CN100568641C - 激光振荡装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种激光振荡装置,包括:作为光学晶体并将入射的激励光振荡为基波的激光晶体;将上述基波变换为2次谐波的2次谐波用波长变换晶体;和在上述激光晶体的射出端面或者上述2次谐波用波长变换晶体的入射端面上形成的反射膜,该反射膜反射上述2次谐波,该2次谐波不从上述激光晶体的内部通过。
Description
技术领域
本发明涉及将半导体激光器作为激励源的激光振荡装置。
背景技术
图19所示是作为激光振荡装置1的一个例子的、1波长振荡的LD激励固体激光器。
在图19中,2为发光部分,3为光共振部分。上述发光部分2包括LD发光器4和聚光透镜5,上述光共振部分3包括:形成有第1电介质反射膜7的第1光学晶体(激光晶体8)、第2光学晶体(非线性光学晶体(NLO)(2次谐波用波长变换晶体9))、形成有第2电介质反射膜11的第凹面镜12,在上述光共振部分3使激光光线泵浦(pumping),并使激光光线发生共振,对其放大后输出。另外,使用Nd:YVO4作为上述激光晶体8,使用KTP(KTiOP4,磷酸钛钾)等作为上述2次谐波用波长变换晶体9。
上述激光振荡装置1是用于射出例如波长为809nm的激光光线的装置,并使用作为半导体激光器的上述LD发光器4。另外,该LD发光器4具有产生激励光的泵浦光发生装置的功能。上述激光振荡装置1不限于半导体激光器,只要能够产生激光光线,可以采用任何的光源装置。
上述激光晶体8用于光的放大。该激光晶体8中使用振荡谱线为1064nm的Nd:YVO4。除此之外,还可以使用掺杂有Nd 3+离子的YAG(钇铝石榴石)等,YAG具有946nm、1064nm、1319nm等振荡谱线。另外,还可以使用振荡谱线为700~900nm的Ti(Sapphire:蓝宝石)等。
在上述激光晶体8的上述LD发光器4一侧形成有上述第1电介质反射膜7。该第1电介质反射膜7对于上述LD发光器4所发出的激光光线是高透射的,并且对于上述激光晶体8的振荡波长的光是高反射的,同时对于2次谐波(SECOND HARMONIC GENERATION:SHG)也是高反射的。
上述凹面镜12与上述激光晶体8相对置地构成,上述凹面镜12的激光晶体8侧被加工成具有适当的半径的凹面球面镜形状,并形成有上述第2电介质反射膜11。该第2电介质反射膜11对于上述激光晶体8的振荡波长是高反射的,对于2次谐波是高透射的。
如上所述,上述激光晶体8的第1电介质反射膜7与上述凹面镜12的第2电介质反射膜11组合,使上述LD发光器4发出的激光光线经上述聚光透镜5在上述聚光晶体8中泵浦,则光在该激光晶体8的第1电介质反射膜7与上述第2电介质反射膜11之间往复,并使光长时间封闭在其间,从而可以使光共振并放大。
由上述激光晶体8的第1电介质反射膜7与上述凹面镜12的第2电介质反射膜11构成的光共振部分3中插入了上述2次谐波用波长变换晶体9。当向该2次谐波用波长变换晶体9中入射诸如激光光线之类的较强的相干光时,产生光频率为2倍频的2次谐波。该2次谐波的产生被称为SECOND HARMONIC GENERATION。因此,上述激光振荡装置1射出波长为532nm的激光光线(绿色激光光线)。
另外,产生2次谐波的固体激光装置有特开平5-145160号公报中所公开的装置。
在上述激光振荡装置1和特开平5-145160号公报中,上述激光晶体8(Nd:YVO4)由于是1轴而具有波片(wave plate)的性质,当2次谐波通过上述激光晶体8内部时产生相位差而使偏振特性发生改变。因此,现有的激光振荡装置1射出椭圆偏振的激光光线。
某些激光装置要求线性偏振的激光光线,例如在光波测距装置中,根据参考光与反射光的相位差来求出距离,当射出的激光光线本身有相位差时,存在无法正确测距的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种内部偏振特性不发生改变的激光振荡装置。
为了达成上述目的,本发明的激光振荡装置包括:作为光学晶体并将入射的激励光振荡为基波的激光晶体;将上述基波变换为2次谐波的2次谐波用波长变换晶体;以及在上述激光晶体的射出端面或者上述2次谐波用波长变换晶体的入射端面上形成的反射膜,该反射膜反射上述2次谐波,并且该2次谐波不通过上述激光晶体的内部。另外,本发明的激光振荡装置通过在上述激光晶体的射出端面或者上述2次谐波用波长变换晶体的入射端面上设置反射上述2次谐波的反射膜来维持上述2次谐波的偏振并射出2次谐波。本发明的激光振荡装置还在上述2次谐波用波长变换晶体上设有3次谐波用波长变换晶体,上述2次谐波通过上述3次谐波用波长变换晶体变换为3次谐波,并在上述2次谐波用波长变换晶体的射出端面或上述3次谐波用波长变换晶体的入射端面上形成了反射上述3次谐波的反射膜。本发明的激光振荡装置还在所需的晶体之间设有具有光学效应的光学部件。本发明的激光振荡装置还将光学晶体接合而一体化。本发明的激光振荡装置还利用粘接剂将相邻的上述光学晶体接合起来,位于射出侧的光学晶体是将入射光变换为高次谐波的光学晶体,位于上述射出侧的光学晶体的入射端面上形成了反射上述高次谐波的反射膜。另外,本发明的激光振荡装置还在位于上述射出侧的光学晶体的入射端面上形成了反射上述高次谐波的反射膜,维持上述高次谐波的偏振并射出上述高次谐波。
根据本发明,包括:作为光学晶体并将入射的激励光振荡为基波的激光晶体;将上述基波变换为2次谐波的2次谐波用波长变换晶体;以及在上述激光晶体的射出端面或者上述2次谐波用波长变换晶体的入射端面上形成的反射膜,该反射膜反射上述2次谐波,该2次谐波不通过上述激光晶体的内部,因此,不会改变在光共振部分内被激励并变换的激光光线的偏振状态。
另外,根据本发明,还在上述2次谐波用波长变换晶体上设有3次谐波用波长变换晶体,上述2次谐波通过上述3次谐波用波长变换晶体变换为3次谐波,并在上述2次谐波用波长变换晶体的射出端面或上述3次谐波用波长变换晶体的入射端面上形成了反射上述3次谐波的反射膜,因此,能够以简单的结构获得3次谐波,同时不会改变所射出的激光光线的偏振状态。
另外,根据本发明,还利用粘接剂将相邻的光学晶体接合起来,位于射出侧的光学晶体是将入射光变换为高次谐波的光学晶体,位于上述射出侧的光学晶体的入射端面上形成有反射上述高次谐波的的反射膜,因此,由于变换后的高能量的高次谐波不透过粘接剂部分,故防止了粘接剂的劣化或损伤。
附图说明
图1是本发明的基本结构图。
图2是本发明第1实施方式的结构示意图。
图3是该第1实施方式的一体化的说明图。
图4是该第1实施方式的另一种一体化的说明图。
图5是第1实施方式中在光学晶体上形成的膜的规格。
图6是本发明第2实施方式的结构示意图。
图7是该第2实施方式的一体化的说明图。
图8是第2实施方式中在光学晶体上形成的膜的规格。
图9是本发明第3实施方式的结构示意图。
图10是本发明第4实施方式的结构示意图。
图11是该第5实施方式的一体化的说明图。
图12是第5实施方式中在光学晶体上形成的膜的规格。
图13是该第6实施方式的一体化的说明图。
图14是第6实施方式中在光学晶体上形成的膜的规格。
图15是形成了与上述第1实施方式的膜等效的膜时的一体化的说明图。
图16是形成了与上述第2实施方式的膜等效的膜时的一体化的说明图。
图17是形成了与上述第5实施方式的膜等效的膜时的一体化的说明图。
图18是形成了与上述第6实施方式的膜等效的膜时的一体化的说明图。
图19是现有的激光振荡装置的结构示意图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的优选实施方式。
首先参照图1说明本发明的概要。在图1中,与图19所示等价的部分用相同的符号表示。另外,图1中省略了发光部分2。
光共振部分3包括:激光晶体8、2次谐波用波长变换晶体9、和凹面镜12。
上述激光晶体8的入射面上形成有第1电介质反射膜14,上述激光晶体8的射出面上形成第3电介质反射膜15,上述凹面镜12上形成有第2电介质反射膜11。
上述第1电介质反射膜14对于激励光17(来自发光部分2的激光光线(参见图19))是高透射的,并且对于上述激光晶体8的振荡波长(基波18)是高反射的。上述第3电介质反射膜15对于上述基波18是高透射的,而对2次谐波19是高反射的。上述第2电介质反射膜11对于上述基波18是高反射的,而对于上述2次谐波19是高透射的。而且,作为电介质材料,采用使用TiO2(n=2.3~2.55)等作为高折射率材料、使用MgF2(n=1.32~1.39)等作为低折射率材料的交替多层膜。
上述发光部分2射出线性偏振的激励光17,该激励光17透过上述第1电介质反射膜14入射到上述激光晶体8,从而上述基波18振荡,上述基波18在上述第1电介质反射膜14与上述第2电介质反射膜11之间泵浦,进而该基波18入射到上述2次谐波用波长变换晶体9,从而产生上述2次谐波19。
该2次谐波19透过上述第2电介质反射膜11并射出,此外,2次谐波19被上述第3电介质反射膜15反射,并透过上述第2电介质反射膜11而射出。由上述第3电介质反射膜15反射的上述2次谐波19不通过上述激光晶体8,因此维持偏振状态,线性偏振的2次谐波(激光光线)从上述光谐振部分3射出。
下面说明如图2~图5所示的本发明的第1实施方式。
在该第1实施方式中,示出了射出2次谐波的激光振荡装置,并且激光晶体8与2次谐波用波长变换晶体9形成为一体。
一体化的情况包括以下的情况:如图3所示那样通过例如具有与晶体的折射率(Nd:YVO4(n=1.97),KTP(n=1.76))大致相同值的紫外线固化树脂的粘接剂16进行一体化;以及如图4所示那样通过光学接触进行一体化,并且,分别在各上述激光晶体8的端面和2次谐波用波长变换晶体9的端面上形成具有如图5所示特性的电介质膜。另外,如图3、图4所示,以上述激光晶体8、2次谐波用波长变换晶体9的入射一侧的端面(图中左侧端面)作为A面,以射出侧端面(图中右侧端面)为B面。
另外,在图2中,17是从上述发光部分2(参见图19)入射的激励光,例如波长为810nm的光;18是通过上述激励光17入射到上述激光晶体8而由该激光晶体8振荡得到的基波,例如波长为1064nm的光;19是上述基波18入射到上述2次谐波用波长变换晶体9而振荡得到的2次谐波,例如波长为532nm的光。
在上述激光晶体8的A面上从入射一侧开始依次形成用于上述激励光17的AR膜21(防反射膜)、用于上述基波18的HR膜22(高反射膜),在上述激光晶体8的B面上从入射一侧开始依次形成用于上述基波18的AR膜23、和对上述2次谐波19为高反射而对上述基波18为高透射的HR膜24,在上述2次谐波用波长变换晶体9的A面上形成上述基波18、以及2次谐波19用的AR膜25,在上述2次谐波用波长变换晶体9的B面上从入射一侧开始依次形成用于上述2次谐波19的AR膜26、和对上述基波18为高反射而对上述2次谐波19为高透射的HR膜27。各AR膜的透射率、HR膜的反射率如图5所示。另外,即使省略2次谐波用波长变换晶体9的A面的AR膜25,在实际应用上也是可行的。
在图2中,当上述激励光17入射到上述激光晶体8时,由上述激光晶体8产生上述基波18。由于上述HR膜24对上述基波18是高透射的,所以上述基波18在上述激光晶体8的入射面的HR膜22和上述2次谐波用波长变换晶体9的射出面的HR膜27之间被放大。上述基波18从上述2次谐波用波长变换晶体9内透过,从而上述2次谐波19发生振荡。由于上述HR膜24对上述2次谐波19是高反射的,故该2次谐波19不会从上述激光晶体8内透过,2次谐波透过上述HR膜27而射出。另外,由于上述2次谐波19不从上述激光晶体8内透过,所以偏振特性不会发生改变,在上述激励光17以线性偏振入射的情况下,射出线性偏振的2次谐波19。
下面说明如图6~图8所示的本发明的第2实施方式。
在该第2实施方式中,用粘接剂16、28将激光晶体8、2次谐波用波长变换晶体9、和3次谐波用波长变换晶体29一体化,并射出3次谐波。
上述激光晶体8、上述2次谐波用波长变换晶体9、和上述3次谐波用波长变换晶体29的、A、B面上分别形成具有如图8所示特性的膜。
在上述激光晶体8的入射侧端面(A面)上从入射一侧开始依次形成用于激励光17的AR膜31、用于基波18的HR膜32,在上述激光晶体8的射出侧端面(B面)上从入射一侧开始依次形成用于上述基波18的AR膜33、和对上述2次谐波19为高反射而对上述基波18为高透射的HR膜34。在上述2次谐波用波长变换晶体9的A面上形成用于上述基波18和2次谐波19的AR膜35,在上述2次谐波用波长变换晶体9的B面形成用于上述基波18和上述2次谐波19的AR膜36,在上述3次谐波用波长变换晶体29的A面上从入射一侧开始依次形成用于上述基波18和2次谐波19的AR膜37、和对3次谐波30为高反射而对上述基波18和2次谐波19为高透射的HR膜38,在上述3次谐波用波长变换晶体29的B面上从入射一侧开始依次形成用于上述基波18和上述2次谐波19的AR膜39、以及对上述基波18和2次谐波19为高反射而对上述3次谐波30为高透射的HR膜40。另外,即使省略2次谐波用波长变换晶体9的A面、B面的AR膜35、AR膜36,在实际应用上也是可行的。再有,上述HR膜38也可以形成在上述2次谐波用波长变换晶体9的B面。
各AR膜的防反射率、HR膜的反射率的例子如图8所示。
在图6中,当上述激励光17入射到上述激光晶体8时,上述基波18振荡,该基波18由上述2次谐波用波长变换晶体9变换为上述2次谐波19,进而该2次谐波19由上述3次谐波用波长变换晶体29变换为上述3次谐波30。该3次谐波30由上述HR膜38反射,3次谐波透过上述HR膜40并射出。在该第2实施方式中,由于上述2次谐波19不从上述激光晶体8内透过,另外,上述3次谐波30不从上述2次谐波用波长变换晶体9以及激光晶体8的内部透过,所以偏振特性不会改变,当上述激励光17以线性偏振入射时,上述3次谐波30以线性偏振射出。
另外,虽然未图示,但是在第2实施方式中,通过将3次谐波用波长变换晶体变更为4次谐波用波长变换晶体,从而可以产生4次谐波振荡,并通过在各光学晶体的A、B面上形成规定的AR膜、HR膜,从而可以获得4次谐波激光光线的射出。
图9是射出3次谐波的第3实施方式的示意图。在该第3实施方式中,在所需的光学晶体之间设置有具有光学效应的光学部件,例如波片。
作为波片,例如可以通过将偏振片42置于2次谐波用波长变换晶体9与3次谐波用波长变换晶体29之间,从而能够以线性偏振并指定为P偏振或S偏振来射出激光光线。另外,更优选在上述偏振片42的A、B两面上形成用于防止对于基波18、2次谐波19的防反射用的AR膜。
图10是第4实施方式的示意图,示出插入了过饱和吸收材料(例如Cr:YAG)、即Qsw 43作为光学部件的情况。
该Qsw 43设置在激光晶体8与2次谐波用波长变换晶体9之间,上述激光晶体8、Qsw 43、2次谐波用波长变换晶体9、3次谐波用波长变换晶体29的A、B两面上分别形成AR膜。另外,即使省略上述3次谐波用波长变换晶体29的A面的AR膜、B面的AR膜,在实际应用上也是可行的。
更加优选在上述激光晶体8的A面上形成对于激励光17为高透射而对基波18为高反射的HR膜,在上述2次谐波用波长变换晶体9的A面上形成对基波18为高透射而对上述2次谐波19为高反射的HR膜,在上述3次谐波用波长变换晶体29的A面上形成对基波18和2次谐波19为高透射而对3次谐波30为高反射的HR膜,在上述3次谐波用波长变换晶体29的B面上形成对基波18和2次谐波19为高反射而对上述3次谐波30为高透射的HR膜。
在上述第4实施方式中,当上述激励光17入射到上述激光晶体8时,在上述激光晶体8中上述基波18振荡,该基波18透过上述Qsw 43并暂时积蓄在该Qsw 43,继而发出基波18形成脉冲光的基波18。
该脉冲光基波18由上述2次谐波用波长变换晶体9变换为上述2次谐波19,该2次谐波19由上述2次谐波用波长变换晶体9的A面的HR膜和3次谐波用波长变换晶体29的B面的HR膜所反射,然后,该脉冲光基波由上述3次谐波用波长变换晶体29变换为上述3次谐波30,该3次谐波30由3次谐波用波长变换晶体29的A面的HR膜反射,脉冲3次谐波30从上述3次谐波用波长变换晶体29的B面射出。
下面说明如图11、图12所示的本发明的第5实施方式。
该第5实施方式是射出2次谐波的激光振荡装置,其结构与图2所示的第1实施方式的激光振荡装置相同,激光晶体8与2次谐波用波长变换晶体9通过粘接剂16而一体化。
所使用的粘接剂16与第1实施方式相同,是例如具有与晶体的折射率(Nd:YVO4(n=1.97),KTP(n=1.76))大致相同值的紫外线固化树脂。另外,在上述激光晶体8的入射侧端面(A面)上从入射一侧开始依次形成AR膜21和HR膜22等电介质膜,在上述2次谐波用波长变换晶体9的射出侧端面(B面)上从入射一侧开始依次形成AR膜26和HR膜27等电介质膜。上述电介质膜的特性如图12所示,其特性与第一实施方式相同。
其次,在上述激光晶体8的B面形成AR膜23,在上述2次谐波用波长变换晶体9的A面上从入射一侧开始依次形成AR膜25和HR膜24等电介质膜。另外,即使省略上述激光晶体8的B面的AR膜23,在实际应用上也是可行的。
上述激光晶体8的A面的上述AR膜21是对上述激励光17为高透射的防反射膜,上述HR膜22是用于上述基波18的高反射膜;上述激光晶体8的B面的上述AR膜23是对上述基波18为高透射的防反射膜。
上述2次谐波用波长变换晶体9的A面的上述AR膜25对上述基波18是高透射的;上述HR膜24对上述基波18是高透射的,而对上述2次谐波19是高反射的;上述HR膜24对由基波18高次变换而成的上述2次谐波19是高反射的。
再有,上述2次谐波用波长变换晶体9的B面的上述AR膜26是用于上述2次谐波19的防反射膜,上述HR膜27对基波18为高反射的,而对上述2次谐波19是高透射的。各AR膜的透射率、HR膜的反射率的例子如图12所示。
在图11中,当上述激励光17入射到上述激光晶体8时,通过上述激光晶体8上述基波18振荡,该基波18在上述HR膜22与上述HR膜27之间反射并放大。上述基波18从上述2次谐波用波长变换晶体9内透过,据此,上述2次谐波19产生振荡。该2次谐波19由上述HR膜24反射,并透过上述HR膜27射出(参见图2)。
上述2次谐波19不从上述激光晶体8内透过,也不透过上述粘接剂16,而从上述HR膜27射出。因此,上述2次谐波19的偏振特性不会改变,在上述激励光17以线性偏振入射的情况下,射出线性偏振的2次谐波19。另外,由于高能量的2次谐波19不透过上述粘接剂16,所以可以防止该粘接剂16的劣化损伤。
下面说明如图13、图14所示的本发明的第6实施方式。
该第6实施方式示出了射出3次谐波的激光振荡装置,其中激光晶体8、2次谐波用波长变换晶体9、3次谐波用波长变换晶体29由粘接剂16、28粘接为一体,并具有与图6、图7所示的实施方式2相同的结构。另外,此处所用的粘接剂16、28也与第2实施方式相同。
下面说明在上述激光晶体8、上述2次谐波用波长变换晶体9、上述3次谐波用波长变换晶体29的A、B面上所形成的电介质膜。所形成的电介质膜的特性分别示于图14。
在上述激光晶体8的入射一侧的端面(A面)上从入射一侧开始依次形成对上述激励光17为高透射的AR膜31、和对基波18为高反射的HR膜32,在上述激光晶体8的射出一侧的端面(B面)上形成对上述基波18为高透射的AR膜33。
在上述2次谐波用波长变换晶体9的A面上从入射一侧开始依次形成AR膜35、HR膜34,上述AR膜35对上述基波18是高透射的,上述HR膜34对上述基波18是高透射的、而对2次谐波19是高反射的。在上述2次谐波用波长变换晶体9的B面上形成对上述基波18和AR膜25和2次谐波19为高透射的AR膜36。
在上述3次谐波用波长变换晶体29的A面上从入射一侧开始依次形成AR膜37、HR膜38,上述AR膜37对上述基波18和上述2次谐波19是高透射的,上述HR膜38对上述基波18和上述2次谐波19是高透射的、而对3次谐波30是高反射的。在上述3次谐波用波长变换晶体29的B面上从入射一侧开始依次形成AR膜39、HR膜40,上述AR膜39对上述基波18和上述2次谐波19是高透射的,上述HR膜40对上述基波18和上述2次谐波19是高反射的、而对3次谐波30是高透射的。
参照图6说明其作用。当上述激励光17入射到上述激光晶体8时,上述基波18振荡,该基波18由上述2次谐波用波长变换晶体9变换为上述2次谐波19。该2次谐波19在上述HR膜34与上述HR膜40之间被反射,并透过上述3次谐波用波长变换晶体29而被变换为上述3次谐波30。该3次谐波30由上述HR膜38反射,并透过上述HR膜40射出。
在该第6实施方式中,上述HR膜34反射对入射的基波18进行高次变换所得到的2次谐波19,上述HR膜38反射对所入射的2次谐波19进行高次变换后所得到的3次谐波30,上述2次谐波19不从上述激光晶体8内部和上述粘接剂16透过。
上述3次谐波30不从上述2次谐波用波长变换晶体9的内部、上述激光晶体8的内部、以及上述粘接剂28中透过,因此其偏振状态不会改变,在上述激励光17以线性偏振入射的情况下,上述3次谐波30以线性偏振射出。另外,由于对入射波进行高能量的高次谐波变换所得的激光光线不透过上述粘接剂16、28,所以即使在高输出激光的情况下,也可以防止该粘接剂16、28的劣化损伤。
另外,第1实施方式~第6实施方式示意性地示出了在激光晶体8、2次谐波用波长变换晶体9、3次谐波用波长变换晶体29的A面、B面上所形成的膜是功能各自不同的膜,但实际上在形成膜时,是将薄膜形成为多层来形成具有所需性能的膜,通常膜被认为是1个膜。
即,在激光晶体8、上述2次谐波用波长变换晶体9、上述3次谐波用波长变换晶体29的A面、B面上分别形成具有预定功能的膜。
例如,如果对应于第1实施方式(参见图3),则如图5所示,在激光晶体8的A面形成了具有上述AR膜21和上述HR膜22的功能的电介质膜45,在上述激光晶体8的B面形成了具有上述AR膜23和上述HR膜24的功能的电介质膜46。在上述2次谐波用波长变换晶体9的A面上形成了AR膜25,在上述2次谐波用波长变换晶体9的B面上形成了具有上述AR膜26和上述HR膜27的功能的电介质膜47。另外,膜的规格与图5所示的规格相同。
如果对应于第2实施方式(参见图7),则如图16所示,在上述激光晶体8的A面形成了具有AR膜31和HR膜32的功能的电介质膜48,在上述激光晶体8的B面上形成了具有上述AR膜33和上述HR膜34的功能的电介质膜49;在上述2次谐波用波长变换晶体9的A面形成了AR膜35,在上述2次谐波用波长变换晶体9的B面形成了AR膜36。
在上述3次谐波用波长变换晶体29的A面形成了具有上述AR膜37和上述HR膜38的功能的电介质膜50,在上述3次谐波用波长变换晶体29的B面形成了具有上述AR膜39和上述HR膜40的功能的电介质膜51。此外,上述电介质膜48、上述电介质膜49、上述电介质膜50、上述电介质膜51的规格与图8所示的规格相同。
如果对应于第5实施方式(参见图11),则如图17所示,分别在上述激光晶体8的A面形成了具有上述AR膜21和HR膜22的功能的电介质膜45,在上述激光晶体8的B面形成了AR膜23,在上述2次谐波用波长变换晶体9的A面形成了具有AR膜25和HR膜24的功能的电介质膜53,在上述2次谐波用波长变换晶体9的B面形成了具有AR膜26和HR膜27的功能的电介质膜47。上述电介质膜45、上述电介质膜53、以及上述电介质膜47的规格与图12所示的规格相同。
如果对应于第6实施方式(参见图13),则如图18所示,在上述激光晶体8的A面形成了具有AR膜31和HR膜32的功能的电介质膜48,在上述激光晶体8的B面形成了AR膜33。在上述2次谐波用波长变换晶体9的A面形成了具有AR膜35和HR膜34的功能的电介质膜54,在上述2次谐波用波长变换晶体9的B面形成了AR膜36。在上述3次谐波用波长变换晶体29的A面形成了具有AR膜37和HR膜38的功能的电介质膜50,在上述3次谐波用波长变换晶体29的B面形成了具有AR膜39和HR膜40的功能的电介质膜51。
分别在上述激光晶体8、上述2次谐波用波长变换晶体9、上述3次谐波用波长变换晶体29的A面、B面上形成的膜的规格与图14所示的规格相同。
Claims (4)
1.一种激光振荡装置,其中,包括:作为光学晶体并用于将入射的激励光振荡为基波的激光晶体;将所述基波变换为2次谐波的2次谐波用波长变换晶体;以及在所述2次谐波用波长变换晶体的入射端面上形成的反射膜,
其中通过利用粘接剂将彼此相邻的所述晶体接合起来,所述粘接剂具有与光学晶体的折射率和所述2次谐波用波长变换晶体的折射率相等的折射率,其中所述反射膜是由TiO2和MgF2形成的交替堆叠多层膜,
TiO2的折射率高于所述激光晶体的折射率和所述2次谐波用波长变换晶体的折射率,并且MgF2的折射率低于所述激光晶体的折射率和所述2次谐波用波长变换晶体的折射率,
并且其中所述反射膜具有以下功能:反射2次谐波,允许基波通过,以及阻止2次谐波通过所述粘接剂和所述激光晶体,
其中所述2次谐波的偏振光被维持。
2.如权利要求书1所述的激光振荡装置,其中,通过利用粘接剂将3次谐波用波长变换晶体与所述2次谐波用波长变换晶体接合起来,使得通过所述3次谐波用波长变换晶体将所述2次谐波变换为3次谐波,并在所述3次谐波用波长变换晶体的入射端面上形成用于反射所述3次谐波的反射膜,并且所述3次谐波不通过所述粘接剂和所述2次谐波用波长变换晶体,其中所述3次谐波的偏振光被维持。
3.如权利要求书1或2所述的激光振荡装置,其中在所需的晶体之间设置了偏振片。
4.如权利要求书1或2所述的激光振荡装置,其中在所需的晶体之间设置了过饱和吸收材料。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005101776 | 2005-03-31 | ||
JP2005101776 | 2005-03-31 | ||
JP2005332344 | 2005-11-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1841863A CN1841863A (zh) | 2006-10-04 |
CN100568641C true CN100568641C (zh) | 2009-12-09 |
Family
ID=37030748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2006100719706A Expired - Fee Related CN100568641C (zh) | 2005-03-31 | 2006-03-31 | 激光振荡装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100568641C (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102474065B (zh) * | 2010-04-23 | 2014-04-23 | 松下电器产业株式会社 | 波长转换激光光源及图像显示装置 |
-
2006
- 2006-03-31 CN CNB2006100719706A patent/CN100568641C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1841863A (zh) | 2006-10-04 |
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