CN101118517A - 一种基于nor flash芯片的数据存储实现方法 - Google Patents

一种基于nor flash芯片的数据存储实现方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了属于FLASH存储技术领域的一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法。该方法是通过建立FLASH块表和内存数据映射表，标记需要写入的FLASH块，定时将修改过的数据写入FLASH。本发明减少了NOR FLASH的擦除、写入操作次数，有效的提高了NOR FLASH芯片保存数据的效率；提高了数据存储的安全性和可靠性，也延长了NOR FLASH芯片的使用寿命。

Description

一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法
技术领域
本发明涉及FLASH存储技术领域，尤其涉及一种基于NORFLASH芯片的数据存储实现方法。
背景技术
随着电子技术的发展，NOR FLASH芯片作为一种存储器在嵌入式系统中得到了越来越广泛的应用。NOR FLASH芯片具有可靠性高、体积小、密度大、可擦除、可重写等优点。因此在嵌入式系统设备中，NOR FLASH主要用于存储系统的运行程序和保障程序可靠运行的配置数据。
NOR FLASH芯片可以进行读写和擦除操作，通常以字为单位写入，以块为单位擦除；在进行写入操作前，必须先进行擦除操作。
NOR FLASH芯片的缺点是擦除、写入的次数有限，因此频繁的进行擦除、写入操作，不利于NOR FLASH芯片的长期使用。
发明内容
鉴于上述NOR FLASH芯片的不足之处，本发明的目的是提供一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法，本发明的目的是这样实现的：通过建立FLASH块表和内存数据映射表，标记需要写入的FLASH块，定时将修改过的数据写入FLASH，实现步骤如下：
1)FLASH的初始化：建立FLASH块表和内存数据映射表；
①系统加电启动时，检测所使用的FLASH芯片类型；
②根据FLASH芯片的块大小和块数量，建立FLASH块表；
③设置FLASH块表中各项的值：设置块大小和起始地址，其中写入标志置为0-表示无需写入；坏块标志置为0-表示好块；
④根据需存储在FLASH中的数据的大小，在系统内存中建立FLASH数据映射区；
2)配置数据的修改过程：修改数据映射表中的数据，标记需要写入的FLASH块；
①系统修改配置数据时，将修改的数据保存在FLASH数据映射区；
②计算修改数据在FLASH数据映射区的偏移量；
③根据修改数据的偏移量和大小，计算需要写入的FLASH块；
④设置需要写入的FLASH块的写入标志为1-表示需要写入；
3)配置数据的写入过程：系统定时扫描需要写入的FLASH块，系统重新启动前强制写FLASH块；
①系统加电启动完毕后，启动FLASH写操作定时器；
②FLASH写操作定时到后，扫描FLASH块表；
③如果FLASH块的写入标志为1，根据FLASH块号，计算出需要写入数据的数据映射区地址；
④擦除需写入的FLASH块，根据块大小写入新的数据；
⑤设置已写入的FLASH块的写入标志为0；
⑥扫描完FLASH块表后，重新启动FLASH写操作定时器。
⑦当系统执行重启动操作前，强制扫描FLASH块表，将需要写入的数据写入FLASH；
4)出现FLASH写入错误或检测FLASH出错时，自动标记FLASH坏块：
在执行FLASH写入操作时，如果出现错误，或检测到FLASH出错，标记此FLASH块为坏块，将坏块标志设置为1。
所述FLASH块表包含块号、块大小、起始地址、写入标志和坏块标志。
所述内存数据映射表和FLASH中的数据有一一对应关系。
所述定时将修改过的数据写入FLASH是指系统定时对标记写入的FLASH块执行擦除、写入操作，并修改写入标志。
本发明的有益效果：由上述方案可以得知，本发明通过建立FLASH块表，标记需要写入的数据块，减少了NOR FLASH的擦除、写入操作次数，有效的提高了NOR FLASH芯片保存数据的效率；通过标记坏块和定时写入，提高了数据存储的安全性和可靠性，也延长了NOR FLASH芯片的使用寿命。
附图说明
图1为FLASH块表结构示意图；
图2为FLASH初始化流程图；
图3为数据修改流程图；
图4为数据定时写入流程图。
具体实施方式
本发明提供一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法。具体步骤结合图2、图3、图4叙述如下：
A)FLASH的初始化过程：(如图2所示)
(1)系统加电启动时，检测所使用的FLASH芯片类型；
(2)根据FLASH芯片的块大小和块数量，建立FLASH块表，如图1；
(3)设置FLASH块表中各项的值：设置块大小和起始地址，写入标志置为0(表示无需写入)，坏块标志置为0(表示好块)；
(4)根据需存储在FLASH中的数据的大小，在系统内存中建立FLASH数据映射区。
B)配置数据的修改过程：(如图3所示)
(1)系统修改配置数据时，将修改的数据保存在FLASH数据映射区；
(2)计算修改数据在FLASH数据映射区的偏移量；
(3)根据修改数据的偏移量和大小，计算需要写入的FLASH块；
(4)设置需要写入的FLASH块的写入标志为1(表示需要写入)。
C)配置数据的写入过程：(如图4所示)
(1)系统加电启动完毕后，启动FLASH写操作定时器(具体值可根据系统的使用情况设置)；
(2)FLASH写操作定时到后，扫描FLASH块表；
(3)如果FLASH块的写入标志为1，根据FLASH块号，计算出需要写入数据的数据映射区地址；
(4)擦除需写入的FLASH块，根据块大小写入新的数据；
(5)设置已写入的FLASH块的写入标志为0；
(6)扫描完FLASH块表后，重新启动FLASH写操作定时器。
(8)当系统执行重启动操作前，强制扫描FLASH块表，将需要写入的数据写入FLASH。
D)在执行FLASH写入操作时，如果出现错误，或检测到FLASH出错，标记此FLASH块为坏块，将坏块标志设置为1。
通过上述实施例完整的说明了基于NOR FLASH芯片的数据存储的实现方法。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法，其特征在于，通过建立FLASH块表和内存数据映射表，标记需要写入的FLASH块，定时将修改过的数据写入FLASH，实现步骤如下：
1)FLASH的初始化：建立FLASH块表和内存数据映射表；
①系统加电启动时，检测所使用的FLASH芯片类型；
②根据FLASH芯片的块大小和块数量，建立FLASH块表；
③设置FLASH块表中各项的值：设置块大小和起始地址，其中写入标志置为0-表示无需写入；坏块标志置为0-表示好块；
④根据需存储在FLASH中的数据的大小，在系统内存中建立FLASH数据映射区；
2)配置数据的修改过程：修改数据映射表中的数据，标记需要写入的FLASH块；
①系统修改配置数据时，将修改的数据保存在FLASH数据映射区；
②计算修改数据在FLASH数据映射区的偏移量；
③根据修改数据的偏移量和大小，计算需要写入的FLASH块；
④设置需要写入的FLASH块的写入标志为1-表示需要写入；
3)配置数据的写入过程：系统定时扫描需要写入的FLASH块，系统重新启动前强制写FLASH块；
①系统加电启动完毕后，启动FLASH写操作定时器；
②FLASH写操作定时到后，扫描FLASH块表；
③如果FLASH块的写入标志为1，根据FLASH块号，计算出需要写入数据的数据映射区地址；
④擦除需写入的FLASH块，根据块大小写入新的数据；
⑤设置已写入的FLASH块的写入标志为0；
⑥扫描完FLASH块表后，重新启动FLASH写操作定时器。
⑦当系统执行重启动操作前，强制扫描FLASH块表，将需要写入的数据写入FLASH；
4)出现FLASH写入错误或检测FLASH出错时，自动标记FLASH坏块：
在执行FLASH写入操作时，如果出现错误，或检测到FLASH出错，标记此FLASH块为坏块，将坏块标志设置为1。
2.根据权利要求1所述的一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法，其特征在于：所述FLASH块表包含块号、块大小、起始地址、写入标志和坏块标志。
3.根据权利要求1所述的一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法，其特征在于：所述内存数据映射表和FLASH中的数据有一一对应关系。
4.根据权利要求1所述的一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法，其特征在于：所述定时将修改过的数据写入FLASH是指系统定时对标记写入的FLASH块执行擦除、写入操作，并修改写入标志。
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