CN100533713C - 电路的发热控制方法、装置和系统 - Google Patents

Abstract

将平面空心玻璃板(20)粘结到处理器的管芯(16)的背面，使制冷剂在其中流动。用红外线摄像机(24)拍摄管芯(16)，热检测部(34)取得温度分布。分析部(36)在管芯(16)的任何一个部位达到高温异常时发出指示，或者提高泵(26)的驱动力，或者降低处理器(18)上的动作频率。

Description

电路的发热控制装置

技术领域

本发明涉及一种发热控制技术，特别涉及用于控制半导体集成电路发热的方法、装置和系统。

背景技术

在LSI设计中，制造工艺的微细化和元件的高集成化进一步发展，作为芯片性能极限而考虑发热量在LSI设计上变得非常重要。芯片在达到高温时，产生操作不良以及长期可靠性降低，因此正采取各种发热对策。例如，已经采用在芯片上部设置散热器来去除由芯片产生的热量的方法。

在最近的LSI、特别在高性能的微处理器中，由于产生即使通过散热器也不能完全去除的发热，因此散热效率的改善和发热本身的抑制是永存的课题。在开发安装了LSI的制品时，需要用集合水平(set level)来保证散热效果或者发热抑制效果，作为其前提，在制品开发的途中，需要正确评价这些效果。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种半导体集成电路的高效的热控制技术。本发明另一目的在于提供正确评价热控制效果的技术。

本发明是电路发热控制技术，其通过良好的二维分辨率取得半导体集成电路的发热状态，并根据所取得的发热状态来进行用于改变半导体集成电路发热状态的控制。

本发明的电路的发热控制装置包括：透明的冷却机构，其被紧密固定在半导体集成电路上；摄像型传感器，其通过所述冷却机构来拍摄所述半导体集成电路；热检测部，其从通过传感器所拍摄的检查图像中取得该半导体集成电路的发热状态；以及分析部，其分析所取得的发热状态。

发明效果

根据本发明，能够高效地控制半导体集成电路的发热，或者能够正确地评价热控制的效果。

附图说明

图1是表示根据实施方式1的热控制系统的整体结构的图。

图2是表示从上观察图1的一部分的图。

图3是表示从上观察实施方式2的热控制系统的部分的状态的图。

图4是表示根据实施方式3的热控制系统的整体结构的图。

图5是表示根据实施方式4的热控制系统的整体结构的图。

图6是表示图5处理器的内部结构的图。

图7(a)、图7(b)是表示根据实施方式5的热控制系统的一部分构成的图。

图8是表示图7变形例的构造的图。

符号说明

16管芯(die)；18处理器；20空心玻璃板；24红外线摄像机；26泵；32热控制装置；34热检测部；36分析部；42冷却控制部；44动作控制部；58开口；62热分流器(heat spreader)；64喷流冷却装置；66喷嘴；70流路。

具体实施方式

作为测量微处理器(以后简单称为处理器)管芯上的温度的方法，考虑测量热二极管PN结正方向电压或者利用环形振荡器频率温度特性的方法。但是，这两个方法由于安装面积等限制，不容易嵌入实际器件中。为了正确测量温度分布，需要嵌入多个温度传感器，导致设计上的大的缺陷。

本实施方式根据这些观点，首先通过高的二维分辨率取得半导体集成电路的发热状态，根据所取得发热状态来进行用于改变半导体集成电路发热状态的控制。在这里，所谓“改变发热状态”，包含首先使散热状态改变、作为结果进而使发热状态改变的情况。当利用如红外线传感器那样的摄像型传感器时，能够同时实现与高的二维分辨率相对应的点数的温度测量。由此解决了上述问题。

而且，作为摄像型传感器的例子，尽管在下面使用红外线传感器，但在实施方式中，也使用将红外线传感器和透镜等光学系统机构组合后的红外线摄像机。该摄像机是在红外线热像仪技术领域公知的，是测量物体的表面温度或者温度分布并将其图像化的装置。在实施方式中，为了通过摄像之类的方法来检测温度，可以根据离开对象物即半导体电路装置的位置来以非接触方式测量温度，其能够提高半导体电路装置和组件(set)配置上的设计自由度。由于是作为面温度分布来俘获的方法，因此能够进行面上点之间的相对测量，能够通过简单构成来确定高温位置。本实施方式更具体地涉及以下技术。

1.设置摄像型传感器。用该传感器摄像半导体集成电路。倒装芯片封装(flip-chip package)的半导体集成电路由于管芯背面露出而适合于摄像。其中，即使是在通常塑料等封装中封入的半导体集成电路也没有问题。热检测部从由摄像所获得的图像(将此称为“检查图像”)中取得半导体集成电路的发热状态。冷却控制部是根据所取得发热状态来冷却所述半导体集成电路的部件，例如控制风扇的旋转数或者制冷剂的流动速度(主要涉及实施方式4)。

2.热检测部从检查图像中取得半导体集成电路特别是其露出面的温度分布，当半导体集成电路的任何一个位置的温度超过了规定的阈值时，冷却控制部提高冷却部件的冷却能力(主要涉及实施方式1、2、3、4)。

3.代替冷却控制部或者除此之外，还设置了动作控制部，其用于根据所取得的发热状态来控制半导体集成电路的动作状态。当半导体集成电路的任何一个位置的温度超过了规定的阈值时，动作控制部就减轻温度超过了阈值的位置(将其称为“高温位置”)上的每个单位时间的处理负荷。由此，可以降低半导体集成电路的动作频率(主要涉及实施方式4)。

4.设置粘合固定在半导体集成电路特别是其露出面的透明的冷却机构。这里所谓“透明”，是指对于温度测量没有妨碍这种意义上的透明。就是说，当通过红外线传感器进行温度测量时，为了检测从发热体放出的红外线，在红外区域中为透明是重要的，而在表面上看不需要是透明的。即使在红外区域中，也不需要是完全透明的，也可以具有通过校正能够检测发热体即半导体集成电路温度的透过率。冷却机构具有空心的部分，设置了使液体或者气体等流体流通的流路。作为具有空心部分的冷却机构，包括例如在平面状配管或者玻璃等固体内部穿设制冷剂流路的机构。通过泵等驱动机构，使液体或者气体的制冷剂在冷却机构内部流通。通过摄像型传感器经由冷却机构拍摄半导体集成电路。在热检测部，从通过传感器所摄像的检查图像中取得半导体集成电路的发热状态(主要涉及实施方式1、2、3、4)。此后，分析部分析所取得的发热状态。而且，“透明”是指使传感器检测功能没有损失的意义上的透明，而在表面上看不需要是透明的。实际上，通过传感器进行的探测受到因冷却机构的颜色、放射率、测量角度等各种因素引起的影响，因此这些因素最终可以通过实验确定(主要涉及实施方式1、2、3)。

5.在4中，驱动机构可以适当地改变制冷剂的流通方向。这有益于发热的评价。分析部可以综合分析制冷剂流通方向变化前后所检测的发热状态。通过采用使方向反向的前后所获得的发热状态的平均，可以将其当作实际的发热状态或者温度分布。下面，由于能够用“温度分布”来把握“发热状态”，因此只要没有特别需要，就不严格区别两者(主要涉及实施方式1)。

6.在4中，分析部可以通过附加由制冷剂流通方向引起的温度梯度来分析发热状态。当制冷剂从驱动机构出来之后，在上游方向是低温。由于从半导体集成电路特别是其露出面吸热，随着向着下游，其温度变高。因此，可以将实施进行相减上游温度以及相加下游温度的梯度校正所获得的温度分布当作实际的温度分布(主要涉及实施方式1)。

7.在4中，透明的冷却机构可以没有空心部分。就是说，作为冷却机构，例如，可以是透明的平面的热分流器(heat spreader)等。在这种情况下，代替泵等驱动机构，可以通过冷却风扇、珀耳帖(Peltier)元件、喷流冷却装置等来构成冷却机构(主要涉及实施方式2)。

8.尽管以上装置使用传感器，但是，除了有无传感器之外，提高半导体集成电路的散热效果的技术是有用的。为此，设置前述的冷却机构和驱动机构，冷却机构具有适合于半导体集成电路特别是其露出面的开口，并且至少在开口的边缘，可以与半导体集成电路侧的对应位置紧密固定。在这种情况下，由于制冷剂通过开口部分直接与半导体集成电路接触，因此吸热效果提高(主要涉及实施方式5)。

实施方式1

本实施方式涉及用于预先评价在开发阶段的最终制品即组件(以后简单称为“组件”)中的半导体集成电路的发热如何变化的装置。下面，假设半导体集成电路为发热量大的处理器。组件中，在处理器上安装了用于散热的热分流器以及在其上面的散热器。如果为这种状态，则不能够测量处理器的表面温度。因此，在本装置中，去除散热器等，设置了透明的散热部件，并通过它用红外线摄像机拍摄处理器，由此取得温度分布。散热部件是模拟散热器等作用的部件，是用于预测在组件中实际使用状态即散热器等安装状态中的发热的部件。为了更精确地模拟散热器等，能够利用预先已知的热传导仿真器等来设定冷却机构的形状和材料以及制冷剂的种类和流速等。同时，仿真中存在限制，其应该与实验结合，因此，本实施方式的装置存在与仿真相互互补的关系。

根据本装置的热评价结果被反映在处理器的规格中。例如，本发明装置能够预先评价处理器最高负荷的持续多长时间以及高温位置的温度是否超过动作保证范围等。

图1表示本实施方式的热控制系统100的整体结构。图2是从上观察图1空心玻璃板20附近的图。处理器18安装在印刷衬底12上。处理器18是倒装芯片类型，安装了管芯16和具有BGA(ball grid array：球栅阵列)类型外部端子的封装基体14。

管芯16的背面露出，平板状的空心玻璃板20通过阳极结合等被粘接到其面上。该结合不要求热润滑脂等连接剂，因此热传导率高。

空心玻璃板20在两端部被连接到细流管22，在细流管22的中途设置了泵26。通过泵26的驱动，内装的制冷剂在细流管22和空心玻璃板20内循环，由此冷却管芯16的背面。制冷剂不管液体或者气体，但要选择对通过红外线摄像机24进行的温度探测没有影响意义上的透明的制冷剂。图2的箭头a、b分别表示制冷剂的前进方向，其能够根据泵26的驱动而颠倒方向。空心玻璃板20假设为比处理器18更大的平面，使得制冷剂在管芯16上均匀地流动。通过设置这种冷却机构，变成制冷剂覆盖空心玻璃板20的空心部分即处理器18的主要部分，由此能够模拟近似于散热器的散热状态。所谓主要部分，是指处理器18的一半以上、大部分、或者全部，以及发热量的大部分以及中心部分等。

图1的红外线摄像机24通过空心玻璃板20来拍摄管芯16。红外线摄像机24具有例如100×100左右的空间分辨率，因此，事实上具有使仅仅为该分辨率的传感器紧密地二维排列的效果。红外线摄像机24的时间分辨率例如假设为能够每秒数十次拍摄的程度。

热控制装置32具有热检测部34和分析部36。热检测部34从红外线摄像机24输入检查图像，取得管芯16的温度分布并作为图像数据记录在未图示的存储器中。分析部36从存储器中读出图像数据以及进行必要的处理。由分析部36进行的处理的例子如下。

处理1根据管芯16的温度分布，当管芯16的任何一个高温位置的温度超过了阈值时(以下将这种状态称为“高温异常”)，提高泵26的驱动力。由此，在由本装置进行的热评价中，处理器18防止了诸如热失控之类的误动作以及被永久破坏。分析部36可以从图像帧的时间确定和记录高温异常的发生时间。即使在以下的处理中，通过与相关时刻一致地来记录高温异常发生及其处理，则能够给开发者的热评价提供有用的信息。

处理2当高温异常发生时，控制处理器18的动作状态。例如，通过产生中断等来降低处理器18的动作频率。为此，在使评价用处理器18运行的OS(操作系统)中，做成根据通过分析部36产生的中断来调用进行操作频率控制的处理程序的构成。

根据以上构成的本装置的动作如下。在热评价之前，接通泵26的电源，制冷剂开始流通。而且，接通红外线摄像机24的电源，开始监视发热状态。

处理器18通过例如来自分析部36的指示开始动作，使红外线摄像机24拍摄检查图像和处理器18的动作同步。当处理器18执行评价用的程序时，如果发生高温异常，则分析部36控制泵26或者处理器18，使得散热效果提高或者抑制自身发热。

这样，在使处理器18正常动作的同时，还能够分析执行哪种程序之后而产生高温异常。还能够看清为了消除高温异常，何种对策是有效的。结果，在将处理器18投入市场时，除了能够确定应该向组件制造商要求的热对策之外，还能够将热评价的知识反映在处理器18自身的结构设计上。

而且，为了更正确地记录发热状态，考虑通过制冷剂的流动引起的温度梯度是有意义的。例如，当制冷剂如图2的箭头a那样从图中的左边向右边流动时，自然管芯16的左侧一方变成低温，右侧一方变成高温。当在该状态记录和评价温度分布时，必定成为不正确的结果。为了消除这点，分析部36可以执行以下的追加处理。

1.控制泵26的驱动，使制冷剂前进方向适当地反转。在通过热检测部34记录的温度分布中，将在反转前后所获得的两种数据平均化，并且将它记录作为温度分布。通过平均化，能够相当地消除温度梯度。尽管希望在每个恒定时间间隔上进行反转，但是，也应该考虑某种程度时使间间隔变长，使得高温制冷剂不在管芯16附近滞留。

2.通过进行1的处理，求得被平均化的温度分布。接着，从该温度分布与制冷剂在一个方向上流动时的温度分布之间的差分计算制冷剂在该方向上流动时出现的温度梯度。以后，通过使制冷剂仅仅在该方向上流动将前述温度梯度乘以所取得的温度分布而求出正确的温度分布。

实施方式2

本实施方式也涉及与实施方式1同样将在开发阶段的半导体集成电路的发热状态的评价作为目的的装置。下面，对于与实施方式1共同的部分，省略其说明。本实施方式的热控制系统100尽管构成与图1一样，并且其动作也与实施方式1一样，但是，在具有空心部分的作为冷却机构起作用的空心玻璃板20中，其构造与实施方式1不同。就是说，在实施方式1中，使制冷剂在平面状的空心玻璃板20中流通来进行处理器的冷却，通过制冷剂来进行通过红外线摄像机24进行的摄像。另一方面，在本实施方式中，设置空心玻璃板20的空心部分，使得制冷剂不填充在观测对象的管芯16和红外线摄像机24之间。

图3是从上观察本实施方式所使用的空心玻璃板20的图。通过距管芯16有规定间隙来穿设制冷剂流路70，使得不妨碍通过红外线摄像机24进行的管芯16的摄像。该规定的间隙通过热传导模拟器决定，使得能够模拟近似于散热器的散热状态。所谓“具有规定的间隙”，意味着确保流路70使得不妨碍希望进行管芯16之温度分布测量的部分的摄像。因此，如果例如是仅仅进行管芯16中心部分的摄像的情况，则当从上观察空心玻璃板20时，流路70可以避开希望摄像的中心部，也可以与管芯16的一部分重叠。该制冷剂流路70被连接到细流管22，通过泵26的驱动，使制冷剂在其内部循环。

在这种构成回路的热控制系统100中，在测量对象即处理器的管芯16和红外线摄像机24之间不存在制冷剂。因此，制冷剂本身可以是不透明的，其选择的自由度变高。例如，从操作容易度来说，作为制冷剂而广泛使用的水在红外线区域中是完全不透明的，在本实施方式中，其能够没有问题的使用。在本实施方式中，由于制冷剂对通过红外线摄像机24进行的温度测量没有影响，因此不需要利用制冷剂填充的校正，就能够更精确地测量管芯16的温度分布。而且，所测量的温度分布由于纯粹是管芯16的温度分布，因此不需要校正由制冷剂流通方向引起的温度梯度。由于制冷剂上游方向比下游方向的冷却能力高，因此在控制发热状态意义上，每次使制冷剂流通方向变化是有意义的。

实施方式3

本实施方式也与实施方式1、2同样涉及热控制系统。图4是表示本实施方式热控制系统100的整体结构的图。该图中，与图1同样的构成给予了相同标号，并适当省略了说明。与图1的不同点是：作为透明的冷却机构，代替空心玻璃板20，使用了硅制热分流器62。尽管硅对于可见光不是透明的，但是对于红外光其是透明的材料，热传导率也比较高。因此，其不妨碍通过红外线摄像机24进行的管芯16上的平面温度分布的测量，并且能够进行高效率的热冷却。本实施方式的热控制系统100还安装了喷流冷却装置64，以代替使制冷剂循环的泵26。

喷流冷却装置64安装了统称为冷却喷嘴66的多个冷却喷嘴66a～66d。喷流冷却装置64被公知为能够取得大的导热性的冷却系数(local coefficientof thermal conductivity)的冷却方法，其通过从冷却喷嘴喷射制冷剂并喷涂在发热体上来进行冷却。从冷却喷嘴喷射的制冷剂以喷流轴点为中心展开，在其中心附近能得到高的冷却效果。在本实施方式中，喷流冷却装置64安装了配置成使得覆盖整个管芯16的多个冷却喷嘴66a～66d。冷却喷嘴的个数由通过管芯16的面积或者喷嘴直径等决定的各个冷却喷嘴的冷却能力确定。

通过红外线摄像机24取得管芯16上的平面温度分布，分析部36分析其拍摄的图像以及确定局部发热的高温处的位置。分析部36通过控制喷流冷却装置64来提高在多个冷却喷嘴66中与被确定的高温处相对应的冷却喷嘴66的驱动能力。

冷却喷嘴66能够通过调节器(actuator)控制制冷剂的喷射方向。在这种情况下，与高温处的位置坐标对应的数据能够从分析部36输入到喷流冷却装置64，可以通过由调节器将冷却喷嘴66的喷射方向指向高温处来集中地进行冷却。

因此，在本实施方式中，通过使用硅制热分流器62，使得能够通过介入分流器来冷却管芯16。由于将喷流冷却装置64用在该管芯16的冷却上、通过红外线摄像机24取得管芯16上的平面温度分布、以及通过喷流冷却装置64来集中冷却高温处，因此能够均衡管芯16上的发热状态。

在本实施方式中，可以根据管芯16的发热状态，操作喷流冷却装置64来控制处理器18，使得能够抑制发热自身，进行更有效的温度分布的均衡。

在本实施方式的热分流器62的冷却中，代替喷流冷却装置64的冷却，可以使用不妨碍由红外线摄像机24进行管芯16摄像的另外的装置。例如，在热分流器的边缘部，可以通过与珀耳帖(Peltier)元件或者水冷用管子接触来进行冷却，或者也可以使用气冷风扇等。

而且，通常的处理器由于被形成在硅衬底上，因此是与硅制热分流器相同的材料。因此，延伸设计形成处理器的硅衬底，使得具有作为热分流器所必需的面积、厚度等，并且能够将所延伸的部分利用作为热分流器。换言之，可以制备具有作为热分流器所必需的硅衬底的面积、厚度等特性的硅衬底，并且在其上制成门等逻辑器件。在这种情况下，由于在处理器和热分流器之间的粘结界面中也没有热损失，因此能够进行更有效的冷却。在这种情况下，由于变成通过红外线摄像机24可直接测量管芯16的温度分布，因此从能够容易校正的精确测量的观点来看，也是优选的。

实施方式4

实施方式1到3是将开发阶段的评价作为目的的装置。本实施方式涉及被实际安装在组件中以及在实际使用状态下来进行热控制的装置。在本实施方式中，由于也采用了使制冷剂流通的冷却机构，因此不需要将具有凹凸的散热器之类的比较大的构造物安装在半导体电路装置中，这在组件的机构和结构设计上增加了柔软性。

图5表示根据本实施方式的热控制系统100的整体结构。图中，与图1同样的构成给予了相同的符号，并省略说明。与图1的不同是：红外线摄像机24的输出按原样被输入到处理器18，以及处理器18控制泵26。简单地说，由实施方式1的热控制装置32获得的结果按原样安装到处理器18上。而且，本实施方式的具有空心玻璃板20和泵26的冷却机构可以是有别于实施方式2或者3中说明那样的冷却机构。

图6表示处理器18的内部结构。处理器18包括主处理器40、分别为相同构成的4个子处理器A～D。主处理器40包括热检测部34、冷却控制部42、动作控制部44。尽管主处理器40也完成其他的通用处理，但这里没有图示。由红外线摄像机24拍摄的管芯16的平面温度分布被输入到热检测部34，以便确定在管芯16上发生了高温异常的高温处。作为热检测部34的监视结果，当高温异常发生时，通过冷却控制部42和动作控制部44的任何一个或者两者来进行散热效率的提高或者发热的抑制。冷却控制部42在高温异常时，提高泵26的驱动力。动作控制部44包括处理分配器46和频率管理器48，降低高温位置的温度。

当在子处理器A～D的任何一个上发现高温异常时，处理分配器46将应该归于该子处理器的处理重新配置到另外的子处理器。通常，能够并行处理的处理根据LRU(最小最近使用)等方法被顺次投入到可能利用的子处理器。但是，如果发生了高温异常，处理分配器46通过使例如包含高温位置的子处理器的标志经常设为处于“使用中”，能够避免新处理的投入。如果高温异常消除，则清除该标志。

如果发生了高温异常，则频率管理器48就降低动作频率。如果动作频率在主处理器40和子处理器A～D上是共同的，则可以一样地降低整个动作频率。另一方面，如果是动作频率能够在主处理器40、子处理器A～D的每个块上变更的结构体系，当然降低包含高温位置的块的动作频率就足够了。

以何种程度使用处理分配器46、频率管理器48和冷却控制部42的任何一个的功能可以由实验来确定，此时，可以利用实施方式1到3的装置。这样，在本实施方式中，当通过热检测部34检测高温异常时，与泵26的控制一致，通过由处理分配器46和频率管理器48来控制高温异常发生后的子处理器A～D的负荷和处理速度，能够抑制高温位置的发热以及使管芯16的平面温度分布均衡。

实施方式5

本实施方式涉及通过空心玻璃板20来提高散热效果的装置。本实施方式尽管可以被用于与实施方式1、2组合，但其应用不限定于此，其可以被广泛地利用作为热控制装置。在本实施方式中，当不使用红外线摄像机24时，空心玻璃板20不需要是透明的。因此，其可以用铝、铜等热传导性优良的金属或其他材料来形成。

图7(a)是本实施方式的管芯16附近的放大图，图7(b)是其从上观察的图。空心玻璃板20用点描表示，管芯16用斜线表示。在与管芯16露出面相对的区域上设置了开口58，在管芯16的周围部分和宽度W的部分60，通过阳极结合等使得与空心玻璃板20紧密粘接。所谓“紧密粘接”，此时是指固着使得制冷剂不从空心部分漏到外部。通过该结构，由于制冷剂直接接触管芯16的背面，因此散热效率高。

图8是变形例，表示出使管芯16和空心玻璃板20结合的部分60的一部分。如图所示，穿过空心玻璃板20的开口被开通得正好适合于管芯16的外形，空心玻璃板20的内面和管芯16的上面处于同一平面上。根据这种结构，制冷剂的流动更为圆滑，能够期待高的散热效果。

以上，基于实施方式说明了本发明。本领域技术人员应当理解，这些实施方式是示例性的，它们的各个构成要素和各个处理过程的组合能够形成各种各样的变形例，并且这些变形例也处于本发明的范围内。以下，是这种例子。

尽管在实施方式中使用了红外线摄像机24，但不局限于此，也可以是别的摄像型传感器。例如，即使是使用一般CCD(电荷耦合元件)的数字摄像机的摄像单元，也能够获得同样的功能。在这种情况下，通常，可以去除摄像单元内设置的红外线膜。在这种结构中，单元价格和单元尺寸两者是有利的。

在实施方式中，举出了管芯16背面露出的例子。但是，它不是必须的。热分流器可以安装在管芯16的背面。

尽管在实施方式中没有涉及制冷剂的冷却部件，但是当然可以设置它。对于冷却部件，假设在其部分中的细流管22的表面积做大，从而谋求通过风扇等散热。图1的分析部36和图4的冷却控制部42可以控制该冷却部件。

当降低处理器18的动作频率时，可以根据发热状态来分级控制。例如，可以设置多个用于判定高温异常的阈值以便慢慢地降低动作频率。泵26驱动力的控制也同样。

工业上的可利用性

本发明能够应用于半导体集成电路领域。

Claims (8)

1.一种电路的发热控制装置，其特征在于，包括：

透明的冷却机构，其被紧密固定在半导体集成电路上；

摄像型传感器，其通过所述冷却机构来拍摄所述半导体集成电路；

热检测部，其从通过传感器所拍摄的检查图像中取得该半导体集成电路的发热状态；以及

分析部，其分析所取得的发热状态。

2.根据权利要求1所述的电路的发热控制装置，其特征在于：

所述冷却机构是硅制的热分流器，

并且还包括用于冷却所述热分流器的部件。

3.根据权利要求1所述的电路的发热控制装置，其特征在于，所述冷却机构具有空心部分，

并且还包括驱动结构，其使制冷剂在所述空心部分流通。

4.根据权利要求3所述的电路的发热控制装置，其特征在于：

所述空心部分被穿孔设置，使得覆盖所述半导体集成电路的主要部分，由所述传感器进行的所述半导体集成电路的摄像通过所述空心部分实现。

5.根据权利要求3所述的电路的发热控制装置，其特征在于，所述空心部分以距所述半导体集成电路规定的间隙穿孔设置，以使由所述传感器进行的所述半导体集成电路的摄像不通过所述空心部分。

6.根据权利要求3到5任何一个所述的电路的发热控制装置，其特征在于：所述驱动机构使制冷剂的流通方向适当地改变。

7.根据权利要求6所述的电路的发热控制装置，其特征在于，所述分析部综合分析在制冷剂流通方向改变前后所检测出的发热状态。

8.根据权利要求3到5任何一个所述的电路的发热控制装置，其特征在于：所述分析部通过附加由所述制冷剂的流通方向引起的温度梯度来分析发热状态。

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