CN100392774C - 具有高自旋极化率的半金属磁性材料 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一系列具有高自旋极化率的金属磁性材料,该系列材料具有化学式:MnxCoyNzMw,其中,N是III-V族元素,如:Al,Ga,In,Si,Ge,Sn,Sb等的一种或多种,M为过渡族元素,如:V,Cr,Fe,Ni等的一种或多种;2.2≥x≥1.8,1.2≥y>0,1.2≥z>0,0.99≥w≥0,x+y+z+w=4。所述的MnxCoyNzMw系列材料:自旋极化率最高的为100%,是典型的半金属磁性材料,最低的自旋极化率是80%。
Description
技术领域
本发明一般涉及高自旋极化率材料,特别是涉及具有自旋极化率接近百分之百的半金属磁性材料。
背景技术
电子是电荷与自旋的统一载体,具有自旋属性的电子在传导过程中,当材料尺度和物理的特征长度相当时,能够表现出独特的物理效应,例如巨磁电阻(GMR)、隧穿磁电阻、超大磁电阻效应和自旋转移等。在过去的100年中,以电场控制电子电荷的输运过程为基本原理的微电子学,已经全面地改变了人们的日常生活,那么,是否可以通过控制电子的另一属性一自旋,来实现对其输运行为的操纵,从而创造新的信息时代呢?在自旋电子学领域已经取得的诸多科研成果和工业应用事实表明,这样一种希望是非常现实的,而且将是21世纪信息科学等高科技领域一个有重大突破的关健所在。高自旋极化率材料的应用会极大促进计算机存储器方面的发展。巨磁电阻是自旋电子学的范例,它迅速从物理发现到材料制备,直至最后器件产业化:自1988年发现这种新材料以来,计算机信息存储技术进入了GNR时代(IBM公司语)。例如,计算机硬盘在使用GMR读出头后,其记录密度提高近500倍。但这些自旋电子学功能器件都要求材料在Fermi能级附近分别具有自旋向上与自旋向下的电子数目不平衡,而且这种不平衡越严重越有利,也即要求材料的自旋极化率越高越好。
电子自旋是与材料的磁性相关的。一个电子的自旋可以看作是一些具有极性的微小的磁体。电子的自旋可以自旋向上(↑)与自旋向下(↓)。利用材料中具有向上和向下电子数目的百分数可以描述自旋极化率P。例如:Cu的自旋极化率为0,普通磁性材料的P约为40%。
在上世纪八十年代,荷兰学者Groot等经过理论计算,发现了一种新型的磁性材料,他们称之为“半金属”。这种新材料独特之处在于它只有一种自旋方向是金属的,也就是说,所有表现出金属性质的电子都具有相同的自旋取向,而另一种相反的自旋取向则表现出绝缘或半导体性质。理论上,这种半金属材料可以具有100%的高自旋极化率。具有100%P的材料中所有电子具有相同的自旋取向,都向上或都向下,按照能带理论,这意味着这种材料中只存在一种自旋几率,也就是只具有一种自旋能带,而另一种自旋能带为空。而对于普通金属两种自旋能带是同时存在的,这也是这种材料被称为半金属的原因。因而,在通常的情况下能态密度成为半金属材料判断标准。对于Heusler型半金属,在T=0K时,其自旋磁矩正好是整数倍的Bohr磁子。这是因为在这种材料中,总的自旋数目N=N↑+N↓是整数;而在计入能隙区的情况下,每一种自旋取向,即N↑和N↓也都为整数;所以N↑-N↓也必然是一整数,此时如果忽略自旋-轨道耦合造成的附加磁矩,那么就会测量到一个整数或者非常接近整数的自旋磁矩。但需注意的是,利用这种以整数自旋磁矩作为半金属判据是必要的,但并不充分。
发明内容
本发明的目的是为了寻找具有高自旋极化率的新型功能材料,特别是寻找新的具有自旋极化率高达百分之百的半金属磁性材料,从而提供一系列新的具有高自旋极化率的磁性材料。
本发明提供具有高自旋极化率的半金属磁性材料,具有如下化学式MnxCoyNzMw,其中,
N是III-V族元素,如:Al,Ga,In,Si,Ge,Sn,Sb等的一种或多种,M为过渡族元素,如:V,Cr,Fe,Ni等的一种或多种;
2.2≥x≥1.8,1.2≥y>0,1.2≥z>0,0.99≥w≥0,x+y+z+w=4。
所述的MnxCoyNzMw系列合金是一批具有高自旋极化率的合金磁性材料,该系列材料中最高的理论计算自旋极化率达到100%,是典型的半金属磁性材料,最低的自旋极化率为90%。其实验测量数据最高为97%,最低为80%。
附图说明
图1是Mn2CoAl合金的计算能态密度(DOS)曲线。
图2是Mn2CoSb合金的计算能态密度(DOS)曲线。
图3是Mn2Co0.9Fe0.1Ga合金的计算能态密度(DOS)曲线。
具体实施方式
实施例1:
按照化学式Mn2CoAl称取Mn、Co和Al,然后将其混合后利用常规电弧熔炼的方法进行反复熔炼,使样品均匀。其制备条件为:抽真空到1×10-1-1×10-6Pa后充入氩气,在0.01到1MPa正压力或者流动氩气的保护下进行电弧熔炼。
材料化学式为Mn2CoAl的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图1。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例2:
按照化学式Mn2CoGa称取Mn、Co和Ga,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2CoGa的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图1。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例3:
按照化学式Mn2CoSi称取Mn、Co和Si,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2CoSi的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图2。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例4:
按照化学式Mn2CoIn称取Mn、Co和In,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2CoIn的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图1。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例5:
按照化学式Mn2CoGe称取Mn、Co和Ge,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2CoGe的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图1。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表2。
实施例6:
按照化学式Mn2CoSn称取Mn、Co和Sn,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2CoSn的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图2。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例7:
按照化学式Mn2CoSb称取Mn、Co和Sb,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2CoSb的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图2。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例8:
按照化学式Mn2.2Co0.8Sb称取Mn、Co和Sb,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2.2Co0.8Sb的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图2。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例9:
按照化学式Mn2Co0.8Cr0.2Al称取Mn、Co、Cr和Al,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2Co0.8Cr0.2Al的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图1。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例10:
按照化学式Mn2Co0.9Fe0.1Ga称取Mn、Co、Fe和Ga,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2Co0.9Fe0.1Ga的磁性合金;计算获得的自旋极化率93%。其计算所得能态密度曲线形状见图3。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例11:
按照化学式Mn2Co0.5V0.5Al称取Mn、Co、V和Al,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2Co0.5V0.5Al的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图1。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例12:
按照化学式Mn2Co0.8Ni0.2Sb称取Mn、Co、Ni和Sb,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2Co0.8Ni0.2Sb的磁性合金;计算获得的自旋极化率为92%。其计算所得能态密度曲线形状见图3。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例13:
按照化学式Mn2CoSb0.8In0.2称取Mn、Co、Sb和In,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2CoSb0.8In0.2的磁性合金;计算获得的自旋极化率为91%。其计算所得能态密度曲线形状见图3。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例14:
按照化学式Mn2CoSb0.3Al0.7称取Mn、Co、Sb和Al,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2CoSb0.3Al0.7的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图1。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例15:
按照化学式Mn1.8CoGe1.2称取Mn、Co和Ge,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn1.8CoGe1.2的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图1。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例16:
按照化学式Mn2Co1.1Si0.9称取Mn、Co和Si,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn2Co1.1Si0.9的磁性合金;计算获得的自旋极化率为100%,是典型的半金属材料。其计算所得能态密度曲线形状见图1。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
实施例17
按照化学式Mn1.8Co1.1Si0.9Sb0.2称取Mn、Co、Si和Sb,制备工艺同实施例1。
材料化学式为Mn1.8Co1.1Si0.9Sb0.2的磁性合金;计算获得的自旋极化率为90%。其计算所得能态密度曲线形状见图3。测量其自旋极化率和饱和磁化强度,获得数值见表1。
样品 | 成分 | 计算P值 | 测量P值 | 测量饱和磁化强度(μ<sub>B</sub>) |
1 | Mn2CoAl | 100% | 96.2% | 1.98 |
2 | Mn2CoGa | 100% | 95.1% | 2.01 |
3 | Mn2CoSi | 100% | 94.6% | 1.98 |
4 | Mn2CoIn | 100% | 95% | 2.99 |
5 | Mn2CoGe | 100% | 95.3% | 2.99 |
6 | Mn2CoSn | 100% | 94.9% | 3.01 |
7 | Mn2CoSb | 100% | 96.1% | 3.98 |
8 | Mn<sub>2.2</sub>Co<sub>0.8</sub>Sb | 100% | 96% | 3.97 |
9 | Mn<sub>2</sub>Co<sub>0.8</sub>Cr<sub>0.2</sub>Al | 100% | 94.1% | 1.99 |
10 | Mn<sub>2</sub>Co<sub>0.9</sub>Fe<sub>0.1</sub>Ga | 93% | 85% | 1.95 |
11 | Mn<sub>2</sub>Co<sub>0.5</sub>V<sub>0.5</sub>Al | 100% | 93% | 1.99 |
12 | Mn<sub>2</sub>Co<sub>0.8</sub>Ni<sub>0.2</sub>Sb | 92% | 89% | 3.99 |
13 | Mn<sub>2</sub>CoSb<sub>0.8</sub>In<sub>0.2</sub> | 91% | 85% | 3.90 |
14 | Mn<sub>2</sub>CoSb<sub>0.3</sub>Al<sub>0.7</sub> | 100% | 94% | 2.98 |
15 | Mn<sub>1.8</sub>CoGe<sub>1.2</sub> | 100% | 95% | 2.99 |
16 | Mn<sub>2</sub>Co<sub>1.1</sub>Si<sub>0.9</sub> | 100% | 95% | 2.99 |
17 | Mn<sub>1.8</sub>Co<sub>1.1</sub>Si<sub>0.9</sub>Sb<sub>0.2</sub> | 90% | 80% | 2.96 |
表1
Claims (1)
1.一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料,其特征在于:具有如下组成:MnxCoyNzMw,其中,
N是III-V族元素Al,Ga,In,Si,Ge,Sn,Sb中的一种或多种,M是过渡族元素V,Cr,Fe,Ni中的一种或多种;
2.2≥x≥1.8,1.2≥y>0,1.2≥z>0,0.99≥w≥0,x+y+z+w=4。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005101091668A CN100392774C (zh) | 2005-10-20 | 2005-10-20 | 具有高自旋极化率的半金属磁性材料 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN1750181A CN1750181A (zh) | 2006-03-22 |
CN100392774C true CN100392774C (zh) | 2008-06-04 |
Family
ID=36605562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101091668A Expired - Fee Related CN100392774C (zh) | 2005-10-20 | 2005-10-20 | 具有高自旋极化率的半金属磁性材料 |
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---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103334043B (zh) * | 2013-03-22 | 2015-07-08 | 中国科学院物理研究所 | 一种可用作磁制冷材料的磁性合金 |
CN105390223B (zh) * | 2015-10-28 | 2018-08-28 | 上海电力学院 | 一种室温磁制冷合金材料及制备方法 |
CN109576530B (zh) * | 2018-12-27 | 2021-07-20 | 江西理工大学 | 一种巨交换偏置Mn基合金及其制备方法和应用 |
CN112899543A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 河北工业大学 | 电阻率可调控的自旋无能隙半导体材料及其制备方法 |
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