CN101080789A - 用于电流传感器的纳米晶芯、包含纳米晶芯的单和双级能量计以及电流探针 - Google Patents

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Abstract

一种没有局部气隙的绕线纳米晶体化芯，包括具有下述原子组成的纳米晶材料：[Fe1－aNia]100－x－y－z－α－β－γCuxSiyBzNbαM′βM″γ，其中a≤0.3，0.6≤x≤1.5，10≤y≤17，5≤z≤14，2≤α≤6，β≤7，γ≤8，M′是元素V、Cr、Al和Zn中的至少一种，M″是元素C、Ge、P、Ga、Sb、In和Be中的至少一种，其具有200到4000之间的磁导率μ，大于1T的饱和，大于0.9T的其中磁导率改变不超过5％的感应范围，小于0.02T的剩磁感应和高于1MHz的截止频率，使得当该芯在超过100℃下经受100h的老化时μ的改变小于1％，当该芯被涂敷时μ的改变小于5％，当温度在－25℃和+60℃之间变化时μ的改变小于15％，并且当温度在－40℃和+120℃之间变化时μ的改变小于25％，并且在－40℃到+120℃之间，μ随温度规则而且几乎线性地变化。

Description

用于电流传感器的纳米晶芯、包含纳米晶芯的单和双级能量计以及电流探针
本发明涉及一种用于制造电流传感器型的电感性元件的磁芯。
在元件或电流传感器的情况下，特别是对于可能包括显著的叠加直流分量的交流传感器的情况下，有必要具有减少了磁导率的芯，以便不使芯饱和，然而没有这一点则太弱以致于传感器不能保持令人满意的测量精度。传感器性能必须在高极化场中、以及在尽可能宽的温度范围上、某些情况下在宽的频率范围上稳定。
这种电流传感器特别用在电能量计变压器(transformer)中，后者将被供电的负载系统中的所有设备隔离开，同时提供用于计量能量的电信号。
可以直接连接到负载电流的变流器(current transformer)(根据IEC 1026的类型1。在该整个文档中，只要引用该标准，则引用是指最接近30.10.2004的先前版本)包括采取这样的芯的形式的单个级(stage)，即该芯组合变压器-隔离器和用于计量能量的电流传感器的功能。如可以从图1中看出的，在图1中由1总的表示的这样的变压器一般包括三部分：
-复曲面(toric)磁路(图中不是直接可见的)，用于最小化磁损耗，
-电阻R1的N1匝的初级线圈2(常常引向通过磁芯的单个导线)(N1＝1)，其中流过电流i1，
-电阻R2(通常是2500的量级)的N2匝的次级线圈3，其中流过电流i2。
如果电流与电压之间的相位偏移很小，并且如果初级和次级电流之间的关系尽可能地线性，那么电流传感器计量能量的精度是令人满意的。这尤其是通过尽可能高的磁化感应系数AL实现的，并且这意味着有很大的次级线圈匝数N2，而且磁导率μ也尽可能高。事实上，不管在要测量的交流I1上是否存在叠加的直流分量IDC，这些电流的组合一定不能将芯带到饱和区附近，因为否则的话B-H关系将不再完全线性。如果其B-H关系近似线性的感应范围称为ΔB，则不能超过的临界场是ΔB/μmax，否则的话会产生饱和，得出的非饱和条件如下：
Imax＝|(ICC+I1)|＜N1·(ΔB/μmax)。
这意味着需要测量的最大容许电流Imax增加越多，材料的磁导率必须减少越多，以避免饱和。
在实践中，对于上面可能叠加直流分量的小测量额定值(根据标准，5到50A)，使用单级传感器结构和非晶钴基合金的磁芯。
对于上面可能叠加直流分量的50A以上的负载电流额定值，该标准建议图2所示的双级结构，其具有：与前一情况中类似的、用4总的表示的导前(leading)变流器，负责隔离和消除直流分量；和从变压器分出来的、用5总的表示的高灵敏度电流传感器。由于后者防止传感器饱和的所有风险，因此使用很高磁导率的磁芯时有各项好处。
这些电流传感器的另一标准应用是在中和高功率设备中有功功率元件(IGBT、GTO、闸流晶体管等)的电流控制。这种类型的应用要求传感器应当能够测量非常快速并且频繁随时间变化的电流，因此要求它应当具有覆盖最宽的可能频率测量范围的宽的测量动态，典型地至少为1MHz。最有效的传感器是对于最小的物理大小具有最大精度和测量动态的传感器。
在这种设备中，使用类似于刚才描述的双级结构，其具有低等效磁导率导前变流器和分支电流传感器，它们基于具有大频率稳定性的高磁导率磁芯，如传统的高磁导率纳米晶芯(μ＞20000)。
遭受强的叠加直流分量(能量计应用)或大而且快速的电流变化(谐波测量应用，如控制有功功率元件的电流探针)的电流传感器变压器的芯所要求的性能基本相同，并且可以归纳如下：
-电感性元件的芯必须具有好的磁特性和好的热稳定性，这将特别有助于提高该元件的限定工作温度以及提供不很依赖于工作温度的测量精度。典型地，该温度稳定性是在-40℃到+60℃之间磁导率的变化率在百分之几的量级。
-它必须在可能超过100℃的气氛中显示很少的老化。
-在交变场中磁芯的磁导率必须限制到一磁导率水平，使得材料将不会由于基本交流分量以及它可能具有的任何谐波(在电源到功率半导体的情况下)和任何叠加的直流分量的联合效应而饱和。为了在能量计中使用的变压器中使用，更优选小于4000的相对磁导率，最好是小于3000同时还大于200或者甚至300。
-使用的磁配置不能包括任何局部气隙，以便限制对寄生电磁辐射的灵敏度。这也将使避免使用屏蔽的需要成为可能。
-还有必要找到高的饱和感应Bs，从而可以微型化传感器和/或提高其精度。特别优选具有高于或等于1T或者甚至高于1.2T的饱和感应Bs的芯。
-在意图对叠加的直流分量起作用的变流器的情况下，希望有“强B-H线性度”，也就是说，B和H之间的关系在显著感应范围ΔB上是尽可能线性的；设想μ在该范围上最多百分之几的最大变化。事实上，对于恒定极化电流范围IDC max的ΔB越高，磁导率进而传感器的精度就可以增加的越多，或者芯的半径和体积可以降低的越多。
-希望有一种有效的局部磁导率μloc，具有尽可能与叠加的直流分量HDC独立的交流分量。在工作点B(H)处B相对于H的导数称为微分磁导率或局部磁导率μloc。
-芯必须还具有小的磁损耗，以便限制传感器的电流和电压之间的相位偏移，从而增加精度。
-还希望电感性元件的磁特性不应当对外部应力如由涂层、线圈引起的应力非常敏感。
-除了这个，磁化频率动态应当令人满意，也就是说，“高固有截止”(intrinsic cut-off)的频率应当高，更具体地说，在没有传感器的屏蔽的情况下等于至少1MHz。在本发明的上下文中，表示感应电流的损耗效应的磁导率复数的虚部μ″的最大幅值所在的频率被称为导电材料的截止频率。
-芯必须尽可能经济。
为了构造变流器，通常使用包含80％镍的Fe Ni合金的复曲面磁芯，但这些合金具有随极化场可感知地变化的相对磁导率，同时总是保持明显高于10000。因此它们不适合对强直流分量起作用的变流器。
特别在US6507262B1中提出应当使用具有12000和300000之间的高磁导率的Fe Co Cu Si B型(可能不含钴)铁基纳米晶合金。同样，提出应当使用具有可比拟的磁导率的钴基非晶合金。这两个配置具有非常线性的B-H关系的优点，缺点是，它们具有很高的磁导率，当需要测量的电流的直流分量达到几安培时会导致磁芯的饱和。
还提出使用具有通过在横向场中退火而调节的、几千的相对磁导率的钴基非晶合金的金属芯。这些合金具有磁导率不太高的优点，然而缺点是，它们具有小于0.8特斯拉的饱和感应，这对于获得令人满意的传感器精度不是很有利。此外，这些合金在100℃以上对于老化敏感，并且钴是非常昂贵的元素。
还提出应当使用含60％(原子)Co的纳米晶Fe Co Nb Si B Cu，其可以用来将磁导率调整直到几百或几千的值，同时保持纳米晶FeCu Nb Si B合金的一些优点，即，性能的温度稳定性、低剩磁和低矫顽场。然而这些合金的缺点是，它们具有低的饱和感应，并且含有大量非常昂贵的钴。
最后，提出没有磁芯(Rogowski传感器)或具有由铁氧体罐(ferrite pot)制成的磁芯的变流器。这些传感器的缺点是，它们对于干扰测量的外部磁场非常敏感。为了避免这些干扰，有必要提供非常昂贵的磁屏蔽。
看来已知的配置没有真正令人满意的。
因此，本发明的目的是提供一种没有气隙的绕线铁磁芯，它相对于现有技术有改进，并且特别是具有可以在200和4000之间精确调节的相对磁导率，能够满足能量计的电流探针(不管是直接连接到单级结构还是连接到具有双级结构的变流器)的需要，还能够满足电流探针对电子系统的有功元件的动态电流监视的需要，以及同时占用最小可能的体积，而不需要屏蔽，并且尽可能经济。
为此，本发明涉及一种没有局部气隙的绕线纳米晶芯，包括具有下述原子组成的纳米晶材料：
[Fe1-aNia]100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzNbαM′βM″γ，其中a≤0.3，0.6≤x≤1.5，10≤y≤17，5≤z≤14，2≤α≤6，β≤7，γ≤8，M′是元素V、Cr、Al和Zn中的至少一种，M″是元素C、Ge、P、Ga、Sb、In和Be中的至少一种，
其具有200和4000之间的磁导率μ，大于1T的饱和，高于0.9T的其中磁导率改变不超过5％的感应范围，小于0.02T的剩磁感应和高于1MHz的截止频率，
并且使得当该芯在超过100℃下经受100小时的老化时，μ的改变小于1％，当该芯被涂敷时μ的改变小于5％，当温度在-25℃和+60℃之间变化时μ的改变小于15％，并且当温度在-40℃和+120℃之间变化时μ的改变小于25％，并且在-40℃和+120℃之间，μ随温度规则而且几乎线性地变化。
磁导率μ可以在-100℃和+120℃之间随温度规则和几乎线性地变化。
在优选实施例中，镍含量小于4.5％，优点是引起很小的磁致伸缩系数λs。
在另一优选实施例中，根据本发明的绕线芯具有如下成分(原子％)：
Ni≤4.5％
0.8％≤Cu≤1.2％
2.5％≤Nb≤3.5％
12％≤Si≤16.5％
6％≤B≤9％
其余的是铁和杂质。
最好，该绕线芯具有大于1000的磁导率μ。
根据本发明的芯具有非常经济的优点，因为它不含钴。
此外，其有效局部磁导率非常接近其线性磁导率。事实上，发明人发现，主磁滞回线的剩磁越小，该有效局部磁导率μloc越接近对应于该主磁滞回线的梯度的磁导率μlin。因此，优选具有很低剩磁Br的芯，典型地小于0.02T。
本发明的第二目的包括一种能量计型或电流探针型的电测量设备，包括至少一个磁芯，该至少一个磁芯是根据本发明的没有局部气隙的纳米晶芯。
该电测量设备例如是用于50A以下的额定值的、根据IEC 1036标准的单级能量计，包括一个根据本发明的磁芯，其磁导率μ在1000和4000之间、最好小于3000。
在优选实施例中，该单级能量计不包括屏蔽。
该电测量设备还可以是用于50A以上的额定值的、根据IEC 1036标准的双级能量计，该双级能量计包括变流器芯和测量芯，其中该变流器芯是根据本发明的芯，其磁导率μ在200和1000之间、最好低于800。
该电测量设备还可以是用于50A以上的额定值的、根据IEC 1036标准的具有单级的能量计，包括根据本发明的芯，其磁导率μ在200和1000之间、最好小于800。
优选地，根据本发明的能量计能够测量包括强直流分量的电流。
最后，该电测量设备可以是具有广测量动态以监视中或高功率设备中的有功功率元件中的电流的电流探针，这种类型的电流探针包括变流器芯和测量芯，变流器芯是根据本发明的芯，其磁导率μ在200和1000之间、最好低于800。
根据本发明的磁芯特别适合在期望测量其上叠加大直流分量的交流电流和/或各种类型和各种幅值的谐波分量的变流器中使用。
纳米晶芯包括以复曲面线圈的形式缠绕在其自身上面的纳米晶材料的带，它是通过在非晶条件下铸塑(cast)的带获得的，具有以下原子组成：
[Fe1-aNia]100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzNbαM′βM″γ，
其中a≤0.3，0.6≤x≤1.5，10≤y≤17，5≤z≤14，2≤α≤6，β≤7，γ≤8，M′是元素V、Cr、Al和Zn中的至少一种，M″是元素C、Ge、P、Ga、Sb、In和Be中的至少一种。为了获得纳米晶结构，在未卷饶状态下在张力下对非晶带进行晶体化退火，在带的基本轴纵向上移动和拉紧，使得该带在500和700℃之间的退火温度、在轴向张应力下保持5到300秒的时间段，之后缠绕该纳米晶带，其中轴向张力强度为2Mpa和500Mpa之间，以便获得200和4000之间的磁导率，并且对于构想的应用，最好在400和3000之间。
可以参考申请FR 2823507来获得更多张力下的退火工艺的细节。
总的来说，用于制造非晶铁-硅带的合金具有下列原子组成：
[Fe1-aNia]100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzNbαM′βM″γ，
其中a≤0.3，0.6≤x≤1.5，10≤y≤17，5≤z≤14，2≤α≤6，β≤7，γ≤8，
M’是元素V、Cr、Al和Zn中的至少一种，
M”是元素C、Ge、P、Ga、Sb、In和Be中的至少一种。
这些合金可以特别具有以下组成(按质量)：
Fe72至77Cu1Nb3Si12.5至17B6至12，合金的余量(balance)是本质上无法避免的杂质。
该材料制备成液体形式，然后在非晶带的传统冷却缸型铸塑设备中以高冷却速率铸塑，从而在铸塑设备的出口获得具有连接起来的多匝(jointed turns)的线圈形式的绕线非晶带。
在处理期间，在炉内，特别是在炉具有均匀温度的区域中，经受处理的移动带在其纵轴方向上受到极好地相对于非晶带的特性被调节的张力，并且当带通过炉时带被处理期间控制在窄的范围内。
此外，在快速退火的出口获得并缠绕的带可以被解开然后重绕，这使得有可能产生其匝彼此隔离的磁芯，这将在下面说明。在所有情况中，流过热处理或快速退火是在具有精确张力值的张力下、明确限定的温度和移动速度下执行的。
一般地说，根据该带的特性和600℃和700℃之间(优选在620℃和690℃之间)的炉温，带在退火温度上的停留时间可以在5和300秒之间，优选在10和60秒之间。
可以确定张力值的校准曲线，以便获得带中在200和4000之间的指定磁导率水平。
然而，为了获得其中限制感应电流的循环和磁损耗的芯，有必要在缠绕退火后的芯时防止在匝之间形成电接触。根据构想的芯的应用，为了减少芯中的感应电流和磁损耗，可能有必要在带上淀积或形成电绝缘层来将连续的匝彼此隔开。例如，可以在退火后，以从十分之一微米到几微米之间的厚度在带上连续淀积矿物质。为了这样做，可以将带从在退火设备出口处获得的线圈中解开，并且在小机械张力下重绕它，有可能在重绕之前将电绝缘材料淀积到解开的带上，使得将芯中的连续匝彼此隔离开。
一般地说，带在张力下、在动态退火炉内的晶体化条件是：带包括尺寸在2和20nm之间的纳米晶体的体积的至少50％。各种晶体被包括合金中仍是非晶的部分的本体彼此分开。
根据本发明的磁芯的优点是，它具有低的磁致伸缩系数。因为这个，它的磁特性在执行在芯上产生应力的涂敷、浸渍、绕线、粘合等操作时不改变。因此，例如，当根据本发明的芯被涂敷时，特别是在20℃下测量时，其线性磁导率的变化小于5％。
该芯可以是圆形、椭圆形或正方形，而没有气隙。
图1是单级能量计的概略图。
图2是双级能量计的概略图。
图3和图4是分别示出芯的饱和磁滞回线(Hmax＝20Oe)和线性磁滞回线(Hmax＝1Oe)的图。
图5和图6是分别示出对于不同材料的、具有非零的直流分量(或图6或图7的情况中的相应场HDC)的电流(或场H)的磁导率与具有零直流分量的电流(或场H)的磁导率之比的图。
图7是示出根据本发明的芯的磁导率与温度关系的图。
图8是示出由相同非晶带制成的三个芯的(叠加直流分量的磁导率/幅值)图。
图9示出根据本发明的快速退火的芯和钴基非晶芯的、作为温度函数的稳定性μ。
作为示例，使用已知的工艺在成分为Fe73.5Cu1Nb3Si15.5B7的非晶带的非晶本体(matrix)中进行晶体化而成为纳米晶，在拆卷机与绕线机之间通过期间施加50Mpa的张力，并通过655℃的火炉部分持续35秒。非晶带通过甲醇镁的溶液而被预隔离。在重绕成内径20mm的环形(torus)之后，特征在于直流流量计量方法，其示出(图4)饱和的磁滞回线(施加的最大场20Oe)在对应于从6到7Oe的场的部分中是非常线性的；因此如果施加的最大场(交流和/或直流的)被限制于6或7Oe以下，例如1Oe，则材料仅工作在对应于理想电流传感器的非常窄的线性磁滞回线(图4)中。
剩磁如此之低，以致于在测量精度的限制内难以给它0以外的值。然而毫无疑问，它小于0.02T。21mOe的矫顽场也很低，并且建议在叠加直流分量Hdc情况下在10kHz下测量的局部磁导率μloc(也称为微分磁导率)将非常接近μlin，并且与Hdc的关系非常稳定。图5和图6中所示的曲线证实了这点，其中通过与FeNi粉压片(MPP)与钴基晶体合金(Hitperm)的比较，将看出根据本发明的芯(SAN)的磁导率在比较类似的磁导率水平时保持稳定得多。
这些图对于以其线性磁导率μlin为特征的不同材料，显示叠加直流场Hdc的局部磁导率μloc与相对于叠加直流场Hdc的叠加直流场为0的局部磁导率μloc(0)之比，这些图显示：
-对于根据本发明的相对线性磁导率为1700的芯(SANμ1700)，对于直到大约2Oe的场Hdc，μloc(Hdc)/μloc(0)比保持有效等于1，
-对于μ700和μ3500Hitperm钴基纳米晶合金，当Hdc场达到0.1Oe时，μloc(Hdc)/μloc(0)比降到0.9以下，
-对于FeNi粉压片，μloc(Hdc)/μloc(0)比仅仅对于对应于低磁导率(μ300MPP和μ30MPP)的样本保持稳定，而对于550的相对磁导率(μ550MPP)，比值μloc(Hdc)/μloc(0)非常快速地下降。
从表示磁滞回线的图1中可以看出，这个非常有利的性质直接归功于B-H磁滞回线的令人满意的线性度(只要没达到饱和角)。剩磁Br很低，μloc＝μlin，因此μloc与Hdc无关，这对于应用是理想的。
在图7中将看出，磁导率μlin在20℃与100℃之间的相对变化不超过10。
为了评估该制造工艺的再现性，根据本发明，在绕线时使用相同的起始非晶带和相同的50Mpa的张力制造三个纳米晶芯。如图8所示，这三个芯之间的特性差别保持小于5％。
当温度在-25℃和+60℃之间(大多数能量计应用的最大工作温度范围)变化时，根据本发明的芯的所有磁导率变化小于15％。作为比较，传统的钴基非晶芯变化16％。
  以μlin≈1700绕线的芯的情况   根据本发明的芯   钴基非晶芯
  在-25℃与+60℃之间的[μlin(T)-μlin(20℃)]/μlin(20℃)(％)   -7％/+6％   -15％/+1％
  在-40℃与+120℃之间的[μlin(T)-μlin(20℃)]/μlin(20℃)(％)   -8％/+17％   -15％/+1％
一些应用需要在直到120℃下工作。在这种情况下，性能对于钴基非晶芯变得更加有利。
相反，根据本发明的芯具有优于钴基非晶芯的巨大优点，即磁导率随温度有规则且几乎线性地改变，这意味着容易对作为温度函数的测量施加电子校正，而这在钴基非晶芯的情况下要困难得多。这特别可以在图9中看出。
此外，发明人发现，一直到-100℃还可以观察到磁导率随温度近似线性的变化。特别地，在温度T和0℃下的磁导率之间的测量差异产生下面的结果：
 T℃   0   -20   -40   -60   -80   -100
 Δμ/μ(％)   0   -0.8   -2.1   -3.6   -5.4   -7.3
此外，根据本发明的芯很少由于温度影响而遭受老化。因此，在120℃下烘烤100小时后，在20℃下测量到小于1％的线性磁导率下降。作为比较，在相同条件下将看到钴基非晶芯的磁导率下降5到6％。
从下表中将看出，根据本发明的芯在1T量级的感应场上可以保证好于5％或2％的线性度。也将看出，对于相同的线性度，根据本发明的芯提供的工作感应范围比钴基非晶芯大大约10％。
  以μlin≈1700绕线的芯   根据本发明的芯   钴基非晶芯
  对于Δμloc/μloc＜2％可得到的ΔB   ΔBmax＝1.06T   ΔBmax＝0.94T
  对于Δμloc/μloc＜5％可得到的ΔB   ΔBmax＝1.12T   ΔBmax＝1.03T
最后，应当注意，根据本发明的材料的截止频率(与获得在阻抗计上测量的虚数磁导率μ″的最大幅值的频率对应)高于2MHz，这是钴基纳米晶合金(Hitperm)的截止频率的两倍，其中如下表所示，钴基纳米晶合金(Hitperm)的磁导率590和2860在根据本发明的材料的磁导率两侧(flank)。因此，根据本发明的芯的动态稳定性非常令人满意，由此它们非常适合在电流探针型的双级电流捕获设备中使用。
  材料   μ′(10kHz)   频率fcfc(Maxμ″)
  Hitperm   5902860   1MHz2MHz
  本发明   1560   2MHz
此外，在更低磁导率的情况下固有截止频率可以达到10MHz或者更高。
芯在饱和Bs下的感应可以大于0.9特斯拉，甚至1特斯拉，甚至1.2特斯拉。作为比较，钴基非晶芯不能实现1T的饱和。
此外，发明人调查了在本发明涉及的合金特性方面镍和钴的效果，钴是其效果可与镍相比拟的元素。
对于成分(原子％)为(Fe100-x-yCoxNiy)74Cu1NB3Si15B7的合金来说，下表提供了根据本发明的热处理的可得到的磁导率范围、矫顽场Hc、磁致伸缩系数λs、在150℃和25℃下的磁导率比、和在27℃对于50mT的感应在500kHz下的磁损耗。
  x   y   可得到的μ范围   Hc(A/m)   λs(单位ppm)   μ(150℃)/μ(25℃)   500kHz，50mT，27℃下的磁损耗(单位mW/cm3)
  0   0   4000到200，或更少   3   -0.5＜λs＜+0.5   1.2   230
  1.7   0   μ＞300   4   0.8   1.4   480
  4.9   0   μ＞600   6   1.3   1.5   1225
  2   1   μ＞350   4.5   1   1.45   610
  2.2   3   μ＞400   4.8   1.5   1.6   780
从该表中将可以看出，特别是镍和钴浓度之和越低，磁致伸缩系数的绝对值就将越低。
一般地说，发明人发现当镍和钴浓度之和保持低于5％(最好低于4％)时，磁致伸缩系数的绝对值保持低于2ppm，甚至能小于1ppm。
该性质尤其有用，因为磁致伸缩系数越低，合金对外部应力(粘合、涂敷、浸渍、切断、处理等)的敏感度就越低。
原则上，用于本发明的合金不包含任何钴，本质上是出于经济原因。然而，因为制造条件，合金可能包含微量钴，也就是说，浓度低于0.5％。
在这些条件下，为了获得具有对在制造过程中产生的应力具有很小敏感度的芯，优选镍含量保持低于4.5％，更好地低于4％，进一步更好地低于3％。
在电流探针的情况下，作为其在没有气隙的情况下的高饱和以及优化的磁导率的结果，作为其超过1MHz的截止频率的结果，根据本发明的芯可以将探针的尺寸减少80到98％，这在功率元件的控制系统中是很大的优点。
示例—双级变压器的微型化
根据本发明的双级变流器基于以下规范构建：
-下截止频率：100Hz-3dB
-上截止频率：10MHz-3dB
-测量频率范围：100Hz与10MHz之间的谐波
-测量范围：50DC+50AC：交流负载电流50A+叠加的50A直流。
根据现有技术的变压器是使用传统的具有局部气隙的第一级铁氧体基于同样规范构建的，而根据本发明的变压器是使用低磁导率纳米晶第一级构建的。
所获得的变压器的磁和尺寸特性在下表中示出，其中：
Ae：芯的横截面，
Le：平均周长，
体积：2个磁芯的体积之和，
AI＝*Ae/Le。
  根据本发明的配置   根据现有技术的配置
芯1第一级  芯2第二级   芯3第一级  芯4第二级
  Ae(m2) 0.40  0.24   3.15  0.22
  Le(cm) 4.5  2.4   16  6.3
  体积(cm3)              2.376             51.786
  Bs(特斯拉) 1.25  1.25   0.3  0.25
  AL 183nH  50μH   318nH  72μH
  材料 根据本发明的纳米晶(μ＝200)  传统的纳米晶(Imphy T45-6)   具有局部气隙的MnZn铁氧芯  传统的纳米晶(Imphy T45-6)
  匝数 22  22   15  33
  线电阻 68mΩ  5Ω   46mΩ  5Ω
因此将看出，根据本发明的纳米晶化合物的使用使得与包括具有局部气隙的铁氧芯的现有技术的变压器相比，能将双级变压器的体积减少25倍。此外，这种变压器不需要使用屏蔽。
本发明不限于所述的实施例。
因此，可以构想使用上面定义的含铁、硅、非晶元素和其它附加元素的许多合金的纳米晶芯的构造，其在退火期间的温度和应力条件可以调节到所指示的那些以外的值，而这些值仍在要求保护的范围之内。
该芯可以制成圆形、正方形或长方形。
在被纳米晶体化以便获得在接近0的饱和下明显的磁致伸缩之后，所制造的芯可以被直接在金属而不是保护盒上涂上保护树脂，而没有已经讨论的任何干扰电流传感器所需的磁性能的风险。
发明人发现一个新特征，即这样的芯可以非常有利地用于制造交流传感器特别是具有下列特定配置和应用的传感器的变压器芯：
-单级能量计芯，其符合低频能量计(最大50A)中最小电流额定值的IEC 1036标准的规范，特别是能够耐受强叠加直流分量和/或强叠加谐波分量，没有用于屏蔽的局部气隙，没有钴，与钴基非晶芯一样精确，在低于60℃的温度下与钴基非晶芯相比可能稍不稳定，但却更容易校正，在100℃以上与钴基非晶芯相比老化程度非常轻微，并且适合至少也很小巧的传感器，
-用于具有双级结构的能量计的变流器芯(其上可能叠加直流和/或谐波分量的、超过50A的充电电流)，其要求比以前更小的磁导率范围，即μ＞1200，这是当前在没有局部气隙的情况下不可能获得的(在钴基非晶芯的范围之外)，当前是通过切割铁、FeSi或铁氧芯实现的，这引起高磁滞和对外部电磁干扰的大灵敏度，这可能使昂贵且庞大的屏蔽成为必要，
-作为单级结构以创新方式构建的能量计芯，这是由于根据本发明的芯的低磁导率(典型地＜1200)和在饱和之前强的B-H线性度(对于ΔB＝1T，Δμ/μ＜1％)，因此对于超过50A的、其上可能叠加直流和/或谐波分量的负载电流额定值，替代双级结构的能量计。应当注意，该创新不限于变流器的有利替换—它替换隔离变压器和高磁导率测量芯(由于具有很低磁导率的芯；因此从双级结构改变为单级结构)，
-电流探针，其具有宽电流测量动态，用于监视中和高功率设备中有功功率元件(IGBT、GTO、闸流晶体管等)。对于这样的设备，使用双级结构，具有：具有低等效磁导率的前导变流器；和基于高磁导率芯和高频率稳定性如传统纳米晶芯(μ＞20000)的导数电流传感器。
用这些芯，可以制造与已知传感器相比具有从芯的优点直接得到的优点的相应传感器。

Claims (12)

1.一种没有局部气隙的绕线纳米晶体化芯，包括下述原子组成的纳米晶材料：
[Fe1-aNia]100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzNbαM′βM″γ，其中a≤0.3，0.6≤x≤1.5，10≤y≤17，5≤z≤14，2≤α≤6，β≤7，γ≤8，M′是元素V、Cr、Al和Zn中的至少一种，M″是元素C、Ge、P、Ga、Sb、In和Be中的至少一种，
其具有200和4000之间的磁导率μ，大于1T的饱和，高于0.9T的其中磁导率改变不超过5％的感应范围，小于0.02T的剩磁感应和高于1MHz的截止频率，并且使得当该芯在超过100℃下经受100小时的老化时，μ的改变小于1％，当该芯被涂敷时μ的改变小于5％，当温度在-25℃和+60℃之间变化时μ的改变小于15％，并且当温度在-40℃和+120℃之间变化时μ的改变小于25％，并且在-40℃和+120℃之间，μ随温度规则而且几乎线性地变化。
2.如权利要求1所述的绕线芯，其特征在于，在-100℃和+120℃之间，μ随温度规则而且几乎线性地变化。
3.如权利要求1或2所述的绕线芯，其特征在于，镍含量小于4.5％。
4.如权利要求3所速的绕线芯，其特征在于，纳米晶合金的成分按照原子百分比如下：
0.8％≤Cu≤1.2％
2.5％≤Nb≤3.5％
12％≤Si≤16.5％
6％≤B≤9％
其余的是铁和杂质。
5.如权利要求1到4中任何一项所述的芯，其特征在于，磁导率μ大于1000。
6.一种能量计型或电流探针型的电测量设备，包括至少一个磁芯，其特征在于，至少一个磁芯是如权利要求1到4中任何一项所述的没有局部气隙的纳米晶芯。
7.如权利要求6所述的设备，其特征在于，它包括用于50A以下的额定值的、根据IEC 1036标准的单级能量计，其中该纳米晶磁芯具有1000和4000之间、最好低于3000的磁导率μ。
8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，它不包括屏蔽。
9.如权利要求6所述的设备，其特征在于，它包括用于50A以上的额定值的、根据IEC 1036标准的双级能量计，该双级能量计包括变流器芯和测量芯，其中变流器芯是磁导率μ在200和1000之间、最好低于800的纳米晶芯。
10.如权利要求6所述的设备，其特征在于，它包括用于50A以上的额定值的、根据IEC 1036标准的单级能量计，其中该纳米晶磁芯具有200和1000之间、最好低于800的磁导率μ。
11.如权利要求6所述的设备，其特征在于，它构成具有宽测量动态以监视中或高功率设备中的有功功率元件中的电流的电流探针，这种类型的电流探针包括变流器芯和测量芯，其中变流器芯是磁导率μ在200和1000之间、最好低于800的纳米晶芯。
12.如权利要求7到10中任何一项所述的设备，其特征在于，它能够测量包括强直流分量的电流。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106158220A (zh) * 2015-04-28 2016-11-23 北京郡北科磁性科技有限公司 一种具有线性磁导率的纳米晶磁芯及其制备方法
CN107464649A (zh) * 2017-08-03 2017-12-12 江苏奥玛德新材料科技有限公司 一种具有线性磁滞回线的磁芯

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100148907A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 General Electric Company Current transformer and electrical monitoring system
WO2010119332A1 (en) 2009-04-16 2010-10-21 Panoramic Power Ltd. Apparatus and methods thereof for power consumption measurement at circuit breaker points
US9678114B2 (en) 2009-04-16 2017-06-13 Panoramic Power Ltd. Apparatus and methods thereof for error correction in split core current transformers
US9134348B2 (en) 2009-04-16 2015-09-15 Panoramic Power Ltd. Distributed electricity metering system
EP2562549A1 (en) * 2010-04-20 2013-02-27 Anyang Anke Electric Co., Ltd. Pulse current sensor and lightning protection cabinet with surge wave recording composed of the sensor
DE102011002114A1 (de) 2011-04-15 2012-10-18 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Legierung, Magnetkern und Verfahren zum Herstellen eines Bandes aus einer Legierung
US9773595B2 (en) 2011-04-15 2017-09-26 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Alloy, magnetic core and process for the production of a tape from an alloy
CN102881437A (zh) * 2011-07-12 2013-01-16 三信国际电器上海有限公司 一种用于检测剩余电流的电流互感器和剩余电流保护装置
DE102012109744A1 (de) 2012-10-12 2014-04-17 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Legierung, Magnetkern und Verfahren zum Herstellen eines Bandes aus einer Legierung
DE102013100246A1 (de) * 2013-01-11 2014-07-17 Refusol Gmbh Stromsensor- und Entstörfilteranordnung, insbesondere für transformatorlose Photovoltaik-Wechselrichter
CN103969488B (zh) * 2013-01-31 2017-09-29 西门子公司 电流互感器及其电流检测电路
US10024885B2 (en) 2015-07-28 2018-07-17 Panoramic Power Ltd. Thermal management of self-powered power sensors
US9891252B2 (en) 2015-07-28 2018-02-13 Panoramic Power Ltd. Thermal management of self-powered power sensors
US10371739B2 (en) * 2015-10-30 2019-08-06 Landis+Gyr Llc Arrangement for detecting a meter maintenance condition using winding resistance
US20190055635A1 (en) * 2017-08-18 2019-02-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fe-based nanocrystalline alloy and electronic component using the same
WO2020070309A1 (en) 2018-10-05 2020-04-09 Abb Schweiz Ag Magnetic core arrangement, inductive device and installation device
FR3116608B1 (fr) * 2020-11-26 2022-12-23 Chauvin Arnoux Dispositif de mesure de courant électrique sans contact à noyau magnétique flexible
DE102022104850A1 (de) * 2022-03-01 2023-09-07 Magnetec Gmbh Induktives Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines induktiven Bauelements, Verwendung eines induktiven Bauelements und Kraftfahrzeug
DE102022111654A1 (de) 2022-05-10 2023-11-16 Magnetec Gmbh Magnetfeldempfindliches Bauelement, Verwendung eines magnetfeldempfindlichen Bauelements und Transformator

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4637843A (en) * 1982-05-06 1987-01-20 Tdk Corporation Core of a noise filter comprised of an amorphous alloy
JPS6479342A (en) * 1986-12-15 1989-03-24 Hitachi Metals Ltd Fe-base soft magnetic alloy and its production
JP2713364B2 (ja) * 1988-05-11 1998-02-16 日立金属株式会社 耐熱性に優れた超微結晶軟磁性合金
JPH03271346A (ja) * 1990-03-20 1991-12-03 Tdk Corp 軟磁性合金
DE4210748C1 (de) * 1992-04-01 1993-12-16 Vacuumschmelze Gmbh Stromwandler für pulsstromsensitive Fehlerstromschutzschalter, Fehlerstromschutzschalter mit einem solchen Stromwandler, und Verfahren zur Wärmebehandlung des Eisenlegierungsbandes für dessen Magnetkern
FR2706040B1 (fr) * 1993-06-01 1995-08-04 Lem Procédé de mesure de courant et dispositif mettant en Óoeuvre ce procédé.
US6144279A (en) * 1997-03-18 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Electrical choke for power factor correction
JP4755340B2 (ja) * 1998-09-17 2011-08-24 ヴァキュームシュメルツェ ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー 直流電流公差を有する変流器
US6507262B1 (en) 1998-11-13 2003-01-14 Vacuumschmelze Gmbh Magnetic core that is suitable for use in a current transformer, method for the production of a magnetic core and current transformer with a magnetic core
US6648994B2 (en) * 2000-01-06 2003-11-18 Hitachi Metals, Ltd. Methods for producing iron-based amorphous alloy ribbon and nanocrystalline material
US6749700B2 (en) * 2001-02-14 2004-06-15 Hitachi Metals Ltd. Method for producing amorphous alloy ribbon, and method for producing nano-crystalline alloy ribbon with same
FR2823507B1 (fr) * 2001-04-12 2004-03-19 Imphy Ugine Precision Procede de fabrication d'une bande en materiau nanocristallin, procede et dispositif de fabrication d'un tore magnetique, tore magnetique et utilisation du tore magnetique comme element d'un composant inductif
US6930581B2 (en) * 2002-02-08 2005-08-16 Metglas, Inc. Current transformer having an amorphous fe-based core
US6992555B2 (en) * 2003-01-30 2006-01-31 Metglas, Inc. Gapped amorphous metal-based magnetic core
CN100378875C (zh) * 2003-04-02 2008-04-02 真空融化两合公司 磁芯及其制造方法和在电流互感器和电流补偿的扼流圈中的应用

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106158220A (zh) * 2015-04-28 2016-11-23 北京郡北科磁性科技有限公司 一种具有线性磁导率的纳米晶磁芯及其制备方法
CN106158220B (zh) * 2015-04-28 2018-11-23 北京郡北科磁性科技有限公司 一种具有线性磁导率的纳米晶磁芯及其制备方法
CN107464649A (zh) * 2017-08-03 2017-12-12 江苏奥玛德新材料科技有限公司 一种具有线性磁滞回线的磁芯

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Publication number Publication date
US20080117014A1 (en) 2008-05-22
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EP2293308A3 (fr) 2014-08-20
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WO2006048533A1 (fr) 2006-05-11
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