CN100581986C - 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 - Google Patents
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- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 241000935974 Paralichthys dentatus Species 0.000 claims abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 28
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明涉及红外成像技术领域，公开了一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，该探测器由微悬臂梁单元采用顺序平铺的方式构成，所述微悬臂梁单元包括热变形结构、红外吸收结构和支撑梁；所述热变形结构有两组，分别位于红外吸收结构的两侧，每组热变形结构一端连接于支撑梁，另一端连接于红外吸收结构；所述红外吸收结构包括光学检测板和红外透过板，且二者通过锚爪固定连接；所述热变形结构连接于红外吸收结构的光学检测板，与红外吸收结构的光学检测板分布于同一平面上。利用本发明，解决了图形区硅衬底对红外线反射的问题，提高了探测灵敏度和对入射红外线的吸收率。
Description
技术领域
本发明涉及红外成像系统中非制冷红外焦平面阵列探测器技术领域，尤其涉及一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器。
背景技术
红外辐射探测装置用于将不可见的红外辐射转化为可见的图像。按照探测原理的不同，可以把传统的红外辐射探测装置大致分为两类：量子型的和热型的红外辐射探测器。
量子型的红外辐射探测器将红外光子的能量转化为电子的能量。由于8至14微米的红外光子的受激电子的能量和室温下电子热运动产生的能量相当，因此需要将探测器的温度维持在液氮温度(约77K)来抑制电子热运动，使量子型的红外辐射探测装置不仅笨重而且价格昂贵。
传统的热型红外辐射探测器吸收入射的红外光能量，使探测单元温度上升，再通过集成电路检测探测器的温升引发的热电效应，比如电阻率和电容的变化等，得到红外辐射的信息。传统的热型红外探测器中热电效应是用集成电路从每个探测器单元中读出的，由于电流输入会在探测器单元上产生附加的热量，所以这种方式难以准确地检测到入射的红外辐射。同时探测器单元与基底之间通过导热性能很好的金属导线相连，使得热隔离变得很困难，严重限制了温升性能。另外热电效应都极为微弱，为了探测信号，集成电路要有相当高的信噪比和很强的增益。这不仅增加了探测器和读出电路的设计难度，同时提高了热型的红外辐射探测装置的整机价格，不便于其广泛的运用。
应用光-机械原理的非制冷型红外探测焦平面阵列(FPA)大多采用双材料微悬臂梁热隔离结构。入射的红外光能被探测单元吸收后转化为悬臂梁的热能，引发双材料悬臂梁产生热致形变，从而使整个微悬臂梁结构产生形变，再通过光学读出系统，非接触的检测出形变，例如悬臂梁的挠度或转角等，就可以得到被测物体的热辐射信息。
这种热型的红外辐射探测器可以在不需要制冷的条件下工作，而且光学读出的方式不会在探测器上产生附加的热量，无需金属导线连接，更易于在探测单元与基底之间实现良好的热隔离。另外，探测器敏感单元和读出系统之间没有电的连接，也省去了读出电路的设计和制作，这就大大地降低了开发和制作成本。因此基于这种光-机械微悬臂梁单元的红外探测器，有望开发出更高性能和低成本的热型红外辐射探测装置。
应用光学读出的FPA(焦平面阵列)通常采用的包括带有牺牲层的多层双材料悬臂梁热隔离结构和镂空的单层双材料悬臂梁热隔离结构，前者需要保留图形区的硅衬底，这样当红外线经过硅衬底前后两个表面的时候，会发生反射现象，大约40％的红外线无法到达探测器件上，就使得红外线的吸收率严重下降，降低了探测器件的灵敏性；后者的图形区采用无硅衬底的结构，这样在探测红外辐射时不存在衬底的反射，使辐射的利用率很高，但它的缺陷由于热变形结构中的热隔离梁和热变形梁位于同一平面，使象素面积偏大，结构利用率低，难以提高分辨率和清晰度。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，以解决图形区硅衬底对红外线反射的问题，提高探测灵敏度和对入射红外线的吸收率。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，该探测器由微悬臂梁单元采用顺序平铺的方式构成，所述微悬臂梁单元包括热变形结构、红外吸收结构和支撑梁；
所述热变形结构有两组，分别位于红外吸收结构的两侧，每组热变形结构一端连接于支撑梁，另一端连接于红外吸收结构；
所述红外吸收结构由位于不同平面的光学检测板和红外透过板，以及由光学检测板和红外透过板构成的空腔组成，光学检测板和红外透过板通过锚爪固定连接；
所述热变形结构连接于红外吸收结构的光学检测板，与红外吸收结构的光学检测板分布于同一平面上。
所述两组热变形结构对称分布于红外吸收结构光学检测板的两侧。
所述热变形结构包括热隔离梁和热变形梁，所述热隔离梁和热变形梁相间回折连接，且分布于同一平面上。
所述热隔离梁与所述光学检测板在同一平面内并直接相连，所述热隔离梁的另一端与所述变形梁连接，热隔离梁和热变形梁相间回折连接，最终与支撑梁相连接；
所述热变形梁表面上附着有金属薄膜，所述热隔离梁和热变形梁的厚度为0.1至3μm。
所述热变形梁采用双材料结构，两种材料厚度的比值接近两种材料杨氏模量的反比平方根值。
所述双材料结构为在非金属薄膜上附着一层金属薄膜，所述非金属薄膜为氮化硅SiNx或二氧化硅薄膜，所述金属薄膜为金Au或铝Al薄膜。
所述红外吸收结构由位于不同平面的光学检测板和红外透过板，以及由光学检测板和红外透过板构成的空腔组成，光学检测板和红外透过板通过锚爪相连接。
所述光学检测板和红外透过板的厚度为0.1至3μm，所述光学检测板和红外透过板所处平面的间隔为0.1至4μm。
所述光学检测板表面上附着有金属薄膜，所述锚爪分布在所述红外吸收结构的两侧，锚爪的形状为对称的正方形、矩形或圆形。
所述热变形结构和红外吸收结构由对红外线有吸收作用的薄膜材料制作而成。
所述对红外线有吸收作用的薄膜材料为氮化硅、二氧化硅或多晶硅。
所述支撑梁由金属或单晶硅制作而成。
所述微悬臂梁单元为方形或者矩形，边长大小为30至200μm。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明在具体的设计中采用侧向支撑的无衬底双层结构，由于无硅衬底，避免了红外线经过硅衬底前后两个表面的情况发生，使得红外线可直接到达红外吸收板的表面，解决了图形区硅衬底对红外线反射的问题，减少了红外线损失，显著提高了探测器件的灵敏性。另外，红外吸收结构由两个位于不同平面的薄膜以及其构成的空腔组成，这种结构大大提高了对红外线的吸收率。所以与现有技术相比，本发明有以下几个方面的优点：
1、无硅衬底部分反射红外线，更多的能量直接到达探测单元，使探测更灵敏。
2、通过设计双层的红外吸收结构，极大的提高了探测单元对红外线的吸收率，从而提高了探测单元的热变形灵敏度。
3、由于红外吸收板与热变形结构处于不同平面的双层结构设计，可以使在增大热变形结构所占面积的情况下保证红外吸收板的有效面积，因此，大大提高了平面利用率，各单元可采用顺序平铺嵌套的方式构成探测阵列，阵列的空间利用率很高。
附图说明
图1为本发明提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器的结构示意图；
图2为本发明提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器中微悬臂梁单元的俯视图；
图3为本发明提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器中微悬臂梁单元的剖视图；
图4为本发明提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器中微悬臂梁单元的立体图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1示，图1为本发明提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器的结构示意图。该探测器由微悬臂梁单元采用顺序平铺的方式构成，所述微悬臂梁单元包括热变形结构、红外吸收结构和支撑梁。其中，所述热变形结构有两组，分别位于红外吸收结构的两侧，每组热变形结构一端连接于支撑梁，另一端连接于红外吸收结构；所述红外吸收结构包括光学检测板2和红外透过板3，且二者通过锚爪固定连接；所述热变形结构连接于红外吸收结构的光学检测板2，与红外吸收结构的光学检测板2分布于同一平面上。所述两组热变形结构对称分布于红外吸收结构光学检测板2的两侧。
如图2所示，图2为本发明提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器中微悬臂梁单元的俯视图。该微悬臂梁单元包括热变形结构、红外吸收结构和支撑梁1。具体还可以参照图3和图4，图3为本发明提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器中微悬臂梁单元的剖视图，图4为本发明提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器中微悬臂梁单元的立体图。
所述热变形结构包括热隔离梁5和热变形梁4，所述热隔离梁和热变形梁相间回折连接，且分布于同一平面上。热隔离梁5与光学检测板2在同一平面内并直接相连，所述热隔离梁5的另一端与所述变形梁4连接，热隔离梁5和热变形梁4相间回折连接，最终与支撑梁1相连接。
亦即整个微悬臂梁单元为侧向支撑的无衬底双层结构，热变形结构中的热变形梁4、热隔离梁5和光学检测板2位于同一层(所述的层是指构件的结构层，而非构件的组成材料的复合层，即某些构件为金属和非金属复合而成，但是在结构上称为同一层)，热变形结构与红外透过板3处在不同层面内。热变形结构的下方没有硅衬底，支撑梁1位于热变形结构的侧向，没有站立的锚脚。上述结构构成的微悬臂梁单元采用顺序平铺的方式构成阵列(如图1)，得到的阵列紧密。
所述热变形梁4表面上附着有金属薄膜，所述热隔离梁和热变形梁的厚度一般为0.1至3μm。
所述热变形梁4采用双材料结构，两种材料的选择应该考虑到热膨胀系数相差尽可能大而杨氏模量相差尽可能小，一般可以采用金属和非金属的组合，例如将金属附着到非金属薄膜上；在变形梁的两种材料的厚度选择上，为了使梁达到最大变形从而得到最高灵敏度，两种材料厚度的比值接近两种材料杨氏模量的反比平方根值，而梁的总厚度在满足工艺条件和支撑条件的前提下应该尽量小。所述双材料结构为在非金属薄膜上附着一层金属薄膜，所述非金属薄膜为氮化硅SiNx或二氧化硅薄膜，所述金属薄膜为金Au或铝Al薄膜。
所述红外吸收结构由位于不同平面的光学检测板2和红外透过板3，以及由光学检测板2和红外透过板3构成的空腔组成，光学检测板2和红外透过板3通过锚爪6相连接。
所述光学检测板2和红外透过板3的厚度一般为0.1至3μm，所述光学检测板2和红外透过板3所处平面的间隔一般为0.1至4μm。
所述光学检测板2表面上附着有金属薄膜，所述锚爪6分布在所述红外吸收结构的两侧，锚爪6的形状为对称的正方形、矩形或圆形等。
所述热变形结构和红外吸收结构由对红外线有吸收作用的薄膜材料制作而成，如氮化硅，二氧化硅，多晶硅等，吸收面积应尽可能的大，以增加吸收的热量。
支撑梁由导热性能好而刚度大的材料构成(例如金属和单晶硅)，以保证每个单元处于相同的支撑和导热状态，而具有较好的一致性，为了简化加工工艺，可采用与热隔离梁同样的材料与之加工成一体，然后在支撑梁的部位附着金属薄膜和保留部分单晶硅衬底以增加导热性能和支撑强度。整个微悬臂梁单元一般为方形或者矩形，边长大小在30～200um的范围。
在具体实施时，光学检测板2由厚度为0.5um的氮化硅(SiNx)和0.2um的金(Au)复合薄膜构成，红外透过板3由0.5um的氮化硅(SiNx)构成，热变形梁4由厚度为1um的氮化硅(SiNx)和0.2um的金(Au)复合薄膜构成，热隔离梁5由厚度为1um的氮化硅(SiNx)单一薄膜构成，支撑梁1由厚度为2um的氮化硅(SiNx)和0.5um的金(Au)复合薄膜构成。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1、一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，该探测器由微悬臂梁单元采用顺序平铺的方式构成，所述微悬臂梁单元包括热变形结构、红外吸收结构和支撑梁；
所述热变形结构有两组，分别位于红外吸收结构的两侧，每组热变形结构一端连接于支撑梁，另一端连接于红外吸收结构；
所述红外吸收结构由位于不同平面的光学检测板和红外透过板，以及由光学检测板和红外透过板构成的空腔组成，光学检测板和红外透过板通过锚爪固定连接；
所述热变形结构连接于红外吸收结构的光学检测板，与红外吸收结构的光学检测板分布于同一平面上。
2、根据权利要求1所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述两组热变形结构对称分布于红外吸收结构光学检测板的两侧。
3、根据权利要求1或2所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述热变形结构包括热隔离梁和热变形梁，所述热隔离梁和热变形梁相间回折连接，且分布于同一平面上。
4、根据权利要求3所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述热隔离梁与所述光学检测板在同一平面内并直接相连，所述热隔离梁的另一端与所述变形梁连接，热隔离梁和热变形梁相间回折连接，最终与支撑梁相连接；
所述热变形梁表面上附着有金属薄膜，所述热隔离梁和热变形梁的厚度为0.1至3μm。
5、根据权利要求3所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述热变形梁采用双材料结构，该双材料结构为在非金属薄膜上附着一层金属薄膜，所述非金属薄膜为氮化硅SiNx或二氧化硅薄膜，所述金属薄膜为金Au或铝Al薄膜。
6、根据权利要求1所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述光学检测板和红外透过板的厚度为0.1至3μm，所述光学检测板和红外透过板所处平面的间隔为0.1至4μm。
7、根据权利要求1所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述光学检测板表面上附着有金属薄膜，所述锚爪分布在所述红外吸收结构的两侧，锚爪的形状为对称的正方形、矩形或圆形。
8、根据权利要求1所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述热变形结构和红外吸收结构由对红外线有吸收作用的薄膜材料制作而成。
9、根据权利要求8所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述对红外线有吸收作用的薄膜材料为氮化硅、二氧化硅或多晶硅。
10、根据权利要求1所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述支撑梁由金属或单晶硅制作而成。
11、根据权利要求1所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述微悬臂梁单元为方形或者矩形，边长大小为30至200μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710062982A CN100581986C (zh) | 2007-01-24 | 2007-01-24 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710062982A CN100581986C (zh) | 2007-01-24 | 2007-01-24 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101229910A CN101229910A (zh) | 2008-07-30 |
| CN100581986C true CN100581986C (zh) | 2010-01-20 |
Family
ID=39896793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200710062982A Active CN100581986C (zh) | 2007-01-24 | 2007-01-24 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100581986C (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102087358A (zh) * | 2010-11-29 | 2011-06-08 | 电子科技大学 | 一种焦平面线阵无源毫米波成像系统 |
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| CN102226719B (zh) * | 2011-04-08 | 2012-12-19 | 华中科技大学 | 红外吸收结构及基于该结构的非致冷红外探测器 |
| CN103411681B (zh) * | 2013-07-30 | 2015-07-29 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 多模块面阵红外探测器三维拼接结构及实现方法 |
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| CN1893567A (zh) * | 2006-04-12 | 2007-01-10 | 中国科学技术大学 | 光学读出热型红外图像传感器 |
-
2007
- 2007-01-24 CN CN200710062982A patent/CN100581986C/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101229910A (zh) | 2008-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Assignee: KUNSHAN MICROOPTIC ELECTRONIC CO.,LTD. Assignor: Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences Contract record no.: 2011320010027 Denomination of invention: Uncooled infrared imaging focal plane array detector Granted publication date: 20100120 License type: Common License Open date: 20080730 Record date: 20110325 |