CN100424756C - 一种用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器，包括磁路、超磁致伸缩致动块、柔性连接板、连接焊盘、引线焊盘、线圈焊盘、固定焊盘，连接点、柔性引线、内、外磁屏蔽层、嵌入式螺线圈和单晶硅弹簧。本发明运用了特殊材料的巨磁致伸缩效应，采用联体制造工艺在磁头滑块内加工成型，并利用永磁体或者在驱动电流中叠加直流偏置电流来产生双向的伺服运动。这种超磁致伸缩微致动器能在较低的电压下工作，能输出较大的驱动力，响应速度超过压电陶瓷材料，并且不会有居里点失效问题。

Description

一种用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器

技术领域

本发明属于数据存储技术领域，具体涉及一种用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器。

背景技术

在计算机硬盘等数据存储设备中，通常使用薄膜型磁头对盘面磁信息进行写入或读出。一种硬盘的整体结构图如图1所示，10为在净室环境下拆开硬盘外壳看到的内部主要结构。磁盘内的各种组件首先固定安装在底盘14上，再通过安装定位孔12用螺丝连接在计算机机箱上。读写头13安装在磁头臂16的最前端的滑块上，磁头致动器11驱动磁头臂16绕固定轴旋转，带动读写头13在磁盘盘体15上做寻道和跟踪动作。当前硬盘中磁头致动器11普遍采用音圈电机作为伺服驱动装置。读写头13直接在滑块上一体加工成形，滑块能在空气隙的作用下在旋转的磁盘盘体15表面上以纳米级的高度飞行。滑块通过HGA(Head Gimbal Assembly)工艺直接装配在磁头臂16的万向节和悬臂梁上。

随着材料制备科学和微电子技术的迅速发展，计算机硬盘磁道定位机构不断向小型、轻质化发展。磁头在计算机硬盘上的飞行高度从开始离硬盘约140μm高度发展到20nm以下，磁道宽度和磁道间距亦从最初约100μm发展到目前约1μm，因而磁盘容量得到迅猛提高。同时，磁头在硬盘上的旋转速度从开始时的360r/min发展到目前7200r/min，并有进一步提高至12000r/min的趋势。但是，随着磁头飞行高度不断下降和转速迅速提高，磁头会因硬盘偏心偏离磁道轨迹，难以快速捕捉磁道上的信号，因而提高计算机硬盘磁头的定位精度和跟踪磁道速度已成为计算机硬盘容量日益增长的迫切要求。

目前普遍使用的计算机硬盘磁头定位方式是音圈电机闭环伺服方式，这种方式在磁存储密度还比较低的时候能较好的满足伺服跟踪的要求，但对亚微米量级磁道的快速高精度定位是十分困难的。采用二级伺服机构可以更好的解决这个问题，即把音圈电机作为第一级伺服机构进行粗定位，另外加入一个更靠近滑块的微致动器直接对滑块上的磁头进行高精度的第二级伺服定位。第二级伺服定位微致动器目前有三种安装位置，分别是安装在万向节和滑块之间、安装在磁头悬臂中间、以及与滑块联体制造成型。图2所示为在万向节5和滑块2a之间单独设计一个微制动器块3a，并通过焊盘4与万向节5连接。至于联体微致动器则是通过MEMS工艺集成制造在滑块上，再由联体微致动器的动作带动读写头做左右运动来进行伺服定位。以上两种安装位置适合采用静电平板型微致动器，其优点是可以通过MEMS工艺做出很复杂的微型结构，但缺点是静电平板型微致动器的输出力比较小。图3所示为一种将微致动器3c做在悬臂梁6c和滑块2c之间的结构，这种结构适于采用压电陶瓷(PZ)材料做微致动器，其优点是控制比较简单，加工比较容易，目前磁头上的微致动器主要以PZT压电技术(Piezoe-lectric Technology)制成。但采用压电材料做的微致动器还存在以下缺点：第一：压电材料在电场内会发生伸缩变形，但由于材料的变形比不高，为了达到变形长度要求，常常需要加上较高的驱动电压来形成较强的电场，而这个要求对于工作电压通常低于5伏特的硬盘来说相当为难。第二：居里点失效。压电陶瓷的工作温度超过其居里点温度时，会因为失极化引起失效问题，导致压电效应永久失效。而压电陶瓷材料的居里温度仅约为180℃±100。第三：响应速度不够快，难以应用在要求快速执行的器件中。

新加坡DSI研究所的Mou Jiangqiang，Chen Shixin等在Modeling andSimulation of Microsystems 2001发表的文献“Modeling and Simulation of aSingle Crystal Silicon Microactuator for Hard Disk Drive”，展示了如图2所示的单独的微致动器块结构；Hiroshi Toshiyoshi和Makoto Mita等在JOURNAL OFMICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS，VOL.11，NO.6，DECEMBER 2002上发表的文献“A MEMS Piggyback Actuator for Hard-Disk Drives”，揭示了如图3所示的联体微致动器的结构；Shinji Koganezawa和Takeyori Hara在FUJITSU Sci.Tech.J.，37，2，p.212-219，December 2001发表的文献“Developmentof Shear-Mode Piezoelectric Microactuator for Precise Head Positioning”，则展示了如图4所示的用压电陶瓷材料设计的微致动器结构。

70年代初美国A.E.Clark等人发现具有laves相结构的金属间化合物Tb1-xDyxFe2-y具有很好的磁致伸缩性能、低的磁晶各向异性和超过室温的居里温度，并发现外加预压应力可明显地提高该材料定向凝固晶体在低磁场下的磁致伸缩系数，从而使这种材料成为一种可实际应用的材料，引起了科学界和产业界的广泛重视。这种材料的饱和磁致伸缩系数达到1500～2000ppm，被称为“巨磁致伸缩材料”。巨磁致伸缩材料的应变大、有高的可靠性、能量密度大、响应速度快(＜＝1μs、响应频带宽(1Hz～10kHz)等诸多特点。

铽-镝-铁巨磁致伸缩材料(Tb-Dy-Fe Giant Magnetostrictive Material，简称为REGMsM或GMM)，即超磁致伸缩材料(Super Magnetostrictive Material)、大磁致伸缩材料或Terfenol-D。在中国也有人称它为“超磁”材料。与压电材料(PZT)和传统磁致伸缩材料Ni，Co等相比，GMM具有独特的性能：(1)在室温下的磁致伸缩应变大，是Ni的40～50倍，是PZT的5～8倍；(2)能量密度高，是Ni的400～500倍，是PZT的10～25倍；(3)响应速度快，一般在几十毫秒以下，甚至达到微秒级；(4)输出力大，带载能力强，可达到220～800N；(5)其磁机耦合系数大，电磁能-机械能的转换效率高，一般可达72％；(6)居里点温度高，工作性能稳定，而且对大功率而言，因器件的过热易使PZT的永久性极化完全消失，而GMM即使工作到居里点温度以上也只会使其磁致伸缩特性暂时消失，当冷却到居里点温度以下时，其磁致伸缩特性又完全恢复。此外，声速低，约是Ni的1/3，PZT的1/2。

另外，超磁致伸缩材料还能以薄膜的形式沉积在基片上构成智能器件。近年来，许多研究者采用溅射方法在非磁性基片(如硅、聚酰亚胺polyimid)上制备了稀土-过渡金属非晶薄膜，并对薄膜的结构和磁致伸缩特性进行了研究，发现磁致伸缩薄膜具有良好的软磁性能，磁晶各向异性低，在室温和低磁场下能产生很大的磁致伸缩应变。这些制备方法也使得利用微电子机械制造工艺制造超磁致伸缩材料的微致动器成为可能。

嵌入式螺线圈已经在通信等领域中得到了应用，并且加工方法也有多篇文章予以报道。嵌入式螺线圈的制造方法可以参考Chong H.Ahn，和Mark G.Allen的文章“Micromachined Planar Inductors on Silicon Wafers for MEMSApplications”，IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS，VOL.45，NO.6，DECEMBER 1998，以及Yong-Kyu Yoon，Emery Chen，Mark G.Allen，和Joy Laskar的文章“Embedded Solenoid Inductors for RF CMOS PowerAmplifiers”。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器，该微致动器能在较低的电压下工作，能输出较大的驱动力，响应速度超过压电陶瓷材料，并且不会有居里点失效问题。

本发明提供的一种用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器，其特征在于：该微致动器包括磁路、超磁致伸缩致动块、柔性连接板、连接焊盘、引线焊盘、线圈焊盘、固定焊盘，连接点、柔性引线、内、外磁屏蔽层、嵌入式螺线圈和单晶硅弹簧；其中，

连接焊盘位于滑块顶面靠近读写头一侧；磁路位于滑块内，其形状为一个平躺的“E”字，磁路与连接焊盘靠近的一端的侧面与超磁致伸缩致动块的顶端的侧面连接，中间突起部分的顶面与超磁致伸缩致动块另一端的底面接触，形成闭合磁路；超磁致伸缩致动块位于中间突起部分的一端通过侧面中间固定焊盘与柔性连接板固定；超磁致伸缩致动块的一端与磁路固定，将超磁致伸缩致动块包裹在磁路内；

超磁致伸缩致动块包括正磁致材料层、中间层和负磁致材料层，中间层为硅基片或聚酰亚胺，正磁致材料层和负磁致材料层分别位于中间层的两侧，中间层起支撑固定微致动器作用；

单晶硅弹簧由一对弹簧构成，每个弹簧的一端分别与超磁致伸缩致动块的正磁致材料层和负磁致材料层接触，并靠近磁路的一端，其另一端则与硅基底联为一体；

嵌入式螺线圈围绕在超磁致伸缩致动块上，其引线端子通过线圈焊盘连接至柔性引线；

柔性连接板的一端插入至磁路的一端与超磁致伸缩致动块之间，且与超磁致伸缩致动块固定，另一端与悬臂梁固定；柔性连接板上与悬臂梁相连的一端上设有引线焊盘和连接点，另一端上设有线圈焊盘和侧面中间固定焊盘，引线焊盘与悬臂梁的柔性引线连接，连接点用于柔性连接板和悬臂梁的固定；侧面中间固定焊盘用于柔性连接板与超磁致伸缩致动块的固定，线圈焊盘用于连接嵌入式螺线圈的引线；

内磁屏蔽层覆盖在磁路之上，外磁屏蔽层位于磁路与硅基底之间。

本发明主要运用了特殊材料的巨磁致伸缩效应，它采用一种新型的巨磁致伸缩材料替代压电陶瓷材料，并采用联体制造工艺做磁头滑块的微致动器。在外加磁场作用下尺寸和体积发生变化的现象称为磁致伸缩效应。传统的磁致伸缩材料如铁、镍等的磁致伸缩系数均很小，分别为21ppm(百万分之一)和-46ppm。由于超磁致伸缩材料具有优异性能，本发明才采用了这种新型材料替代压电陶瓷材料，并设计了新型的微致动结构、嵌入式驱动线圈，闭合磁路等，本设计采用在滑块上做成联体微致动器的方案。采用本发明给出的新型磁头微致动器，可以达到以下技术效果：第一，可达微秒级的响应速度，能满足高存储密度条件下快速跟踪定位磁道的要求，比PZT微致动器的响应速度快一个数量级；第二，工作电压低，能在5伏特以下的电压下正常工作，满足硬盘磁头的工作环境限制；第三，无PZT微致动器的居里点永久失效问题，这种微致动器工作到居里点温度以上也只会使其磁致伸缩特性暂时消失，当冷却到居里点温度以下时，其磁致伸缩特性又能完全恢复；第四，定位精度高，摆动幅度大，定位精度可小至纳米级，而运动幅度则可在微米级以上，后文将对这种微致动器的精度和幅度给出分析；第五，磁机耦合系数大，能量转换效率高，电磁能-机械能的转换效率一般可达72％。此外与静电平板型微致动器相比还有输出力大、带载能力强、能量密度高的特点。

附图说明

图1为磁盘整体结构示意图；

图2为现有的介于滑块和万向节之间的微致动器结构；

图3为现有的介于滑块和悬臂梁之间的压电陶瓷微致动器结构；

图4A为本发明用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器结构的局部剖视图；

图4B为图4A中的A-A剖视图；

图4C为柔性连接板的结构示意图，其中图4C(a)为侧视图，图4C(b)为左视图；

图4D为图4A中滑块的结构示意图；

图5为磁头悬臂梁的分层结构图；

图6为图4A中超磁致伸缩微致动块的分层结构示意图。

具体实施方式

如图4A、4B、4C、4D所示，本发明提供的用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器与滑块25联体制造成型。微致动器由以下几部分组成：磁路28、超磁致伸缩致动块29、柔性连接板30、连接焊盘24、引线焊盘32、线圈焊盘33b、固定焊盘34，连接点31、柔性引线35、内、外磁屏蔽层50、51、嵌入式螺线圈53和单晶硅弹簧55。微致动器的各构成部分可以二个部分，一部分位于柔性连接板上，另一部分均位于滑块25内，滑块25在硅基底27上加工而成。

连接焊盘24位于滑块顶面靠近读写头26的一侧。磁路28采用软磁材料如坡莫合金材料等构成，起增强磁场的作用，在外加激励磁场时能增强磁路28中的磁场，从而减少对驱动电流的要求。磁路28位于滑块25内，其形状为一个平躺的“E”字。磁路28与连接焊盘24靠近的一端28a的侧面与超磁致伸缩致动块29的顶端的侧面连接，中间突起部分28b的顶面与超磁致伸缩致动块29另一端的底面接触，但不固定，以形成闭合磁路。超磁致伸缩致动块29位于中间突起部分28b的一端通过侧面中间固定焊盘34与柔性连接板30固定。磁路28的另一个端面28c与超磁致伸缩致动块29不接触。超磁致伸缩致动块29的一端与磁路28固定，另一端与磁路28不能固定，并且将超磁致伸缩致动块29包裹在磁路28内，这样既可以不妨碍微致动器的摆动运动，也可以减少磁通泄漏。

超磁致伸缩致动块29由3层材料组成，中间层29c为硅基片或聚酰亚胺等材料，正磁致材料层29a和负磁致材料层29b分别位于中间层29c的两侧。中间层29c起支撑固定微致动器作用，它可以在与滑块的硅基片27一体制成，也可以采用聚酰亚胺等材料来做。由于正、负磁致材料层29a、29b拉伸强度较低，脆性较大，容易断裂，在工作时不能承受拉伸应力或剪切应力，本发明采用中间层承重和承受剪切应力以避免上述问题。

超磁致伸缩致动块29是致动力的输出来源，嵌入式螺线圈53在励磁电流的驱动下，产生变化的磁场，影响超磁致薄膜材料29a和29b的变形，带动滑块25前端面的读写头26左右摆动，实现伺服动作。

单晶硅弹簧55由一对弹簧构成，每个弹簧的一端分别与超磁致伸缩致动块29的正磁致材料层29a和负磁致材料层29b接触，并靠近磁路28的一端28a，其另一端则与硅基底27联为一体，一起起到减少冲击的作用。这种具有形状的弹簧可以利用硅沉积和高位形比(High Aspect Ratio)加工技术生长制成。

为了制造方便，可以将单晶硅弹簧55制成“

”形的结构。

嵌入式螺线圈53围绕在超磁致伸缩致动块29上，提供励磁，其引线端子33a通过线圈焊盘33b连接至柔性引线35。

柔性连接板30的一端插入至磁路28的一端28c与超磁致伸缩致动块29之间，且与超磁致伸缩致动块29固定，另一端与悬臂梁21固定。柔性连接板30上与悬臂梁21相连的一端上设有引线焊盘32和连接点31，另一端上设有线圈焊盘33b和侧面中间固定焊盘34。引线焊盘32与悬臂梁21的柔性引线35连接，连接点31用于柔性连接板30和悬臂梁21的固定。侧面中间固定焊盘34用于柔性连接板30与超磁致伸缩致动块29的固定，线圈焊盘33b用于连接嵌入式螺线圈53的引线。柔性连接板30具有薄且宽的外形，因此垂直方向有一定弹性，而水平方向由于较宽，因此可以作为超磁致伸缩致动块29的固定轴。这就使得超磁致伸缩致动块29一端是固定的，另一端则在超磁致伸缩致动块29的驱动下能左右摆动，实现读写头26的精密定位。

内磁屏蔽层50覆盖在磁路28之上，外磁屏蔽层51位于磁路28与硅基底27之间。内、外磁屏蔽层50、51由磁导率很高的材料通过溅射或沉积等工艺制成，将磁路28包裹在内，防止微致动器的驱动磁场对磁头或存储媒介的干扰。

通常，滑块25包括常规的侧面读写头26以及底面的ABS空气轴承和顶部中心部位的连接点，本发明设计的与滑块25联体的微致动器，将常规的一个顶部中心部位的连接点扩展为前置连接点24和连接点31，以平衡滑块的重量。

嵌入式螺线圈53主要产生激励磁场。单晶硅弹簧55主要用来减少运动的冲击。超磁致伸缩致动块29在激励磁场的作用下发生偏转(折弯)，从而带动滑块25整体运动。为了超磁致伸缩致动块29能正常摆动，嵌入式螺线圈53、超磁致伸缩致动块29之间的空间必须是无障碍的。这可以通过加工时填充牺牲层56来实现。

为了超磁致伸缩致动块29能正常摆动，嵌入式螺线圈53、超磁致伸缩致动块29之间的空间必须是无障碍的。这可以通过加工时填充牺牲层56来实现。即在硅基片29c上生长嵌入式螺线圈53、微致动器29和单晶硅弹簧55时，在缝隙中填入牺牲层材料，如二氧化硅材料，然后待嵌入式螺线圈53、单晶硅弹簧55和超磁致伸缩致动块29生长完成后再用水杨酸清洗，将牺牲层56洗掉即可。柔性连接板30的折弯段插入超磁致伸缩致动块29右端面和磁路28右端之间的缝隙中，与超磁致伸缩致动块29右端面粘结或焊接固定，可以保证两者之间的牢固粘结。考虑到制造的难度，也可以改为柔性连接板30的折弯段与超磁致伸缩致动块29右端上部粘结或焊接。

图5展示了悬臂梁各部分的分层结构，其中连接焊盘24、柔性引线35以及柔性连接电缆36与滑块相连。把图1中的磁头臂16重画如图5中的悬臂梁21，柔性板22固定在悬臂梁21下方，柔性板22的前端设计有一个万向节23，万向节23的中间设计有滑块粘结盘20，滑块粘结盘20可以是焊盘也可以是粘接点，它与滑块25上的连接焊盘24焊接或粘合在一起，从而提供对滑块25的支撑和固定。柔性板22和万向节23都为弹性元件，能共同提供水平、垂直、翻转、俯仰等几个方向的自由度。柔性连接电缆36直接连接到读写头26上，输入写信号或输出读信号。柔性引线35直接连接到柔性连接板30的引线焊盘32上，并连接到嵌入式螺线圈53的引线端子33a提供嵌入式螺线圈53的驱动电流。柔性连接板30的连接点31也固定在悬臂梁21上。

图6说明了超磁致伸缩致动块的分层结构。它由具有正超磁致伸缩效应材料(如T_bFe₂薄膜)组成的正超磁致伸缩层、中间层(如硅基片或聚酰亚胺基片)、具有负超磁致伸缩效应材料(如SmFe₂薄膜)组成的负超磁致伸缩层组成。基片可以是如图所示的聚酰亚胺材料也可以是硅等其他材料。对稀土-铁超磁致伸缩材料的研究表明，室温下SmFe₂的磁致伸缩数值接近T_bFe₂的水平，多晶SmFe₂的室温饱和磁致伸缩λ为-1560×10^-6，T_bFe₂的为1753×10^-6，特别在低磁场下两者的磁致伸缩系数相等。由正负磁致效应联合组成的双金属片型的悬臂梁能增强总体的磁致伸缩效应，降低悬臂梁的初始曲线。本发明的微致动器即采用了这种薄膜型超磁致伸缩分层结构。

万向节和柔性板的构造与目前商用硬盘万向节与柔性板的构造可以基本相同，不同之处在于万向节与滑块的连接部位，为了能使超磁致薄膜的形变能累积一定的量，薄膜的长度不能太短，为此，必须将万向节与滑块的粘结焊盘向滑块的一侧挪，使另一侧能有几百微米的长度来制作超磁致薄膜。滑块与悬臂梁柔性板连接的万向节有三种常用结构：(i)为十字型结构；(ii)为凸型结构；(iii)为蛇型结构。第一、第三种虽然能使滑块有更好悬浮特性，但结构复杂，而第二种结构简单，各种响应特性也可以满足磁头要求，因而也是目前商用磁盘的通用选择。本发明也采用了这种结构，但把与滑块的连接点向靠近读写头一侧做了调整，同时又在另一侧增加了一个柔性连接板做固定，这种设计可能会使滑块的动态响应特性恶化，为此需要采用尽可能软的柔性连接板。

从以上结构可以看出，微致动器的主要工作原理是：嵌入式螺线圈通电后产生电磁场，嵌入式螺线圈内的具有正超磁致效应的超磁致薄膜材料在磁场方向上会伸长，而具有负超磁致效应的薄膜材料在磁场方向上会缩短，由于薄膜型微致动器一端由柔性连接板连接到悬臂梁固定，因而整个滑块由于反作用力会被带动做摆动运动，该运动轨迹为弧形，但运动方向是沿磁盘轨道的垂直方向，因而可用作二级伺服机构实现磁盘轨道的精定位。

从微致动器的结构以及工作原理可知，该微致动器能向负磁致材料一侧偏转，但不能向正磁致材料一侧偏转，也即微致动器的运动总是单向的。如果采用成对的这种微致动器无疑可以实现两个方向的运动，但这会带来很高的代价，甚至不可实现。如果只采用单个微致动器，就要求在设计两级伺服系统时必须考虑将第一级的运动设计成为有一定超调量(/或欠调量)，再利用第二级的运动做补偿。这实际将结构上的复杂性转移到了系统控制的复杂性中。实现双方向运动的解决方法还可以由两组螺线圈来完成。一组螺线圈产生薄膜长度方向的激励磁场，使薄膜悬臂梁向负超磁致材料一侧弯曲；另一组螺线圈则产生薄膜横轴方向的磁场，使薄膜悬臂梁向正超磁致材料一侧弯曲。但在极小的空间加工两组螺线圈的难度很大，代价很可能超过其带来的益处。

本发明采用的解决方法是加入偏置磁场，使超磁致材料在静态时就处于偏摆运动的中心位置，这样就可以实现两个方向的运动。偏置磁场可以通过加入永磁体或者是采用在驱动电流中叠加适当的直流偏置电流来产生，也可以在超磁致伸缩致动块29的两侧设置永磁体来产生。

Claims (3)

1. 一种用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器，其特征在于：该微致动器包括磁路(28)、超磁致伸缩致动块(29)、柔性连接板(30)、连接焊盘(24)、引线焊盘(32)、线圈焊盘(33b)、固定焊盘(34)，连接点(31)、柔性引线(35)、内、外磁屏蔽层(50、51)、嵌入式螺线圈(53)和单晶硅弹簧(55)；其中，

连接焊盘(24)位于滑块(25)顶面靠近读写头(26)一侧；磁路(28)位于滑块(25)内，其形状为一个平躺的“E”字，磁路(28)与连接焊盘(24)靠近的一端(28a)的侧面与超磁致伸缩致动块(29)的顶端的侧面连接，中间突起部分(28b)的顶面与超磁致伸缩致动块(29)另一端的底面接触，形成闭合磁路；超磁致伸缩致动块(29)位于中间突起部分(28b)的一端通过侧面中间固定焊盘(34)与柔性连接板(30)固定；超磁致伸缩致动块(29)的一端与磁路(28)固定，将超磁致伸缩致动块(29)包裹在磁路(28)内；

超磁致伸缩致动块(29)包括正磁致材料层(29a)、中间层(29c)和负磁致材料层(29b)，中间层(29c)为硅基片或聚酰亚胺，正磁致材料层(29a)和负磁致材料层(29b)分别位于中间层(29c)的两侧，中间层(29c)起支撑固定微致动器作用；

单晶硅弹簧(55)由一对弹簧构成，每个弹簧的一端分别与超磁致伸缩致动块(29)的正磁致材料层(29a)和负磁致材料层(29b)接触，并靠近磁路(28)的一端(28a)，其另一端则与硅基底(27)联为一体；

嵌入式螺线圈(53)围绕在超磁致伸缩致动块(29)上，其引线端子(33a)通过线圈焊盘(33b)连接至柔性引线(35)；

柔性连接板(30)的一端插入至磁路(28)的一端(28c)与超磁致伸缩致动块(29)之间，且与超磁致伸缩致动块(29)固定，另一端与悬臂梁(21)固定；柔性连接板(30)上与悬臂梁(21)相连的一端上设有引线焊盘(32)和连接点(31)，另一端上设有线圈焊盘(33b)和侧面中间固定焊盘(34)，引线焊盘(32)与悬臂梁(21)的柔性引线(35)连接，连接点(31)用于柔性连接板(30)和悬臂梁(21)的固定；侧面中间固定焊盘(34)用于柔性连接板(30)与超磁致伸缩致动块(29)的固定，线圈焊盘(33b)用于连接嵌入式螺线圈(53)的引线；

内磁屏蔽层(50)覆盖在磁路(28)之上，外磁屏蔽层(51)位于磁路(28)与硅基底(27)之间。

2. 根据权利要求1所述的超磁致伸缩微致动器，其特征在于：单晶硅弹簧(55)为一对“

”形结构的弹簧。

3. 根据权利要求1或2所述的超磁致伸缩微致动器，其特征在于：在超磁致伸缩致动块(29)的两侧分别设有永磁体。

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