CN100478754C

CN100478754C - 液晶显示器的导电基板及其制造方法

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Publication number: CN100478754C
Application number: CNB2005101375585A
Authority: CN
Inventors: 徐维泽; 李宜庭; 郑德胜; 余宙桓
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2005-12-30
Filing date: 2005-12-30
Publication date: 2009-04-15
Anticipated expiration: 2025-12-30
Also published as: CN1794051A

Abstract

一种液晶显示器的导电基板，包括一基板、一电极及一取向凸块膜。电极设置于基板之上，取向凸块膜设置于电极上，具有一底部及至少一凸块。凸块的厚度大于底部的厚度。

Description

液晶显示器的导电基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器的导电基板及其制造方法，特别是涉及一种利用曝光、显影、蚀刻或光反应等方式使取向膜形成高低起伏的立体结构的液晶显示器的导电基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(liquid crystal display；LCD)因具有低辐射性以及体积轻薄短小的优点，故于使用上日渐广泛。而薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)液晶显示器因为其高亮度与大视角的特性，在高阶电子产品上更是广受欢迎。

传统的液晶显示器由一薄膜晶体管基板及一彩色滤光片基板透过一框胶(sealant)夹置一液晶层后所构成，彩色滤光片基板至少包括上基板、共同电极、彩色滤光片(color filter；CF)、黑色矩阵(black matrix；BM)及上取向膜，而薄膜晶体管基板至少包括下基板、多条扫描线(scan line)、多条数据线(data line)、多个TFT、多个像素电极及下取向膜。其中，彩色滤光片及黑色矩阵亦可形成于薄膜晶体管基板中。液晶显示器必须具有多个间隔物，如光间隔物(photo spacer)，设置于薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板之间，以调整液晶层的夹厚(cell gap)。

传统的液晶显示器中，取向膜为一涂布于基板的电极表面上的薄膜，其利用本身化学结构的力量取向液晶。在垂直取向型(vertical alignment；VA)液晶显示器中为达到多显示域(multi-domain)的垂直取向，需在基板电极上预先制作凸块(protrusion)或狭缝(slit)等立体结构。接着，在电极及凸块上形成垂直取向膜，如聚酰亚胺(polyimide；PI)膜。

然而，在基板的电极上依序形成凸块或狭缝及取向膜而达到液晶的多显示域取向的设计，将会增加工艺的繁复度。并且，在有凸块高度差处容易有取向膜印刷不良的情形发生，进而影响液晶取向的效果。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种液晶显示器的导电基板及其制造方法。其利用曝光、显影、蚀刻或光反应等方式使取向膜形成高低起伏的立体结构的设计，可以取代传统上在基板的电极上依序制作凸块或狭缝及取向膜等的繁复工艺。此外，本发明所生产的凸块本身即具有取向能力，可以避免传统上由于凸块高度差所容易造成的取向膜印刷不良问题，进而维持液晶的良好取向的效果。

根据本发明的目的，提出一种液晶显示器的导电基板，包括一基板、一电极、一图案化表面活性剂层及一取向凸块膜。电极设置于基板之上，取向凸块膜设置于电极上，具有一底部及至少一凸块，凸块的厚度大于底部的厚度。该取向凸块膜包含聚合物。图案化表面活性剂层设置于该凸块及该电极之间，用以与该聚合物键结。

根据本发明的另一目的，提出一种液晶显示器的导电基板的制造方法。首先，提供一基板，基板上具有一电极。接着，形成图案化表面活性剂层于该电极上；以及形成具有多个感光性单体的取向膜于该图案化表面活性剂层和电极上。然后，图案化取向膜，以形成一具有一底部及至少一凸块的取向凸块膜，凸块的厚度大于底部的厚度。

根据本发明的又一目的，提出一种液晶显示器的导电基板的制造方法。首先，提供一基板，基板上具有一电极。接着，形成一感光性取向膜于电极上。然后，提供一灰度光掩模。接着，曝光感光性取向膜。接着，显影感光性取向膜。然后，烘烤显影后的感光性取向膜，以形成一具有至少一凸块及至少一立体结构的取向凸块膜，立体结构的厚度大于凸块的厚度。

为让本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，以下配合附图以及优选实施例，以更详细地说明本发明。

附图说明

图1绘示依照本发明的实施例一的液晶显示器的导电基板的结构剖面图；

图2A～2E绘示依照本发明的实施例一的液晶显示器的导电基板的工艺剖面图；

图3绘示乃依照本发明的实施例二的液晶显示器的导电基板的结构剖面图；

图4A～4D绘示依照本发明的实施例二的液晶显示器的导电基板的工艺剖面图；

图5绘示依照本发明的实施例三的液晶显示器的导电基板的结构剖面图；

图6A～6D绘示依照本发明的实施例三的液晶显示器的导电基板的工艺剖面图；

图7绘示依照本发明的实施例四的液晶显示器的导电基板的结构剖面图；

图8A～8D绘示依照本发明的实施例四的液晶显示器的导电基板的工艺剖面图；以及

图9A～9D绘示依照本发明的实施例五的液晶显示器的导电基板的工艺剖面图。

简单符号说明

10、20、30、40、50：液晶显示器的导电基板

11：基板

12：电极

13、23、33、43、53：取向凸块膜

13a、23a、33a、43a、53a：底部

13b、23b、33b、43b、53b：凸块

14、34、44：取向膜

15：光致抗蚀剂层

15a：图案化光致抗蚀剂层

16：光掩模

16a：非透光区

16b：透光区

24、54：感光性取向膜

26、56：灰度光掩模

26a、56a：第二透光区

26b、56b：第一透光区

36：感光性单体

37：聚合物

45：图案化表面活性剂层

56c：第三透光区

B1、B2、B3、B4、B5：底部的厚度

P1+B1、P2+B2、P3+B3、P4+B4、P5+B5：凸块的厚度

T+B5：立体结构的厚度

具体实施方式

实施例一

请参照图1，其绘示乃依照本发明的实施例一的液晶显示器的导电基板的结构剖面图。在图1中，液晶显示器的导电基板10包括一基板11、一电极12及一取向凸块膜13。电极12设置于基板11之上，取向凸块膜13设置于电极12上，具有一底部13a及至少一凸块(protrusion)13b，例如3个凸块13b。凸块13b的厚度P1+B1大于底部13a的厚度B1。

其中，凸块13b为一梯形体。此外，凸块13b的厚度P1+B1可为1微米至6微米，优选为1微米至5微米，更佳为2微米至5微米。另外，底部13a的厚度B1约大于100埃

但小于10000埃

再者，凸块取向膜13可以是聚酰亚胺(polyimide)或其它适用的取向材料。基板11可以是塑料基板、玻璃基板、陶瓷基板、绝缘基板或可挠性基板。

液晶显示器的导电基板10可以是薄膜晶体管基板、彩色滤光片基板或彩色滤光片在阵列上(color filter on array；COA)的薄膜晶体管基板。若液晶显示器的导电基板10是薄膜晶体管基板，则电极12可以是透明电极或反射电极。其中，电极12及基板11之间还可包含一绝缘层(未绘示)。

若液晶显示器的导电基板10是彩色滤光片基板，则电极12可以是透明电极。其中，电极12及基板11之间还包括一彩色滤光片(未绘示)及一黑色矩阵(未绘示)。

若液晶显示器的导电基板10是COA的薄膜晶体管基板，则电极12可以是透明电极或反射电极。其中，电极12及基板11之间还包括一绝缘层及一彩色滤光片。

若电极12为透明电极，例如包含铟锡氧化物(indium tin oxide；ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide；IZO)、镉锡氧化物(cadmium tin oxide；CTO)、氧化锡(stannum dioxide；SnO₂)或氧化锌(zinc oxide；ZnO)。

至于本实施例的液晶显示器的导电基板10的制造方法在此附图说明如下，但本实施例的技术并不局限在此。

请参照图2A～2E，其绘示乃依照本发明的实施例一的液晶显示器的导电基板10的工艺剖面图。首先，如图2A所示，提供一基板11，基板11上具有一电极12。

接着，如图2B所示，透过涂布、预烤、固烤形成一取向膜14于电极12上。

然后，如图2C所示，形成一光致抗蚀剂层15于取向膜14上光致抗蚀剂层15例如是一正型光致抗蚀剂层。接着，提供一光掩模16，光掩模16具有一透光区16b及一非透光区16a。然后，曝光光致抗蚀剂层15。

然后，如图2D所示，显影光致抗蚀剂层15，以形成图案化光致抗蚀剂层15a并裸露部分的取向膜14。

接着，去除部分取向膜14的表面，以形成取向凸块膜13。例如以蚀刻方式去除部分的取向膜14的表面。取向凸块膜13具有一底部13a及至少一凸块13b。凸块13b的厚度P1+B1大于底部13a的厚度B1。然后，去除图案化光致抗蚀剂层15a，液晶显示器的导电基板10在此完成，如图2E所示。

本实施例通过上光致抗蚀剂、提供光掩模、曝光、显影、蚀刻等方式图案化取向膜14，以形成取向凸块膜13。

在本实施例中，凸块13b的位置与光掩模的非透光区或透光区的位置有对应关系。如图2C～2E所示，当光致抗蚀剂层15为一正型光致抗蚀剂层，光掩模16的非透光区16a的位置对应于凸块13b的位置。当光致抗蚀剂层15为一负型光致抗蚀剂层，则需使用另一种光掩模(未绘示)，其透光区的位置对应于凸块13b的位置。

本实施例在基板的电极上涂布一均匀厚度的取向膜材料，其厚度为多个微米(μm)。再通过曝光、显影及蚀刻等工艺，在取向膜材料的表面上曝出凸块(protrusion)的立体结构。并且，控制蚀刻速率，使取向膜材料在非凸块形成区亦留下约100纳米(nm)厚度的底部。因此，凸块与显像区的取向膜可同时完成，达成多显示域分割的取向。

此外，本实施例利用对取向膜材料或工艺上的改变，将现有制作在液晶显示器的薄膜晶体管基板或彩色滤光片基板上的凸块或狭缝与取向膜印刷两道工艺改变为结合在一道程序中完成。

另外，本实施例通过取向膜涂布的单一工艺，利用曝光、显影及蚀刻等方式使取向膜形成高低起伏的立体结构，取代传统上需在基板的电极上依序制作凸块或狭缝及取向膜等的繁复工艺。由于如此生产的凸块本身即具有取向能力，可避免传统上由于凸块高差处所容易造成的取向膜印刷不良的问题。

所以，本实施例即利用取向膜的工艺加上曝光、显影及蚀刻等方式，在基板的电极表面一次形成具立体结构且有多域化功能的取向凸起膜，大大地简化现有的液晶显示器的导电基板的工艺。

实施例二

请参照图3，其绘示乃依照本发明的实施例二的液晶显示器的导电基板的结构剖面图。本实施例的液晶显示器的导电基板20与实施例一的液晶显示器的导电基板10不同之处在于取向凸块膜23为感光性(photosensitive)取向膜材料。其余相同的构成要件继续沿用标号，并不再赘述。

如图3所示，取向凸块膜23设置于电极12上，并具有一底部23a及至少一凸块23b，例如3个凸块23b。凸块23b的厚度P2+B2大于底部23a的厚度B2。

至于本实施例的液晶显示器的导电基板20的制造方法在此附图说明如下，但本实施例的技术并不局限在此。

请参照图4A～4D，其绘示乃依照本发明的实施例二的液晶显示器的导电基板的工艺剖面图。首先，如图4A所示，提供一基板11，基板11上具有一电极12。

接着，如图4B所示，形成一感光性取向膜24于电极12上，感光性取向膜24例如是一负型感光性取向膜。

在进行预烤后，如图4C所示，提供一灰度(half-tone)光掩模26，光掩模26具有一第一透光区26b及一第二透光区26a，第一透光区26b的透光性大于第二透光区26a的透光性。然后，曝光感光性取向膜24。

然后，如图4D所示，显影该曝光后的感光性取向膜24。接着，烘烤显影后的感光性取向膜24，以形成取向凸块膜23，液晶显示器的导电基板20在此完成。取向凸块膜23具有一底部23a及至少一凸块23b，凸块23b的厚度P2+B2大于底部23a的厚度B2。

本实施例通过提供灰度光掩模、曝光、显影及烘烤等方式图案化感光性取向膜24，以形成取向凸块膜23，并通过灰度光掩模26的透光度及一蚀刻工艺来控制底部23a的厚度B2与凸块23b区域的厚度P2+B2。

在上述烘烤显影后的感光性取向膜24的步骤中，还包括多个子步骤，如下所述。首先，以温度50～100℃预烤(pre-baking)感光性取向膜24，之后进行曝光显影。接着，以温度大于200℃时固烤(post-baking)显影后的感光性取向膜24，以形成取向凸块膜23。

在本实施例中，凸块23b的位置与灰度光掩模的不同透光性的透光区的位置有对应关系。如图4C～4D所示，若感光性取向膜24为一负型感光性取向膜，灰度光掩模26的第一透光区26b的位置对应于凸块23b的位置。例如3个凸块23b的位置对应于灰度光掩模26的3个第一透光区26b的位置。若感光性取向膜24为一正型感光性取向膜，则需使用另一种具有一第三透光区及一第四透光区的灰度光掩模(未绘示)。其中，第三透光区的透光性大于第四透光区的透光性，第四透光区的位置对应于凸块23b的位置。此外，本实施例通过感光性取向膜，首先经过预烤后，以灰度光掩模方式进行曝光。接着，经由显影过程在曝光后的感光性取向膜的表面形成高低结构。然后，进行后续的固烤，得到一兼具有取向膜与凸块功能的取向凸块膜。由于，本实施例所生产的凸块本身即具有取向能力，可避免传统上由于凸块高差处所容易造成的取向膜印刷不良的问题。

另外，本实施例使用感光性的取向膜材料，以灰度光掩模的方式将液晶显示器的薄膜晶体管基板或彩色滤光片基板侧的取向膜与凸块于同一工艺完成。因此，本实施例的液晶显示器的导电基板工艺可以取代传统上需在基板的电极上依序制作凸块或狭缝及取向膜等的繁复工艺。

本实施例亦可如实施例一所示的光掩模16，以负型感光性取向膜为例，光掩模16的透光区16b对应于凸块23b的位置，非透光区16a则对应于底部23a，在此不在赘述，其厚度则可通过一蚀刻工艺中的蚀刻速率与时间控制。若感光性取向膜为一负型感光性取向膜，通过一蚀刻工艺的控制，光掩模的透光区对应于凸块的位置。或者是，若感光性取向膜为一正型感光性取向膜，通过一蚀刻工艺的控制，光掩模的非透光区对应于凸块的位置。

实施例三

请参照图5，其绘示乃依照本发明的实施例三的液晶显示器的导电基板的结构剖面图。本实施例的液晶显示器的导电基板30与实施例一的液晶显示器的导电基板10不同之处在于取向凸块膜33还包括聚合物37。其余相同的构成要件继续沿用标号，并不再赘述。

如图5所示，取向凸块膜33设置于电极12上，具有一底部33a及至少一凸块33b，例如3个凸块33b。凸块33b的厚度P3+B3大于底部33a的厚度B3。其中，聚合物37于凸块33b中与电极1 2键结，聚合物37的亲水端或亲油端与电极12键结。此外，聚合物37除了在所覆盖的电极12上与电极12键结之外，聚合物37还可于所覆盖的基板11上与基板11键结。聚合物37的亲水端或亲油端与基板11键结。但为了说明起见，本实施例只在凸块33b中绘示聚合物37。

至于本实施例的液晶显示器的导电基板30的制造方法在此附图说明如下，但本实施例的技术并不局限在此。

请参照图6A～6D，其绘示乃依照本发明的实施例三的液晶显示器的导电基板的工艺剖面图。首先，如图6A所示，提供一基板11，基板11上具有一电极12。

接着，如图6B所示，形成一取向膜34于电极12上。取向膜34包含许多感光性单体(monomer)36。若感光性单体(monomer)36遇光，感光性单体(monomer)36将在电极12上进行光反应，而聚合成聚合物37，聚合物37将与电极12或基板11键结。

然后，如图6C所示，提供一光掩模16，光掩模16具有一透光区16b及一非透光区16a。然后，曝光取向膜34，使感光性单体36在对应于透光区16b的部分的取向膜34中进行光反应，而聚合为聚合物37。聚合物37于透光区16b下的部分的取向膜34中与电极12键结。

然后，如图6D所示，烘烤曝光后的含有聚合物37的取向膜34，以形成取向凸块膜33，液晶显示器的导电基板30在此完成。取向凸块膜33具有一底部33a及至少一凸块33b，聚合物37位于凸块33b中。凸块33b的厚度P3+B3大于底部33a的厚度B3。

本实施例通过添加感光性单体、提供光掩模、曝光及烘烤等方式图案化含有感光性单体36的取向膜34，以形成取向凸块膜33。

其中，在上述烘烤曝光后的含有聚合物37的取向膜34的步骤中，还包括多个子步骤，如下所述。首先，于一较低温度下进行温度50～100℃时预烤(pre-baking)曝光后的含有聚合物37的取向膜34。接着，于较高的温度大于200℃时下进行固烤(post-baking)曝光后的含有聚合物37的取向膜34，以形成取向凸块膜33。

在本实施例中，凸块33b的位置与光掩模16的透光区16b的位置有对应关系。如图6C～6D所示，光掩模16的透光区16b的位置对应于凸块33b的位置。例如3个凸块33b的位置对应于光掩模16的3个透光区16b的位置。

此外，本实施例在取向膜溶液中混入可遇光聚合的感光性单体，并在其液态下利用光掩模进行图案化的曝光。在曝光区形成具有结构的聚合物沉积。进一步烤干及固烤后，形成具有立体结构的取向凸起膜，达成多域分割的取向。因此，本实施例的液晶显示器的导电基板工艺可以取代传统上需在基板的电极上依序制作凸块或狭缝及取向膜等的繁复工艺。

另外，本实施例于取向膜溶液中混入具可遇光聚合的感光性单体物质，利用光掩模方式于特定位置形成较厚的凸块，同时兼具取向膜与凸块的功能。由于，本实施例所生产的凸块本身即具有取向能力，可避免传统上由于凸块高差处所容易造成的取向膜印刷不良的问题。

实施例四

请参照图7，其绘示乃依照本发明的实施例四的液晶显示器的导电基板的结构剖面图。本实施例的液晶显示器的导电基板40与实施例三的液晶显示器的导电基板30不同之处在于取向膜43中聚合物37与图案化表面活性剂层(surfactant layer)45键结。其余相同的构成要件继续沿用标号，并不再赘述。

如图7所示，取向凸块膜43设置于电极12上，并覆盖图案化表面活性剂层45。取向凸块膜43具有一底部43a及至少一凸块43b，例如3个凸块43b。凸块43b的厚度P4+B4大于底部43a的厚度B4。图案化表面活性剂层45设置于凸块43b及电极12之间，用以与聚合物37的亲水端或亲油端键结。聚合物37除了在所覆盖的图案化表面活性剂层45上与图案化表面活性剂层45键结之外，聚合物37还可于分别所覆盖的电极12上与电极12键结。聚合物37又可于所覆盖的基板11与基板11键结。聚合物37的亲水端或亲油端与基板11或电极12键结。

至于本实施例的液晶显示器的导电基板40的制造方法在此附图说明如下，但本实施例的技术并不局限在此。

请参照图8A～8D，其绘示乃依照本发明的实施例四的液晶显示器的导电基板的工艺剖面图。首先，如图8A所示，提供一基板11，基板11上具有一电极12。接着，形成一图案化表面活性剂层45于电极12上，图案化表面活性剂层45暴露部分的电极12。

然后，如图8B所示，形成一取向膜44于电极12上，并覆盖图案化表面活性剂层45。取向膜44包含许多感光性单体(monomer)36。若感光性单体(monomer)36遇光，感光性单体36将在图案化表面活性剂层45上的部分的取向膜44中进行光反应，而聚合成聚合物37，且聚合物37将与图案化表面活性剂层45键结。

接着，如图8C所示，曝光取向膜44，使感光性单体36聚合为聚合物37并与图案化表面活性剂层45键结。

然后，如图8D所示，烘烤曝光后的含有聚合物37的取向膜44，以形成取向凸块膜43，液晶显示器的导电基板40在此完成。取向凸块膜43具有一底部43a及至少一凸块43b，聚合物37位于凸块43b中。凸块43b的厚度P4+B4大于底部43a的厚度B4。

本实施例通过形成图案化表面活性剂层45、添加感光性单体36、曝光及烘烤等方式图案化含有感光性单体36的取向膜44，以形成取向凸块膜43。

其中，在上述烘烤曝光后的含有聚合物37的取向膜44的步骤中，还包括多个子步骤，如下所述。首先，于温度50～100℃时预烤(pre-baking)曝光后的含有聚合物37的取向膜44。接着，于温度大于200℃时固烤(post-baking)曝光后的含有聚合物37的取向膜44，以形成取向凸块膜43。

凸块43b的位置与图案化表面活性剂层45的位置有对应关系。如图8A～8D所示，图案化表面活性剂层45的位置对应于凸块43b的位置。例如3个凸块43b的位置对应于图案化表面活性剂层45的位置。

此外，本实施例于取向膜溶液中混入具可遇光聚合的感光性单体，在有图案化表面活性剂层的表面上利用曝光方式做出表面结构。由于，本实施例所生产的凸块本身即具有取向能力，可避免传统上由于凸块高差处所容易造成的取向膜印刷不良的问题。

另外，本实施例在基板上预先印上一图案化表面活性剂层，图案化表面活性剂层具有与特定类型的感光性单体进行光聚合反应的功能。将混有此感光性单体的取向膜溶液涂布于基板上，并在液态下对取向膜溶液进行曝光。通过所发生的光聚合反应，感光性单体在最初图案化表面活性剂层的区域上聚合且形成聚合物的结构。接着烤干取向膜，并进行高温固烤。因此，使基板上形成一具有立体结构的取向膜，达成多域分割的取向。所以，本实施例的液晶显示器的导电基板工艺可以取代传统上需在基板的电极上依序制作凸块或狭缝及取向膜等的繁复工艺。

实施例五

请参照图9A～9D，其绘示乃依照本发明的实施例五的液晶显示器的导电基板的工艺剖面图。首先，如图9A所示，提供一基板11，基板11上具有一电极12。

接着，如图9B所示，通过涂布、预烤形成一感光性取向膜54于电极12上，该感光性取向膜54在预烤前为液体。感光性取向膜54例如是一负型感光性取向膜。

然后，提供一灰度光掩模56。灰度光掩模56具有一第一透光区56b、一第二透光区56a及一第三透光区56c，第一透光区56b的透光性大于第二透光区56a的透光性，第三透光区56c的透光性大于第一透光区56b的透光性。接着，曝光感光性取向膜44。接着，显影感光性取向膜56。

然后，如图9D所示，烘烤显影后的感光性取向膜54，以形成一具有一底部53a、至少一凸块53b及至少一立体结构53c的取向凸块膜53，液晶显示器的导电基板50在此完成。立体结构53c的厚度T+B5大于凸块53b的厚度P5+B5，凸块53b的厚度P5+B5大于底部53a的厚度B5。

本实施例通过涂布、预烤、提供灰度光掩模、曝光、移除灰度光掩模、显影及固烤等方式图案化感光性取向膜54，以形成取向凸块膜53。立体结构53c为一柱体，可于液晶显示器的导电基板50与另一液晶显示器的导电基板夹置且密封一液晶层时，当作光间隔物(photo spacer)使用。

其中，在上述烘烤显影后的感光性取向膜54的步骤中，还包括多个子步骤，如下所述。首先，于温度50～100℃时预烤(pre-baking)感光性取向膜54成为一固体薄膜，接着进行曝光显影。之后于温度大于200℃时固烤(post-baking)显影后的感光性取向膜54，以形成取向凸块膜53。

在本实施例中，立体结构53c及凸块53b的位置与光掩模的不同透光性的透光区的位置有对应关系。又如图9B～9D所示，若感光性取向膜54为一负型感光性取向膜，第一透光区56b的位置对应于凸块53b的位置，第三透光区56c的位置对应于立体结构53c的位置。若感光性取向膜54为一正型感光性取向膜，则需使用另一种具有一第四透光区、一第五透光区及一第六透光区的灰度光掩模(未绘示)。其中，第四透光区的透光性大于第五透光区的透光性，第六透光区的透光性大于第四透光区的透光性。因此，第四透光区的位置对应于凸块53b的位置，第五透光区的位置对应于立体结构53c的位置。

在本实施例中，通过灰度光掩模的透光区可分为三种或三种以上的透光性，可以在基板上对应地形成具有三种或三种以上不同厚度的取向凸块膜。

此外，本实施例通过感光性取向膜，首先经过预烤后，以灰度光掩模方式进行曝光。接着，经由显影过程在曝光后的感光性取向膜的表面形成高低结构。然后，进行后续的固烤，得到一兼具有取向膜、凸块及立体结构功能的取向凸块膜。由于，本实施例所生产的凸块本身即具有取向能力，可避免传统上由于凸块高差处所容易造成的取向膜印刷不良的问题。

另外，本实施例使用感光性的取向膜材料，以灰度光掩模的方式将液晶显示器的薄膜晶体管基板或彩色滤光片基板侧的取向膜、凸块及光间隔物于同一工艺完成。因此，本实施例的液晶显示器的导电基板工艺可以取代传统上需先在基板的电极上制作光间隔物、凸块或狭缝及取向膜等的繁复工艺。

本发明上述实施例所揭露的液晶显示器的导电基板及其制造方法，其利用曝光、显影、蚀刻或光反应等方式使取向膜形成高低起伏的立体结构的设计，可以取代传统上在基板的电极上依序制作凸块或狭缝及取向膜等的繁复工艺。此外，本实施例所生产的凸块本身即具有取向能力，可以避免传统上由于凸块高差所容易造成的取向膜印刷不良问题，进而维持液晶的良好取向的效果。因此，本实施例即利用取向膜的工艺加上曝光、显影、蚀刻或光反应等方式，在基板表面一次形成具立体结构且有多显示域化功能的取向膜材料，以简化现有的工艺。

综上所述，虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。

Claims

1.一种液晶显示器的导电基板，包括：

基板；

电极，设置于该基板之上；

取向凸块膜，设置于该电极上，具有底部及至少一凸块，该凸块的厚度大于该底部的厚度，其中该取向凸块膜包含聚合物，以及

图案化表面活性剂层，设置于该凸块及该电极之间，用以与该聚合物键结，该图案化表面活性剂层的位置对应于该凸块的位置，

其中该聚合物是对包含感光性单体的取向膜曝光、感光性单体在图案化表面活性剂层上的部分的取向膜中进行光反应聚合而成的。

2.如权利要求1所述的液晶显示器的导电基板，其中该聚合物的亲水端或亲油端与该图案化表面活性剂层键结。

3.如权利要求1所述的液晶显示器的导电基板，其中该凸块的厚度为2微米至5微米。

4.如权利要求1所述的液晶显示器的导电基板，其中该底部的厚度大于100埃，但小于10000埃。

5.一种液晶显示器的导电基板的制造方法，包括：

提供基板，该基板上具有电极；

形成图案化表面活性剂层于该电极上；

形成具有多个感光性单体的取向膜于该图案化表面活性剂层和电极上；以及

图案化该取向膜，以形成具有底部及至少一凸块的取向凸块膜，该凸块的厚度大于该底部的厚度，其中该图案化表面活性剂层的位置对应于该凸块的位置，

其中该图案化该取向膜的步骤还包括：

曝光该取向膜，使该些感光性单体聚合为聚合物，该聚合物于部分的该取向膜中与该图案化表面活性剂层键结；以及

固烤曝光后的该取向膜，以形成该取向凸块膜，该聚合物位于该凸块中。