CN100580858C - 微波离子源 - Google Patents
微波离子源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100580858C CN100580858C CN200610145857A CN200610145857A CN100580858C CN 100580858 C CN100580858 C CN 100580858C CN 200610145857 A CN200610145857 A CN 200610145857A CN 200610145857 A CN200610145857 A CN 200610145857A CN 100580858 C CN100580858 C CN 100580858C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- microwave
- ion source
- coupling window
- microwave coupling
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001518 atomic anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
- H01J27/18—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation with an applied axial magnetic field
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种微波离子源的新结构。在该结构中，波导采用单脊设计，用金属材料制成，通过冷却水强制冷却，脊厚度超过微波耦合窗板的中心，且波导脊的端面与微波耦合窗紧密贴合。这一些的独特设计，使微波离子源从根本上避免了高能返流二次电子束对微波耦合窗板的破坏，使微波离子源真正成为有超长寿命的离子源。
Description
技术领域
本发明属于离子源技术领域，具体涉及一种微波离子源的新结构。
背景技术
微波离子源的原理是选用合适的微波，通过微波耦合窗将微波功率馈入到一个放电室中。放电室处于一个特定的磁场内，其中的自由电子受到微波的激励会产生回旋共振(即ECR)，获得能量的电子使放电室中的工作气体电离，所形成的离子被加速电场引出而获得所需的离子束。微波离子源具有放电效率高、引出束流强大、品质好、单原子离子比例高、工作寿命长等优点，可广泛地应用于加速器、中子发生器及离子注入机等方面。
微波离子源没有热阴极，理论上其工作寿命应该非常长。但国内外所制造的微波离子源都遇到一个严重的技术难题，即离子源微波窗的寿命问题。因为在离子加速区中不可避免地会产生二次电子，它们以很高的能量返轰到放电室底部的微波耦合窗板中心部位。现在所使用的微波离子源的微波耦合窗板是由陶瓷类材料制成，自身导热性能差；通常采用的波导设计，中心部位不能冷却，而波导同微波耦合窗板的接触面有限，不能帮助微波耦合窗板带走热量。故在返流二次电子束的轰击下微波耦合窗板很快就因产生高热而开裂或者蒸发，形成通孔，致使微波离子源不能正常工作。因此，微波离子源的使用寿命受到极大限制。目前，性能较好的微波离子源的寿命只有一百多个小时。
技术方案
本发明就是针对现有技术中，微波离子源的使用寿命较短的问题，提供一种能极大延长使用寿命的微波离子源的新结构。
一种微波离子源，包括波导、放电室、励磁线圈、真空室、加速电极等部件。其中放电室后端经微波耦合窗与波导相连，另一端与真空室相衔接。放电室周围缠绕励磁线圈。工作气体进入放电室电离后，通过离子引出孔进入加速区，被加速电场加速以形成所需的离子束。本发明所提供的技术中，关键在于波导采用单脊设计，用金属材料制成，微波耦合窗的中心线穿过单脊，且波导脊的端面与微波耦合窗紧密贴合，通过冷却水强制冷却。
这种单脊设计的好处是，通过强制水冷的波导脊为金属材料制成，导热性能好，其脊端面同微波耦合窗板紧密接触，接触面大，有利于微波耦合窗板上的热量通过波导脊导出；同时，即使微波耦合窗板被击穿，由于脊端面的气封作用，依旧不影响离子源的正常运行，极大提高微波离子源的使用寿命。
同时，为了进一步延长微波耦合窗板的寿命，可在微波耦合窗板被返流电子轰击的中心部位的开设一个中心孔，使返流电子直接轰击在波导的脊端面上，保护微波耦合窗板，从而进一步延长微波离子源的使用寿命。
附图说明
图1微波离子源的结构示意图
1微波功率输入；2脊型波导；3冷却水；4励磁线圈；5微波耦合窗；6放电室；7返流的二次电子；8离子引出孔；9真空室；10加速电极；11引出的离子束；12工作气体；13锥底孔；14中心孔；
实施例
下面将结合附图对本发明所提供的技术方案作进一步阐述。
如图1所示，一种微波离子源，包括单脊波导2、放电室6、励磁线圈4、真空室9、加速电极10等几部分。其中单脊波导2通过微波耦合窗5同放电室6一端相连，放电室6周围缠绕励磁线圈4，另一端的离子出口8与真空室9相通。本实施中，单脊波导2采用金属材料，尤其是铁磁材料制成，其内部通冷却水3进行强制冷却。同时，波导2的单脊端面同微波耦合窗板5紧密贴合，其厚度超过微波耦合窗板5的中心。另外，在微波耦合窗板5的中心位置开设一中心孔14，中心孔14的直径大于返流电子束7截面的直径；在单脊波导2上与中心孔14正对的位置也可以开设一个锥底孔13。
工作时，工作气体12进入放电室6被通过微波耦合窗5馈入的微波功率电离后，从放电室6的离子引出孔8进入真空室9，再被加速电极10加速后形成所需的离子束11。
这种技术方案的益处十分明显：
1)独特的单脊波导设计，既利于微波耦合窗板的导热，又可在微波耦合窗板被击穿时依旧保持放电室有效气封，既能有效地阻止放电室中工作气体的流失，也防止了波导中残余杂气对工作气体的污染，与现有技术的波导相比，对延长微波离子源的寿命大有益处。
2)微波耦合窗板上开设中心孔，使返流电子直接轰击在波导的脊端面上；在单脊波导上开设锥底孔，增大了被返流电子轰击的面积，同时，因锥底孔内磁场很快减弱，并方向是指向孔壁，射入锥底孔中的返流电子被分散而轰击在锥底孔的孔壁上，从而大大减轻了表面热负荷强度。
3)波导脊使用铁磁材料制成，有利于放电室中的磁场，节省了励磁功率。
这一些的独特设计，使微波离子源从根本上避免了高能返流二次电子束对微波耦合窗板的破坏，使微波离子源真正成为有超长寿命的离子源。它用于相应的加速器、离子注入机等设备，必将大大提高设备运行的可靠性及运行效率，从而产生良好的社会效益和经济效益。
例如，采用本发明所提供新结构的一台微波离子源，其主要参数是，工作气体：氢气；最高引出电压：75kV；最大引出流强：100mA；最佳导流系数时的引出束流密度：200mA/cm2；归一化发射度ε≤0.129πmm·mrad；质子比H+/H++H2 ++H3 +≈90％。在75kV引出束流，大于65mA的情况下连续运行超过二百小时。
Claims (4)
1.一种微波离子源，包括波导(2)、放电室(6)、励磁线圈(4)、真空室(9)、加速电极(10)，其中波导(2)通过微波耦合窗(5)同放电室(6)一端相连，放电室(6)周围缠绕励磁线圈(4)，另一端的离子出口(8)与真空室(9)相通，在离子束引出的通道上设置加速电极(10)，其特征在于：所述的波导(2)为金属材料制成的单脊波导，微波耦合窗(5)的中心线穿过单脊，单脊波导(2)的单脊端面并与微波耦合窗(5)紧密贴合，单脊波导(2)内部通过冷却水(3)进行强制冷却。
2.根据权利要求1所述的微波离子源，其特征在于：所述的单脊波导(2)用铁磁材料制成。
3.根据权利要求1或2所述的微波离子源，其特征在于：在微波耦合窗(5)的中心位置开设一直径大于返流电子束截面的中心孔(14)。
4.根据权利要求3所述的微波离子源，其特征在于：在单脊波导(2)上与微波耦合窗(5)的中心孔(14)正对的位置开设一个锥底孔(13)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200610145857A CN100580858C (zh) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 微波离子源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200610145857A CN100580858C (zh) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 微波离子源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1945782A CN1945782A (zh) | 2007-04-11 |
| CN100580858C true CN100580858C (zh) | 2010-01-13 |
Family
ID=38045111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200610145857A Active CN100580858C (zh) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 微波离子源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100580858C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI497555B (zh) * | 2013-02-18 | 2015-08-21 | Sumitomo Heavy Industries | Microwave ion source and its starting method |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009044496B4 (de) * | 2009-11-11 | 2023-11-02 | Muegge Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma mittels Mikrowellen |
| CN103426706A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-12-04 | 中国原子能科学研究院 | 一种微波离子源 |
| CN109411319A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-03-01 | 合肥飞帆等离子科技有限公司 | 一种新型等离子体阴极电子束源及3d打印机 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4316090A (en) * | 1979-06-04 | 1982-02-16 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma ion source |
| US4409520A (en) * | 1980-03-24 | 1983-10-11 | Hitachi, Ltd. | Microwave discharge ion source |
| CN1140161C (zh) * | 2000-12-26 | 2004-02-25 | 北京航空工艺研究所 | 微波等离子体源 |
| CN1628495A (zh) * | 2002-02-06 | 2005-06-15 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
-
2006
- 2006-11-21 CN CN200610145857A patent/CN100580858C/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4316090A (en) * | 1979-06-04 | 1982-02-16 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma ion source |
| US4409520A (en) * | 1980-03-24 | 1983-10-11 | Hitachi, Ltd. | Microwave discharge ion source |
| CN1140161C (zh) * | 2000-12-26 | 2004-02-25 | 北京航空工艺研究所 | 微波等离子体源 |
| CN1628495A (zh) * | 2002-02-06 | 2005-06-15 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI497555B (zh) * | 2013-02-18 | 2015-08-21 | Sumitomo Heavy Industries | Microwave ion source and its starting method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1945782A (zh) | 2007-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Oks et al. | Elevated ion charge states in vacuum arc plasmas in a magnetic field | |
| CN100580858C (zh) | 微波离子源 | |
| Stirling et al. | 15 cm duoPIGatron ion source | |
| US5656819A (en) | Pulsed ion beam source | |
| CN103426706A (zh) | 一种微波离子源 | |
| CN109712858B (zh) | 激光微波离子源 | |
| WO2020155827A1 (zh) | 一种增强ecr等离子体源性能的方法 | |
| CN103681178A (zh) | 一种高稳定长寿命气体离子源 | |
| CN102931047A (zh) | 一种长寿命电子回旋共振离子源 | |
| KR100497825B1 (ko) | 이온원 | |
| US4677342A (en) | Semiconductor secondary emission cathode and tube | |
| Torii et al. | A high‐current density and long lifetime ECR source for oxygen implanters | |
| Ludwig et al. | Summary of the performances of the superconducting electron cyclotron resonance ion source at 14 GHz | |
| CN209448961U (zh) | 空间用小型微波ecr等离子体电子束发生装置 | |
| Welton | Overview of high-brightness H-ion sources | |
| Skalyga et al. | Status of new developments in the field of high-current gasdynamic ECR ion sources at the IAP RAS | |
| CN115188648B (zh) | 内潘宁源结构、回旋加速器 | |
| Farchi et al. | First results of a high‐current electron cyclotron resonance proton source | |
| CN118785596A (zh) | 一种基于电子束激发的等离子体离子源 | |
| Sun et al. | High power operation with SECRAL-II ion source | |
| CN101350439A (zh) | 一种多级反常多普勒电子回旋脉塞互作用方法 | |
| Fan et al. | Design of the input power coupler for Boron Neutron Capture Therapy Drift Tube Linac | |
| Cannavo et al. | High-intensity polarized and unpolarized H-sources development and operational at BNL | |
| CN201207370Y (zh) | 一种新型磁路结构考夫曼型离子源 | |
| Masugata et al. | Characteristics of flashover ion sources in magnetically insulated ion diode |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |