CN101217172A - 一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺,该工艺是:在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆,进行高温一次烧结,形成背铝硅合金结;一次烧结形成的铝硅合金结,是用强酸或王水腐蚀去除铝层后形成的,其合金层具备均匀性。背铝硅合金结的深浅,由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定,当硅片厚度在200~230μm,背面全覆盖印刷铝浆厚度则在20~25μm,烧结温度在700~920℃;当硅片厚度低于200μm时,烧结温度会降低一点,温度控制在700~900℃。本发明的优点是,只须进行一次高温烧结,即可形成背铝硅合金结,合金结的合金层,均匀性好,工艺简单,成本低,适宜于规模化生产。
Description
技术领域
本发明涉及N型单晶硅太阳电池背铝硅合金结的制备工艺。
背景技术
现阶段,N型硅太阳电池主要是通过扩硼工艺来制备背面P+/N发射结,工艺复杂,成本高,不易于规模化生。
发明内容
为了优化工艺,本发明提供一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺,该工艺是:在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆,进行高温一次烧结,形成背铝硅合金结;一次烧结形成的铝硅合金结,是用强酸或王水腐蚀去除铝层后形成的,其合金层具备均匀性。
背铝硅合金结的深浅,由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定,当硅片厚度在200~230um,背面全覆盖印刷铝浆厚度则在20~25um,烧结温度在700~920℃;当硅片厚度低于200um时,烧结温度会降低一点,温度控制在700~900℃。
本发明的优点是,只须进行一次高温烧结,即可形成背铝硅合金结,合金结的合金层,均匀性好,工艺简单,成本低,适宜于规模化生产。
附图说明
附图是本发明的层结构图。
图中标号说明:
1-是Ag金属栅线正电极;
2-是SiNx减反射层,厚度约为80nm;
3-是正面N+磷扩散层,厚度为0.3~0.5um;
4-是N型单晶硅片,电阻率0.2~15Ω.cm;
5-是P+Al-Si合金层;
6-是背面Al电极;
7-是背面银铝主栅线电极。
具体实施方式
本发明是通过丝网印刷在电池背面全覆盖印刷铝(Al)浆,进行一次高温烧结,而形成的。通过王水或者强酸去掉铝层之后,所展现出来的一层鱼鳞状的结构,就是P+层(铝硅合金层),其生产工艺完全适合在P型单晶硅生产线上进行规模化生产。
背铝硅合金结的深浅,是根据硅片的厚度,烧结温度的高低,烧结时间的长短,以及全覆盖印刷铝浆的厚薄来决定的,当原材料硅片厚度在200~230um,背面全覆盖印刷铝浆控制在20~25um,烧结温度在700~920℃,这时背铝硅合金结比较均匀。当用王水或者强酸洗掉后,会看见很匀称的鱼鳞,鱼鳞结构很明显;当原材料低于200um时,烧结温度会降低一点,烧结温度在700~900℃,温度过低时,会导致铝硅合金结烧结不均匀,用王水和强酸洗掉后,会发现局部没有形成铝硅合金结。
Claims (3)
1.一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺,其特征是:在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆,进行高温一次烧结,形成背铝硅合金结。
2.按权利要求1所述的一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺,其特征是:一次烧结形成的铝硅合金结,是用强酸或王水腐蚀去除铝层后形成的,其合金层具备均匀性。
3.按权利要求1所述的一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺,其特征是:背铝硅合金结的深浅,由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定,当硅片厚度在200~230um,背面全覆盖印刷铝浆厚度则在20~25um,烧结温度在700~920℃。
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2008
- 2008-01-10 CN CNA2008100325351A patent/CN101217172A/zh active Pending
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