2具有大致圆弧形状，以使其能够接近主线圈。翅片65-1和65-2通过热传导性良好的坯材、例如树脂或在树脂材料中混合了热传导性的填料的复合材料等形成。即，通过翅片使主线圈层与冷却用的冷却源的接触面积增大。翅片65-1、65-2安装在例如连接在冷却管51-1、51-2上的固定板62′的下端部上。经由冷却管51-1、51-2、固定板62′及翅片65-1、65-2，在主线圈及屏蔽线圈与冷却水之间进行热交换。即，与图5的管模组57相比，图6的管模组57′的冷却效果更高。
以下对管模组57的被动匀场功能进行说明。
图7是补偿片托盘59的立体图。如图7所示，补偿片托盘59沿着Z方向形成有多个用来收容铁补偿片64的凹陷67。
图8是图4的B-B′的剖视图。如图8所示，在补偿片托盘59的凹陷67中，安装有带台阶的衬垫69。在衬垫69上固定有螺栓71。图9是铁补偿片64的立体图。如图9所示，在铁补偿片64的中央部，形成有具有衬垫69能够通过的程度的直径的孔74。为了被动匀场，铁补偿片64使螺栓71及衬垫69通过该孔74中，以适当的数量层叠在适当的位置的凹陷67中。层叠的铁补偿片64通过板72从上部被按压。层叠的铁补偿片64被经由板72螺合在螺栓71上的螺母73固定。通过做成这样的构造，螺母73不会到达比铁补偿片64高的位置。即，收容铁补偿片64所需要的空间依存于凹陷67的深度及螺栓71的高度。因而，通过调节凹陷67的深度及螺栓71的高度，能够使冷却层33的径向的厚度变得更小，来收容铁补偿片64。另外，在补偿片托盘59的凹陷67中也可以不安装衬垫69而直接安装螺栓71。
图10是与图7的补偿片托盘59不同的构造的补偿片托盘59′的立体图。如图10所示，补偿片托盘59′没有形成有凹陷。在此情况下，铁补偿片64被安装在补偿片托盘59′的托盘面59′a的适当的部位上的螺栓71和螺栓73固定。
以下，对与图4及图6不同的管模组80的构造进行说明。图11是管模组80的立体图，图12是管模组80的横剖视图。管模组80由热传导性良好的坯材、例如树脂或在树脂材料中混入了热传导性的填料的复合材料等形成。如图11及图12所示，在管模组80上，形成有作为沿着Z轴方向贯通管模组80的横孔的3个贯通孔。3个贯通孔例如沿着Z轴方向平行地形成。3个贯通孔中的两端的贯通孔是用来使冷却水通过的流路53-1、53-2。3个贯通孔中的最中间的贯通孔是补偿片托盘保持部55。补偿片托盘保持部55的Y方向的长度(L3)比补偿片托盘53的Y方向的长度(L2)长一些。因此，补偿片托盘保持部55还起到将补偿片托盘59沿Z方向可滑动地导引的导引轨道的作用。
图12的A-A′剖视图对应于图5。另外，在此情况下，图5的斜线部分为管模组80的一部分。因而，连结管63安装在管模组80的一部分的Y方向的端部E上，以使流路53、连结管63和循环装置43形成冷却水的循环系统。
图12的B-B′剖视图原样对应于图8。
这样，根据本实施方式，能够实现径向的厚度的降低。
(变形例)
图13是将有关本实施方式的变形例的梯度磁场线圈单元90局部剖开显示的立体图。如图13所示，梯度磁场线圈单元90具有从内侧起依次由主线圈层31、第1冷却层91、第2冷却层92、以及屏蔽线圈层35构成的4层构造。
第1冷却层91安装在主线圈层31的外侧。第1冷却层91具有沿着Z轴以螺旋状埋设的第1冷却管93。第1冷却管93的内部为作为冷媒的冷却水流过的流路94。被冷却水冷却后的第1冷却管93将作为梯度磁场线圈单元90的主要热源的主线圈层31的主线圈冷却。具有螺旋形状的第1冷却管93与图2所示那样的具有平行于Z轴的直管构造的冷却管相比，与主线圈层31的接触面积较大，所以能够效率良好地将主线圈冷却。
第2冷却层92安装在第1冷却层91的外侧。第2冷却层92将作为直管的多个第2冷却管95配置为以Z轴为中心的大致圆周状。第2冷却管95分别平行于Z轴排列。在多个第2冷却管96的多个间隔中设置有多个补偿片托盘保持部55。
第2冷却管95的内部为作为冷媒的冷却水流过的流路96。被冷却水冷却后的第2冷却管95将作为热源的屏蔽线圈层35的屏蔽线圈冷却。由于与主线圈相比，屏蔽线圈并不产生热，所以能够通过具有直管构造的冷却管95充分地冷却。
具体而言，在第2冷却层92中，为了安装第2冷却管95和补偿片托盘保持部55，嵌入有管模组57及管模组80。
另外，在上述实施方式中，各流路53、96(冷却管51、95)分别平行于Z轴，但并不需要限于此。例如，如图14所示，各流路53也可以为了比上述实施方式更提高对主线圈及屏蔽线圈的冷却能力而沿着Z轴具有波浪那样的形状。此外，各流路53也可以沿着Z轴具有锯齿形状或螺旋形状等。
本发明的其他优点和变更对于本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，本发明的范围并不仅限于这里表示的特定的细节及优选的实施方式。因而，在不脱离由权利要求书定义的总的发明构思的范围和主旨的情况下能够进行各种变更。
Claims (12)
1.一种梯度磁场线圈单元，其特征在于，具备：
主线圈层，具有产生梯度磁场的主线圈，并具有大致圆筒形状；
屏蔽线圈层，安装在上述主线圈层的外侧，具有产生用来对来自上述主线圈的泄漏磁场进行屏蔽的磁场的屏蔽线圈；以及
冷却层，安装在上述主线圈层与上述屏蔽线圈层之间，具有排列为以上述主线圈层的中心轴为中心的大致圆周状的用于冷媒的多个流路、和保持用于磁性体的补偿片托盘的多个补偿片托盘保持部，
其中多个上述流路平行于上述主线圈层的中心轴地配置，
在多个上述流路的多个间隔中，设置有多个上述补偿片托盘保持部，
上述流路与上述补偿片托盘保持部排列为大致相同直径的上述大致圆周状。
2.如权利要求1所述的梯度磁场线圈单元，其特征在于，
上述补偿片托盘保持部平行于上述中心轴排列。
3.如权利要求1所述的梯度磁场线圈单元，其特征在于，
上述冷却层具有嵌入上述大致圆周状的多个模组；
上述模组中的每一个具有上述补偿片托盘保持部和上述流路。
4.如权利要求3所述的梯度磁场线圈单元，其特征在于，
相互邻接的上述流路的端部通过具有上述冷媒所流过的中空部分的连接部而连接，以使上述冷媒在上述冷却层中所包含的全部上述流路中循环。
5.如权利要求3所述的梯度磁场线圈单元，其特征在于，
上述模组具有形成为一列的3个贯通孔；
上述流路是上述3个贯通孔中的两端的贯通孔；
上述补偿片托盘保持部是上述3个贯通孔中的中央的贯通孔。
6.如权利要求5所述的梯度磁场线圈单元，其特征在于，
上述模组由树脂材料形成。
7.如权利要求5所述的梯度磁场线圈单元，其特征在于，
上述模组由在树脂材料中混合了热传导性的填料的复合材料形成。
8.如权利要求3所述的梯度磁场线圈单元，其特征在于，
上述模组具有：
两个冷却管，该两个冷却管的中空部分是上述流路；
第1固定板，将上述两个冷却管的上端部固定；以及
第2固定板，将上述两个冷却管的下端部固定；
上述补偿片托盘保持部由上述两个冷却管、上述第1固定板和上述第2固定板形成。
9.如权利要求1所述的梯度磁场线圈单元，其特征在于，
上述补偿片托盘具有螺栓和螺合在上述螺栓上的螺母；
上述磁性体由上述螺栓和上述螺母固定。
10.一种梯度磁场线圈单元，其特征在于，具备：
主线圈层，具有产生梯度磁场的主线圈，并具有大致圆筒形状；
第1冷却层，安装在上述主线圈层的外侧，具有沿着上述主线圈的中心轴以螺旋状埋设的用于冷媒的流路；
第2冷却层，安装在上述第1冷却层的外侧，具有排列为以上述中心轴为中心的大致圆周状的用于冷媒的多个流路、和保持用于磁性体的补偿片托盘的多个补偿片托盘保持部；以及
屏蔽线圈层，安装在上述第2冷却层的外侧，具有产生用来对来自上述主线圈的泄漏磁场进行屏蔽的磁场的屏蔽线圈，
其中多个上述流路平行于上述主线圈层的中心轴地配置，
在多个上述流路的多个间隔中，设置有多个上述补偿片托盘保持部，
上述流路与上述补偿片托盘保持部排列为大致相同直径的上述大致圆周状。
11.一种MRI装置用机架，其特征在于，具备：
静磁场磁铁，产生静磁场，并具有大致圆筒形状；
主线圈层，具有产生梯度磁场的主线圈，并具有大致圆筒形状；
屏蔽线圈层，安装在上述主线圈层的外侧，具有产生用来对来自上述主线圈的泄漏磁场进行屏蔽的磁场的屏蔽线圈；以及
冷却层，安装在上述主线圈层与上述屏蔽线圈层之间，具有排列为以上述主线圈层的中心轴为中心的大致圆周状的用于冷媒的多个流路、和保持用于磁性体的补偿片托盘的多个补偿片托盘保持部，
其中多个上述流路平行于上述主线圈层的中心轴地配置，
在多个上述流路的多个间隔中，设置有多个上述补偿片托盘保持部，
上述流路与上述补偿片托盘保持部排列为大致相同直径的上述大致圆周状。
12.一种MRI装置，取得与载置在机架内的被检体有关的磁共振图像，其特征在于，上述机架具备：
静磁场磁铁，产生静磁场，并具有大致圆筒形状；
主线圈层，具有产生梯度磁场的主线圈，并具有大致圆筒形状；
屏蔽线圈层，安装在上述主线圈层的外侧，具有产生用来对来自上述主线圈的泄漏磁场进行屏蔽的磁场的屏蔽线圈；以及
冷却层，安装在上述主线圈层与上述屏蔽线圈层之间，具有排列为以上述主线圈层的中心轴为中心的大致圆周状的用于冷媒的多个流路、和保持用于磁性体的补偿片托盘的多个补偿片托盘保持部，
其中多个上述流路平行于上述主线圈层的中心轴地配置，
在多个上述流路的多个间隔中，设置有多个上述补偿片托盘保持部，
上述流路与上述补偿片托盘保持部排列为大致相同直径的上述大致圆周状。
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