CN100585479C - 液晶显示面板、光电装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶显示面板、光电装置及其制造方法，所述液晶显示面板包括第一基板、扫描线、数据线、第一开关元件、第二开关元件、导线、发光元件、像素电极、第一储存电容器、第二基板以及液晶层。扫描线、数据线、第一开关元件、第二开关元件、导线、发光元件、像素电极以及第一储存电容器分别配置于第一基板上。第二基板位于第一基板的对向。液晶层位于第一基板与第二基板之间。发光元件配置于第一基板上作为液晶显示面板的背光源，使其无须使用背光模块即可进行显示时，因而具有较轻薄的外型。

Description

液晶显示面板、光电装置及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种显示面板、光电装置及其制造方法，且特别是有关于一种轻、薄、短、小的液晶显示面板、光电装置及其制造方法。

背景技术

一般来说，半穿透半反射式液晶显示器(Transflective LCD)主要是由半穿透半反射式液晶显示面板及背光模块所构成。半穿透半反射式液晶显示器可同时利用背光模块提供的面光源以及外界光源进行显示，因此在不同光源强度的环境之中都可以呈现不错的显示效果。

在半穿透半反射式液晶显示面板中，主动元件阵列基板的像素结构可区分为穿透区与反射区，其分别提供穿透式以及反射式两种不同显示模式。详细来说，在反射区的部份通常是以金属材质反射外界光源来作为进行显示的光源，而在穿透区的部份则透过背光模块提供的面光源作为显示的光源。然而，背光模块提供的面光源的光线仅能使用于穿透区的部分，在反射区的面光源的光线将被金属材质所遮蔽，进而只有在穿透区的部份才能让背光模块的面光源有效利用，因而降低了背光模块的光利用率。

如上所述，已知的半穿透半反射式液晶显示器由于使用背光模块提供面光源以进行图像的显示，因此，在其反射区的部份将会降低背光模块的光利用率。换言之，选用何种较佳的背光源以代替已知的背光模块，进而提高其光利用率实为目前半穿透半反射式液晶显示器极待克服的一大课题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种液晶显示面板，其采用有机电致发光元件作为背光源，使得其应用于显示器时可具有较轻薄短小的外型，并于制作显示器时可具有较低廉的成本。

本发明另提供一种液晶显示面板的制造方法，其可制作出上述的液晶显示面板。

本发明更提供一种光电装置，其具有上述的液晶显示面板，使得其具有较轻薄短小的外型以及较低廉的成本。

本发明再提供一种上述的光电装置的制造方法。

本发明提出一种液晶显示面板，此液晶显示面板包括一第一基板、至少一扫描线、至少一数据线、至少一第一开关元件、至少一第二开关元件、至少一导线、至少一发光元件、至少一像素电极、至少一第一储存电容器、一第二基板以及一液晶层。扫描线配置于第一基板上。数据线配置于第一基板上，并与扫描线交错。第一开关元件配置于第一基板上，且第一开关元件的栅极与扫描线电连接以及第一开关元件的源极与数据线电连接。第一开关元件位于第一基板上的区域当作一反射区。第二开关元件配置于第一基板上，并与第一开关元件电性绝缘。导线配置于第一基板上，并与第二开关元件的第一端电连接。发光元件配置于第一基板上，且与第二开关元件的第二端电连接。发光元件位于第一基板上的区域当作一穿透区。像素电极配置于第一基板上，且与第一开关元件的漏极电连接。第一储存电容器配置于第一基板上，且经由像素电极与第一开关元件的漏极电连接。第二基板位于第一基板的对向。液晶层位于第一基板与第二基板之间。

本发明另提出一种液晶显示面板的制造方法，其包括：提供一第一基板。配置至少一扫描线于第一基板上。接着，配置至少一数据线于第一基板上，其中数据线与扫描线交错。配置至少一第一开关元件于第一基板上，其中第一开关元件的栅极与扫描线电连接以及第一开关元件的源极与数据线电连接，且此第一开关元件位于第一基板上的区域当作一反射区。配置至少一第二开关元件于第一基板上，其中第二开关元件与第一开关元件电性绝缘。配置至少一导线于第一基板上，其中导线与第二开关元件的第一端电连接。配置至少一发光元件于第一基板上，其中发光元件与第二开关元件的第二端电连接，且此发光元件位于第一基板上的区域当作一穿透区。配置至少一像素电极于第一基板上，其中像素电极与第一开关元件的漏极电连接。配置至少一第一储存电容器于第一基板上，其中第一储存电容器经由像素电极与第一开关元件的漏极电连接。提供一第二基板于第一基板的对向。提供一液晶层于第一基板与第二基板之间以形成一种液晶显示面板。

本发明更提出一种光电装置，其包括上述的液晶显示面板。

本发明再提出一种光电装置的制造方法，其包括上述所提及的液晶显示面板的制造方法。

综上所述，本发明的液晶显示面板配置发光元件于第一基板上作为液晶显示面板显示时的背光源，其中发光元件所在位置作为一穿透区。因此，液晶显示面板在显示时无须使用传统的背光模块作为背光源，可节省其应用于显示器的制作成本，并可显示器具有轻薄短小的外型。另外，本发明也提供上述的液晶显示面板的制作方式。采用上述的液晶显示面板的光电装置同样地可节省其制作成本，以及具有较为轻薄短小的优点。

附图说明

图1A绘示为本发明一实施例的液晶显示面板及其第一基板上的等效电路示意图。

图1B为图1A的局部区域101所绘示的液晶显示面板的剖面示意图。

图2A至图2H绘示为本发明第一实施例的液晶显示面板的制作流程示意图。

图3为图1的局部区域101所绘示的另一实施形态的液晶显示面板的剖面示意图。

图4A～图4E绘示为本发明第二实施例的液晶显示面板的制作流程示意图。

图5绘示为本发明另一实施形态的液晶显示面板及其第一基板上的等效电路示意图。

图6绘示为本发明更一实施形态的液晶显示面板及其第一基板上的等效电路示意图。

图7所绘示为本发明的一实施例的光电装置的示意图。

附图标号

100、100a、300、300a、500、600、720：液晶显示面板

110：第一基板

110a、120a：外表面

111：扫描线

112、610：数据线

113：第一开关元件

113a：栅极

113b：源极

113c：漏极

114：第二开关元件

114a：第一端

114b：第二端

115：导线

116、270：发光元件

116a、270a：第一电极

116b、270b：功能层

116c、270c：第二电极

117、280：像素电极

117a、280a：反射电极

117b、280b：透明电极

118：第一储存电容器

120：第二基板

122：共用电极层

130：液晶层

140、140a、260、260a：平坦层

142：凸起图案

150、274：内偏光膜

160：偏光片

170、272：保护层

180：第二储存电容器

210：第一图案化导电层

220：第一绝缘层

230：第一图案化半导体层

240：第二图案化导电层

250：第二绝缘层

620：像素区域

700：光电装置

720：电子元件

D1：第一光程距离

D2：第二光程距离

P1：反射区

P2：穿透区

具体实施方式

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

第一实施例

图1A绘示为本发明一实施例的液晶显示面板及其第一基板上的等效电路示意图，而图1B为图1A的局部区域101所绘示的液晶显示面板的剖面示意图。请同时参考图1A与图1B，本实施例的液晶显示面板100包括一第一基板110、至少一扫描线111、至少一数据线112、至少一第一开关元件113、至少一第二开关元件114、至少一导线115、至少一发光元件116、至少一像素电极117、至少一第一储存电容器118、一第二基板120以及一液晶层130，其中扫描线111、数据线112、第一开关元件113、第二开关元件114、导线115、发光元件116、像素电极117以及第一储存电容器118分别配置于第一基板110上。第二基板120位于第一基板110的对向，且液晶层130位于第一基板110与第二基板120之间，如图1A所绘示。

以下将分别说明配置于第一基板110上的扫描线111、数据线112、第一开关元件113、第二开关元件114、导线115、发光元件116、像素电极117以及第一储存电容器118各构件之间的连接关系，以及采用上述的第一基板110的液晶显示器100具有何种优点。

在本实施例中，第一基板110的材质可以包括无机透明材质(如：玻璃、石英、或其它合适材料、或上述的组合)、有机透明材质(如：聚烯类、聚酰类、聚醇类、聚酯类、橡胶、热塑性聚合物、热固性聚合物、聚芳香烃类、聚甲基丙酰酸甲酯类、聚碳酸酯类、或其它合适材料、或上述的衍生物、或上述的组合)、无机不透明材质(如：硅片、陶瓷、或其它合适材料、或上述的组合)、或上述的组合。举例来说，第一基板110是用在像素阵列基板中做为衬底之用，且以无机透明材质的玻璃为实施范例，但不以此为限。

另外，配置于第一基板110上的数据线112与扫描线111相互交错，且第一开关元件113的栅极113a与扫描线111电连接，而第一开关元件113的源极113b与数据线112电连接，如图1A所绘示。在本实施例中，第一开关元件113例如是采用薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)元件。一般来说，根据薄膜晶体管的设计方式可分为顶栅极或底栅极的型态，或，依据晶体管的离子掺杂方式又可分为负型(N-type)薄膜晶体管、或正型(P-type)薄膜晶体管或上述及其组合的型态。第一开关元件113是采用何种形态的薄膜晶体管端视使用者的设计而定，本发明并不限于此。举例而言，本实施例的第一开关元件113是以底栅极为实施范例，如图1B所绘示，但不限于此。因此，本发明并不特别限定第一开关元件113为何种类型的晶体管。

另外，上述的扫描线111与数据线112可为单层或多层结构，且二者的材质例如是使用由金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物、或上述的组合的材质。本实施例以钼及铝迭层为例，但不限于此。

在本实施例中，第一开关元件113位于第一基板110上的区域可当作一反射区P1，如图1B所绘示。而像素电极117配置于第一基板110上，并与第一开关元件113的漏极113c电连接，如图1B所绘示。另外，第一储存电容器118配置于第一基板110上，并经由像素电极117与第一开关元件113的漏极113c电连接，如图1A与图1B所绘示。值得说明的是，第一储存电容器118是由上下电极而形成的电容器，其中上电极至少包括像素电极117所形成或其它合适的电极所形成，而下电极例如是共用电极(未绘示)、扫描线111、上述二者一起作为下电极、或其它合适的电极。

在本实施例中，像素电极117可为单层或多层结构。举例来说，像素电极117在反射区P1的结构为单一膜层时，其例如是一反射电极117a，而其材质可以是使用金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物、或上述的组合的材质。上述仅为一举例，非用以限定本发明。

另外，像素电极117在反射区P1的膜层结构为多膜层时，其可以是由至少一反射电极117a与一透明电极117b所构成，较佳地，透明电极117b覆盖反射电极117a之上，如图1B所绘示，但不限于此，于其它实施例中，反射电极117a覆盖透明电极117b之上。反射电极117a例如是使用上述提及的材质，在此不再赘述。而透明电极117b的材质例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化铪、氧化锌、氧化铝、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物、镉锌氧化物、或其它合适材料、或上述的组合。本实施例以铟锡氧化物为例，但不限于此。另外，像素电极117在穿透区P2的透明电极117b也可为单层或多层结构，且其材质如上所述，在此不再赘述。再者，本实施例的像素电极117在反射区P1的膜层结构为多膜层时，以透明电极117b覆盖反射电极117a为例，但不限于此，也可以是，反射电极117a覆盖于透明电极117b上。

如上所述，本实施例的像素电极117在反射区P1的膜层结构是以多膜层为实施范例，如图1B所示。在工艺上，形成于反射区P1的透明电极117b可选择性地不全面覆盖于发光元件116上。举例来说，图1B绘示透明电极117b覆盖于全部或部份发光元件116上，此时，透明电极117b会与发光元件116中任何一个电极(如下所述的116a及116c)电性绝缘。然而，在其他未绘示的实施例中，透明电极117b可不被覆盖于发光元件116上。另外，在制作上，形成于反射区P1上的反射电极117a不可全面地覆盖于发光元件116上，是因反射电极117a若覆盖于发光元件116上会遮蔽发光元件116所激发的光线，进而影响液晶显示面板100在显示时的显示品质，甚至无法显示。

在本实施例中，第二开关元件114与第一开关元件113电性绝缘，且导线115配置于第一基板110上，并与第二开关元件114的第一端114a电连接，如图1A所绘示。第二开关元件114例如是采用薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)元件。一般来说，根据薄膜晶体管的设计方式可分为顶栅极或底栅极的型态，或，依据晶体管的离子掺杂方式又可分为负型(N-type)薄膜晶体管，或正型(P-tye)薄膜晶体管或上述及其组合的型态。因此，第二开关元件114是采用何种型态的薄膜晶体管端视使用者的设计而定，本发明并不限于此。在本实施例中，第二开关元件114是以底栅极为实施范例，如图1B所绘示，但其也可以是设计为顶栅极的薄膜晶体管。

在本实施例中，导线115例如是电连接至一电压源(未绘示)。在另一实施例中，导线115可以是电连接至一信号源(未绘示)。详细来说，导线115适于传递电压源或信号源所产生的电压信号或电流信号至第二开关元件114，藉以开启或关闭第二开关元件114，进而驱动发光元件116使其发光。在本实施例中，导线115可选择性地直接连接至电压源，进而使发光元件116透过第二开关元件114以达到定电流的目的，而使其发光机制为全面性发光。

另外，导线115可为单层或多层结构，且其材质例如是使用金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物、或上述的组合的材质。本实施例以钼及铝迭层为例，但不限于此。

在本实施例中，发光元件116配置于第一基板110上，且与第二开关元件114的第二端(或称漏极)114b电连接。另外，第二开关元件114的第一端(或称源极)114a连接至导线115。于其它实施例中，较佳地，第二开关元件114的第三端(或称栅极，未标示)电连接于导线115或同时电连接于导线115与第一端114a。此外，发光元件116位于第一基板110上的区域当作一穿透区P2。举例来说，发光元件116例如是采用有机发光二极管(organic light emittingdiode，OLED)作为液晶显示面板100的背光源，其中发光元件116可区分为第一电极116a、功能层116b以及第二电极116c。在一实施例中，功能层116b的膜层结构依其所连接的第二开关元件114的种类而有所区别。例如：当第二开关元件114使用负型薄膜晶体管(N-type TFT)与发光元件116电连接时，举例而言，第一电极116a可称为阳极并连接至N-TFT的源/漏极(114a/114b)，且第二电极116c可称为阴极，较佳地，第二电极116c连接至另一电压源(未标示)，例如：接地电压。其中，由第一电极116a往第二电极116c的方向，功能层116b的膜层排列依序例如是空穴传输层/空穴传导层、发光层、电子传输层/电子注入层；若第二开关元件114使用正型薄膜晶体管(P-type TFTs)与发光元件116电连接时，举例而言，第一电极116a可称为阴极并连接至N-TFT的源/漏极(114a/114b)，且第二电极116c可称为阳极，较佳地，第二电极116c连接至导线150或另一电压源(未标示)。其中，由第一电极116a往第二电极116c的方向，功能层116b的膜层排列方式便与负型薄膜晶体管相反。另外，当第一电极116a与第二电极116之上、下对调时，其电极116a、116b极性也可对调。

另外，为了避免发光元件116受外在环境影响其发光效率，液晶显示面板100更可以选择性地具有一保护层170。本实施例，以保护层170配置于发光元件270上为范例，如图1B所绘示。举例来说，保护层170可为单层或多层结构，且其膜层顺序并无特殊限制。但是，较佳地，其依序可以是无机保护层(可选用SiN、SiOx、SiON等)/吸湿层(可选用MgO等任何一种具吸湿性的材料)/无机保护层(可选用SiN、SiOx、SiON等)。上述仅为举例说明，但不限于此。

在本实施例中，第二开关元件114可以制作于第一基板110上的反射区P1的区域，如图1B所绘示。然而，在其他未绘示的实施例中，依使用者的需求，第二开关元件114与第一储存电容器118其中至少之一者制作于第一基板110上的区域可以是穿透区P2、反射区P1或上述二者区域的交界。

如上所述，由于第二开关元件114适于经由导线115所电连接的电压源或信号源而被开启或关闭，进而使第二开关元件114所电连接的发光元件116被驱动而发光，且发光元件116所在位置作为透光区P2。因此，当液晶显示面板100被驱动而显示图像时，反射区P1上的像素电极117除可反射外界的光源以作为反射域P1的背光源，并可控制液晶层130的液晶分子的扭转方向，以达到显示的目的。另外，在透光区P2的部份，由于发光元件116配置于此区域P2，并经由导线115传递电压源或信号源的信号以开启或关闭第二开关元件以使发光元件116得以被驱动而发光，因此，发光元件116可作为液晶显示面板100的透光区P2的背光源以取代传统的背光模块的使用。换言之，液晶显示面板100通过配置发光元件116于第一基板110上，使其被驱动时无须搭配传统的背光模块便可达到显示的目的，进而可缩减整体的厚度与重量，以达到轻薄短小的外型。

在本实施例，液晶显示面板100可选择性地更包括一平坦层140。本实施例以平坦层140覆盖第一基板110上且暴露出发光元件116，而像素电极117覆盖平坦层140为范例，如图1B所绘示。详细来说，平坦层140的表面可选择性地形成多个凸起图案142，本实施例以平坦层140的表面形成多个凸起图案142为范例，如图1B所绘示。因此，当像素电极117覆盖于平坦层140时，像素电极的表面适于共形地形成多个凸起图案142，因而使像素电极117的表面具有多个凸起图案142，如图1B所绘示。在另一实施例中，像素电极117也可以通过工艺技术(例如是光刻刻蚀技术，或激光雕刻技术，网版印刷技术、喷墨技术、或其他适当的方式)使其表面直接地形成多个凸起图案142，且像素电极117之下，也可有或可无平坦层140。更进一步来说，由于像素电极117的表面具有多个凸起图案142，因此，当液晶显示面板100被驱动而显示画面时，反射区P1的凸起图案142适于均匀地反射外在光线，进而使反射区P1的显示品质具有较佳的亮度均匀度。在其它实施例中，可先于反射区P1上制造薄膜晶体管的至少一个绝缘膜层(未绘示)或至少一个导电膜层(未绘示)来形成多个凸起图案142，而平坦层140覆盖于上述凸起图案142，则可共形地于平坦层140表面上形成所述的凸起图案142。

另外，平坦层140的厚度设计，较佳地，满足此2×D1＝1×D2的关系式，其中D1为第二基板110至反射区P1的第一光程距离，而D2为第二基板110至穿透区P2的第二光程距离，如图1B所绘示。详细来说，由于反射区P1主要的光源来自外在环境的光线，而穿透区的光源则来自发光元件被驱动所激发的光线，因此，为使穿透出液晶显示面板的光线具有相同的光程差，故而平坦层的设计较佳的为满足上述的关系式，如此一来，当液晶显示面板被驱动而显示时可具有较佳的显示品质。另外，除凸起图案外，平坦层的厚度不均一，可称为多晶穴结构。

另外，平坦层140的材质可以是使用无机材质(如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝、或其它材质、或上述的组合)、有机材质(如：光刻胶、苯并环丁烯、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类、或其它材料、或上述的组合)、或上述的组合。

在本实施例中，为了使发光元件116所发出的光线，较佳地，具有偏光性质，因此，液晶显示面板100可选择性地更包括一内偏光膜150，但不限于此。内偏光膜150覆盖于发光元件116上。然而，若配置有保护层170于发光元件116上时，内偏光膜150则覆盖于发光元件116上，如图1B所绘示。详细来说，当发光元件116被驱动而激发出光线时，其激发的光线的极化特性为非极化(un-polarized)光，内偏光膜150适于将发光元件116所激发的光线偏极化，使其适于随着液晶分子的排列而偏转，并搭配外部的偏光片来控制出射的光线的亮度，以达到显示的目的。

更进一来说，第二基板120的外表面120a上可以配置一偏光片160，而第一基板110的外表面110a上可不配置偏光片160。一般来说，液晶显示面板分别配置有偏光片于第一基板与第二基板的外表面，先使通过液晶显示面板内的光线被极化，并通过施加不同电压使液晶分子具有不同扭转程度，进而可控制出射液晶显示面板的光线的亮度，而达到显示图像的目的。然而，由于发光元件116当作背光源，且其上配置有内偏光膜150，其可用来代替原第一基板的外表面使用偏光片的功用，而不需要原第一基板的外表面所使用的偏光片。如此一来，液晶显示面板100除了无须搭配背光模块的使用外，也可通过配置内偏光膜于发光元件上而减少光学膜片的使用，进而使其具有更为低廉的制作成本外，其重量与厚度将可大大地被缩减以达到轻薄短小的设计目的。

在本实施例中，第二基板120上可选择性地配置一共用电极层122，则此液晶显示面板的显示模式可称为垂直配向模式。详细而言，像素电极与共用电极层122之间所形成的电场可以控制液晶层130的液晶分子的排列以显示所需的画面亮度，其中控制液晶分子排列方式为液晶显示面板的基本显示原理，具此领域的技术人员当可熟悉此技术，在此便不再赘述。于其它实施例中，第二基板120上不配置有共用电极层122，如此一来，此液晶显示面板的显示模式可称为水平配向模式。

另外，第二基板120上及第一基板110上其中一者更可以包括配置一彩色滤光片(未绘示)。举例来说，当彩色滤光片配置于上述的第一基板110时，依彩色滤光片配置于第一基板110上的不同膜层，其可以是彩色滤光片于主动层上(color filter on array)的型态，也即是彩色滤光片配置于开关元件之上，或主动层于彩色滤光片上(array on color filter)，也即是彩色滤光片配置于开关元件之下的型态，或其他适当的配置方式。在一实施例中，彩色滤光片也可仅形成于第二基板120上使其为彩色滤光基板。当然，彩色滤光片形成于第一基板110或第二基板120上端视使用者的需求而定，上述仅为一举例，非限于此。

综上所述，液晶显示面板100通过发光元件116配置于第一基板100上，可使液晶显示面板100无须搭配背光模块的使用便可达到显示图像的目的。另外，发光元件116表面上较佳地配置有内偏光膜，也可省下已知的光学膜片的使用。此外，反射区P2的像素电极的表面较佳地具有多个凸起图案，如此一来，可提升液晶显示面板的亮度均匀度，但非限于此。

另外，图2A至图2H绘示为本发明第一实施例的液晶显示面板的制作流程示意图，且以底栅型的薄膜晶体管为范例说明，但不以此为限。请同时参考图1A与图2A，首先提供一第一基板110，其中第一基板110的材质如上述的材质，在此不再赘述。接着，分别形成至少一扫描线111与至少一数据线112于第一基板110上，如图1A所绘示。

详细来说，于第一基板110上形成一第一图案化导电层210，如图2A所绘示，其中第一图案化导电层210例如是上述的共用电极(未绘示)、上述的扫描线111，上述的第一开关元件113的栅极113a、或上述的发光元件116的第一电极116a。形成第一图案化导电层210的方法例如是利用光刻刻蚀工艺、网版印刷工艺、喷墨工艺、或其它合适的工艺。举例而言，可先在第一基板110上全面形成一金属材料层(未绘示)，接着，使用光刻刻蚀工艺(Photolithography and Etching Process，PEP)以将金属材料层图案化为第一图案化导电层210，如图2A所绘示。

接着，请参考图2B，于第一图案化导电层210上形成一第一绝缘层220，其中第一绝缘层220覆盖部分第一图案化导电层210，如图2B所绘示。在本实施例中，第一绝缘层220例如是覆盖上述的共用电极(未绘示)、上述的数据线111以及上述的第一开关元件113的栅极113a，而未覆盖上述的发光元件116的第一电极116a。接着，形成一第一图案化半导体层230于第一绝缘层220上，其中第一图案化半导体层230相对第一图案化半导层210的位置，如图2B所绘示。

详细来说，形成第一绝缘层220的方法例如是使用化学气相沈积法，但不限于此，也使用其它适合的工艺的方式，如：网版印刷、涂布、喷墨、能量源处理等。绝缘层220可为单层或多层结构，且其材质例如是无机材质(如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝、或其它合适材质、或上述的组合)、有机材质(如：光刻胶、苯并环丁烯、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类、或其它合适材料、或上述的组合)、或上述的组合。本实施例以二氧化硅或是氮化硅为例，但不限于此。

另外，形成第一图案化半导体层230的方法例如是利用光刻刻蚀工艺。举例而言，可先在第一基板110上全面形成一层半导体材料层(未绘示)，接着，使用光刻刻蚀工艺以将半导体材料层图案化为第一图案化半导体层230，如图2B绘示，但不限于此，也可使用其它适合的工艺的方式，如：网版印刷、涂布、喷墨、能量源处理等。在本实施例中，第一图案化半导体层230材质可以是非晶硅、单晶硅、微晶硅、多晶硅、或上述晶格的硅化锗、或其它合适材质、或上述的组合。本实施例以多晶硅为例，但不限于此。

然后，请同时参考图2C，于第一图案化半导体层230上形成一第二图案化导电层240，其中第二图案化导电层240曝露部分第一图案化半导层230，且第二图案化导电层240例如是上述的数据线112、上述的第一开关元件113的源极113b或漏极113c、上述的导线115、或上述的第二开关元件116的第一端114a或第二端114b，如图1A或图2C所绘示。接着，形成一第二绝缘层250于第一基板110上以覆盖第二图案化导电层240，如图2C所绘示。

在本实施例中，形成第二图案化导电层240的方法例如是利用光刻刻蚀工艺、网版印刷工艺、喷墨工艺、或其它合适的工艺。举例而言，可先在第一基板110上全面形成一金属材料层(未绘示)，接着，使用光刻刻蚀工艺以将金属材料层图案化为第二图案化导电层240，并于曝露出部份第一图案化半导体层上，如图2C所绘示。另外，形成第二绝缘层250的方式例如是采用上述形成第一绝缘层220的方法，在此不再赘述。

需要说明的是，完成上述的步骤后，第一开关元件113与第二开关元件116已同时地被制作于第一基板110上，如图1A与图2C所绘示。本发明实施例的第一开关元件113与第二开关元件116其中至少一者以底栅型结构为例。于其它实施例中，若第一开关元件113与第二开关元件116其中至少一者为顶栅型结构时，则先形成第一图案化半导体层230于基板上，且其方法例如是利用光刻刻蚀工艺。举例而言，可先在第一基板110上全面形成一层半导体材料层(未绘示)，接着，使用光刻刻蚀工艺以将半导体材料层图案化为第一图案化半导体层230，如图2B绘示，但不限于此，也可使用其它适合的工艺的方式，如：网版印刷、涂布、喷墨、能量源处理等。然后，再形成第一绝缘层220于第一基板110及第一图案化半导体层230上。而后，再形成一第一图案化导电层210于部份第一绝缘层220上，且位于第一图案化半导体层230上，其中第一图案化导电层210例如是上述的共用电极(未绘示)、上述的扫描线111，上述的第一开关元件113的栅极113a、或上述的发光元件116的第一电极116a。

另外，形成第一图案化导电层210的方法例如是利用光刻刻蚀工艺、网版印刷工艺、喷墨工艺、或其它合适的工艺。举例而言，可先在第一基板110上全面形成一金属材料层(未绘示)，接着，使用光刻刻蚀工艺以将金属材料层图案化为第一图案化导电层210。然后，形成第二绝缘层250于所述第一绝缘层220及部份所述第一图案化导电层210上。然后，形成第二图案化导电层240于部份第二绝缘层250上，其中第二图案化导电层240曝露部分第一图案化半导层230，且第二图案化导电层240例如是上述的数据线112、上述的第一开关元件113的源极113b或漏极113c、上述的导线115、或上述的第二开关元件116的第一端114a或第二端114b，如图1A或图2C所绘示。

在本实施例中，第一开关元件113配置于第一基板110上，且第一开关元件113的栅极113a与扫描线111电连接，以及第一开关元件113的漏极113b与数据线112电连接，其中第一开关元件113位于第一基板110上的区域当作一反射区P1，如图1A与图2C所绘示。另外，导线115与第二开关元件114的第一端114a电连接，且第二开关元件113与第一开关元件113电性绝缘，如图1A与图2C所示。

接着，请同时参考图1A与图2D，形成一平坦层260于第二绝缘层250上，其中平坦层260曝露出部分第二图案化导电层240，如图2D所绘示，但不限于此，也可不形成平坦层260。另外，平坦层260的表面形成有多个凸起图案262。在其它实施例中，可以制造薄膜晶体管的至少一个绝缘膜层(如：第一绝缘层220、第二绝缘层250)或至少一个导电膜层(如：第一图案化导电层210、第二图案化导电层240)来形成多个凸起图案(未标示)，则平坦层260覆盖于上述凸起图案(未标示)，则可共形地于平坦层260表面上形成多个凸起图案262。

在本实施例中，被曝露出的第二图案化导电层240例如是第一开关元件113的漏极113c。此外，形成平坦层260的方式例如是先使用化学气相沈积法或是其他适合的工艺的方式全面地形成于第一基板110上，然后，使用光刻刻蚀工艺将平坦层260图案化于第二绝缘层250上，并暴露出第二图案化导电层240。此外，上述的其他适合的工艺可以是网版印刷、涂布、喷墨、能量源处理等，但不限于此。

然后，请同时参考图1A与图2E，形成一发光元件270于第一基板110上，且与上述的第二开关元件114的第二端114b电连接，其中发光元件270位于第一基板110上的区域当作一穿透区P2。详细来说，形成发光元件270的方式例如是使用蒸镀工艺、涂布工艺、或喷墨方式，或其他适当的方式以形成发光元件270。本实施例以有机发光二极管作为发光元件270的实施范例。

另外，发光元件270包括第一电极270a、功能层270b以及第二电极270c，其中第一电极270a例如是上述形成的第一图案化导电层210。功能层的膜层可分为空穴传输层/空穴传导层、发光层、电子传输层/电子注入层，其中膜层的排列顺序依所连接的第二开关元件的种类而定，如上所述，在此不再赘述。

需要说明的是，若以白光发光二极管为实施范例，则其功能层可以是双色混光或三色混光的方式。双色混光的功能层的膜层依序例如是：空穴注入层(如：CuPc的材料)/空穴传输层兼蓝光材料(如：NPB的材料)、电子传输层兼红光区(如：Alq3：rubrene的材料)/电子注入层(如：LiF的材料)；三色混光的功能层的膜层依序例如是：空穴注入层(CuPc等)/空穴传输层兼蓝光材料(NPB等)/阻挡层(BCP等)/红光区(以Alq3：rubrene等)/阻挡层(BCP等)/电子传输层兼绿光区(Alq等)/电子注入层(LiF等)。上述仅为举例说明，但不限于此。

为了保护上述所形成的发光元件270，更可以选择性地形成一保护层272于发光元件270上以避免发光元件受外在环境影响其发光效率。本实施例以保护层272于发光元件270上为范例，如图2E所绘示。举例来说，保护层272可为单层或多层结构，且其膜层顺序并无特殊限制。但是，较佳地，其依序可以是无机保护层(可选用SiN、SiOx、SiON等)/吸湿层(可选用MgO等任何一种具吸湿性的材料)/无机保护层(可选用SiN、SiOx、SiON等)。上述仅为举例说明，但不限于此。

请继续参考图2E，形成保护层272于发光元件270后，为了使发光元件270所发出的光线，较佳地，具有偏光性质，可选择性地更包括形成一内偏光膜274于发光元件270上，但不限于此。较佳地，内偏光膜274形成于保护层272之上，但不限于此。形成内偏光膜274的方式可以使用蒸镀的方式或其他适当的工艺方式以形成于保护层272上。另外，关于内偏光膜274的相关叙述，如前所述，在此不再赘述。

接着，请同时参考图1A、图2F与图2G，形成一像素电极280于第一基板110上，其中像素电极280与第一开关元件113的漏极113c电连接。详细来说，像素电极280可为单层或多层膜层，而相关叙述如前述。本实施例以多层膜层为实施范例，但不限于此。举例来说，可使用光刻刻蚀工艺先形成一反射电极280a于反射区P1上，如图2F所绘示。然后，在形成一透明电极280b全面地或部分地覆盖于第一基板110上，如图2G所绘示。至此，完成像素电极280的制作步骤。于其它实施例中，透明电极280b可以先形成，再以反射电极280a覆盖于透明电极280b上或是先形成反射电极280a，再以透明电极280b覆盖于反射电极280a上，也就是说，形成透明电极280b与反射电极280a的步骤可以对调，本发明并不限于此。

此外，在其它实施例中，平坦层260可先不形成凹凸图案262，而于形成像素电极280时，可通过工艺技术(例如是光刻刻蚀技术，或激光雕刻技术，网版印刷技术、喷墨技术、或其他适当的方式)使其表面直接地形成多个凸起图案262。

然后，请同时参考图1A与图2H，配置如前述的第二基板120于完成上述的工艺步骤的第一基板110的对向，且形成上述的液晶层130于第一基板110与第二基板120之间，如图1A与图2H所绘示。详细来说，第一基板110与第二基板120例如是进行面板的贴合工艺，接着，将液晶分子注入第一基板110与第二基板120以形成液晶层130，其中依据液晶分子的注入方式可以是采用真空注入法或滴下式注入法(One Drop Filling，ODF)。真空注入法例如是使第一基板110与第二基板120间的压力小于外部压力，以通过外部压力将液晶分子注入于液晶显示面板100内部。滴下式注入法则是在组立第一基板110与第二基板120之前，将液晶分子以滴下的方式填入形成有框胶(未绘示)的第一基板110或是第二基板120上。随后，将第一基板110与第二基板120通过框胶(未绘示)贴合，以将液晶层130密封。至此，完成液晶显示面板100a的制作。

当然，液晶显示面板100a更可以选择性地形成一共用电极层(未绘示)于第二基板120上，则此液晶显示面板的显示模式可为垂直配向模式。于其它实施例中，第二基板120上可不配置共用电极层122，如此一来，此液晶显示面板的显示模式可为水平配向模式。此外，还可以选择性地搭配一偏光片(未绘示)于第二基板120的外表面上，使得液晶显示面板100a如图1B所示的结构，但不限于此。

值得一提的是，在本实施例中，形成平坦层260的厚度设计，较佳地，可使第二基板110分别至反射区P1与穿透区的第一光程距离与第二光程距离为D1、D2，其中2×D1＝1×D2，如图2H所绘示，相关描述如上述。另外，除凸起图案外，平坦层的厚度不均一，可称为多晶穴结构。

因此，上述液晶显示面板100、100a的制造方法，综合来说，包括下列步骤：首先，提供一第一基板110或210。而后，配置至少一扫描线111于第一基板上。配置至少一数据线112于第一基板110或210上，并与扫描线112交错，可参考图1A。另外，配置至少一第一开关元件113于第一基板110、210上，其中第一开关元件113的栅极113a与扫描数据线112电连接，且第一开关元件113的源极113b与数据线112电连接，以及第一开关元件113所位于第一基板110、210上的区域当作一反射区P1，可参考图1A或图1B。再者，配置至少一第二开关元件114于第一基板110、210上，且与第一开关元件113电性绝缘，可参考图1A所绘示。此外，配置至少一导线115于第一基板110上，且与第二开关元件114的第一端114a电连接，可参考图1A所绘示。再者，配置至少一发光元件116于第一基板110、210上，且与第二开关元件114的第二端电连接，其中发光元件116位于第一基板110上的区域当作一穿透区P2，可参考图1A与图1B所绘示。另外，配置至少一像素电极117于第一基板110、210上，且与第一开关元件113的漏极113c电连接，可参考图1A与图1B。此外，配置至少一第一储存电容器118于第一基板110、210上，且可经由像素电极117与第一开关元件113的漏极113c电连接。而后，可提供一第二基板120、220于第一基板110、210的对向。另外，再提供一液晶层130、230于第一基板110、210与第二基板120、220之间，以上步骤皆可同时参考图1A与图1B，且上述的步骤并无顺序依存性，使用者可依其需求而适当地调整。另外，以上步骤也可参考前述的制作流程，相关说明在此不再赘述。

第二实施例

图3为图1的局部区域101所绘示的另一实施形态的液晶显示面板的剖面示意图。请参考图1B与图3，液晶显示面板300与液晶显示面板100结构相似，且其所可考量的设计或实施方式也于第一实施例所示，相同构件标示相同符号，惟二者不同处在于，液晶显示面板300的平坦层140a覆盖于第一基板110上，且像素电极117覆盖平坦层140a，如图1B与图3所示。

详细来说，第一实施例的平坦层140暴露出发光元件116，而本实施例的平坦层140a则覆盖发光元件116。需要注意的是，本实施例的平坦层140a的凸起图案142可以仅在反射区P1的位置。此凸起图案142设置的位置、材料及其实施方式，也可参阅第一实施例所述的方式。相同地，形成于平坦层140a的像素电极117可以是多膜层结构，且像素电极117覆盖内偏光膜150，其中内偏光膜150较佳地覆盖于发光元件116上方的平坦层140a表面上，如图3所绘示，但不限于此。于其它实施例中，内偏光膜150可覆盖于像素电极117上。另外，像素电极例如是具有一反射电极117a与一透明电极117b。反射电极117a位于反射区P1的平坦层140a上，且其表面共形地形成多个凸起图案142，而透明电极117b可以全面性或部分地覆盖于第一基板110上，且位于反射区P1的部分，其表面也可共形地形成凸起图案142。反射电极117a与透明电极117b的位置与凸起图案142设置的位置与方式，如图3所示之外，也可参阅第一实施例所述的其它实施方式。

需要说明的是，上述的结构为单一晶穴结构(如：平坦层的厚度均一)，其优点为：可提高在配向(rubbing)工艺时的均齐度，以及可以保护发光元件116免于受外在环境的影响。

另外，在制作流程上，液晶显示面板300a于前实施例的液晶显示面板100a的制作流程类似，相同标示相同符号，惟二者不同在于，形成平坦层的方式与顺序不同。

为了方便说明，以下仅提供不同制作方式及其步骤的制作流程图。

图4A～图4E绘示为本发明第二实施例的液晶显示面板的制作流程示意图，且以底栅型结构为范例来说明。于其它实施例来形成顶栅型结构制造流程时，则可参阅第一实施例所述的相关描述。请先参考图4A，于完成第二绝缘层250后，接着，形成上述的发光元件270于第一基板110上，如图4A所绘示，其中发光元件270的制作方式与说明，如前实施例所述，在此不再赘述。

接着，请参考图4B，形成一平坦层260a于第一基板110上，其中平坦层260a曝露出部分第二图案化导电层240，且平坦层260a覆盖反射区P1及穿透区P2。此外，在反射区P1的部分，如前实施例所述，平坦层260a的表面形成有多个凸起图案262，其中形成平坦层260a的方式以及说明，类似于前实施例所述，在此便不再赘述。在其它实施例中，可以制造薄膜晶体管的至少一个绝缘膜层(如：第一绝缘层220、第二绝缘层250)或至少一个导电膜层(如：第一图案化导电层210、第二图案化导电层240)来形成多个凸起图案(未标示)，则平坦层260覆盖于上述凸起图案(未标示)，则可共形地于平坦层260表面上形成多个凸起图案262。然后，可选择性地形成一内偏光膜274于发光元件270上方的平坦层140a表面上，如图4B所绘示。其中关于内偏光膜274的相关说明如前实施例所述，在此不再赘述。

然后，请同时参考图4C与图4D，形成像素电极280于第一基板110上，其中像素电极280例如由反射电极280a及透明电极280b所构成。举例来说，可使用光刻刻蚀工艺先形成一反射电极280a于反射区P1上，如图4C所绘示。然后，再形成一透明电极280b全面地或部份配置于第一基板110上，其中透明电极覆盖内偏光膜274，如图4D所绘示。至此，完成像素电极280的制作步骤。于其它实施例中，可先形成透明电极280b，再以反射电极280a覆盖于透明电极280b上。

此外，在其它实施例中，平坦层260可先不形成凹凸图案262，而于形成像素电极280时，可以通过工艺技术(例如是光刻刻蚀技术，或激光雕刻技术，网版印刷技术、喷墨技术、或其他适当的方式)使其表面直接地形成多个凸起图案262。

接着，请同时参考图2H与图4E，进行第一基板110与第二基板120的贴合工艺，以及注入液晶分子于第一基板120与第二基板以形成液晶层130，如图4E所示。类似地，本实施例的贴合工艺与注入液晶分子的方式如前实施例所述，在此不再赘述。至此，完成液晶显示面板300a的制作。

需要说明的是，较佳地，可使第二基板110分别至反射区P1与穿透区的第一光程距离与第二光程距离为D1、D2，其中2×D1＝1×D2，如图4E所绘示。而形成平坦层260的厚度设计，可分别依上述多晶穴设计或单一晶穴设计来实行之。

同样地，上述液晶显示面板300的制造方法，综合来说，包括下列步骤：首先，提供一第一基板110。而后，配置至少一扫描线于第一基板上。配置至少一数据线111于第一基板110上，并与扫描线112交错，可参考图1A。另外，配置至少一第一开关元件113于第一基板110上，其中第一开关元件113的栅极113a与扫描线112电连接，且第一开关元件113的源极113b与数据线112电连接，以及第一开关元件113位于第一基板110上的区域当作一反射区，可参考图1A或图3B。再者，配置至少一第二开关元件114于第一基板110上，且与第一开关元件113电性绝缘，可参考图1A所绘示。此外，配置至少一导线115于第一基板110上，且与第二开关元件114的第一端114a电连接，可参考图1A所绘示。再者，配置至少一发光元件116于第一基板110上，且与第二开关元件114的第二端电连接，其中发光元件116位于第一基板110上的区域当作一穿透区P2，可参考图1A与图3B所绘示。另外，配置至少一像素电极117于第一基板110上，且与第一开关元件113的漏极113c电连接，可参考图1A与图3B。此外，配置至少一第一储存电容器118于第一基板110上，且可经由像素电极117与第一开关元件113的漏极113c电连接。而后，可提供一第二基板120于第一基板110的对向。另外，再提供一液晶层130于第一基板110与第二基板120之间，以上步骤皆可同时参考图1A与图3B，且上述的步骤并无顺序依存性，使用者可依其需求而适当地调整。另外，以上步骤也可参考前述的制作流程，相关说明在此不再赘述。

第三实施例

图5绘示为本发明另一实施形态的液晶显示面板及其第一基板上的等效电路示意图。请同时参考图1A与图5，本实施例的液晶显示面板500与液晶显示面板100结构类似，相同构件标示相同符号。惟二者不同处在于，本实施例的液晶显示面板500更包括一第二储存电容器180。第二储存电容器180配置于第一基板110上，且其与第二开关元件114的第三端(或称为栅极)114c以及导线115电连接，如图5所示。

详细来说，第一开关元件113是为控制液晶分子的排列的元件，而第二开关元件114例如是经由导线115例如：传递一方波信号(即采用扫描式的信号)而被开启或关闭，也就是说，当第二开关元件搭配第二储存电容器180使用时，可提供发光元件一个稳定的电流。换言之，上述的连接发光元件116的电路可使位于穿透区上的发光元件采用扫描式的发光机制。另外，其它实施例方式，如第一及/或第二开关元件的类型、发光元件116的结构与第二开关元件所搭配方式或于第一实施例及第二实施例所提的设计与实施，皆可被第三实施例所采用。另外，针对单一晶穴结构(如：平坦层的厚度均一，除凸起图案外)或多晶穴结构(如：平坦层的厚度不均一，除凸起图案外)的考量可分别采用第一实施例及第二实施例。

第四实施例

图6绘示为本发明更一实施形态的液晶显示面板及其第一基板上的等效电路示意图。请同时参考图5与图6，本实施例的液晶显示面板600与液晶显示面板500结构类似，相同构件标示相同符号。惟二者不同处在于，本实施例的液晶显示面板600更包括另一数据线610。数据线610配置于第一基板110上，并与导线115以及第二储存电容器180电连接，如图6所示。其中第二储存电容180的连接关系可参阅第三实施例所示。于本实施例的其它范例，第二储存电容180也可不使用。

详细来说，由于液晶显示面板600于每一像素区域620中皆具有两条数据线(例如是：数据线112与数据线610，如图6所示)，因此，若透过数据线112与数据线610分别传递不同的画面信号时，液晶显示面板600适于反射区(未绘示)与穿透区(未绘示)上显示出不同的画面。

因此，液晶显示面板600在显示图像时，除了具有前述的优点外(例如是：无须搭配背光模块的使用以节省制作成本，并可缩减其制作的整体重量与厚度)，在显示画面上更可以提供呈现双画面的显示效果。另外，其它实施例方式，如第一及/或第二开关元件的类型、发光元件116的结构与第二开关元件所搭配方式或于第一实施例所提的设计与实施，皆可被第三实施例所采用。另外，针对单一晶穴结构(如：平坦层的厚度均一，除凸起图案外)或多晶穴结构(如：平坦层的厚度不均一，除凸起图案外)的考量可分别采用第一实施例及第二实施例。

第五实施例

另外，如图7所绘示为本发明的一实施例的光电装置的示意图。请参照图7，光电装置700包括液晶显示面板710及与其电连接的电子元件720，其中液晶显示面板710例如是采用上述实施例所述的液晶显示面板100、300、500、600。由于发光元件116配置于第一基板100上，使得液晶显示面板710无须使用传统背光模块作为背光源，进而节省其制作成本外，更能使其具有轻薄短小的外型。因此，采用上述的液晶显示面板的光电装置除了可具有较低的制作成本外，同时兼具携带方便、以及较为轻巧的优点。

进一来说，依照不同的显示模式以及膜层设计作为区分，上述将发光元件116整合于第一基板110上可代替传统背光模块的使用，并作为背光源的液晶显示面板。此液晶显示面板可以是应用于穿透型显示面板、半穿透型显示面板、彩色滤光片于主动层上(color filter on array)的显示面板、主动层于彩色滤光片上(array on color filter)的显示面板、垂直配向型(VA)显示面板、水平切换型(IPS)显示面板、多域垂直配向型(MVA)显示面板、扭曲向列型(TN)显示面板、超扭曲向列型(STN)显示面板、图案垂直配向型(PVA)显示面板、超级图案垂直配向型(S-PVA)显示面板、先进大视角型(ASV)显示面板、边缘电场切换型(FFS)显示面板、连续焰火状排列型(CPA)显示面板、轴对称排列微胞型(ASM)显示面板、光学补偿弯曲排列型(OCB)显示面板、超级水平切换型(S-IPS)显示面板、先进超级水平切换型(AS-IPS)显示面板、极端边缘电场切换型(UFFS)显示面板、高分子稳定配向型显示面板、双视角型(dual-view)显示面板、三视角型(triple-view)显示面板、三维显示面板(three-dimensional)、触控面板或其它型面板、或上述的组合的显示面板上。

若以构成发光元件的材质作为区分，其可以是有机材料、无机材料、或上述的组合，再者，上述材料的分子大小包括小分子、高分子、或上述的组合。

另外，电子元件720包括如控制元件、操作元件、处理元件、输入元件、存储元件、驱动元件、发光元件、保护元件、感测元件、检测元件、或其它功能元件、或前述的组合。整体而言，光电装置的类型包括可携式产品(如手机、摄像机、照相机、笔记型电脑、游戏机、手表、音乐播放器、电子信件收发器、地图导航器、数字相片、或类似的产品)、影音产品(如影音播放器或类似的产品)、萤幕、电视、看板、投影机内的面板等。

综上所述，本发明的液晶显示面板至少具有下列优点。首先，配置发光元件于第一基板上作为液晶显示面板的背光源，也就是说，液晶显示面板无需使用背光模块便可进行显示，进而节省其制作成本，以及达到缩小重量及厚度的目的。另外，反射区的像素电极具有多个凸起图案，使液晶显示面板被驱动进行显示时，具有较佳的显示品质。此外，透过不同信号源或电压源连接第二开关元件时可使液晶显示面板具有较为多元的显示方式，例如是双重画面的显示，或是较稳定的图像亮度。另外，本发明也提出制作上述的液晶显示面板制作方法。

除此之外，将上述的液晶显示面板应用于光电装置中，同样地，也可使光电装置具有较为低廉的制作成本、以及较为轻薄短小的外型。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何具有所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求所界定范围为准。

Claims (25)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括：

一第一基板；

至少一扫描线，配置于所述第一基板上；

至少一数据线，配置于所述第一基板上，且与所述扫描线交错；

至少一第一开关元件，配置于所述第一基板上，且所述第一开关元件的栅极与所述扫描线电连接以及所述第一开关元件的源极与所述数据线电连接，其中，所述第一开关元件位于所述第一基板上的反射区；

至少一第二开关元件，配置于所述第一基板上，且与所述第一开关元件电性绝缘；

至少一导线，配置于所述第一基板上，且与所述第二开关元件的第一端电连接；

至少一发光元件，配置于所述第一基板上，且与所述第二开关元件的第二端电连接，其中，所述发光元件位于所述第一基板上的穿透区；

至少一像素电极，配置于所述第一基板上，且与所述第一开关元件的漏极电连接；

至少一第一储存电容器，配置于所述第一基板上，且经由所述像素电极与所述第一开关元件的漏极电连接；

一第二基板，位于所述第一基板的对向；以及

一液晶层，位于所述第一基板与所述第二基板之间。

2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述导线电连接至一电压源或一信号源。

3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板更包括一第二储存电容器，配置于所述第一基板上，且其与所述第二开关元件的一端以及所述导线电连接。

4.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二开关元件与所述第一储存电容器其中至少之一者位于所述第一基板上的穿透区、或位于所述第一基板上的反射区、或位于所述穿透区与所述反射区的交界。

5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板更包括一平坦层，覆盖所述第一基板上且暴露出所述发光元件，而所述像素电极覆盖所述平坦层。

6.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极的表面具有多个凸起图案。

7.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板更包括一内偏光膜，覆盖于所述发光元件上。

8.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板更包括一平坦层，覆盖所述第一基板上，且所述像素电极覆盖所述平坦层。

9.如权利要求5或8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极的表面具有多个凸起图案。

10.如权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板更包括一内偏光膜，覆盖所述发光元件上方的所述平坦层表面上。

11.如权利要求10所述的液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极覆盖所述内偏光膜。

12.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二基板上更包括配置一共用电极层。

13.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二基板上及所述第一基板上其中一者更包括配置一彩色滤光片。

14.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二基板的外表面上更包括配置一偏光片，且所述第一基板的外表面上不配置所述偏光片。

15.一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述液晶显示面板的制造方法包括：

提供一第一基板；

配置至少一扫描线，于所述第一基板上；

配置至少一数据线，于所述第一基板上，且与所述扫描线交错；

配置至少一第一开关元件，于所述第一基板上，且所述第一开关元件的栅极与所述扫描线电连接以及所述第一开关元件的源极与所述数据线电连接，其中，所述第一开关元件位于所述第一基板上的反射区；

配置至少一第二开关元件，于所述第一基板上，且与所述第一开关元件电性绝缘；

配置至少一导线，于所述第一基板上，且与所述第二开关元件的第一端电连接；

配置至少一发光元件，于所述第一基板上，且与所述第二开关元件的第二端电连接，其中，所述发光元件位于所述第一基板上的穿透区；

配置至少一像素电极，于所述第一基板上，且与所述第一开关元件的漏极电连接；

配置至少一第一储存电容器，于所述第一基板上，且经由所述像素电极与所述第一开关元件的漏极电连接；

提供一第二基板，于所述第一基板的对向；以及

提供一液晶层，于所述第一基板与所述第二基板之间；

其中，所述第二开关元件的第一端为源极，所述第二开关元件的第二端为漏极，所述第二开关元件还具有第三端，所述第二开关元件的第三端为栅极。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述液晶显示面板的制造方法更包括配置一第二储存电容器，于所述第一基板上，且其与所述第二开关元件的第三端以及所述导线电连接。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述液晶显示面板的制造方法更包括覆盖一平坦层，于所述第一基板上，且暴露出所述发光元件，而所述像素电极覆盖所述平坦层。

18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述液晶显示面板的制造方法更包括覆盖一内偏光膜，于所述发光元件上。

19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述液晶显示面板的制造方法更包括覆盖一平坦层，于所述第一基板上，且所述像素电极覆盖所述平坦层。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述液晶显示面板的制造方法更包括覆盖一内偏光膜，于所述发光元件上方的所述平坦层表面上。

21.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述液晶显示面板的制造方法更包括配置一共用电极层，于所述第二基板上。

22.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述液晶显示面板的制造方法更包括配置一彩色滤光片于所述第二基板及所述第一基板其中一者上。

23.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述液晶显示面板的制造方法更包括配置一偏光片，于所述第二基板的外表面上，且不配置于所述第一基板的外表面上。

24.一种光电装置，其特征在于，所述光电装置包括如权利要求1所述的液晶显示面板。

25.一种光电装置的制造方法，其特征在于，所述光电装置的制造方法包括如权利要求16所述的液晶显示面板的制造方法。

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