CN101051676A - 有机电激发光像素、有机电激发光元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种有机电激发光像素、包含该有机电激发光像素的有机电激发光元件及其制造方法。该有机电激发光像素包含基板、第一电极、第一载流子注入层、半穿透半反射金属层、有机发光层以及第二电极。该第一电极形成于该基板之上。该第一载流子注入层、该半穿透半反射金属层与该第一有机发光层形成于该第一电极与该第二电极之间。该第一电极及该第二电极其中至少一个电极为透明电极。本发明可以有效地提升有机电激发光元件的发光效率及色彩饱和度，并且有效地降低有机电激发光元件的漏电流，另外亦不会增加或改变现有的工艺以及其合格率。

Description

有机电激发光像素、有机电激发光元件及其制造方法

技术领域

本发明是关于一种具有高色彩饱和度以及高发光效率的有机电激发光(Organic Electroluminescence；OEL)像素、包含该有机电激发光像素的有机电激发光元件及其制造方法。

背景技术

由于有机电激发光显示器(organic electroluminescence display；OELD)具有自发光性、高发光率、高对比、超广视角等优点，越来越多的研究集中在此领域。有机电激发光显示器又可区分为主动式有机电激发光显示器(activematrix organic light emitting display；AMOLED)以及被动式有机电激发光显示器(passive matrix organic light emitting display；PMOLED)。

相较于液晶显示器，由于有机电激发光显示器不需要背光模块，其具备自发光、高对比、省电、广视角、轻薄、以及反应速度快等优点，更符合电子产品的发展趋势，故已被视为下一代最有潜力的显示器技术之一。

如图1所示，现有的主动式有机电激发光显示器的有机电激发光元件1包含多个有机电激发光像素1r、1g、1b、基板11、主动矩阵电路层(active matrixcircuitry)12、多个透明下电极13r、13g、13b、像素绝缘层15、有机发光层(organic emitting layer)17以及上电极19。有机电激发光像素1r、1g、1b分别用以发出红色光、绿色光以及蓝色光。基板11还包含多个薄膜晶体管111、113、115以及多条信号线116。薄膜晶体管111用以控制有机电激发光元件1的有机电激发光像素1r是否要发出红色光。薄膜晶体管113用以控制有机电激发光元件1的有机电激发光像素1g是否要发出绿色光。薄膜晶体管115则用以控制有机电激发光元件1的有机电激发光像素1b是否要发出蓝色光。像素绝缘层15则用以定义有机电激发光像素1r、1g、1b的发光范围。信号线116则分别用以传输信号。

当欲使前段所述的有机电激发光元件1发出红色光时，则薄膜晶体管111使透明下电极13r通电用以让有机电激发光像素1r发出红色光，此时薄膜晶体管113、115则不导通使得有机电激发光像素1g、1b不发光。因此有机电激发光元件1即仅能发出红色光。

但在这一类的传统下发光型(bottom-emission)的主动式有机电激发光显示器中，常会因为材料的限制而使得有机电激发光元件1的色彩饱和度不足。因此，在现有的技术当中则会进一步制作微共振腔结构(microcavity)，以增进有机电激发光像素1r、1g、1b的发光效率及其色彩饱和度。如图2所绘示，有机电激发光元件2的大部分结构皆与有机电激发光元件1相似，其包含：多个有机电激发光像素2r、2g、2b；基板21；主动矩阵电路层22；多个透明下电极23r、23g、23b；像素绝缘层25；有机发光层27以及上电极29。有机电激发光像素2r、2g、2b分别用以发出红色光、绿色光以及蓝色光。基板21还包含多个薄膜晶体管211、213、215以及多条信号线216。

而如图2所示的现有技术中制作微共振腔结构的主动式有机电激发光显示器是利用黄光蚀刻工艺在透明下电极23r、23g、23b上制作出图形化的半穿透半反射金属电极24r、24g、24b，然后在其上再制作像素绝缘层25用以定义像素发光范围，然而此结构需要在TFT工艺中再增加一道黄光蚀刻工艺而增加成本。此外，经过黄光工艺后的半穿透半反射金属电极表面可能会造成氧化、表面粗糙度增加、传导性物质残留、及有机物质残留其中至少一种现象，使得元件特性(如：发生短路、电性改变、操作电压改变)会有不好的影响。

而前述的微共振腔结构除了需要在透明下电极23r、23g、23b上制作出图形化的半穿透半反射金属电极之外，还需要在有机电激发光元件2中置入适当厚度的有机膜层，该有机膜层必须选择适当的厚度才可有效提升有机电激发光元件2的色彩饱和度以及其发光效率。若元件的有机膜层(即有机发光层27)厚度较薄时，固然可使有机电激发光元件2有较好的发光效率及色彩饱和度，但由于有机膜层的厚度过薄，常因透明下电极23r、23g、23b或半穿透半反射金属电极24r、24g、24b的表面不平整，例如图2中半穿透半反射金属电极24g的表面突起，而造成有机电激发光元件2的上电极29及透明下电极23r、23g、23b或半穿透半反射金属电极24r、24g、24b间产生漏电甚至于短路的情形。若是为要消除前段所述的现象，而将有机膜层的厚度增加，虽然有机电激发光元件2漏电的现象可以消除，但是此举将会造成有机电激发光元件2的发光效率及色彩饱和度的变异量因为有机膜层的厚度不均匀而增大。

因此要如何增加有机电激发光显示器的有机电激发光元件的发光效率及色彩饱和度，但又不会增加或改变现有的工艺以及其合格率，仍然是此领域的产业亟需努力的目标。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机电激发光像素，其包含基板、第一电极、第一载流子注入层(carrier-injection layer；CIL)、半穿透半反射金属层(semi-trans-flective metal layer)、第一有机发光层以及第二电极。该第一电极形成于该基板之上。该第一载流子注入层、该半穿透半反射金属层以及该第一有机发光层形成于该第一电极以及该第二电极之间，该第一电极及该第二电极至少其中之一为透明电极。

如上所述的有机电激发光像素，其中有机发光层包含：第二载流子注入层；以及载流子传输层(carrier-transport layer；CTL)，形成于该第二载流子注入层之上。

如上所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层及该第二载流子注入层之间。

如上所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层以及该载流子传输层之间。

如上所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层之中。

如上所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之中。

如上所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之上。

如上所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层之中。

如上所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层以及该第一电极之间。

如上所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层包含：像素范围区域，该像素范围区域的横向尺寸小于该半穿透半反射金属层的横向尺寸；以及边界区域，位于该有机电激发光像素中、该像素范围区域外的区域；其中该边界区域的最大发光亮度实质上小于或等于该像素范围区域的最大发光亮度的百分之五十。

本发明的又一目的在于提供一种有机电激发光元件，其包含多个电连接的有机电激发光像素。而所述有机电激发光像素的至少其中之一为前述的有机电激发光像素，以提升有机电激发光元件的色彩饱和度以及发光效率。

本发明还提供一种有机电激发光元件，其包含：基板；以及多个电连接的有机电激发光像素，形成于该基板之上。每个所述有机电激发光像素包含：第一电极，形成于该基板之上；第一载流子注入层；有机发光层；以及第二电极；其中，至少一个所述有机电激发光像素包含半穿透半反射金属层(semi-trans-flective metal layer)，该第一载流子注入层、该半穿透半反射金属层与该有机发光层形成于该第一电极与该第二电极之间，该第一电极及该第二电极其中至少一个电极包含透明电极。

如上所述的有机电激发光元件，该有机发光层包含：第二载流子注入层；以及载流子传输层(carrier-transport layer；CTL)，形成于该第二载流子注入层之上。

如上所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层及该第二载流子注入层之间。

如上所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层以及该载流子传输层之间。

如上所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层之中。

如上所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之中。

如上所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之上。

如上所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层之中。

如上所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层以及该第一电极之间。

如上所述的有机电激发光元件，该半穿透半反射金属层包含：像素范围区域，该像素范围区域的尺寸实质上小于该半穿透半反射金属层的尺寸；以及边界区域，位于该有机电激发光像素中、该像素范围区域外的区域；其中该边界区域的最大发光亮度实质上小于或等于该像素范围区域的最大发光亮度的百分之五十。

如上所述的有机电激发光元件，其中该第一载流子注入层具有厚度，该厚度与该有机电激发光像素的发光效率有关。

本发明的再一目的在于提供一种有机电激发光元件的制造方法。该制造方法包含：提供基板；形成第一电极于该基板之上；形成第一像素于该第一电极之上；以及形成第二电极于该第一像素之上。该形成第一像素于该第一电极之上的步骤包含：形成第一载流子注入层；形成半穿透半反射金属层；以及形成有机发光层。而至少该第一电极及该第二电极其中至少一个电极为透明电极。

如上所述的制造方法，其中，该半穿透半反射金属层形成于该第一电极之上。

如上所述的制造方法，其中，该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层与该有机发光层之间。

如上所述的制造方法，其中，该半穿透半反射金属层形成于该有机发光层之中。

如上所述的制造方法，还包含：形成第二像素于另一第一电极之上和形成该第二电极于该第二像素之上，其中形成第二像素于另一第一电极之上包含：形成另一第一载流子注入层；以及形成另一有机发光层。本发明可以有效地提升有机电激发光元件的发光效率及色彩饱和度，并且有效地降低有机电激发光元件的漏电流，另外亦不会增加或改变现有的工艺以及其合格率。

在参阅附图及随后描述的实施方式后，本领域技术人员便可了解本发明的其它目的，以及本发明的技术手段及实施方案。

附图说明

图1为现有有机电激发光元件的示意图；

图2为另一现有有机电激发光元件的示意图；

图3为本发明的第一实施例的示意图；以及

图4为本发明的第二实施例的流程图。

其中，附图标记说明如下：

1：有机电激发光元件           1r、1g、1b：有机电激发光像素

11：基板                      12：主动矩阵电路层

13r、13g、13b：透明下电极     15：像素绝缘层

17：有机发光层                19：上电极

111、113、115：薄膜晶体管     116：信号线

2：有机电激发光元件           2r、2g、2b：有机电激发光像素

21：基板                      22：主动矩阵电路层

23r、23g、23b：透明下电极

24r、24g、24b：半穿透半反射金属电极

25：像素绝缘层                27：有机发光层

29：上电极                    211、213、215：薄膜晶体管

216：信号线                   3：有机电激发光元件

3r、3g、3b：有机电激发光像素

31：基板                      33r、33g、33b：第一电极

33：第一载流子注入层          34：半穿透半反射金属层

35：有机发光层                36：第二电极

37：绝缘层                    38：主动矩阵电路层

311、313、315：薄膜晶体管     341：像素范围区域

343：边界区域                 351：第二载流子注入层

353：载流子传输层             355：光发射层

381：主动层                   382：栅极介电层

383：层间介电层               384：保护层

316：信号线                   385、386、387：线段

X：第一载流子注入层厚度

具体实施方式

本发明的第一实施例如图3所示，为一种有机电激发光元件3。有机电激发光元件3可包含(但不限于)下发光型(bottom emitting type)、上发光型(topemitting type)、双向发光型(dual emitting type)、或上述的组合，在本实施例中，以有机电激发光元件3为下发光型的有机电激发光元件来做为实施范例描述如下。

有机电激发光元件3包含多个有机电激发光像素3r、3g、3b、基板31、多个第一电极33r、33g、33b、第一载流子注入层(carrier-injection layer；CIL)33、半穿透半反射金属层34、有机发光层35、第二电极36、绝缘层37以及主动矩阵电路层38。有机电激发光像素3r、3g、3b分别用以发出红色光、绿色光以及蓝色光。主动矩阵电路层38还包含主动层381、栅极介电层382、层间介电层383、保护层384、多个薄膜晶体管311、313与315、多条信号线316及与各个信号线电连接的线段385、386与387。其中，薄膜晶体管的类型包含顶栅型、底栅型、或其它类型、或上述的组合，且不同类型的薄膜晶体管包含主动层381，其材质包含含硅的非晶材质、含硅的单晶材质、含硅的微晶材质、含硅的多晶材质、含锗的非晶材质、含锗的单晶材质、含锗的微晶材质、含锗的多晶材质、或其它材质、或上述的组合。而本发明的实施例以含硅的多晶材质(如：多晶硅)的顶栅型薄膜晶体管为例，但不限于此。薄膜晶体管311、313、315用以分别控制有机电激发光元件3的有机电激发光像素3r、3g、3b是否要发出红色光、绿色光、蓝色光。信号线385、386、387则分别提供信号(如：电位)至薄膜晶体管311、313、315。而第一载流子注入层33、半穿透半反射金属层34以及有机发光层35形成于第一电极33r、33g、33b以及第二电极36之间。

在有机电激发光元件3中，第一电极33r、33g、33b与第二电极36其中至少一个电极为透明电极、不透明电极、或上述的组合(如：部分透明电极及部分不透明电极)。由于本实施例的有机电激发光元件3为下发光型的有机电激发光元件，因此第一电极33r、33g、33b采用透明材料，包含铟锡氧化物(Indium Tin Oxide；ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide；IZO)、铝锌氧化物、铝锡氧化物、镉锡氧化物、或其它材料、或上述的组合，以制成透明电极，而第二电极26采用反射材料包含金、银、铜、铁、锡、铝、钛、钽、钼、钨、钕、铪、锂、镁、钙、或上述的合金、或上述的氮化物、或上述的氧化物、或上述的组合，以制成不透明电极。

而当有机电激发光元件3为上发光型的有机电激发光元件时，则第一电极33r、33g、33b可采用反射材料包含金、银、铜、铁、锡、铝、钛、钽、钼、钨、钕、铪、锂、镁、钙、或上述的合金、或上述的氮化物、或上述的氧化物、或上述的组合，以制成不透明电极，而第二电极36则可采用透明材料，包含铟锡氧化物(Indium Tin Oxide；ITO)、铟锌氧化物(Indium ZincOxide；IZO)、铝锌氧化物、铝锡氧化物、镉锡氧化物、或其它材料、或上述的组合，以制成透明电极。或者，当有机电激发光元件3为双向发光型的有机电激发光元件时，则第一电极33r、33g、33b以及第二电极36皆会采用透明材料，包含铟锡氧化物(Indium Tin Oxide；ITO)、铟锌氧化物(Indium ZincOxide；IZO)、铝锌氧化物、铝锡氧化物、镉锡氧化物、或其它材料、或上述的组合。或者，有机电激发光元件3为上发光型、下发光型及双向发光型的有机电激发光元件的其中两种类型的元件混用时，则第一电极32r、32g、32b以及第二电极36中的至少一个电极采用的材质包含上述的透光材料及反射材料其中至少一种材料。

虽然在第一实施例中所述的有机电激发光元件3将第一载流子注入层33形成于第一电极33r、33g、33b之上。但本发明并不限制其必须形成于所有的第一电极33r、33g、33b之上，其可以仅形成于第一电极32r、32g、32b其中至少一个电极上，且其厚度X亦可以在每一第一电极之上分别调整，以求最佳化有机电激发光元件3的各有机电激发光像素3r、3g、3b的发光效率。换言之，第一载流子注入层33的厚度可选择性地在不同像素具有相同或不同的尺寸，依其设计所需而定。

有机发光层35还包含第二载流子注入层351、载流子传输层353以及光发射层355，此即为形成微共振腔的基本结构。在本实施例中，载流子传输层353形成于第二载流子注入层351之上。光发射层355则形成于载流子传输层353之上，并由金属错化合物，例如：铝错氧化物及铋错氧化物其中的至少一种所制成，且金属错化合物材质包含有机材质、无机材质、或上述的组合。

而本发明的有机发光层35并不限制前述形成微共振腔结构的组合，或可视需要另外增加多层结构。而本实施例中的微共振腔结构的组合依序为光发射层355/载流子传输层353/第二载流子注入层351。其可选择性地为其它顺序，举例而言，但不限于此，此多层结构可分别为下列各种层间顺序：载流子传输层353/光发射层355/第二载流子注入层351、第二载流子注入层351/载流子传输层353/光发射层355、或光发射层355/第二载流子注入层351/载流子传输层353等数种结构。

而半穿透半反射金属层34则形成于第一载流子注入层33以及第一电极33r、33g、33b之间。在本实施例中，为提升有机电激发光元件3中发蓝色光的有机电激发光像素3b的色彩饱和度以及发光效率，因此半穿透半反射金属层34仅形成于第一载流子注入层33以及第一电极33b之间。而其制作方式即为利用特殊设计的光阻挡墙配合特殊蒸镀角度，使得半穿透半反射金属层34仅沉积并完全覆盖在蓝色光的有机电激发光像素3b范围，而不会沉积在发出红色光以及绿色光的有机电激发光像素3r、3g，而不需增加任何阴影掩模工艺。换言之，各相邻的有机电激发光像素中的半穿透半反射金属层34是不互相连接的。然而，半穿透半反射金属层34并不限制于发蓝色光的有机电激发光像素3b，亦可选择性地形成在有机电激发光像素3r、3g、3b的其中至少一个像素上，且有机电激发光像素3r、3g、3b其中的至少一个像素上的半穿透半反射金属层34的厚度可选择性地实质上相同或不相同。半穿透半反射金属层34的光反射率及光穿透率的大小，依其厚度来选择，厚度愈大光反射率愈大，厚度愈小光穿透率愈大。因此，各有机电激发光像素的光反射或穿透与否可依其厚度来判断。但有时，半穿透半反射金属层34的厚度符合、然而其电阻却不符合驱动各有机电激发光像素的限制，因此，判断各有机电激发光像素的光反射或穿透与否，优选地，可依其厚度及其电阻来判断。

前述具有半穿透半反射金属层34的有机电激发光元件3的发光范围则必须有一定限制，以确保有机电激发光元件3的发光效率。定义像素范围绝缘层37会将半穿透半反射金属层34定义出像素范围区域341，像素范围区域341的横向尺寸将会小于半穿透半反射金属层34的横向尺寸(未标注)。而在半穿透半反射金属层3的像素范围区域341外的部分即是边界区域343。为了确保有机电激发光元件3的发光效率，在半穿透半反射金属层34的像素范围区域341外至半穿透半反射金属层34边界间的边界区域343中的最大发光亮度，需实质上小于或实质上等于像素范围区域341内的最大发光亮度的50％。

本发明的半穿透半反射金属层34并不限制形成于第一载流子注入层33及第一电极33r、33g、33b之间的位置。其亦可以形成于第一载流子注入层33之中、第一载流子注入层33及第二载流子注入层351之间、第二载流子注入层351之中、第二载流子注入层351以及载流子传输层353之间、载流子传输层353之中或者是形成于载流子传输层353之上，皆可以提升有机电激发光元件3的色彩饱和度以及发光效率。

本发明的第二实施例如图4所示，为一种有机电激发光元件的制造方法，该有机电激发光元件可以是第一实施例中的有机电激发光元件3。该方法说明如下。

执行步骤401，提供基板。执行步骤403，形成第一电极于该基板之上。执行步骤405，形成第一载流子注入层。执行步骤407，形成半穿透半反射金属层。执行步骤409，形成有机发光层，而步骤405、步骤407以及步骤409即是用以形成第一像素。执行步骤411，形成第二电极于步骤405、步骤407以及步骤409所形成的第一像素之上。接着先执行步骤403，形成另一第一电极于该基板之上。再执行步骤413，形成另一第一载流子注入层。执行步骤415，形成另一有机发光层，而步骤413以及步骤415即是用以形成第二像素。最后再执行步骤417，形成该第二电极于步骤413以及步骤415所形成的第二像素之上。然后，依此类推。如同第一实施例所述，第二实施例所形成的第一电极及第二电极其中至少一个电极为透明电极。

本发明并不限制前段所述的第一像素的半穿透半反射金属层的形成位置，其可以形成于第一电极之上、第一载流子注入层与有机发光层之间或者是有机发光层之中，皆可以提升有机电激发光元件的色彩饱和度以及发光效率。

除了前述的步骤所形成的第一像素以及第二像素外，第二实施例所述的制造方法亦可以相同步骤形成其它数量的像素。

除了图4所显示的步骤外，第二实施例亦可执行第一实施例的所有动作，本领域技术人员可通过第一实施例的说明，了解第二实施例的相对应步骤，故不再赘述。

由上述可知，相对于现有技术的具有微共振腔结构的有机电激发光元件。本发明的有机电激发光元件可以形成半穿透半反射金属层及/或载流子注入层于其所包含的不同的有机电激发光像素中，并可以调整载流子注入层的纵向尺寸(即载流子注入层的厚度)。如此一来，即可以有效地提升有机电激发光元件的发光效率以及色彩饱和度，并且有效地降低有机电激发光元件的漏电流，另外亦不会增加或改变现有的工艺以及其合格率，以达到所需的技术突破目的。

上述的实施例仅用来例举本发明的实施例，以及解释本发明的技术特征，并非用来限制本发明的范围。本领域技术人员可轻易完成的改变或等效的配置均属于本发明所主张的范围，本发明的权利范围应以权利要求书所界定的范围为准。

Claims (26)

1.一种有机电激发光像素，包含：

基板；

第一电极，形成于该基板之上；

第一载流子注入层；

半穿透半反射金属层；

有机发光层；以及

第二电极；

其中该第一载流子注入层、该半穿透半反射金属层与该有机发光层形成于该第一电极与该第二电极之间，该第一电极及该第二电极中的至少一个电极包含透明电极。

2.如权利要求1所述的有机电激发光像素，其中该有机发光层包含：

第二载流子注入层；以及

载流子传输层，形成于该第二载流子注入层之上。

3.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层及该第二载流子注入层之间。

4.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层以及该载流子传输层之间。

5.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层之中。

6.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之中。

7.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之上。

8.如权利要求1所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层之中。

9.如权利要求1所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层以及该第一电极之间。

10.如权利要求1所述的有机电激发光像素，该半穿透半反射金属层包含：

像素范围区域，该像素范围区域的横向尺寸小于该半穿透半反射金属层的横向尺寸；以及

边界区域，位于该有机电激发光像素中、该像素范围区域外的区域；

其中该边界区域的最大发光亮度实质上小于或等于该像素范围区域的最大发光亮度的百分之五十。

11.一种有机电激发光元件，包含：

基板；以及

多个电连接的有机电激发光像素，形成于该基板之上，每个所述有机电激发光像素包含：

第一电极，形成于该基板之上；

第一载流子注入层；

有机发光层；以及

第二电极；

其中，至少一个所述有机电激发光像素包含半穿透半反射金属层，该第一载流子注入层、该半穿透半反射金属层与该有机发光层形成于该第一电极与该第二电极之间，该第一电极及该第二电极中的至少一个电极包含透明电极。

12.如权利要求11所述的有机电激发光元件，其中该有机发光层包含：

第二载流子注入层；以及

载流子传输层，形成于该第二载流子注入层之上。

13.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层及该第二载流子注入层之间。

14.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层以及该载流子传输层之间。

15.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层之中。

16.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之中。

17.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之上。

18.如权利要求11所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层之中。

19.如权利要求11所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层以及该第一电极之间。

20.如权利要求11所述的有机电激发光元件，该半穿透半反射金属层包含：

像素范围区域，该像素范围区域的尺寸实质上小于该半穿透半反射金属层的尺寸；以及

边界区域，位于该有机电激发光像素中、该像素范围区域外的区域；

其中该边界区域的最大发光亮度实质上小于或等于该像素范围区域的最大发光亮度的百分之五十。

21.如权利要求11所述的有机电激发光元件，其中该第一载流子注入层具有厚度，该厚度与该有机电激发光像素的发光效率有关。

22.一种有机电激发光元件的制造方法，包含：

提供基板；

形成第一电极于该基板之上；

形成第一像素于该第一电极之上，包含：

形成第一载流子注入层；

形成半穿透半反射金属层；以及

形成有机发光层；以及

形成第二电极于该第一像素之上；

其中，该第一电极及该第二电极中的至少一个电极包含透明电极。

23.如权利要求22所述的制造方法，其中，该半穿透半反射金属层形成于该第一电极之上。

24.如权利要求22所述的制造方法，其中，该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层与该有机发光层之间。

25.如权利要求22所述的制造方法，其中，该半穿透半反射金属层形成于该有机发光层之中。

26.如权利要求22所述的制造方法，其中还包含：

形成第二像素于另一第一电极之上，包含：

形成另一第一载流子注入层；以及

形成另一有机发光层；

以及

形成该第二电极于该第二像素之上。

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