CN101118388A - 光掩膜复验方法与系统 - Google Patents
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Abstract
一种光掩膜复验方法。根据多个工艺权重因子对多个光掩膜进行排序，并且根据计算所得的权重决定上述光掩膜的优先权以进行派工。根据工艺状况依序决定是否对上述光掩膜执行复验的流程。若要复验，则对其中一光掩膜执行一复验程序。将复验后的光掩膜的优先权进行重置，并且对下一光掩膜执行上述派工与上述复验的流程。
Description
技术领域
本发明涉及一种工艺检验方法，且特别涉及一种光掩膜复验方法。
背景技术
传统制造大规模集成(Large Scale Integration，以下简称为LSI)电路工艺中，使用光掩膜以在一半导体芯片上形成一既定的图形，而该芯片是由硅(Silicon)或类似的材料所形成。藉由暴露该半导体芯片于光掩膜下，则会穿透该光掩膜及光学透镜，以形成图形于该半导体芯片上。当光掩膜上的图形具有缺陷时，该缺陷图形会转移到该半导体芯片上而制造出大量有问题的LSI电路。因此，对于制造VLSI电路而言，光掩膜的图形检验工作是非重要且必要的。
对于制造LSI电路的光掩膜，有两种检验的方法。其一为“die-to-die”检验法，用以比较由同一光掩膜所形成的不同位置的图形。另一方法为“die-to-database”检验，其将实际光掩膜上的图形与转移光掩膜时使用的图形相比对。“die”表示一特定图形区域的集合或是关于图像检测，即定义为一图形比较的检测单元。“database”则表示一参考图像的综合，是来自关于由光学系统所检测的实际图形图像的图形数据。
传统的光掩膜检验系统包括一X-Y台座以设定一光掩膜、一高精确度的电射干涉器、一激光扫瞄光学装置、一光传导检测单元、一光学图像输入单元、一数据转换单元、一图像比较单元以及一控制器。该X-Y台座用以设定一光掩膜。该高精确度的电射干涉器用以检测X-Y台座的位置。该激光扫瞄光学装置利用激光束在光掩膜Y轴的方向进行扫瞄。该光传导检测单元用以检测传导的光。该光学图像输入单元用以接收来自光传导检测单元的光学图像。该数据转换单元用以转换绘制在光掩膜上的图案而成为综合参考图像。该图像比较单元用以比较光学图像以及参考图像，以检测出图形的缺陷。该控制器用以控制整个光掩膜检验系统。
然而，若使用原始光掩膜检验系统的传统光掩膜检验方法，欲检验一片光掩膜需花费数个小时的时间。因此，在激光干涉器检验X-Y台座的过程中，由于环境的改变(温度、湿度、大气压力)，必然会造成误差。当激光干涉器的检验结果包含误差时，该X-Y台座无法由一定点正确地移动，故即使光掩膜图形没有缺陷，亦会在光学图像与参考图像间产生界线。
为了解决上述问题，必须使用一昂贵且复杂的系统。此外，为了检验光掩膜是否有缺陷，各半导体厂使用各种不同的方法，且必须采购价格昂贵的检验机台。本发明亦提供了一种光掩膜复验方法，使得光掩膜检验的流程更加可靠且节省采购成本。
发明内容
基于上述目的，本发明实施例揭露了一种光掩膜复验方法。根据多个工艺权重因子对多个光掩膜进行排序，并且根据计算所得的权重决定上述光掩膜的优先权以进行派工。根据工艺状况依序决定是否对上述光掩膜执行复验的流程。若要复验，则对其中一光掩膜执行一复验程序。将复验后的光掩膜的优先权进行重置，并且对下一光掩膜执行上述派工与上述复验的流程。
本发明实施例更揭露了一种光掩膜复验系统。该光掩膜复验系统包括一光掩膜储存区、一派工系统以及一复验系统。该光掩膜储存区储存已制作完成的多个光掩膜。该派工系统根据多个工艺权重因子对多个光掩膜进行排序，并且根据计算所得的权重决定上述光掩膜的优先权以进行派工。该复验系统根据工艺状况依序决定是否对上述光掩膜执行复验的流程，若要复验，则对其中一光掩膜执行一复验程序，将复验后的光掩膜的优先权进行重置，并且对下一光掩膜执行上述派工与上述复验的流程。
附图说明
图1是显示本发明实施例的光掩膜复验方法的步骤流程图。
图2是显示本发明另一实施例的光掩膜复验方法的步骤流程图。
图3是显示本发明实施例的光掩膜复验系统的架构示意图。
附图符号说明
100～光掩膜储存区
200～派工系统
300～复验系统
具体实施方式
为了让本发明的目的、特征、及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图1至图3，做详细的说明。本发明说明书提供不同的实施例来说明本发明不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各组件的配置是说明之用，并非用以限制本发明。且实施例中附图标号的部分重复，是了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。
本发明实施例揭露了一种光掩膜复验方法与系统。
本发明实施例的光掩膜复验方法与系统利用一线性统计公式，根据多个工艺因子并且加以加权，以找出具高潜在性风险的光掩膜加以检验。
图1是显示本发明实施例的光掩膜复验方法的步骤流程图。
首先，当光掩膜厂制作完光掩膜且释出后(步骤S11)，根据与工艺相关的权重因子对光掩膜进行排序(步骤S12)。权重因子包括紧急批量(HotLot)、裸晶数(Die No.)、在制品(Wafer In Process，WIP)、曝光时间(Exposure Time)、产品(Product)、工艺(Process)、层(Layer)、闲置时间(Idle Time)、高曝光能量(Maximum Exposure Energy，)...等等。每一批晶片考虑的工艺因子各不相同，有些光掩膜需要较长的曝光时间，有些光掩膜着重在裸晶的数量，故必须根据不同工艺状况对不同的工艺因子给予不同的权重(如附件1所示)，然后根据一权重公式计算每一批光掩膜的优先权(即派工优先级，如附件2所示)，该权重公式如下所示：
总权重(Total Weight)＝
Wip×Sum(Factor1×Weight1+Factor2×Weight2+...)，
其中，Sum()为加总函数，Factor表示权重因子，Weight表示权重。
接下来，根据计算所得的优先权对光掩膜进行派工(步骤S13)，然后根据工艺状况决定是否对光掩膜执行复验的流程(步骤S14)。若不需复验，则回到步骤S3，对下一光掩膜进行派工。若要复验，则对光掩膜执行一复验程序(步骤S15)，并且将复验后的光掩膜的优先权进行重置(Reset)(步骤S16)，然后回到步骤S3，对下一光掩膜执行派工与复验的流程。
接下来以一较详细的流程来说明本案发明实施例的光掩膜复验方法。
图2显示了本发明另一实施例的光掩膜复验方法的步骤流程图。
首先，当光掩膜厂制作完光掩膜且释出后(步骤S21)，制造厂会将光掩膜存放在厂内储存光掩膜的区域(步骤S22)。接着，检验制好的光掩膜其品质是否良好(步骤S23)。若品质不好，则请光掩膜厂重新制作(步骤S21)。若品质良好，则对光掩膜进行初验，即检查光掩膜上是否有颗粒(Particle)(步骤S24)。初验完后，利用工艺机台对光掩膜进行加工(步骤S25)。例如，利用黄光机台对光掩膜进行曝光。加工完后，检杨光掩膜是否符合工艺规格(步骤S26)。若不符合规格，则重新检验光掩膜(步骤S24)。若符合规格，则进行大量制造的程序(步骤S27)，然后判断是否完成大量制造流程(步骤S28)。当完成大量制造流程时，可将制好的光掩膜存放仓储中或进行复验(步骤S29)。
若光掩膜欲进行复验，则先将欲复验的光掩膜存放至复验储存区(步骤S31)，然后根据与工艺相关的权重因子对光掩膜进行排序(如步骤S12所述)(步骤S32)。接着进行风险管理，即判断实时对光掩膜执行复验流程是否会造成损失(步骤S33)，并且根据管理结果执行对应的工艺操作或复验流程(步骤S34)。当完成复验后，将复验后的光掩膜的优先权进行重置(步骤S35)，然后执行风险评估，以根据复验结果判断是否应暂停机台的加工(步骤S36)。若暂停机台加工，则将该情况回报给B2B沟通平台以做进一步的处理(步骤S37)。
图3显示了本发明实施例的光掩膜复验系统的架构示意图。
本发明实施例的光掩膜复验系统包括一光掩膜储存区100、一派工系统200以及一复验系统300。当光掩膜厂制作完光掩膜且释出后，会先存放在光掩膜储存区100。派工系统200根据与工艺相关的权重因子对光掩膜进行排序。权重因子包括紧急批量(Hot Lot)、裸晶数(Die No.)、在制品(WaferIn Process，WIP)、曝光时间(Exposure Time)、产品(Product)、工艺(Process)、层(Layer)、闲置时间(Idle Time)、高曝光能量...等等。每一批晶片考虑的工艺因子各不相同，有些光掩膜需要较长的曝光时间，有些光掩膜着重在裸晶的数量，故必须根据不同工艺状况对不同的工艺因子给予不同的权重(如附件1所示)，然后根据一权重公式计算每一批光掩膜的优先权(即派工优先级，如附件2所示)，该权重公式如下所示：
总权重(Total Weight)＝
Wip×Sum(Factor1×Weight1+Factor2×Weight2+...)，
其中，Sum()为加总函数，Factor表示权重因子，Weight表示权重。
接下来，派工系统200根据计算所得的优先权对光掩膜进行派工。复验系统300根据工艺状况决定是否对光掩膜执行复验的流程。若要复验，则对光掩膜执行一复验程序，并且将复验后的光掩膜的优先权进行重置。
本发明实施例的光掩膜复验方法与系统利用一线性统计公式，根据多个工艺因子并且加以加权，以找出具高潜在性风险的光掩膜加以检验，如此可节省大量制造成本。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (8)
1.一种光掩膜复验方法，包括下列步骤：
根据多个工艺权重因子对多个光掩膜进行排序；
根据计算所得的权重决定上述光掩膜的优先权以进行派工；
根据工艺状况依序决定是否对上述光掩膜执行复验的流程；
若要复验，则对其中一光掩膜执行一复验程序；以及
将复验后的光掩膜的优先权进行重置，并且对下一光掩膜执行上述派工与上述复验的流程。
2.如权利要求1所述的光掩膜复验方法，其更包括根据上述工艺权重因子并利用一权重公式计算上述光掩膜的优先权。
3.如权利要求2所述的光掩膜复验方法，其中，上述权重公式表示为：
总权重＝Wip×Sum(Factor1×Weight1+Factor2×Weight2+...)，
其中，Sum()为加总函数，Factor表示权重因子，Weight表示权重。
4.如权利要求3所述的光掩膜复验方法，其中，上述权重因子包括紧急批量、裸晶数、在制品、曝光时间、产品、工艺、层、闲置时间以及高曝光能量。
5.一种光掩膜复验系统，包括：
一光掩膜储存区，其储存已制作完成的多个光掩膜；
一派工系统，其根据多个工艺权重因子对多个光掩膜进行排序，并且根据计算所得的权重决定上述光掩膜的优先权以进行派工；以及
一复验系统，其根据工艺状况依序决定是否对上述光掩膜执行复验的流程，若要复验，则对其中一光掩膜执行一复验程序，将复验后的光掩膜的优先权进行重置，并且对下一光掩膜执行上述派工与上述复验的流程。
6.如权利要求5所述的光掩膜复验系统，其中，上述派工系统更根据上述工艺权重因子并利用一权重公式计算上述光掩膜的优先权。
7.如权利要求6所述的光掩膜复验系统，其中，上述权重公式表示为：
总权重＝Wip×Sum(Factor1×Weight1+Factor2×Weight2+...)，
其中，Sum()为加总函数，Factor表示权重因子，Weight表示权重。
8.如权利要求7所述的光掩膜复验系统，其中，上述权重因子包括紧急批量、裸晶数、在制品、曝光时间、产品、工艺、层、闲置时间以及高曝光能量。
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|---|---|---|---|---|
| CN112445077A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 光刻机的套刻误差校正方法及系统、光刻机 |
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2006
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