CN100514535C - 等离子显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种等离子显示面板，尤其是，涉及一种等离子显示面板的结构。按照本发明的等离子显示面板具有包括在上介质层、保护膜和上基片的任何一个中的NIR屏蔽材料。因此，可以屏蔽从该等离子显示面板辐射到外部的NIR。因此，按照本发明，NIR屏蔽膜可以从该前滤光器中除去，该等离子显示面板可以被做成很薄，并且可以节省制造成本。

Description

等离子显示面板
技术领域
本发明涉及一种等离子显示面板，尤其是，涉及一种等离子显示面板的结构。
背景技术
通常，在等离子显示面板中，在上面板和下面板之间形成的阻挡条形成一个单位单元。每个单元充满着包括主要的放电气体的惰性气体，诸如氖(Ne)、氦(He)或者Ne+He的混合气体，以及少量的氙(Xe)。如果该惰性气体被以高频电压放电，其产生真空紫外线。在该阻挡条之间形成的荧光物质被激发以实现成像。
尤其是，三电极AC表面放电类型等离子显示面板具有低电压驱动和长的产品寿命的优点，因为当放电时壁电荷被积累在表面上，并且电极被保护使之免于由放电产生的溅射。
图1举例说明在现有技术中等离子显示面板的结构。
参考图1，在现有技术中的该等离子显示面板的放电单元包括形成在上基片10上的扫描电极Y和维持电极Z，以及形成在下基片18上的寻址电极X。该扫瞄电极Y包括透明的电极12Y，和金属总线电极13Y，其具有小于该透明电极12Y的线宽，并且被安排在该透明电极的一侧边缘上。此外，该维持电极Z包括透明电极12Z，和金属总线电极13Z，其具有小于该透明电极12Z的线宽，并且被安排在该透明电极的一侧边缘上。
该透明的电极12Y、12Z通常被以铟锡氧化物(ITO)形成，并且被形成在该上基片10的底面上。该金属总线电极13Y、13Z通常被以诸如铬(Cr)的金属形成，并且被形成在该透明电极12Y、12Z上。该金属总线电极13Y、13Z用来降低由具有高电阻的该透明电极12Y、12Z所引起的压降。在其中该扫描电极Y和该维持电极Z被相互平行形成的该上基片10的底面上，层叠上介质层14和保护层16。在等离子放电期间产生的壁电荷被积累在该上介质层14上。该保护层16起防止该上介质层14被在等离子体放电期间产生的溅射损坏，以及改善二次电子发射效率的作用。氧化镁(MgO)通常被用作该保护层16。
下介质层22和阻挡条24被形成在该下基片18上，其中该寻址电极X被形成在该下基片18中。荧光层26被涂覆在下介质层22和阻挡条24的表面上。该寻址电极X被与该扫描电极Y和该维持电极Z交叉形成。该阻挡条24被平行于该寻址电极X形成，并且起防止由放电产生的紫外线和可见光泄漏到相邻的放电单元的作用。该荧光物质层26被以在等离子放电期间产生的紫外线激发，以产生红、绿和蓝的可见光的任何一个。惰性混合气体被注入进在上基片10和阻挡条24之间和在下基片18和阻挡条24之间提供的放电空间中。
图2举例说明在现有技术中实现等离子显示面板实现图像的方法。
如图2所示，在该等离子显示面板中，一个帧周期被分成多个具有不同数量放电的子场。该等离子显示面板被以对应于输入图像信号的灰度等级值的子场周期激发，从而实现图像。
每个子场被分成用于均匀地产生放电的复位周期、用于选择放电单元的寻址周期和用于根据放电的数目实现灰度等级的维持周期。例如，如果设法去显示具有256个灰度等级的图像，对应于1/60秒的帧周期(16.67ms)被分成八个子场，如图2所示。
八个子场SF1至SF8的每个被再次分成复位周期、寻址周期和维持周期。在这种情况下，该维持周期在每个子场中以2n(这里，n＝0，1，2，3，4，5，6，7)的比率增加。如上所述，由于该维持周期在每个子场中是变化的，可以表示图像的灰度等级。
在如上所述驱动的该等离子显示面板中，多用途的前滤光器被安排在该上基片10上。在现有技术中，为了实现诸如电磁干扰(以下简称为“EMI”)屏蔽、近红外线(以下简称为“NIR”)屏蔽、改善色纯度和防止外界光反射的目的，已经使用了该前滤光器。由于在现有技术中该前滤光器是由许多的层构成的，可是，因为该前滤光器具有预定的或者较高的厚度出现了问题。尤其是，包括在该前滤光器中的该NIR屏蔽膜很难仅仅使用NIR屏蔽材料来形成。因此，存在其中处理时间长并且制造成本高的一些问题。
发明内容
因此，本发明的一个目的是至少解决背景技术的问题和缺点。
本发明的一个目的是提供一种可以节省制造成本和可以减少制造过程的等离子显示面板。
本发明的另一个目的是提供一种可以易于变薄的等离子显示面板。
按照本发明第一个实施例的等离子显示面板包括：上基片和下基片，其被以在其间预定的距离连接；包括NIR屏蔽材料的上介质层，该NIR屏蔽材料被形成在上基片上；以及前滤光器，其实质上不包括NIR屏蔽材料且形成在该上基片的整个表面上，该前滤光器包括直接层叠在光学特性膜上的AR膜，该光学特性膜直接层叠在玻璃上，而该玻璃直接层叠在EMI屏蔽膜上。
按照本发明第二个实施例的等离子显示面板包括：上基片和下基片，其被以在其间预定的距离连接；形成在该上基片上的上介质层；包括NIR屏蔽材料的保护膜，该NIR屏蔽材料被形成在上介质层上；以及前滤光器，其实质上不包括NIR屏蔽材料且形成在该上基片的整个表面上，该前滤光器包括直接层叠在光学特性膜上的AR膜，该光学特性膜直接层叠在玻璃上，而该玻璃直接层叠在EMI屏蔽膜上。
按照本发明第三个实施例的等离子显示面板包括：包括NIR屏蔽材料的上基片；与该上基片以在其间预定的距离相连接的下基片；以及前滤光器，其实质上不包括NIR屏蔽材料且形成在该上基片的整个表面上，该前滤光器包括直接层叠在光学特性膜上的AR膜，该光学特性膜直接层叠在玻璃上，而该玻璃直接层叠在EMI屏蔽膜上。
本发明优点在于，其可以节省制造成本，并且可以减少制造过程。
本发明优点在于，其可以便于使等离子显示面板变薄。
附图说明
下面将参考以下的附图详细地描述本发明，其中相同的参考数字表示相同的部分。
图1举例说明在现有技术中等离子显示面板的结构；
图2举例说明在现有技术中实现等离子显示面板实现图像的方法；
图3举例说明按照本发明第一个实施例的等离子显示面板；
图4是按照本发明第一个实施例的前滤光器的详图；
图5举例说明按照本发明第一个实施例形成上介质层的过程；
图6A和6B举例说明按照本发明一个实施例的该NIR材料的分子结构；和
图7举例说明按照本发明第二个实施例形成保护膜的过程。
具体实施方式
下面将参考附图以更详细的方式描述本发明的优选实施例。
按照本发明第一个实施例的等离子显示面板包括：上基片和下基片，其被以在其间预定的距离连接；和包括NIR屏蔽材料的上介质层，该NIR屏蔽材料被形成在上基片上。
该上介质层的1％至50％包括该NIR屏蔽材料。
该NIR屏蔽材料包括基于二亚铵基(diimmonium-based)的材料或金属络合物基(metal complex-based)的材料的至少一个。
该介质层包括以下介质层形成材料的至少两个：PbO、SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、BaO、CoO或者CuO。
该介质层形成材料和该NIR屏蔽材料被以浆(slurry)或糊(paste)状物状态混合，并且以预定的温度烧制以形成介质层。
该预定的温度是400℃或者更低。
该等离子显示面板进一步包括前滤光器，其被形成在该上基片的整个表面上，并且包括AR膜、光学特性膜、玻璃或者EMI屏蔽膜的至少一个。
按照本发明第二个实施例的等离子显示面板包括：上基片和下基片，其被以在其间预定的距离连接；形成在该上基片上的上介质层；和包括NIR屏蔽材料的保护膜，该NIR屏蔽材料被形成在上介质层上。
该保护膜的1％至50％包括该NIR屏蔽材料。
该NIR屏蔽材料包括基于二亚铵基的材料或金属络合物基的材料的至少一个。
该保护膜包括MgO。
该MgO和该NIR屏蔽材料被以浆或糊状物状态混合，并且以预定的温度烧制以形成保护膜。
该预定的温度是400℃或者更低。
该等离子显示面板进一步包括前滤光器，其形成在该上基片的整个表面上，并且包括AR膜、光学特性膜、玻璃或者EMI屏蔽膜的至少一个。
按照本发明第三个实施例的等离子显示面板包括：包括NIR屏蔽材料的上基片；和与该上基片以在其间预定的距离相连接的下基片。
该上基片的1％至50％包括该NIR屏蔽材料。
该NIR屏蔽材料包括基于二亚铵基的材料或金属络合物基的材料的至少一个。
该上基片的基片形成材料和该NIR屏蔽材料被以浆或糊状物状态混合，并且以预定的温度烧制以形成保护膜。
该预定的温度是400℃或者更低。
该等离子显示面板进一步包括前滤光器，其被形成在该上基片的整个表面上，并且包括AR膜、光学特性膜、玻璃或者EMI屏蔽膜的至少一个。
现在将参考附图详细描述本发明的实施例。
<第一个实施例>
图3举例说明按照本发明第一个实施例的等离子显示面板。
参考图3，按照本发明的第一个实施例的等离子显示面板包括上基片110和下基片118，其被以在其间预定的距离连接。
扫描电极Y和维持电极Z被形成在该上基片110的底面上。该扫瞄电极Y包括透明电极112Y，和金属总线电极113Y，其具有小于该透明电极112Y的线宽，并且被安排在该透明电极的一侧边缘上。此外，该维持电极Z包括透明电极112Z，和金属总线电极113Z，其具有小于该透明电极112Z的线宽，并且被安排在该透明电极的一侧边缘上。
该透明的电极112Y、112Z通常以ITO形成，并且被形成在该上基片110的底面上。该金属总线电极113Y、113Z通常是以诸如铬(Cr)的金属形成的，并且形成在该透明电极112Y、112Z上。该金属总线电极113Y、113Z起降低由具有高电阻的该透明电极112Y、112Z所引起的压降的作用。
上介质层114和保护层116被层叠在其上平行形成该扫描电极Y和该维持电极Z的该上基片110上。在等离子放电期间产生的壁电荷被积累在该上介质层114上。该保护层116起防止在等离子体放电期间产生的溅射对该上介质层14的损坏，以及改善二次电子发射效率的作用。氧化镁(MgO)通常被用作该保护层116。
按照本发明第一个实施例的上介质层114包括用于屏蔽NIR的NIR屏蔽材料。该NIR屏蔽材料起防止具有预定值或者更高的NIR从该等离子显示面板辐射到外部的作用，以便信号可以被正常地从遥控器等等传送到该等离子显示面板。如果该NIR屏蔽材料被包括在该上介质层114中，可以去除在现有技术中已经包括在前滤光器130中的该NIR屏蔽膜。稍后将描述其详细说明。
寻址电极X被形成在该下基片118上。下介质层122和阻挡条124被层叠在该下基片118上，其中该寻址电极X被形成在该下基片118上。荧光层126被涂覆在下介质层122和阻挡条124的表面上。
该寻址电极X被与该扫描电极Y和该维持电极Z交叉形成。该下介质层122保护该寻址电极X，并且朝向该上基片110反射通过放电产生的可见光。该阻挡条124可以具有条形或者网格形式，并且起防止通过放电产生的紫外线和可见光泄漏到相邻的放电单元的作用。
该荧光物质层126是通过在等离子放电期间产生的紫外线激发的，以产生红、绿和蓝的可见光线的任何一个。惰性混合气体被注入进由上基片110、下基片118和阻挡条124提供的放电空间中。
同时，在按照本发明的第一个实施例中，前滤光器130被形成在该上基片110的整个表面上。该前滤光器130屏蔽EMI，以及防止外界光的反射。按照本发明第一个实施例的该前滤光器130不包括该NIR屏蔽膜，如图4所示。
图4是按照本发明第一个实施例的前滤光器的详图。
如图4所示，按照本发明第一个实施例的该前滤光器130由抗反射(AR)膜150、光学特性膜152、玻璃154和EMI屏蔽膜156的至少一个构成。也就是说，该前滤光器130可以包括该AR膜150、光学特性膜152、玻璃154和EMI屏蔽膜156的任何一个或者两个或更多个，其中与现有技术不同，该NIR屏蔽膜被除去。
该AR膜150起防止从外面入射在该等离子显示面板上的光被再次外部地反射的作用。因此，其能够改善该等离子显示面板的亮室对比度(bright room contrast)。
该光学特性膜152吸收黄色波长的光，该黄色波长的光是当该等离子显示面板放电的时候产生的。因此，可以相对地增强该等离子显示面板的红色光的色纯度。
该玻璃154起支撑该前滤光器130和防止该前滤光器130被外部冲击损坏的作用。该玻璃154可以不包括在该前滤光器130中。
该EMI屏蔽膜56屏蔽EMI以防止EMI被辐射到外面，EMI是当该等离子显示面板被驱动的时候产生的。
此外，在本发明的第一个实施例中，粘合层(未示出)可以被另外形成在该前滤光器130的膜150、152、154和156之间。
如果如上所述该NIR屏蔽膜不包括在该前滤光器130中，与现有技术相比，该等离子显示面板可以被做成更薄。此外，由于不形成额外的NIR屏蔽膜，不仅可以节省制造成本，而且可以缩短处理时间。
图5举例说明按照本发明第一个实施例形成上介质层的过程。
参考图5，在步骤S200，介质层形成材料和NIR屏蔽材料被混合。该介质层形成材料可以是PbO、SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、BaO、CoO和/或CuO，并且该NIR屏蔽材料可以是图6a的基于二亚铵基的材料，或者图6b的金属络合物基的材料。该介质层可以包括前述的介质层形成材料的至少两个或更多个，和以上所述的NIR屏蔽材料的至少一个。包括在该保护膜中的该NIR屏蔽材料可以是该保护膜的总的百分比从1％到50％的范围，以便NIR屏蔽特性和介电特性可以有效地呈现。为了解释方便起见，该介质层材料和该NIR屏蔽材料的混合物将以下简称为“第一混合材料”。
该第一混合材料被转变为浆或糊状物状态，以便在步骤S202其可以被涂覆在上基片上。为此，一个预先确定的溶剂被增加给该第一混合材料。该溶剂可以是用于将该介质层形成材料改变为浆或糊状物状态的已知的溶液。
此后，在步骤S204，被变成该浆或糊状物状态的该第一混合材料被涂在上基片上。该涂覆方法可以包括使用浆或糊状物提供单元将第一混合材料涂在设置在承载台中的上基片上的狭槽涂布机(slot coater)方法。该涂覆方法还可以包括使用滚筒的辊涂机方法、使用绿色片(green sheet)等等的绿色片叠层方法。
该涂覆的第一混合材料被以预定的温度烧制，从而在步骤S206上结束上介质层形成过程。当第一混合材料被烧制时候的烧结温度可以被设置为大约400℃或者更低。更详细地，通常，该NIR屏蔽材料在400℃或者更高的温度下退化。因此，当第一混合材料被烧制的时候，该烧结温度被设置为400℃或者更低，以便防止该NIR屏蔽膜形成材料退化。由于这个缘故，该介质层形成材料优选可以是可以在低的温度下烧制的材料。例如，该介质层形成材料可以是一种可以在低温度下烧制的已知的材料。
由第一混合材料形成的该上介质层起介质层和NIR屏蔽膜两者的作用。换句话说，预先确定的壁电荷通过放电被形成在上介质层中。此外，该上介质层起防止在等离子放电期间产生的NIR被辐射到外部的作用。
<第二个实施例>
以与按照本发明第一个实施例的等离子显示面板同样的方式，按照本发明第二个实施例的等离子显示面板包括：上基片和下基片，其被以在其间预定的距离连接。
扫描电极和维持电极被形成在该上基片的底面上。该扫瞄电极包括透明电极，和金属总线电极，其具有小于该透明电极的线宽，并且被安排在该透明电极的一侧边缘上。此外，该维持电极包括透明电极，和金属总线电极，其具有小于该透明电极的线宽，并且被安排在该透明电极的一侧边缘上。此外，上介质层和保护层被层叠在其上平行形成该扫描电极和该维持电极的该上基片上。
在这种情况下，按照本发明第二个实施例的该保护膜包括用于屏蔽NIR的NIR屏蔽材料。该NIR屏蔽材料起防止具有预定值或者更高的NIR被从该等离子显示面板辐射到外部的作用，以便信号可以被正常地从遥控器等等传送到该等离子显示面板。如果该NIR屏蔽材料被包括在该保护膜中，在现有技术中已经包括在前滤光器130中的该NIR屏蔽膜可以被除去。
寻址电极被形成在该下基片上。下介质层和阻挡条被层叠在其上形成该寻址电极的该下基片上。荧光层被涂覆在下介质层和阻挡条的表面上。在这种情况下，除了该保护膜之外有关该组成部分的每个的描述大体上与在图3中示出的按照本发明第一个实施例的等离子显示面板是相同的。因此，将省略其描述以避免冗余。
同时，甚至在本发明的第二个实施例中，包括AR膜、光学特性膜、玻璃和EMI屏蔽膜的至少一个的前基片被形成在上基片的整个表面上。与现有技术不同，这去除了该NIR屏蔽膜。如果该NIR屏蔽膜如上所述不包括在该前滤光器中，与现有技术相比，该等离子显示面板可以做成更薄。此外，由于不形成额外的NIR屏蔽膜，不仅可以节省制造成本，而且可以缩短处理时间。
图7举例说明按照本发明第二个实施例形成保护膜的过程。
参考图7，在步骤S210上，保护膜形成材料和NIR屏蔽材料被混合。该保护膜形成材料可以是包括MgO的材料。该NIR屏蔽材料可以是图6a的基于二亚铵基的材料，或者是图6b的金属络合物基的材料。该保护膜可以包括基于二亚铵基的材料和金属络合物基的材料以及MgO的至少一个。包括在该保护膜中的该NIR屏蔽材料可以是该保护膜的总百分比的从1％到50％的范围，以便可以有效地呈现NIR屏蔽特性和介电特性。为了解释方便起见，该保护膜材料和该NIR屏蔽材料的混合物将以下简称为“第二混合材料”。
该第二混合材料被转变为浆或糊状物状态，以便在步骤S212上其可以被涂覆在上介质膜上。为此，一个预先确定的溶剂被增加给该第二混合材料。该溶剂可以是用于将该保护膜形成材料改变为浆或糊状物状态的公知的溶液。
此后，在步骤S214上，被变成该浆或糊状物状态的该第二混合材料被涂覆在上介质膜上。该涂覆方法可以是将第二混合材料涂覆在该上基片上的狭槽涂布机方法，其中设置在承载台中的该上介质层是通过使用浆或糊状物提供单元形成的。该涂抹方法还可以包括使用滚筒的辊涂机方法、使用绿色片等等的绿色片叠层方法。
该涂覆的第二混合材料被以预定的温度烧制，从而在步骤S216上结束该保护膜形成过程。当第二混合材料被烧制的时候的该烧结温度可以被设置为大约400℃或者更低，以便防止该NIR屏蔽膜形成材料退化。
由第二混合材料形成的该保护膜起保护膜和NIR屏蔽膜两者的作用。换句话说，该保护膜起保护上介质层和屏蔽由放电产生的NIR，以使产生的NIR不会辐射到外面的作用。
<第三个实施例>
以与按照本发明第一个和第二个实施例的等离子显示面板同样的方式，按照本发明第三个实施例的等离子显示面板包括：上基片和下基片，其被以在其间预定的距离连接。
在本发明的第三个实施例中，与本发明的第一个和第二个实施例不同，用于屏蔽NIR的NIR屏蔽材料被包含在上基片中。因此，可以去除在现有技术中已经包括在该前滤光器中的该NIR屏蔽膜。
寻址电极被形成在该下基片上。下介质层和阻挡条被层叠在其上形成该寻址电极的该下基片上。荧光层被涂覆在下介质层和阻挡条的表面上。在这种情况下，除了该保护膜之外有关该组成部分的每个的描述大体上与在图3中示出的按照本发明第一个实施例的等离子显示面板是相同的。因此，将省略其描述以避免冗余。
同时，甚至在本发明的第三个实施例中，包括AR膜、光学特性膜、玻璃和EMI屏蔽膜的至少一个的前基片被形成在上基片的整个表面上。与现有技术不同，这去除了NIR屏蔽膜。如果该NIR屏蔽膜如上所述不包括在该前滤光器中，与现有技术相比该等离子显示面板可以做成更薄。此外，由于不形成额外的NIR屏蔽膜，不仅可以节省制造成本，而且可以缩短处理时间。
此外，按照本发明的第三个实施例的该上基片是通过以浆或糊状物状态混合诸如基于二亚铵基的材料和金属络合物基的材料的NIR屏蔽材料的任何一个，和该上基片的基片形成材料形成的。包括在该保护膜中的该NIR屏蔽材料可以是该上基片的总百分比的从1％到50％的范围。此外，当上基片被烧制的时候的烧结温度可以被设置为大约400℃或者更低，以便防止该NIR材料退化。
在按照本发明的该等离子显示面板中，该NIR屏蔽材料被包括在如上所述的上介质层、保护膜和上基片的至少一个中。因此，可以屏蔽从该等离子显示面板辐射到外部的NIR。因此，按照本发明，NIR屏蔽膜可以被从该前滤光器中除去，该等离子显示面板可以被做得很薄，并且可以节省制造成本。
本发明被如此地描述，很明显，可以以很多的方法改变本发明。这样的变化不被认为是偏离本发明的精神和范围，并且所有对于本领域技术人员来说是显而易见的这种修改被包括在以下的权利要求的范围内。

Claims (17)

1.一种等离子显示面板，包括：
上基片和下基片，其以在其间预定的距离连接；
上介质层，其包括形成在上基片上的NIR屏蔽材料；以及
前滤光器，其实质上不包括NIR屏蔽材料且形成在该上基片的整个表面上，该前滤光器包括直接层叠在光学特性膜上的AR膜，该光学特性膜直接层叠在玻璃上，而该玻璃直接层叠在EMI屏蔽膜上。
2.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中该上介质层的1％至50％包括该NIR屏蔽材料。
3.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中该NIR屏蔽材料包括基于二亚铵基的材料或基于金属络合物基的材料的至少一个。
4.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中该介质层包括以下介质层形成材料的至少两个：PbO、SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、BaO、CoO或者CuO。
5.根据权利要求4所述的等离子显示面板，其中该介质层形成材料和该NIR屏蔽材料以浆或糊状物状态混合，并且以预定的温度烧制以形成介质层。
6.根据权利要求5所述的等离子显示面板，其中该预定的温度是400℃或者更低。
7.一种等离子显示面板，包括：
上基片和下基片，其以在其间预定的距离连接；
上介质层，其形成在该上基片上；
保护膜，其包括形成在上介质层上的NIR屏蔽材料；以及
前滤光器，其实质上不包括NIR屏蔽材料且形成在该上基片的整个表面上，该前滤光器包括直接层叠在光学特性膜上的AR膜，该光学特性膜直接层叠在玻璃上，而该玻璃直接层叠在EMI屏蔽膜上。
8.根据权利要求7所述的等离子显示面板，其中该保护膜的1％至50％包括该NIR屏蔽材料。
9.根据权利要求7所述的等离子显示面板，其中该NIR屏蔽材料包括基于二亚铵基的材料或金属络合物基的材料的至少一个。
10.根据权利要求7所述的等离子显示面板，其中该保护膜包括MgO。
11.根据权利要求10所述的等离子显示面板，其中该MgO和该NIR屏蔽材料被以浆或糊状物状态混合，并且以预定的温度烧制以形成保护膜。
12.根据权利要求11所述的等离子显示面板，其中该预定的温度是400℃或者更低。
13.一种等离子显示面板，包括：
包括NIR屏蔽材料的上基片；
与该上基片以在其间预定的距离相连接的下基片；以及
前滤光器，其实质上不包括NIR屏蔽材料且形成在该上基片的整个表面上，该前滤光器包括直接层叠在光学特性膜上的AR膜，该光学特性膜直接层叠在玻璃上，而该玻璃直接层叠在EMI屏蔽膜上。
14.根据权利要求13所述的等离子显示面板，其中该上基片的1％至50％包括该NIR屏蔽材料。
15.根据权利要求13所述的等离子显示面板，其中该NIR屏蔽材料包括二亚铵基材料或金属络合物基的材料的至少一个。
16.根据权利要求13所述的等离子显示面板，其中该上基片的基片形成材料和该NIR屏蔽材料被以浆或糊状物状态混合，并且以预定的温度烧制以形成保护膜。
17.根据权利要求16所述的等离子显示面板，其中该预定的温度是400℃或者更低。
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