CN101060748B - 荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路 - Google Patents

荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路 Download PDF

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Abstract

荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,包括依次连接的电压取样电路、双向比较放大电路、误动作防止电路和保护执行电路,其特征在于所述的双向比较放大电路包括有第一三极管、第二三极管、第一二极管和第二二极管,其中,第一三极管与第二三极管的集电极共点作为双向比较放大电路输出端,第一三极管和第二三极管的发射极分别作为双向比较放大电路第一、二输入端,第一三极管和第二三极管的基极共点,而第一二极管、第二二极管分别对应地并联在第一三极管、第二三极管的基极和发射极两端。本发明设计灵活、应用广泛,很适合目前大批量生产的由分立元件做的自激型电子镇流器和早期开发的由没有寿终保护的集成电路组成的它激型电子镇流器。

Description

荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路
技术领域
本发明涉及一种电子镇流器的保护电路,更具体地说是涉及荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路。
背景技术
荧光灯是一种节能、高效、色温可以控制的绿色光源,采用高光效的荧光灯并配备低能耗的电子镇流器,目前仍然是室内照明的首选产品。
但是随着灯管的老化,荧光灯发生寿命终止现象,灯丝阴极的热电子发射能量逐渐降低,伴随灯管电压增加,但由于灯管两端的灯丝老化程度不可能一致,两个灯丝阴极的电子发射能力不同,流过灯管的交流电流的正负部分也就不相同,即产生所谓的“整流效应”。镇流器的整流效应会导致灯丝电压明显增加,灯丝电极温度急剧上升,使电子镇流器因输出功率过大而失效,而这个额外功率集中在灯管阴极前面很小的范围内而且严重不平衡,当能量集中在灯的阴极上,阴极处产生很高的高温,使合格的灯座受热变形,更严重时会发生灯管壁玻璃熔化,造成灯管脱落。
因此,在电子镇流器的设计中必须考虑加入整流效应保护电路,这样才能提高系统的可靠性,尤其是T5和T4等细管径灯的大量涌现,灯管的适当变细,使得灯的光效得到提高,但也造成了当灯制作不良或在寿命后期发生局部整流效应,因此不仅电子镇流器应具备自身的保护功能,而且还应保护灯管在这一状态下不发生局部爆裂、熔化和破碎跌落现象。
为此,人们设计了针对灯管寿终老化的荧光灯电子镇流器保护电路,如已有的专利号为ZL01246314.0(授权公告号为CN2492037Y)的中国实用新型《荧光灯电子镇流器整流效应保护电路的结构》设计了这样一种保护电路结构:包括有灯管电压正峰值采样电路,灯管电压负峰值采样电路和正负峰值电压信号相加电路,其中与电子镇流器连接的荧光灯管分别与灯管电压正峰值采样电路。该电路将荧光灯管交流电压降分压,分别获得灯管电压正相峰值和负相峰值,待正负峰值电压信号相加后经比较判断,控制电路决定是否停振。上述专利电路采用保护电路通过检测交流电压降的正负幅度的不对称性,从而判断荧光灯是否处于整流态,虽然能够有效地避免由于采用电流采样的方式对电路的整流态进行检测的设计缺陷,但是其采样电路部分相对复杂,而且其采样信号处理电路为一IC集成电路,不适合大批量生产的由分立元件做的自激型电子镇流器。
事实上,随着荧光灯电子镇流器技术的不断发展,越来越多的镇流器保护电路被设计出来,并且在不断的被完善。如申请号为200410097249.5(公开号为CN1617645A)的中国发明专利《电子镇流器中灯管寿终时的保护电路》就公开了这样一种电子镇流器寿终保护电路:它包括第一比较器、第二比较器和用于灯管自动重启的MOS管,所述的两个比较器的输出端通过可控硅连接到振荡驱动电路的电源端,灯管寿终时其在负半周上的电压会下降,两个比较器会检测到该变化并触发导通可控硅,使振荡驱动电路停振,产品处于受保护状态。所述的保护电路采用双运算放大器作为采样信号比较器,能够有效地检测到发生整流效应时灯管电压的异常变化,从而起到保护镇流器、防止灯管脱落的作用。
然而,采用双运放组成的电压比较器需要有一个参考比较点,在电路设计中必须确定一个参考比较点的取样电压,会增加电路的复杂性;其次,上述保护电路用单电源供电的运放比较器只能处理采样电压为正压的情况,不能处理采样电压为负压的情况,因此只能适应荧光灯单端接地的电路连接方式,而不能应用于荧光灯两端浮地的情况,如果采样比较电压为负值,则需要采用双电源供电的运放比较器,无疑会增加设计成本和难度。
另外,目前很多半导体商相继推出电子镇流器控制IC,整流保护电路也集成到控制IC中,单电源供电的IC做成的传统窗口比较器虽然有足够的有灵敏度但因为不能处理两端都不接地的浮地信号所以应用受到一定的限制。因此,现有的荧光灯局部整流保护电路在设计上还存在一定的缺陷和局限性,需要进行进一步的改进。
发明内容
本发明所要解决的一个技术问题是针对上述现有技术现状而提供一种能够同时检测正、负采样电压的荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,该局部整流保护电路可以处理荧光灯一端接地的镇流器电路连接结构,也可以处理荧光灯两端都不接地的镇流器电路连接结构。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:该荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,包括一电压取样电路,用于获取荧光灯管两端的异常电压值;
一双向比较放大电路,检测并处理由电压取样电路获得的异常电压信号;
一误动作防止电路,使局部整流保护电路的驱动元件工作在一个稳定值,避免荧光灯管在点亮前局部整流保护电路的误动作;以及
一保护执行电路,在发生局部整流效应时,控制电子镇流器停振,以达到保护电子镇流器的作用;其中,所述电压取样电路的输出端和所述双向比较放大电路的输入端相连,该双向比较放大电路的输出端和所述误动作防止电路的输入端相连,该误动作防止电路的输出端和所述保护执行电路的输入端相连;
所述的双向比较放大电路以第一三极管、第二三极管、第一二极管和第二二极管为核心,具体可以有多种连接方式,但都实现同一功能:即当灯管出现局部整流时,灯管两端出现异常高压,双向比较放大电路选择一个三极管和一个二极管同时导通并检测到这些异常信号,将信号放大到一定强度再经过延时使可控硅导通起到保护作用,双向比较放大电路的可以连接如下:
其中,第一三极管与第二三极管的集电极共点连接作为双向比较放大电路的输出端,第一三极管和第二三极管的发射极分别作为双向比较放大电路的第一、二输入端,第一三极管和第二三极管的基极共点连接,而第一二极管、第二二极管则分别对应地并联在第一三极管、第二三极管的基极和发射极两端,并且第一二极管与第二三极管、第二二极管与第一三极管的导通方向分别一致。
双向比较放大电路也可以连接如下:
其中,第一三极管与第二三极管的集电极共点连接作为双向比较放大电路的输出端,第一三极管和第二三极管的基极分别作为双向比较放大电路的第一、二输入端,第一三极管和第二三极管的发射极共点连接,而第一二极管、第二二极管则分别对应地并联在第一三极管、第二三极管的基极和发射极两端,并且第一二极管与第二三极管、第二二极管与第一三极管的导通方向分别一致。
所述的电压取样电路包括有第一分压电阻和第二分压电阻,所述的第一分压电阻的一端作为整个局部整流保护电路的第一个输入端,第一分压电阻的另一端连接第二分压电阻的一端,并由第二分压电阻的另一端作为整个局部整流保护电路的第二个输入端,双向比较放大电路的第一、二输入端并联在第一分压电阻或第二分压电阻的两端。
所述的整个局部整流保护电路的第一个输入端和第二个输入端可以都浮地,也可以一端接地,当所述的双向比较放大电路的第一输入端或第二输入端接地时,在双向比较放大电路的输出端还连接一包括有控制电压端和PNP型第三三极管的电平移位电路,PNP型第三三极管的发射极连接控制电压端,PNP型第三三极管的基极连接双向比较放大电路的输出端,PNP型第三三极管的集电极作为整个电平移位电路的输出端连接误动作防止电路;
当所述的双向比较放大电路的两个输入端均浮地时,在双向比较放大电路的输出端也可以连接一包括有控制电压端和NPN型第三三极管的电平移位电路,NPN型第三三极管的集电极连接控制电压端,NPN型第三三极管的基极连接比较放大器电路的输出端,NPN型第三三极管的发射极作为整个电平移位电路的输出端连接误动作防止电路,这时的电平移位电路相当于一个射极跟随器,当双向比较放大电路的输出电流已较足够强时,电平移电路可以省略;当整个局部整流保护电路的输入端外接隔直电容时,还需要在第一分压电阻或第二分压电阻两端并联有第一电容。
可以采用现有的各种误动作防止电路,优选的采用如下误动作防止电路:包括有第五电阻、稳压二极管以及由第三电阻、第四电阻和第二电容组成的延时电路,其中,第三电阻的一端作为整个误动作防止电路的输入端,第三电阻的另一端分两路,一路经第四电阻接地,另一路依次经稳压二极管和第五电阻输出到保护执行电路,第二电容两端分别连接在第四电阻两端。
可以采用现有的各种保护执行电路,优选的采用如下保护执行电路:包括第六电阻、第三电容和可控硅,其中,第六电阻的一端作为整个保护执行电路的输入端并连接可控硅的触发端,第六电阻的另一端接地,可控硅的阳极作为整个局部整流保护电路的输出端,可控硅的阴极接地,第三电容两端分别连接在第六电阻两端。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
(1)、简单的采用两个三极管和两个二极管组成的双向比较放大电路,能够实现对荧光灯两端异常电压信号的检测,并控制可控硅的动作,该保护电路使得产品在发生局部整流效应时一直处于受保护状态,直到换灯管时,使得可控硅导通的维持电流切断,可控硅截止,荧光灯又能实现重启。
(2)、采用双向比较放大电路不但可以处理荧光灯一端接地的电压信号,也可以处理荧光灯两端都不接地(即为浮地状态)的电压信号;不但可以处理异常的交流信号(灯管上的峰值电压),也可以处理异常的直流信号(电容上的平均直流电压),因而具有更加广泛的使用范围。
(3)、本发明设计灵活、成本低,很适合目前在大批量生产的由分立元件做的自激型电子镇流器和由早期开发的没有寿命终止保护的集成电路(如2520、2153、6569)组成的它激型电子镇流器,并且控制效果能达到最新的局部整流效应检验标准。
附图说明
图1为现有技术荧光灯电子镇流器电路的原理框图。
图2为图1中局部整流效应保护装置的电路框图。
图3为本发明实施例一的电路原理图。
图4为本发明实施例二的电路原理图。
图5a为本发明实施例三的电路原理图。
图5b为本发明实施例三的另一变化的电路原理图。
图6a为本发明实施例四的电路原理图。
图6b为本发明实施例四的另一变化的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
如图1所示为现有荧光灯电子镇流器的常见电路原理拓扑之一,外接电源依次经EMI滤波器、全桥整流电路和功率因数矫正电路一路经高频半桥逆变电路的无源臂连接到荧光灯管,另一路经高频半桥逆变电路的有源臂和负载匹配网络连接到荧光灯管,在高频半桥逆变电路的有源臂和荧光灯管之间还连接有局部整流效应保护电路作为荧光灯的局部整流效应反馈控制电路。在该电路拓扑中,EMI滤波器、全桥整流电路、功率因数矫正电路、负载匹配网络、高频半桥逆变电路的有源臂以及高频半桥逆变电路的无源臂都是现有技术,可以采用不同的连接方式,实现相同的功能,在此不详细描述,只对本发明所要保护的局部整流保护电路作具体分析。
如图2所示,所述荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路包括有取样电路A、双向比较放大电路I、电平移位电路B、误动作防止电路C和保护执行电路D,其中电平移位电路B可以根据取样电路A经双向比较放大电路I的信号放大情况而决定是否需要设置,当双向比较放大电路I的输出电流已较足够强时,电平移电路B也可以省略。
所述的双向比较放大电路I以三极管Q1、三极管Q2、二极管D1和二极管D2为核心,根据荧光灯管有一端接地和两端浮地两种连接方式,结合实际取样电压的差别,对应双向比较放大电路I有如下四种连接方式:
①NPN型三极管Q1与NPN型三极管Q2的集电极共点连接作为双向比较放大电路I的输出端3,二极管D1、二极管D2的阴极分别接三极管Q1、三极管Q2的基极,并共点连接,而二极管D1、二极管D2的阳极分别接三极管Q1、三极管Q2的发射极,三极管Q1、三极管Q2的发射极分别作为双向比较放大电路I的第一输入端1、第二输入端2,如图3的双向比较放大电路I连接方式;
②NPN型三极管Q1与NPN型三极管Q2的集电极共点连接作为双向比较放大电路I的输出端3,二极管D1、二极管D2的阳极分别连接三极管Q1、三极管Q2的发射极,并共点连接,而二极管D1、二极管D2的阴极分别连接三极管Q1、三极管Q2的基极,三极管Q1、三极管Q2的基极分别作为双向比较放大电路I的第一输入端1、第二输入端2,如图4的双向比较放大电路I连接方式;
③在连接方式①的基础上,采用PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2替代原来的NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2,相应地变化:二极管D1、二极管D2的阳极分别接三极管Q1、三极管Q2的基极,并共点连接,而二极管D1、二极管D2的阴极分别接三极管Q1、三极管Q2的发射极,如图5a、图5b的双向比较放大电路I连接方式;
④在连接方式②的基础上,采用PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2替代原来的NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2,相应地变化:二极管D1、二极管D2的阴极分别连接三极管Q1、三极管Q2的发射极,并共点连接,二极管D1、二极管D2的阳极分别连接三极管Q1、三极管Q2的基极,如图6a、图6b的双向比较放大电路I连接方式。
图3、图4所示为本发明的实施例一和实施例二,荧光灯管一端接地,电压取样电 路A包括分压电阻R1、分压电阻R2和电容C1,所述的分压电阻R1的一端作为整个局部整流保护电路的第一个输入端In1,分压电阻R1的另一端分成两路,一路连接分压电阻R2的一端,另一路连接到双向比较放大电路I的第二输入端2,分压电阻R2的另一端作为整个局部整流保护电路的第二个输入端In2与双向比较放大电路I的第一输入端1连接后一起接地,所述的电容C1两端分别连接在分压电阻R2两端,而在双向比较放大电路I的输出端3还连接一包括有控制电压端Vcc和PNP型三极管Q3的电平移位电路B,三极管Q3的发射极连接控制电压端Vcc,三极管Q3的基极连接比较放大器电路I的输出端3,三极管Q3的集电极作为整个电平移位电路B的输出端连接误动作防止电路C。
实施例一和实施例二不同之处在于,所述的双向比较放大电路I虽然都采用两个NPN型三极管,但具体连接方式不同,实施例一采用所述的第①种双向比较放大电路,实施例二则采用所述的第②种双向比较放大电路。
如图5a、图6a所示为本发明的实施例三和实施例四,荧光灯管为两端浮地的连接方式,电压取样电路A同样包括有分压电阻R1、分压电阻R2和电容C1,所述的分压电阻R1的一端作为整个局部整流保护电路的第一个输入端In1,分压电阻R1的另一端连接分压电阻R2的一端,并由分压电阻R2的另一端作为整个局部整流保护电路的第二个输入端In2,电容C1两端连接在分压电阻R2两端,并且电容C1两端作为电压取样电路A的输出端分别连接到双向比较放大电路I第一输入端1、第二输入端2,双向比较放大电路I的输出端3连接到误动作防止电路C。
与实施例一、二不同的是,实施三、四为采用PNP型三极管的双向比较放大电路I,具体地,实施例三采用所述的第③种双向比较放大电路I,实施例四则采用所述的第④种双向比较放大电路I。
图5b、图6b为实施例三、四的另一变化电路,变形在于增设了一个与实施例一、二电路连接结构相同的电平移位电路B,这里的电平移位电路B作用不同于实施例一、二,主要作为一个射极跟随器,其中,双向比较放大电路I的输出端3连接NPN型三极管Q3的基极,三极管Q3的集电极连接控制电压端Vcc,三极管Q3的发射极作为整个电平移位电路B的输出端连接误动作防止电路C。
实施例一至实施例四,以及实施例三、四的另一变化电路都包含相同的误动作防止电路C和保护执行电路D,其中,所述的误动作防止电路C包括有电阻R5、稳压二极管D3以及由电阻R3、电阻R4和电容C2组成的延时电路,其中,电阻R3的一端作为整个误动作防止电路C的输入端,电阻R3的另一端分两路,一路经电阻R4接地,另一路依次经稳压二极管D3和电阻R5输出到保护执行电路D,电容C2两端分别连接在电阻R4两端;所述的保护执行电路D包括电阻R6、电容C3和可控硅D4,其中,电阻R6的一端作为整个保护执行电路D的输入端并连接可控硅D4的触发端,电阻R6的另一端接地,可控硅D4的阳极作为整个局部整流保护电路的输出端,可控硅D4的阴极接地,电容C3 两端分别连接在电阻R6两端。
下面就荧光灯管一端接地和两端浮地两种情况下,分别就实施一和实施例三说明局部整流保护电路的工作过程:
(1)、灯管一端接地(实施例一、实施例二)
当灯管正常工作时,灯管一端接地,如图3、图4所示,即第二个输入端In2接地,UM=0;此时,灯管两端的电压较低,这个较低的电压加在由电阻R1、R2,电容C1组成的电压取样电路上,电阻R2两端取出的电压UR2幅度很小,比较放大器I中的二极管D1、D2截止,三极管Q1、Q2也同时截止(或者流过三极管Q1、Q2的电流很小),三极管Q3截止,几乎没有电流经电阻R3给电容C2充电,电容C2处电压UC2接近于0伏,小于稳压二极管D3的反向击穿电压,二极管D3也截止,没有触发信号经电阻R5加到可控硅D4控制极,可控硅D4截止,电路正常工作。
当灯管出现局部整流效应时,灯管两端的电压异常升高,同时这个较高的电压加在由电阻R1、R2,电容C1组成的电压取样电路上,此时电阻R2两端取出的电压UR2幅度较大,双向比较放大电路I就会输出一个灯管出现局部整流信号。
灯管出现局部整流效应可能是第一个输入端In1出现局部整流效应,也可能是第二个输入端In2出现局部整流效应,以图3为例,对应的情况有两种:
当UM>UN(即UN<0)时:二极管D2和三极管Q1截止,二极管D1和三极管Q2导通,同时三极管Q3在控制电压端Vcc作用下导通,形成给C2充电的电流,即电阻R3、R4,电容C2形成一个延时电路;当C2上的电压高于稳压二极管D3的反向击穿电压时,稳压二极管D3导通;触发信号经电阻R5加到可控硅D4的控制极上,电容C2上的电压继续上升,当升高到大于稳压二极管D3的反向击穿电压与可控硅D4的触发电压(约0.6V)之和时,可控硅D4导通,整个电子镇流器停止工作。
当UM<UN(即UN>0)时:二极管D1和三极管Q2截止,二极管D2和三极管Q1导通,同时三极管Q3在控制电压端Vcc作用下导通,形成给C2充电的电流,即电阻R3、R4,电容C2形成一个延时电路;接下来的电路工作情况和UM>UN(即UN<0)时相同,可控硅D4在电容C2上的电压升高到一定值时导通,整个电子镇流器停止工作。
实施例二和实施例一的可控硅D4导通工作过程相同,在此不作赘述。
(2)、灯管两端浮地(实施例三、实施例四)
当灯管正常时,由于灯管两端浮地,UM、UN>0,如图5a、图6a所示;灯管两端的电压较低,这个较低的电压加在由电阻R1、R2,电容C1组成的电压取样电路上,电阻R2两端取出的电压UR2幅度很小,比较放大器I中的二极管D1、D2截止,三极管Q1、Q2也同时截止(或者流过三极管Q1、Q2的电流很小),NPN型三极管Q3截止,几乎没有电流经电阻R3给电容C2充电,电容C2处电压UC2接近于0伏,小于稳压二极管 D3的反向击穿电压,二极管D3也截止,没有触发信号经电阻R5加到可控硅D4控制极,可控硅D4截止,电路正常工作。
当灯管出现局部整流效应时,灯管两端的电压异常升高,同时这个较高的电压加在由电阻R1、R2,电容C1组成的电压取样电路上,此时电阻R2两端取出的电压UR2幅度较大,双向比较放大电路I就会输出一个灯管出现局部整流信号。
灯管出现局部整流效应可能是第一个输入端In1出现局部整流效应,也可能是第二个输入端In2出现局部整流效应,以图5a为例,对应的情况有两种:
当UM>UN时:二极管D1和三极管Q2截止,二极管D2和三极管Q1导通;PNP型三极管Q3获得正向偏置电流也导通,并形成给C2充电的电流;C2上的电压逐渐上升,当C2上的电压高于稳压二极管D3的反向击穿电压时,稳压二极管D3导通,触发信号经电阻R5加到可控硅D4的控制极上;当电容C2的电压继续上升,升高到大于稳压二极管D3的反向击穿电压与可控硅D4的触发电压(约0.6V)之和时,可控硅D4导通,整个电子镇流器停止工作。
当UM<UN时:二极管D2和三极管Q1截止,二极管D1和三极管Q2导通,PNP型三极管Q3获得正向偏置电流也导通,并形成给电容C2充电的电流;在当电容C2的电压继续上升,升高到大于稳压二极管D3的反向击穿电压与可控硅D4的触发电压(约0.6V)之和时,可控硅D4导通,整个电子镇流器停止工作。
图5b、图6a、图6b的可控硅D4导通过程同实施例三(图5a所示)相同,所不同的是图5b、图6b中因为双向比较放大电路I在导通时已经具有足够强的输出电流给电容C2充电,因此可以省略电平移位电路B,也能达到可控硅D4导通而电子整流器停止工作的目的,在此不再赘述。
本发明通过对荧光灯管电压波形和电压幅度的进行检测,针对灯管局部整流的异常状态,需要解决的技术问题是设计比较简单保护电路使镇流器在出现局部整流效应时让可控硅动作导通,振荡器停止工作保护镇流器。
本发明同样适用于多灯管外接电路,它用于防止荧光灯出现局部整流时灯管两端因阴极过热而导致的危险,避免额外的功率损耗,使用安全有效。

Claims (2)

1.荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,包括
一电压取样电路,用于获取荧光灯管两端的异常电压值;
一双向比较放大电路,检测并处理由电压取样电路获得的异常电压信号;
一误动作防止电路,使局部整流保护电路的驱动元件工作在一个稳定值,避免荧光灯管在点亮前局部整流保护电路的误动作;以及
一保护执行电路,在发生局部整流效应时,控制电子镇流器停振,以达到保护电子镇流器的作用,
其中,所述电压取样电路的输出端和所述双向比较放大电路的输入端相连,该双向比较放大电路的输出端和所述误动作防止电路的输入端相连,该误动作防止电路的输出端和所述保护执行电路的输入端相连;
其特征在于:所述的双向比较放大电路包括有第一三极管、第二三极管、第一二极管和第二二极管,其中,第一三极管与第二三极管的集电极共点连接作为双向比较放大电路的输出端,第一三极管和第二三极管的发射极分别作为双向比较放大电路的第一、二输入端,第一三极管和第二三极管的基极共点连接,而第一二极管、第二二极管则分别对应地并联在第一三极管、第二三极管的基极和发射极两端,并且第一二极管与第二三极管、第二二极管与第一三极管的导通方向分别一致。
2.荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,包括
一电压取样电路,用于获取荧光灯管两端的异常电压值;
一双向比较放大电路,检测并处理由电压取样电路获得的异常电压信号;
一误动作防止电路,使局部整流保护电路的驱动元件工作在一个稳定值,避免荧光灯管在点亮前局部整流保护电路的误动作;以及
一保护执行电路,在发生局部整流效应时,控制电子镇流器停振,以达到保护电子镇流器的作用,
其中,所述电压取样电路的输出端和所述双向比较放大电路的输入端相连,该双向比较放大电路的输出端和所述误动作防止电路的输入端相连,该误动作防止电路的输出端和所述保护执行电路的输入端相连;
其特征在于:所述的双向比较放大电路包括有第一三极管、第二三极管、第一二极管和第二二极管,其中,第一三极管与第二三极管的集电极共点连接作为双向比较放大电路的输出端,第一三极管和第二三极管的基极分别作为双向比较放大电路的第一、二输入端,第一三极管和第二三极管的发射极共点连接,而第一二极管、第二二极管则分别对应地并联在第一三极管、第二三极管的基极和发射极两端,并且第一二极管与第二三极管、第二二极管与第一三极管的导通方向分别一致。
根据权利要求1或2所述的荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,其特征在于所述的电压取样电路包括有第一分压电阻和第二分压电阻,所述的第一分压电阻的一端作为整个局部整流保护电路的第一个输入端,第一分压电阻的另一端连接第二分压电阻的一端,并由第二分压电阻的另一端作为整个局部整流保护电路的第二个输入端,双向比较放大电路的第一、二输入端并联在第一分压电阻或第二分压电阻的两端。
根据权利要求3所述的荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,其特征在于所述的双向比较放大电路的第一输入端或第二输入端接地,双向比较放大电路的输出端还连接一包括有控制电压端和PNP型第三三极管的电平移位电路,第三三极管的发射极连接控制电压端,第三三极管的基极连接双向比较放大电路的输出端,第三三极管的集电极作为整个电平移位电路输出端连接误动作防止电路。
根据权利要求1或2或4所述的荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,其特征在于所述的误动作防止电路包括有第五电阻、稳压二极管以及由第三电阻、第四电阻和第二电容组成的延时电路,其中,第三电阻的一端作为整个误动作防止电路的输入端,第三电阻的另一端分两路,一路经第四电阻接地,另一路依次经稳压二极管和第五电阻输出到保护执行电路,第二电容两端分别连接在第四电阻两端。
根据权利要求1或2或4所述的荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,其特征在于所述的保护执行电路包括第六电阻、第三电容和可控硅,其中,第六电阻的一端作为整个保护执行电路的输入端并连接可控硅的触发端,第六电阻的另一端接地,可控硅的阳极作为整个局部整流保护电路的输出端,可控硅的阴极接地,第三电容两端分别连接在第六电阻两端。
根据权利要求3所述的荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,其特征在于所述的误动作防止电路包括有第五电阻、稳压二极管以及由第三电阻、第四电阻和第二电容组成的延时电路,其中,第三电阻的一端作为整个误动作防止电路的输入端,第三电阻的另一端分两路,一路经第四电阻接地,另一路依次经稳压二极管和第五电阻输出到保护执行电路,第二电容两端分别连接在第四电阻两端。
根据权利要求3所述的荧光灯电子镇流器的局部整流保护电路,file://C:\Documents and Settings\Administrator.LENOVO-305264BE\桌面\20071006 2010-12-2
其特征在于所述的保护执行电路包括第六电阻、第三电容和可控硅,其中,第六电阻的一端作为整个保护执行电路的输入端并连接可控硅的触发端,第六电阻的另一端接地,可控硅的阳极作为整个局部整流保护电路的输出端,可控硅的阴极接地,第三电容两端分别连接在第六电阻两端。
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