CN100468361C - 信息记录介质、对信息记录介质的访问装置以及访问方法 - Google Patents

Abstract

半导体存储卡之类的信息记录介质(110)能够以较小的访问单位来访问，具有设置了保存文件系统管理信息的第1记录区域(121)的第1半导体存储器(118)，与设置了以较大的访问单位进行访问，保存文件数据(文件的实体数据)的第2记录区域(122)的第2半导体存储器(119)，以及控制上述第1、第2半导体存储器的控制机构(112)。信息记录介质(110)在数据写入时，对应于数据种类选择第1及第2半导体存储器(118、119)的任一个的记录区域，在所选择的记录区域中写入数据。

Description

信息记录介质、对信息记录介质的访问装置以及访问方法

技术领域

本发明涉及一种可由外部装置进行数据的写入、读出的信息记录介质，特别是涉及一种通过文件系统对所保存的数据进行管理的信息记录介质以及访问该信息记录介质的访问装置。

背景技术

记录音乐内容或视频数据等数字数据的记录介质中，存在磁盘、光盘、磁光盘等各种各样的种类。作为这些记录介质之一的半导体存储卡，主要使用flashROM等非易失性半导体存储器作为存储元件，由于实现了记录介质的小型化，因此以数码相机或移动电话终端等小型便携机器为中心迅速普及起来。

存储在半导体存储卡中的数据通过文件系统进行管理，用户能够将所保存的数据作为文件来容易地进行处理。以前所使用的文件系统，有FAT系统(详细内容参照非专利文献1)、UDF文件系统(Universal Disk Format)(详细内容参照非专利文献2)、NTFS文件系统(New Technology FileSystem)等。通过这些文件系统管理数据的半导体存储卡，能够在解释同一文件系统的机器间共用，因此能够在机器间进行数据交换。

将FAT文件系统作为以前的文件系统之一例进行说明。FAT文件系统中，在访问装置访问半导体存储卡时所使用的逻辑地址空间的开头，存在管理信息区域。

管理信息区域，存储区域分配单位或文件系统所管理的区域的大小等在文件系统中管理文件所需要的信息。更具体的说，管理信息区域保存为了管理文件数据(用户数据)所必需的FAT、根目录项等文件系统管理信息。

FAT是保存关于文件中所包括的数据的物理存储位置的信息的区域，通常，半导体存储卡内存在有两个具有相同信息的FAT来进行双重化，从而即使一方FAT损坏，也能够通过另一方FAT来进行访问。根目录项是保存位于根目录正下的文件、目录的信息(目录项)的区域。

FAT文件系统中，接着该管理信息区域的区域中，存在保存文件的实体数据(以下称作“文件数据”)的数据区域。将数据区域分割成多个簇进行管理。

通常，文件数据跨越多个簇进行保存。各个簇之间的联系，由FAT中所保存的链接信息进行管理。另外，位于根目录的正下的目录中的文件、子目录的信息(目录项)，利用该数据区域的一部分进行保存。

FAT文件系统中，在文件数据的保存的同时，目录项以及FAT为了更新文件数据的保存位置或大小的相关信息，还进行重写。

也即，FAT文件系统中，在数据文件的保存时，需要将文件数据、目录项、FAT这3个管理信息(文件系统管理信息)写入到半导体存储卡中。由于文件数据通过较大容量的簇单位进行管理，因此在半导体存储卡中的写入大小如数10kB之类变得较大。与此相对，目录项、FAT这样的文件系统管理信息，由于变更量较少，因此通过512字节这样较小的单位写入到半导体存储卡中。这样，文件数据与FAT这样的文件系统管理信息，其大小完全不同。

另外，一般用作半导体存储卡的记忆元件的快闪(flash)存储器，以一定大小所构成的删除块单位，具有如果不将数据删除就无法重写数据这一特征，在簇大小与删除块大小相比较小的情况下，存在如果以簇单位写入数据，写入速度就会降低这一问题。

以前，作为解决这样的问题的方法，有人提出了检索在FAT中连续的空区域，通过在所检索出的多个连续簇中写入数据，来防止写入速度降低的方法。通过该方法，即使在簇大小比删除块大小小的情况下，也能够高速写入数据(参照例如专利文献1)。

专利文献1：特开2002—91806号公报；

非专利文献1：ISO/IEC9293，“Information Technology-Volume and filestructure of disk cartridges for information”，1994年；

非专利文献2：OSTA Universal Disk Format Specification Revision1.50，1997年。

但是，上述方法中，在将大小比较大的文件数据保存到数据区域中时，能够进行高速的写入，非常有效，但对于文件系统管理信息这样的大小较小的数据来说，无法高速写入，是没有效果的。

在数据写入处理中，由于以1秒1次等任意的周期产生文件系统管理信息的更新，因此使得数据写入速度全体更加高速化，文件系统管理信息的写入速度的高速化是必不可少的。

发明内容

本发明为解决上述问题而做出，其目的在于提高一种对文件系统管理信息与文件数据这样的大小不同的两种数据双方均能够高速进行记录的信息记录介质、其访问装置以及方法。

本发明的相关信息记录介质，是一种能够通过文件系统来管理存储数据，按照从外部所接收到的命令来进行数据的写入、读出的信息记录介质。信息记录介质具有：从外部接收命令以及数据的接收机构；以第1访问单位管理数据的写入的第1记录区域；以大于第1访问单位的第2访问单位管理数据的写入的第2记录区域；以及控制机构，其按照所接收到的命令，控制对第1或第2记录区域的访问。控制机构进行控制，在接收到写入命令时，对应于接收数据的种类，选择第1及第2记录区域中的任一方，在该所选择的区域中写入接收数据。

可以让第1记录介质保存作为在文件系统中文件的管理所需要的信息的文件系统管理信息，第2记录区域保存由文件系统所管理的文件的实体数据。

数据种类，可以包括表示实体数据的种类，与表示文件系统管理信息的种类。

可以让数据种类在命令的参数中指定，控制机构根据该参数的值，判断数据种类。另外，控制机构可以根据数据的写入位置来判断数据种类。

本发明的相关第1访问装置，具有：装载信息记录介质的插槽；访问控制机构，其控制对装载在该插槽中的信息记录介质的数据写入、读出；以及文件系统控制机构，其对装载在插槽中的信息记录介质中所构建的文件系统进行控制，在信息记录介质中进行写入时，将数据与数据的种类相关的信息一起发送给信息记录介质。

本发明的相关第2访问装置，具有将与文件系统管理信息的位置或大小的相关信息，通知给信息记录介质的FS管理信息通知机构。FS管理信息通知机构，在文件系统管理信息的写入之前，先将与文件系统管理信息的位置或大小的相关信息，通知给信息记录介质。

本发明的相关控制方法，是一种通过文件系统来管理存储数据的信息记录介质的控制方法。控制方法：管理对第1记录区域，以第1访问单位管理数据的写入；管理对第2记录区域，以大于第1访问单位的第2访问单位管理数据的写入；与写入命令一起接收数据以及写入目的地；对应于所接收到的数据的种类，选择第1及第2记录区域中的任一方作为数据的写入区域；在所选择的区域中写入所接收到的数据，上述数据种类，包括表示由文件系统所管理的文件的实体数据的种类和表示在文件系统中文件的管理所需要的信息的种类。该控制方法中，可以与写入命令一起接收关于数据种类的信息，根据该所接收到的关于数据种类的信息，判断数据种类。

本发明的相关第1访问方法，是一种访问上述信息记录介质的方法，将表示写入数据的种类的信息与写入命令一起发送给信息记录介质。

本发明的相关第2访问方法，是一种访问上述信息记录介质的方法，将文件系统管理的信息的位置或大小的相关信息，发送给信息记录介质，在信息记录介质中设定保存上述文件系统管理信息的区域；之后，将写入命令与数据以及写入目的地的地址一起发送给上述信息记录介质，进行数据的写入。

通过本发明，在信息记录介质中写入数据时，对应于写入数据的种类变更信息记录介质内的数据记录区域。通过这样，能够根据数据种类，在适于不同数据大小的理想记录区域中进行写入，因此能够实现全体的高速访问速度。

附图说明

图1为表示本发明的实施方式1中的半导体存储卡及访问装置之构成的图。

图2为表示快闪存储器中的删除块与扇区之间的关系之一例的图。

图3为说明对实施方式1中的半导体存储卡的半导体存储器所进行的删除块的倍数长度的数据写入处理的流程图。

图4为说明对实施方式1中的半导体存储卡的半导体存储器所进行的1扇区量的数据写入处理的流程图。

图5为表示FAT文件系统之构成的图。

图6为表示按照FAT文件系统的数据写入处理的流程图。

图7A为说明在基于FAT文件系统的数据写入之前的目录项的状态的图。

图7B为说明在基于FAT文件系统的数据写入之前的FAT的状态的图。

图7C为说明在基于FAT文件系统的数据写入之前的数据区域的状态的图。

图8A为说明在基于FAT文件系统的数据写入之后的目录项的状态的图。

图8B为说明在基于FAT文件系统的数据写入之后的FAT的状态的图。

图8C为说明在基于FAT文件系统的数据写入之后的数据区域的状态的图。

图9为表示实施方式1中的半导体存储卡内部的写入处理的流程图。

图10为表示实施方式1中的地址管理信息之一例的图。

图11为表示对半导体存储卡内的半导体存储器的写入处理的详细内容的流程图。

图12为表示本发明的实施方式2中的半导体存储卡及访问装置之构成的图。

图13为表示实施方式2的半导体存储卡内的非易失性存储器的地址空间之一例的图。

图14为表示实施方式2中的地址管理信息之一例的图。

图15A为表示对半导体存储卡的写入数据的顺序之一例的图。

图15B为表示对图15A的数据顺序发布地址装置100b的命令顺序的图。

图16为半导体存储卡中的SetFSInfoAddr命令的处理顺序的流程图。

图17为半导体存储卡中的Write命令的处理顺序的流程图。

图18为表示对实施方式2中的半导体存储卡发布了SetFSInfoAddr命令之后的地址管理信息的状态的图。

图19为表示对实施方式2中的半导体存储卡写入了数据之后的地址管理信息的状态的图。

图20为表示对实施方式2中的半导体存储卡写入了文件系统管理信息之后的地址管理信息的状态的图。

图21为表示对实施方式2中的半导体存储卡写入了数据之后的地址管理信息的状态的图。

图中：26—FS管理信息存储寄存器，51—逻辑物理变换表，53—链接表，100、100b—访问装置，101、112—CPU，102、112—RAM，103—插槽，104、114—ROM，105—应用程序，106—文件系统程序，107—访问控制程序，108—FS管理信息通知程序，110、110b—半导体存储卡，111—主机接口部，25、115、116、117—存储器控制器，27、118、119、120—半导体存储器，121—文件系统管理信息存储区域，122—文件数据管理区域，123—地址管理信息。

具体实施方式

下面对照附图，对本发明的半导体存储卡以及访问装置的实施方式进行说明。

实施方式1

(半导体存储卡以及访问装置的构成)

图1为表示本发明的相关半导体存储卡以及访问装置的构成例的图。如图1所示，访问装置100具有CPU101、RAM102、插槽103、以及ROM104。

ROM104中保存有用来控制访问装置100的程序105～107，该程序将RAM102用作暂存区域，由CPU101来执行，提供给定的功能。具体的说，ROM104包含有应用程序105、文件系统控制程序106、访问控制程序107。

应用程序105、文件系统控制程序106、访问控制程序107分别进行访问装置100全体的控制、构建在半导体存储卡110中的文件系统的控制、以及对半导体存储卡110的数据写入、读出等访问控制。

具体的说，应用程序105是用来对在访问装置100中所工作的应用进行控制的程序，如果访问装置100是音频播放器就包括音乐再生程序，如果是数码相机就包括静态画面拍摄程序。

文件系统控制程序106通过与CPU101进行协动，来实现文件系统控制功能(文件系统控制机构)。更具体的说，文件系统控制程序106，提供以文件单位管理对半导体存储卡110的数据写入、读出的功能。

访问控制程序107通过与CPU101协动，来实现访问控制功能(访问控制机构)。更具体的说，访问控制程序107提供对构建在半导体存储卡110上的逻辑地址空间，指定处理开始地址与处理大小，并执行数据的写入、读出的功能。

插槽103是半导体存储卡110与访问装置100的连接部，控制信号及数据经插槽103在访问装置100与半导体存储卡110之间发送接收。

半导体存储卡110具有主机接口部111、CPU112、RAM113、ROM114、存储器控制器115、116、117、半导体存储器118、119、120。

主机接口部111是与访问装置100发送接收控制信号与数据的接口。

ROM114中存储有控制半导体存储卡110的程序，该程序将RAM113用作暂存区域，在CPU112中工作。也即，CPU112与保存在ROM114中的程序协动，构成控制半导体存储卡110全体的动作的控制机构。

另外，本实施例中，半导体存储卡110内存在3个半导体存储器118、119、120，各个半导体存储器由存储器控制器115、116、117进行控制。

第1半导体存储器118由重写单位较小的记忆元件构成。例如，第1半导体存储器118可以通过flashROM等快闪存储器，或FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory：强铁电体存储器)等构成。FeRAM是重写单位小(例如1字节)，且长寿的记忆元件。另外，本实施方式中，为了简化说明，对第1半导体存储器118通过重写单位小(例如512字节)的快闪存储器构成的情况进行说明。第1半导体存储器118具有文件系统管理信息存储区域121。文件系统管理信息存储区域121，保存作为在文件系统中文件的管理所需要的信息的区域管理信息、文件名、文件大小等文件系统管理信息。

第2半导体存储器119由FlashROM等重写单位较大的(例如16kB(千字节))大容量记忆元件构成，具有保存记录在文件内的数据本体(实体数据)的文件数据存储区域122。

第3半导体存储器120由第1、第2半导体存储器118、119中所使用的记忆元件中的任一个构成。第3半导体存储器120保存对访问装置100所使用的逻辑地址空间，与第1、第2半导体存储器118、119上的物理地址空间之间的对应进行管理的地址管理信息123。第1、第2半导体存储器118、119中的区域，与访问装置100所使用的逻辑地址空间相对应，访问装置100能够使用逻辑地址，访问第1、第2存储器118、119中的区域。与此相对，第3半导体存储器120中的区域，只在半导体存储卡110内部使用，不与逻辑地址空间相对应，因此从访问装置100访问。

本实施方式中，半导体存储卡110内具有能够从访问装置100进行访问的特性不同的两个半导体存储器118、119，在从访问装置100向半导体存储卡110写入数据时，指定数据的种类，对应于该种类来决定保存数据的半导体存储器。通过这样，能够在适于数据特性的半导体存储器中保存数据，实现对半导体存储卡110的高速访问。

本实施方式中对用作半导体存储卡110的记忆元件的半导体存储器的特征进行说明。半导体存储器能够实现小型、轻量的信息记录介质，使用半导体存储器的半导体存储卡不断构建了用作各种技术领域中的信息存储介质的巩固的地位。现在半导体存储卡中所使用的半导体存储器，FlashROM等快闪存储器是主流。快闪存储器，具有在写入数据之前，必须将写入目的地中所记录的数据删除，回到未记录状态之后再进行数据重写的这一特征。这里将删除数据的单位称作“删除块”，作为聚集了多个访问的最小单位扇区的块进行管理。本实施方式中，使用具有以上特征的快闪存储器，作为半导体存储卡110内的半导体存储器。

图2为表示快闪存储器中的删除块与扇区的关系之一例的图。图2的例子中，1个删除块32由32扇区构成，访问能够通过扇区单位(例如512字节)来进行，但写入之前所需要的数据删除处理，以删除块(16kB)单位进行。

(半导体存储器中的数据写入处理)

对照图3、图4，对给半导体存储卡110中的半导体存储器118、119的数据写入处理进行说明。图3中示出写入了删除块数倍长度的数据的情况下的处理顺序，图4中示出了写入了1扇区的数据的情况下的处理顺序。

首先对图3中所示的处理进行说明。半导体存储器110，经主机接口部111接收由访问装置100所发送的命令与参数(S301)。参数中指定数据的写入位置、数据的写入大小等。参照所接收到的命令，判断是否是自身无法识别的非法命令(S302)。在是非法命令的情况下，通知访问装置出错并结束处理(S303)。在是可识别的命令的情况下，判断该命令是否是写入命令(S304)。在是写入命令以外的情况下，执行对应各个命令的其他处理(S305)。在是写入命令的情况下，判断与命令一起所指定的参数是否正确(S306)。在判断为非法参数的情况下，通知访问装置出错并结束处理(S307)。

在判断参数正确的情况下，根据参数所指定的写入位置、写入大小的信息，来决定实际写入数据的半导体存储器118、119的删除块的物理地址(S308)。接下来，在写入之前，经数据控制器115、116删除存在于所决定的物理地址的删除块中的数据(S309)。接下来，半导体存储卡110经主机接口部111，从访问装置100接收1扇区量的数据(S310)。数据的接收完成之后，将所接收到的1扇区量的数据，经存储器控制器115、116写入到半导体存储器118、119中(S311)。重复实施上述数据接收、写入处理(S310与S311)，直到1删除量的数据写入完成(S312)。重复实施1删除块量的数据写入处理(步骤S308～S312)，直到访问装置100所指定的写入大小量的数据写入完成(S313)。访问装置100所指定的写入大小量的数据写入完成之后，便结束处理。

对图4中所示的写入1扇区量的数据的处理进行说明。图4中说明了只重写1删除块中的1扇区量的数据的处理。因此，与图3中所示的处理有以下几点不同。数据写入之前，将通过参数所指定的数据应当写入的删除块中原来所写有的数据，暂时腾出到其他区域中(S409)，之后，将从访问装置100所接收到的1扇区量的数据，写入到该删除块中(S412)，进而在该删除块的剩下的区域中，写入所腾出的数据中的除去了2扇区量的数据之后的数据(S413)。

快闪存储器中，在数据写入之前需要将数据暂时删除，该删除处理只能够通过删除块单位来进行，因此即使在写入1扇区的数据的情况下，也如步骤S410所示，需要删除1删除块量的数据，如步骤S409所示，需要数据的腾出。另外，如步骤S413所示，需要将包括在与数据被更新的扇区相同的删除块中的现有数据，写回到新的删除块中。

如图3、图4中所示，数据写入处理中，大体上存在命令解释处理、数据删除处理、数据记录处理这3个处理。例如假设是命令解释的开销花费3m秒，1扇区的数据记录处理花费200μ秒，1删除块(16kB)的删除处理花费2m秒的快闪存储器。该快闪存储器的1删除块(16kB)的写入中执行如图3所示的处理，命令解释花费3m秒，删除处理花费2m秒，数据记录处理花费32×200μ秒，合计为11.4m秒。同样，1扇区(512B)的写入中执行如图4所示的处理，命令解释花费3m秒，删除处理花费2m秒，数据记录处理花费200μ秒+31×200μ秒，合计为11.4m秒。也即，在写入16kB的数据的情况与写入1扇区的数据的情况下，花费几乎相同的时间。本例中，对没有考虑数据传输时间等，对出现了极端性能差的情况进行了说明，但实际的快闪存储器中，也是在以删除块单位进行写入的情况下，写入时间最短。

(FAT文件系统)

对管理存储在半导体存储卡110内的数据的FAT文件系统进行说明。

图5中示出了FAT文件系统的构成。文件系统构建在半导体存储卡110内的逻辑地址空间中。FAT文件系统中，保存对应FAT文件系统所管理的全体区域的管理信息的管理信息区域501，位于逻辑地址的空间的开头，接下来，存在保存文件内的数据等的数据区域502。管理信息区域，由主引导记录分区表503、分区引导扇区504、FAT505、506、以及根目录项507构成。

主引导记录分区表503，是保存用来将文件系统管理区域分割成多个称作分区的区域并进行管理的信息的部分。分区引导扇区504，是保存1个分区内的管理信息的部分。FAT505、506是表示文件中所含有的数据的物理保存位置的部分。根目录项507是保存位于根目录正下的文件、目录的信息的部分。另外，由于FAT505、506是表示文件中所含有的数据的物理保存位置的重要区域，因此管理信息区域501内通常存在两个具有相同信息的FAT505、506，进行双重化。

数据区域502分割成多个扇区进行管理，各个扇区中保存有文件中所含有的数据。保存多个数据的文件等，跨越多个数据保存数据，各个扇区间的连接，由FAT505、506中所保存的链接信息来管理。

对照图6、图7A～7C、图8A～8C，对按照FAT文件系统的文件数据的写入例子进行说明。图6为表示基于FAT文件系统的文件数据写入的处理顺序的图。图7A～7C、图8A～8C分别为表示重写处理前、处理后的目录项701、FAT505、506、数据区域502之一例的图。

FAT文件系统中，在根目录项507与数据区域502的一部分中，保存有存储文件名及文件大小、文件属性等信息的目录项701。图7A中示出了目录项701之一例，图7B中示出了对应目录项701的FAT部分。目录项701中，包括文件名、属性、时间戳、开始簇编号、文件大小。图7A中所示的目录项，保存有关于文件名为“FELE1.TXT”的文件的信息，该文件中所含有的数据的开头部分，保存在簇编号10的簇中，文件大小为65000字节。另外，图7A中假定1簇的大小为16384字节。图7B中所示的“0xFFFF”表示数据的终端，从图7B可以得知“FELE1.TXT”的数据跨越4个簇保存。

对照图6，对文件数据的写入处理进行说明。文件数据写入处理中，首先读取写入对象文件的目录项701(S601)。接下来取得保存在所读取的目录项701中的开始簇编号，确认文件数据的开头位置(S602)。接下来，读取FAT505、506，从所取得的文件数据的开头位置，顺次在FAT505、506中追踪链接，取得写入位置的簇编号(S603)。接下来，在数据写入时，判断是否要给文件新分配空区域(S604)。在需要分配空区域的情况下，在FAT505、506中检索空区域，将1簇量的空区域分配给文件的终端(S605)。在不需要分配空区域的情况下，进入步骤S606。

接下来，写入只在现在所参照的数据区域502的簇内要写入的数据(S606)。接下来，判断所有的数据的写入是否完成(S607)。在还剩余应当写入的数据的情况下，回到S604的处理。在所有的数据的写入结束的情况下，更新保存在目录项701内的文件大小、时间戳等，写入到半导体存储器110内(S608)。最后，将FAT505、506写入到半导体存储卡110中，结束处理(S609)。

通过该文件写入处理，图7A～7C中所示的具有65000字节的数据的“FELE1.TXT”中，再写入1000字节的数据的情况，变为如图8A～8C所示的具有66000字节的数据的文件。

这样，FAT文件系统中，在将文件数据写入到半导体存储卡110内时，将文件数据写入到数据区域502中，同时还写入文件系统管理信息。文件系统管理信息包括包含有关于文件的信息的目录项701、以及进行数据区域502的区域管理的FAT505、506等。文件系统管理信息在每次更新文件数据时，需要记录在半导体存储卡110中，因此记录文件系统管理信息的区域，比记录文件数据的区域更新频度高。

另外，与文件数据以较大的单位写入到半导体存储卡110中相比，文件系统管理信息以数字节程度的小单位写入。另外，半导体存储卡110所使用的快闪存储器的最佳写入单位，伴随着快闪存储器的大容量化，也渐渐增大为数10kB～数100kB。文件系统管理信息这样的数字节长度的数据，如果以数10kB～数100kB的大访问单位写入，则会产生无效区域，访问速度降低。

因此，本实施方式中，如图1所示，半导体存储卡110，具有保存文件系统管理信息的第1半导体存储器118、保存文件数据的第2半导体存储器119、以及管理第1、第2半导体存储器118、119内的记录区域与逻辑地址空间之间的对应的地址管理信息123。该构成中，访问半导体存储卡110的访问装置100对半导体存储卡110写入数据时，指定数据的种类，半导体存储卡110根据该种类，决定地址的写入目的地(第1半导体存储器118或第2半导体存储器119)。

通过以上构成，能够将大小较大的文件数据，保存在最佳访问单位较大的半导体存储器中，将大小较小的文件系统管理信息，保存在最佳访问单位较小的半导体存储器中。通过这样，半导体存储卡110内的记录区域中不会产生无效区域，从而能够实现对半导体存储卡110的高速访问。另外，由于能够将更新频度较小的文件数据保存在寿命较短的半导体存储器中，将更新频度较大的文件系统管理信息保存在寿命较长的半导体存储器中，因此还能够延长半导体存储卡110的寿命。

(半导体存储卡以及访问装置的动作)

对本实施方式中的半导体存储卡110以及访问装置100的动作进行具体说明。

本实施方式中，访问装置100在半导体存储卡110中进行写入时，通过所写入的命令的参数来指定表示数据种类的信息。写入命令(Write命令)的形式如下所述。

Write(buf，size，addr，data_kind)

buf：保存写入数据的缓存，

size：写入大小，

addr：写入地址

data_kind：数据种类

“buf”、“size”、“addr”各个参数是与一起的半导体存储卡中的写入命令相同的参数。

本实施方式中，特征是在参数中特别设置了“data_kink”这一点。“data_kink”中，指定“文件数据”或“文件系统管理信息”中的任一个作为写入命令中所传输的数据的种类。数据种类由在存储装置100中进行工作的文件系统控制功能来管理，在半导体存储卡110中指定。本实施方式中，根据该数据种类由半导体存储卡110决定数据写入目的地的半导体存储器。

(数据写入处理)

对照图9对本实施方式中的半导体存储卡110中的数据写入处理进行说明。

图9中，首先，半导体存储卡110从访问装置100接收命令(S901)。接下来，参照所接收到的命令，判断是否是自身无法识别的非法命令(S902)。在是非法命令的情况下，通知访问装置100出错并结束处理(S903)。在是可识别的命令的情况下，判断该命令是否是Write命令(S904)。在是Write命令以外的情况下，执行对应各个命令的其他处理(S905)。在是Write命令的情况下，判断与命令一起所指定的参数是否正确(S906)。在判断指定了非法地址的情况等指定了无法实施Write处理的参数的情况下，通知访问装置100出错并结束处理(S907)。

在参数正确的情况下，参照参数“data_kind”判断文件种类是“文件数据”还是“文件系统管理信息”(S908)。

在data_kind是“文件数据”的情况下，在第2半导体存储器119内写入数据(S909)。该处理将在后面详细说明。接下来，判断写入处理是否成功(S910)。在写入处理失败了的情况下，通知访问装置100出错并结束处理(S911)。在写入处理成功的情况下，通知访问装置100写入完成，并结束处理(S915)。

在data_kind是“文件系统管理信息”的情况下，在第1半导体存储器118内写入数据(S912)。该处理与步骤S909的处理几乎一样，将在后面详细说明。接下来，判断写入处理是否成功(S913)。在写入处理失败了的情况下，通知访问装置100出错并结束处理(S914)。在写入处理成功的情况下，通知访问装置100写入完成，并结束处理(S915)。

接下来，对照图10、图11，对实施步骤S909、S912中的对第2半导体存储器119、第1半导体存储器118的写入处理进行说明。首先，对地址管理信息123进行说明。图10中示出了半导体存储卡110内的地址管理信息123的构成。

地址管理信息123包括逻辑物理变换表125，其说明了表示半导体存储卡110内的物理记录区域(块)的位置的物理地址，与表示访问装置100所使用的逻辑记录区域(块)的位置的逻辑地址之间的对应关系，以及管理各个记录区域(块)的使用状态的条目表127。另外，分配有地址的记录区域的单位(块)，作为快闪存储器中的删除块。

图10的地址管理信息123，管理逻辑地址存在从0到(N—1)的、合计N个的块。另外，逻辑地址作为第2半导体存储器119用地址，分配为从0到(M—1)，作为第1半导体存储器118用地址，分配为从M到(N—1)。也即，N块逻辑地址空间内，M块存在于第2半导体存储器119内，(N—M)块存在于第1半导体存储器118内。

逻辑物理变换表125由与半导体存储卡110内所存在的逻辑块的数目相等个数的条目构成，各个条目保存与逻辑地址对应起来了的物理地址。图10的例子中，逻辑地址0至3的区域，分别与物理地址0至3的区域相对应，进而，逻辑地址4、5的区域，分别与物理地址M、(M+3)的区域相对应。

条目表127由与半导体存储卡110内所存在的物理块的数目相等个数的条目构成，各个条目存储有表示物理块的使用状态的标志位。标志位的值中“00”表示有效块，“11”表示无效块，“10”表示不良块。也即，物理地址从0至3、M、(M+3)的区域为有效块，此外的区域为无效块。有效块为写入有效数据的块，无效块为没有写入有效数据的块。

图11为说明图9的步骤S909、S912的详细处理的图。图11中，首先根据Write命令的参数，判断数据种类(S1001)。对应于该数据种类，参照半导体存储卡110内的地址管理信息123，决定无效块的取得目的地。

在写入数据的种类为“文件数据”的情况下，从具有文件数据存储区域122的第2半导体存储器119中，确定数据写入目的地的无效块(S1002)。因此，参照地址管理信息123，从存在于物理地址0至(M—1)区域中的无效块中，确定1个块。

另外，在写入数据的种类为“文件系统管理信息”的情况下，从具有文件系统管理信息存储区域121的第1半导体存储器118中，确定数据写入目的地的无效块(S1003)。因此，参照地址管理信息123，从存在于物理地址M至(N—1)区域中的无效块中，确定1个块。

接下来，在数据写入之前，将所确定的无效块中所保存的数据删除(S1004)，在该无效块中写入数据(S1005)。接下来判断写入是否成功(S1006)。

在写入失败了的情况下，出错结束(S1007)。在写入成功了的情况下，更新条目表127，从而将保存有新数据的块的标志位设为“有效块(00)”，将保存有老数据的块的标志位设为“无效块(11)”(S1008)。另外，老数据是指，在对应Write命令所指定的逻辑地址的物理地址的块是有效块的情况下，该有效块中所保存的数据。

最后，更新逻辑物理变换表125，使得保存有新数据的网络地址与写入对象的逻辑地址(通过Write命令的参数所指定的地址)相对应(S1009)。

另外，图11中，在第1、第2半导体存储卡118、119中块大小不同的情况下，在逻辑变换表125中，通过较小块大小来进行地址管理，在块大小较大的半导体存储器中保存数据时，进行管理在逻辑物理变换表125中确保连续的区域，通过这样，能够使用本实施方式中所说明了的上述非法。

如上所述，本实施方式中，访问装置100在数据写入时，将数据发送给半导体存储卡110，同时，指定“文件数据”与“文件系统管理信息”中的任一个作为数据种类。半导体存储卡110，如果写入数据的种类为“文件数据”，则在访问单位较大且更新寿命短的第2半导体存储器119中保存，另外，如果写入数据的种类为“文件系统管理信息”，则在访问单位较小且更新寿命长的第1半导体存储器118中保存。通过这样，能够实现对半导体存储卡110的高速访问，另外还能够延长其寿命。

另外，本实施方式中，特征在于，访问装置100在写入时指定数据种类，在半导体存储卡110内决定写入目的地，图11中所说明的写入处理是一例。

也即，在使用写入之前不需要删除处理的半导体存储器的情况下，可以省略删除处理。删除时刻也可以不在数据写入之前而在数据写入之后，还可以在任意时刻一并删除。

另外，作为地址管理信息，对逻辑块数与物理块数相同的情况进行了说明，但对于为了准备代替区域，而使得物理块数较多的半导体存储卡，本发明的思想也能够适用。

另外，也可以采用地址管理信息123包括在第1半导体存储器118与第2半导体存储器119中，而删除了第3半导体存储器120的构成。

另外，第1及第2半导体存储器，可以使用FlashROM、EEPROM、FeRAM、MRAM(Magnetoresistive RAM：磁阻RAM)等任一种非易失性存储器，只要最佳访问单位与寿命至少一方不同就可以。

另外，本发明中将FAT文件系统作为文件系统之一例进行了说明，但也可以使用UDF文件系统、NTFS文件系统等其他文件系统。

实施方式2

实施方式1的半导体存储卡，具有最佳访问单位不同的两个半导体存储器，将文件数据与文件系统管理信息分别保存在不同的半导体存储器中。与此相对，本实施方式的半导体存储卡将1个半导体存储器的记录区域分割成两个区域，让各个区域的访问单位(管理方法)不同，将文件数据与文件系统管理信息分别保存在不同的区域中。像这样构成也与实施方式1一样，实现访问速度的高速化。

(半导体存储卡以及访问装置的构成)

图12为表示本实施方式中的半导体存储卡以及访问装置之构成的图。另外，图12中，与图1中所示的构成要素相同的构成要素，进行与实施方式1中相同的动作，实现同样的功能。

访问装置100b包含有CPU101、RAM102、插槽103、ROM104b。ROM104b包含有应用程序105、文件系统控制程序106、访问控制程序107、以及FS管理信息通知程序108。

FS管理信息通知程序108，提供将文件系统管理信息的位置与大小的相关信息通知给半导体存储卡110b的FS管理信息通知功能(FS管理信息通知机构)。通过这样，半导体存储卡110b能够预先把握文件系统管理信息的位置与大小，在通过访问命令从访问装置100发布访问命令时，能够根据地址判断数据的种类，对应于数据种类来变更半导体存储卡110b内部的处理。

如图12所示，半导体存储卡110b包含有主机接口(I/F)部111、CPU112、RAM113、ROM114、命令控制器25、FS管理信息存储寄存器26以及非易失性存储器27。

FS管理信息存储寄存器26，是保存由访问装置100b的FS管理信息通知功能所通知的文件系统管理信息的位置与大小的相关信息的机构。

非易失性存储器27，主要包括存储文件系统管理信息的第1记录区域271、存储文件数据的第2记录区域272、以及存储地址管理信息的地址管理信息存储区域273。另外，第1记录区域271与第2记录区域272，数据管理方法(数据管理单位)不同(后面详细说明)。

存储控制器25，包括根据存储在非易失性存储器27中的地址管理信息，进行记录区域的地址管理的地址管理部251，与进行对非易失性存储器27的访问控制的非易失性存储器访问部252。

本实施方式中，从访问装置100b向半导体存储卡110b预先通知文件系统管理信息的位置与大小，在通过访问命令从访问装置100b向半导体存储卡110b发出了访问命令时，判断数据的种类，对应于数据种类，变更半导体存储卡内的数据写入处理，通过这样来防止访问速度的降低。

(非易失性存储器的内部构成)

图13为表示本实施方式的半导体存储卡110b中的非易失性存储器27的地址空间之一例的图。如图所示，非易失性存储器27具有：以512字节这种较小的单位来管理数据的访问的第1记录区域271、以16kB这种较大的单位来管理数据的访问的第2记录区域272、以及存储地址管理信息的地址管理信息存储区域273。本例中，第1记录区域271的大小为160kB，第2记录区域272的大小为64800kB，地址管理信息存储区域273的大小为576kB。

非易失性存储器27，具有在进行重写的情况下，在写入数据之前必需进行删除块单位的数据删除这一特性，包含有在一部分删除块被物理破坏从而无法记录的情况下，用来进行代替的代替区域。另外，删除块的大小为16kB。

第1记录区域271与第2记录区域272的管理方法不同。第1记录区域271中，以512字节(＝1扇区)单位进行数据的读出/写入，与此相对，第2记录区域272中，以16kB(＝32扇区＝1删除块)单位进行数据的读出/写入。也即，第1记录区域271适于数据大小小于16kB的数据写入，第2记录区域272适于数据大小大于16kB的数据写入。

半导体存储卡110b，根据预先从访问装置100b所取得的文件系统管理信息的位置与大小的相关信息，判断写入数据的种类，如果写入数据是文件系统管理信息，则记录在第1记录区域271中，如果写入数据是文件数据，就记录在第2记录区域272中。

(访问管理信息)

图14为表示本实施例的半导体存储卡110b中的地址管理信息之一例的图。地址管理信息由在访问装置100b所识别的逻辑地址与表示半导体存储卡110b内的非易失性存储器27中的物理地址空间的物理地址之间进行变换的逻辑物理变换表51，与表示非易失性存储器27中的各个物理区域的状态的链接表53构成。

逻辑物理变换表51是包含有与存在于逻辑地址空间中的所有地址相同数目的要素的表，各个要素中保存有对应的物理地址的值。图14中，通过“—”来表示逻辑地址未被分配物理地址的状态。图14的例子中，逻辑地址空间的从第0个开始到第127个为止的区域，分别被分配了物理地址空间的第320个到第447个，此外的区域处于未分配状态。

链接表53分割为第1记录区域用部分，与第2记录区域用部分来管理。图14的例子中，物理地址空间的第0个到第319个的区域为第1记录区域用部分，第320个以后的区域为第2记录区域用部分。链接表53中，“00”表示已被分配逻辑地址且在数据存储中使用的有效块，“11”表示未被分配逻辑地址，能够在数据存储中使用的删除完成块，“10”表示未被分配逻辑地址的作为未删除块且在数据删除之后能够存储数据的无效块。

对如上所构成的访问装置100b以及半导体存储卡110b的动作进行说明。

(访问装置的动作)

对访问装置100b的写入动作进行说明。在半导体存储卡110b中记录文件数据的情况下，在记录文件数据的同时，还需要记录半导体存储卡110b内的区域分配状态、文件名、文件大小等文件系统管理信息。在FAT文件系统的情况下，文件系统管理信息相当于FAT1、FAT2以及目录项。也即，在FAT文件系统的情况下，如图15A所示，按照数据、FAT1、FAT2、目录项(DIR)的顺序在半导体存储卡110b中记录，并以一定的周期重复，通过这样来记录文件系统全体。

图15B为表示访问装置100b对图15A的数据顺序所发出的命令顺序的图。如图15B的命令顺序所示，本实施方式，在发出对半导体存储卡110b的写入命令前，发出设定文件系统管理信息的位置、大小的“SetFSInfoAddr”命令。这里对“SetFSInfoAddr”命令进行说明。

“SetFSInfoAddr”命令，是访问装置100b用来在半导体存储卡100b内的非易失性存储器27中设定文件系统管理信息的位置(逻辑地址)与大小的命令。通过该命令，半导体存储卡110b能够识别存储文件系统管理信息的区域。其形式如下所示。

SetFSInfoAddr(addr，size)

addr：开始位置(逻辑地址)

size：大小(扇区数)

图15B的例子中，通过最开头三个命令，将逻辑地址空间的第32位开始的1扇区量的区域，设定为FAT1的区域，将逻辑地址空间的第34位开始的1扇区量的区域，设定为FAT2的区域，将逻辑地址空间的第64位开始的1扇区量的区域，设定为目录项的区域。这样，访问装置100b在数据写入之前发出SetFSInfoAddr命令，事先设定文件系统管理信息的位置。另外，SetFSInfoAddr命令可以在将半导体存储卡110b插入到访问装置100b中时，或接通访问装置100b的电源时发出一次，而不需要在每次进行数据写入处理时发出。

<SetFSInfoAddr命令处理>

对照图16，对半导体存储卡110b中的SetFSInfoAddr命令的处理顺序进行说明。

半导体存储卡110b接收到访问装置100b的FS管理信息通知功能所发出的命令之后(S1601)，参照所接收到的命令，判断是否是自身无法识别的非法命令(S1602)。在是非法命令的情况下，通知访问装置出错(S1603)，结束处理。

在不是非法命令的情况下，判断所接收到的命令是否是SetFSInfoAddr命令(S1604)。在不是SetFSInfoAddr命令的情况下，实施对应该命令的处理(S1605)，结束处理。

在是SetFSInfoAddr命令的情况下，判断与命令一起传送的参数是否正确(S1606)。SetFSInfoAddr命令的参数，包括表示保存文件系统管理信息的逻辑地址的“addr”与表示文件系统管理信息的大小的“size”。在addr中指定了非法地址的情况下等判断参数错误的情况下，通知访问装置出错(S1607)，结束处理。

在判断参数正确的情况下，判断addr所指定的逻辑地址是否存在于第2记录区域272中(S1608)。

在不在第2记录区域272中的情况下，在FS管理信息存储寄存器26中，保存所指定的逻辑地址、大小(S1612)，结束处理。

在存在于第2记录区域272中的情况下，在第1记录区域271内确保1删除块量的空区域，将包括所指定的逻辑地址的1删除块量的数据，从第2区域272拷贝到所确保的空区域中(S1609)。

之后，将包含有所指定的逻辑地址的1删除块量的数据，从第2记录区域272删除(S1610)。更新地址管理信息(S1611)。之后，在FS管理信息存储寄存器26中，保存所指定的逻辑地址、大小(S1612)，结束处理。

<Write命令处理>

对照图17，对半导体存储卡110b中的Write命令的处理顺序进行说明。

半导体存储卡110b接收到访问装置100b的地址通知功能所发出的命令之后(S1701)，参照所接收到的命令，判断是否是自身无法识别的非法命令(S1702)。在是非法命令的情况下，通知访问装置出错(S1703)，结束处理。

在不是非法命令的情况下，判断所接收到的命令是否是Write命令(S1704)。在不是Write命令的情况下，实施对应各命令的处理(S1705)，结束处理。

在是Write命令的情况下，判断与命令一起传送的参数是否正确(S1706)。Write命令的参数，包括表示数据记录目的地的逻辑地址的“addr”与表示数据的大小的“size”。在addr中指定了非法地址的情况下等判断参数错误的情况下，通知访问装置出错(S1707)，结束处理。

在判断参数正确的情况下，取得存储在FS管理信息存储寄存器26中的文件系统管理信息的位置(地址)、大小的相关信息(S1708)。

参照从FS管理信息存储寄存器26所取得的信息，判断参数addr所指定的逻辑地址，是否是存储在FS管理信息存储寄存器26中的地址(S1709)。

如果参数addr所指定的逻辑地址是存储在FS管理信息存储寄存器26中的地址，则判断写入数据是文件系统管理信息。这种情况下，实施对第1记录区域271的数据写入处理，进而更新地址管理信息(逻辑物理变换表51、链接表53)(S1710)，结束处理。

另外，在参数addr所指定的逻辑地址不是存储在FS管理信息存储寄存器26中的地址时，判断写入数据是文件数据。这种情况下，实施对第2记录区域272的数据写入处理，进而更新地址管理信息(逻辑物理变换表51、链接表53)(S1711)，结束处理。

如上所述，本实施方式中，在通过SetFSInfoAddr命令将文件系统管理信息的保存位置与大小的相关信息从访问装置100b事先通知给半导体存储卡110b之后，通过Write命令将文件系统管理信息与文件数据写入到半导体存储卡110b中。通过这样，发出了Write命令时，能够在半导体存储卡110b内，根据参数所指定的逻辑地址来判断写入数据的种类，对应数据种类变更写入方法，从而能够高速写入文件系统管理信息、文件数据双方。

(地址管理信息更新的具体例子)

接下来，对伴随着文件数据的记录，地址管理信息(逻辑物理变换表51、链接表53)的更新状态进行具体说明。另外，以下对将图14中所示的地址管理信息的状态作为初始状态，访问信息100b根据图15B所示的命令顺序，在半导体存储卡110b中记录了文件数据的情况下的地址管理信息的更新进行说明。

<Seq.1～3：文件系统管理信息存储区域的设定>

通过图15B的最初3个SetFSInfoAddr命令，设定非易失性存储器27内的文件系统管理信息(FAT1、FAT2、目录项(DIR))的存储位置(区域)。SetFSInfoAddr命令的参数中，分别指定了逻辑地址空间的第32位、第34位、第64位作为FAT1、FAT2、目录项(DIR)的逻辑地址。

参照图14的逻辑物理变换表51，所指定的3个逻辑地址(第32位、第34位、第64位)已经被分配了物理地址(第352位、第354位、第384位)。参照链接表53，这些物理地址分别位于存储文件数据的第2记录区域272中。因此，将分别包含有3个物理地址(第352位、第354位、第384位)的1删除块量的数据，从存储文件数据的第2记录区域272中，拷贝到存储文件系统管理信息的第1记录区域271中。

根据图14，包含有逻辑地址第32位与第34位的1删除块，为物理地址第352位至第383位，包含有逻辑地址第64位的1删除块，为物理地址第384位至第415位。参照链接表53，物理地址的第0位～第31位以及第32位～第63位，是已经删除了数据的无效块。因此，半导体存储卡110b，将第352位～第383位以及第384位～第415位的物理地址空间的数据，拷贝到第0位～第31位以及第32位～第63位的物理地址空间中。这样，删除了第352位～第383位以及第384位～第415位的数据。

伴随着上述处理，逻辑物理变换表51以及链接表53也被更新。以上处理完成时的逻辑物理变换表51与链接表53如图18所示。该图中，阴影部分为本次被更新了的场所。如逻辑物理变换表51所示，逻辑地址空间的第32位至第95位中，被分配了第1记录区域271用物理地址空间的第0位至第63位。另外，如链接表53所示，新分配的物理地址空间的第0位至第63位为有效块(“00”)，删除了数据的物理地址空间第352位至第415位变为无效块(“11”)。

<Seq.4文件数据的写入>

Seq.4中，从逻辑地址第128位开始写入16kB(＝32扇区)的数据。半导体存储卡110b参照FS管理信息存储寄存器26，判断Write命令所指定的逻辑地址是否是FS管理信息存储寄存器26中所保存的地址。本例中，由于逻辑地址第128位，没有保存在FS管理信息存储寄存器26中，因此半导体存储卡110b将写入数据的种类判断为“文件数据”，执行在第2记录区域272中的写入处理。

具体的说，半导体存储卡110b，参照图18的链接表53，识别出第2记录区域272用物理地址的第352位至第383位为数据被删除了的无效块，给该物理地址空间(第352位～第383位)分配逻辑地址空间(包含有第128位的删除块)，实际将数据写入到第2记录区域272中。该处理结束时，地址管理信息被变更为如图19所示。如该图所示，逻辑物理变换表51中，逻辑地址空间(第128位～第159位)被分配了物理地址空间(第352位～第383位)，与此同时，链接表53中记录有数据的物理地址空间(第352位～第383位)变为有效块(“00”)。

<Seq.5～7：文件系统管理信息的写入>

Seq.5～7中，FAT1、FAT2、目录项(DIR)的文件系统管理信息，分别写入在逻辑地址第32位、第34位、第64位中。

半导体存储卡110b参照管理信息存储寄存器26，判断Write命令所指定的逻辑地址是否存在于FS管理信息存储寄存器26内。本例中，由于逻辑地址第32位、第34位、第64位均位于FS管理信息存储寄存器26内，因此半导体存储卡110b将写入数据的种类判断为“文件系统管理信息”，执行在第1记录区域271中的写入处理。

具体的说，半导体存储卡110b，参照图19的逻辑物理变换表51，识别出所指定的逻辑地址(第32位、第34位、第64位)已经分配有物理地址(第0位、第2位、第32位)。接下来，半导体存储卡110b参照链接表53，识别出第1记录区域271用物理地址的第64位至第66位为数据被删除了的无效块，将该物理地址空间(第64位～第66位)分配到逻辑地址空间(第32位、第34位、第64位)，实际将数据写入到第1记录区域271中。这样，将以前保存有数据的物理区域(第0位、第2位、第32位)作为未删除的无效块(“10”)的状态进行管理。以上的处理结束时，地址管理信息被变更为如图20所示。

<Seq.8文件数据的写入>

Seq.8中，从逻辑地址第160位开始写入16kB(＝32扇区)的数据。半导体存储卡110b参照FS管理信息存储寄存器26，判断Write命令所指定的逻辑地址是否包括在FS管理信息存储寄存器26内。本例中，由于逻辑地址第160位，不在FS管理信息存储寄存器26中，因此半导体存储卡110b将写入数据的种类判断为“文件数据”，执行在第2记录区域272中的写入处理。

具体的说，半导体存储卡110b，参照图20的链接表，识别出第2记录区域用物理地址的第384位至第415位为数据被删除了的无效块，将该物理地址空间(第384位～第415位)分配到逻辑地址空间(包含有第160位的删除块)，实际将数据写入到第2记录区域272中。该处理结束时，地址管理信息被变更为如图21所示。

即使在如上所述反复进行文件数据与包括FAT1、FAT2、目录项(DIR)的文件系统管理信息的写入的情况下，如图21所示，由于1个删除块中不会混有文件系统管理信息与文件数据，因此不会产生一度所记录的文件大小不同的各种数据混在1删除块中所引起的访问速度的降低。

如上所述，本实施方式的半导体存储卡，具有从访问装置取得文件系统管理信息的位置与大小并进行保持的FS管理信息存储寄存器，在从访问装置发出了写入命令时，参照存储在寄存器中的值，通过这样，能够根据所指定的地址来判断数据种类。并且通过根据数据种类的判断结果来变更写入方法，能够在半导体存储卡中高速写入数据。

另外，本实施方式中以FAT文件系统为了进行了说明，但还可以使用UDF等其他文件系统。另外，SetFSInfoAddr命令、Write命令的参数只是一例，还可以使用其他表现形式，也可以添加本实施方式中所说明了的之外的参数。

本发明对特定的实施方式进行了说明，但对于本领域技术人员来说，能够明白其他多种变形例、修正、其他应用。因此，本发明并不仅限于这里所确定的公开，而只能够由权利要求的范围来进行限定。

本发明的相关半导体存储卡以及访问装置，指定访问装置写入到半导体存储卡中的数据的种类，对应于半导体存储卡卡内的数据种类，变更数据保存目的地，通过这样，能够防止文件系统的管理信息的更新所引起的半导体存储卡的寿命降低。这样的半导体存储卡，能够用作在将数字AV机器或移动电话终端、PC等用作访问装置的情况下的信息记录介质。

Claims (19)

1.一种信息记录介质，通过文件系统来管理存储数据，能够按照从外部接收到的命令进行数据的写入、读出，具有：

接收机构，其从外部接收命令、数据以及作为在文件系统中为了管理文件所需要的信息的与文件系统管理信息的位置和/或大小相关的信息；

以第1访问单位管理其数据的写入的第1记录区域；

以比第1访问单位大的第2访问单位管理其数据的写入的第2记录区域；以及

控制机构，其按照所接收到的命令，控制对上述第1或第2记录区域的访问，

上述控制机构，以在接收到写入命令时，根据上述接收数据的种类选择第1及第2记录区域中的任一方，在该选择的区域中写入接收数据的方式进行控制，

上述信息记录介质备有FS管理信息寄存器，该FS管理信息寄存器保持由上述接收机构接收到的与文件系统管理信息的位置或大小相关的信息，上述控制机构，根据保持在上述FS管理信息寄存器中的、与文件系统管理信息的位置相关的信息判断上述接收数据的种类。

2.如权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于：

上述第1记录区域保存作为在文件系统中文件的管理所需要的信息的文件系统管理信息，上述第2记录区域保存由文件系统所管理文件的实体数据。

3.如权利要求2所述的信息记录介质，其特征在于：

上述数据种类，包括表示实体数据的种类和表示文件系统管理信息的种类。

4.如权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于：

进一步具有保存地址管理信息的区域，该地址管理信息对上述第1及第2记录区域的物理地址与逻辑地址之间的对应进行管理。

5.如权利要求4所述的信息记录介质，其特征在于：

上述地址管理信息包含与数据的写入目的地相关的信息。

6.如权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于：

上述数据种类在命令的参数中被指定，上述控制机构根据该参数的值判断数据种类。

7.如权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于：

上述第1记录区域与第2记录区域设置在各自不同的记忆元件上。

8.如权利要求7所述的信息记录介质，其特征在于：

上述不同的记忆元件的重写寿命特性互不相同。

9.如权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于：

在接收到了与文件系统管理信息的位置和/或大小相关的信息时，判断所接收到的文件系统管理信息的位置是否包括在上述第2记录区域中，在包括在其中的情况下，将包含有上述接收到的位置的规定大小的数据，从上述第2记录区域移到上述第1记录区域。

10.如权利要求9所述的信息记录介质，其特征在于：

在上述第1及第2记录区域设置在各自具有规定数据删除单位的非易失性记忆元件上的情况下，上述规定大小与该数据删除单位的较大的一方的大小相同。

11.如权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于：

上述控制机构，在接收到了写入命令时，通过将上述FS管理信息寄存器的值与写入命令所指定的写入目的地的地址相比较，来判断数据种类。

12.如权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于：

上述第1及第2记录区域设置在同一个记忆元件上。

13.一种访问装置，访问权利要求1所述的信息记录介质，具有：

插槽，其装载上述信息记录介质；

访问控制机构，其控制针对装载在该插槽中的信息记录介质的数据写入、读出；以及

文件系统控制机构，其对在上述插槽中所装载的信息记录介质上所构筑的文件系统进行控制，在对上述信息记录介质进行写入时，将数据和与数据的种类相关的信息一起发送给上述信息记录介质。

14，如权利要求13所述的访问装置，其特征在于：

上述文件系统控制机构，指定表示实体数据的种类和表示文件系统管理信息的种类中的任一个，作为上述数据种类。

15.一种访问装置，访问权利要求1所述的信息记录介质，具有：

FS管理信息通知机构，其将与上述文件系统管理信息的位置和/或大小相关的信息通知给信息记录介质；

该FS管理信息通知机构，在上述文件系统管理信息的写入之前，先将与文件系统管理信息的位置和/或大小相关的信息，通知给上述信息记录介质。

16.一种控制方法，对通过文件系统来管理存储数据的信息记录介质进行控制，

对于第1记录区域，以第1访问单位管理其数据的写入；

对于第2记录区域，以比第1访问单位大的第2访问单位管理其数据的写入；

与写入命令一起接收数据以及写入目的地；

根据上述接收到的数据的种类，选择上述第1及第2记录区域中的任一方作为该数据的写入区域；

在该选择的区域中写入接收到的数据，

上述数据种类，包括表示由文件系统所管理的文件的实体数据的种类和表示在文件系统中文件的管理所需要的信息的种类。

17.如权利要求16所述的控制方法，其特征在于：

还一起接收所述写入命令和与数据种类相关的信息，并且根据该接收到的与数据种类相关的信息，判断所述接收到的数据的种类。

18.如权利要求16所述的控制方法，其特征在于：

上述数据种类根据数据的写入位置来判断。

19.一种访问方法，对权利要求1所述的信息记录介质进行访问，

将表示写入数据的种类的信息与写入命令一起发送给上述信息记录介质。

20.一种访问方法，用于访问权利要求1所述的信息记录介质，

将与上述文件系统管理信息的位置和/或大小相关的信息，发送给上述信息记录介质，在上述信息记录介质中设定保存上述文件系统管理信息的区域，

然后，将写入命令与数据以及写入目的地的地址一起发送给上述信息记录介质，进行数据的写入。

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