CN100517780C - 一种ZnO基量子点发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的ZnO基量子点发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积n-ZnO薄膜层、n-Zn1-xMgxO薄膜层、ZnO量子点层、p-Zn1-xMgxO薄膜层、p-ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积第一电极构成，其中的ZnO量子点层由嵌于ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层的ZnO量子点构成。本发明的发光二极管以ZnO量子点作为有源层，发光效率高；ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；通过对ZnO量子点尺寸的调节，可得不同波段的出射光，制得紫外光、紫光或蓝光等多种发光器件。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管，尤其是ZnO基量子点发光二极管。
背景技术
ZnO由于其室温下3.37eV的带宽和60meV的激子束缚能，被认为是一种理想的短波长发光器件材料。目前，p-ZnO薄膜的制备取得了重大进展，使得实现ZnO基发光二极管成为可能。
另一方面，半导体量子点由于其自组装的生长机理，每个量子点具有优异的结晶质量。更由于量子局域效应，量子点具有比体材料更好的发光性能。因此以量子点作为发光二极管的有源层，可以大大提高发光效率。并且根据量子约束效应，通过对量子点尺寸的调节，可得不同波段的出射光。
发明内容
本发明的目的是提供一种ZnO基量子点发光二极管，为发光二极管增加新品种。
本发明的ZnO基量子点发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层、n-Zn1-xMgxO薄膜层、ZnO量子点层、p-Zn1-xMgxO薄膜层、p-ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积有第一电极，其中所说的ZnO量子点层由嵌于ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层的ZnO量子点构成，y值为0～0.5。
本发明中，所说的n-Zn1-xMgxO和p-Zn1-xMgxO中的X值为0～0.6。所说的ZnO量子点的尺寸为3～10nm。第一电极可以为Ti/Au合金，第二电极可以为Ni/Au合金。衬底可以采用硅、氧化锌或氮化镓。
ZnO基量子点发光二极管的优点是：
1)量子点作为有源层，发光效率高；
2)ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；
3)通过对ZnO量子点尺寸的调节，可得不同波段的出射光，制得紫外光、紫光或蓝光等多种发光器件。
附图说明
图1是本发明ZnO基量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
本发明的ZnO基量子点发光二极管是利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，在衬底1的一面自下而上依次沉积n-ZnO薄膜层2、n-Zn1-xMgxO薄膜层3、ZnO量子点层4、p-Zn1-xMgxO薄膜层5、p-ZnO薄膜层6和第二电极8，在衬底1的另一面沉积第一电极7构成(见图1)。其中，ZnO量子点层4由嵌于ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层的ZnO量子点构成，y值为0～0.5；ZnO量子点的尺寸为3～10nm。p-Zn1-xMgxO和n-Zn1-xMgxO中的X值在0～0.6间可调。通过对ZnO量子点尺寸的调节，改变发光波段，可得到发射紫外光、紫光或蓝光的发光二极管。
Claims (5)
1.一种ZnO基量子点发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(1)的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层(2)、n-Zn1-xMgxO薄膜层(3)、ZnO量子点层(4)、p-Zn1-xMgxO薄膜层(5)、p-ZnO薄膜层(6)和第二电极(8)，在衬底(1)的另一面沉积有第一电极(7)，其中ZnO量子点层(4)由嵌于ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层的ZnO量子点构成，y值为0～0.5，所说的n-Zn1-xMgxO和p-Zn1-xMgxO中的X值为0～0.6。
2.根据权利要求1所述的ZnO基量子点发光二极管，其特征是衬底为硅、氧化锌或氮化镓。
3.根据权利要求1所述的ZnO基量子点发光二极管，其特征是第一电极(7)为Ti/Au合金，第二电极(8)为Ni/Au合金。
4.根据权利要求1所述的ZnO基量子点发光二极管，其特征是所述发光二极管发射紫外光、紫光或蓝光。
5.根据权利要求1所述的ZnO基量子点发光二极管，其特征是所说的ZnO量子点的尺寸为3～10nm。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525345B1 (en) * | 1998-08-17 | 2003-02-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor photonic device |
| CN1399356A (zh) * | 2002-08-20 | 2003-02-26 | 浙江大学 | ZnO基同质结发光二极管 |
| CN200959338Y (zh) * | 2006-09-26 | 2007-10-10 | 浙江大学 | ZnO基量子点发光二极管 |
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| MOCVD法制备ZnO同质发光二极管. 叶志镇等.半导体学报，第26卷第11期. 2005 |
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